JP2017063065A - 発光装置の作製方法 - Google Patents
発光装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017063065A JP2017063065A JP2017005925A JP2017005925A JP2017063065A JP 2017063065 A JP2017063065 A JP 2017063065A JP 2017005925 A JP2017005925 A JP 2017005925A JP 2017005925 A JP2017005925 A JP 2017005925A JP 2017063065 A JP2017063065 A JP 2017063065A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- laser
- substrate
- frit paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 118
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 58
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 244
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 74
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 49
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 34
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 34
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 28
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 26
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 23
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 12
- -1 oxides Chemical class 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 6
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 150000002909 rare earth metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000609 carbazolyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 3
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- KZPXREABEBSAQM-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;nickel(2+) Chemical compound [Ni+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KZPXREABEBSAQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N oxorhenium Chemical compound [Re]=O DYIZHKNUQPHNJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 229910003449 rhenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N tetrathianaphthacene Chemical compound C1=CC=CC2=C3SSC(C4=CC=CC=C44)=C3C3=C4SSC3=C21 JIIYLLUYRFRKMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 2
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000003464 asthenopia Diseases 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BHMABKBIKLSYGX-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene 5-methylcyclopenta-1,3-diene nickel(2+) Chemical compound [Ni++].c1cc[cH-]c1.C[c-]1cccc1 BHMABKBIKLSYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N lead(2+);oxido(oxo)borane Chemical compound [Pb+2].[O-]B=O.[O-]B=O ZPPSOOVFTBGHBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Mn+2] PPNAOCWZXJOHFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPOBXNYAWLLCGZ-UHFFFAOYSA-N nickel(2+);1,2,3,4,5-pentamethylcyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Ni+2].CC=1C(C)=C(C)[C-](C)C=1C.CC=1C(C)=C(C)[C-](C)C=1C FPOBXNYAWLLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N oxorhodium Chemical compound [Rh]=O SJLOMQIUPFZJAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N oxotungsten Chemical class [W]=O VVRQVWSVLMGPRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 239000005365 phosphate glass Substances 0.000 description 1
- 229910001392 phosphorus oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910003450 rhodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus hexaoxide Chemical compound O1P(O2)OP3OP1OP2O3 VSAISIQCTGDGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- QUBMWJKTLKIJNN-UHFFFAOYSA-B tin(4+);tetraphosphate Chemical compound [Sn+4].[Sn+4].[Sn+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QUBMWJKTLKIJNN-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K trifluoroerbium Chemical compound F[Er](F)F QGJSAGBHFTXOTM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N vanadate(3-) Chemical compound [O-][V]([O-])([O-])=O LSGOVYNHVSXFFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0736—Shaping the laser spot into an oval shape, e.g. elliptic shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
- B23K26/0608—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams in the same heat affected zone [HAZ]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/073—Shaping the laser spot
- B23K26/0738—Shaping the laser spot into a linear shape
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
ンの形成方法に関する。
を形成する技術が知られている。特許文献1に記載された技術は、低融点ガラスからなる
ガラスフリット(文献では「フリット材」と表記)とバインダとを含むペーストをガラス
基板の縁に沿って塗布し、当該ペーストを焼成してバインダを除去し、またガラスフリッ
トを溶融してガラス層(文献では「フリットガラス」と表記)とし、当該基板と対向基板
を重ね合わせてガラス層にレーザ光を照射して、基板とガラス層と対向基板を溶着させ、
高い気密性を有する封止体を形成するものである。
雰囲気と隔離することができる。このようなガラス層を用いた封止方法は、例えば有機E
L(Electro Luminescence)素子のように、素子が大気(水分や酸
素を含む)に曝されると急速にその性能が低下するような素子が適用されたデバイスに応
用される。
照明装置や、薄膜トランジスタと有機EL素子を組み合わせた画像表示装置などが挙げら
れる。有機EL素子は膜状に形成可能で、大面積の素子を容易に形成できるため、面光源
を有する照明装置を実現できる。また有機EL素子が適用された画像表示装置は、液晶表
示装置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ
低消費電力な表示装置を実現できる。
ダを含むペースト(以下、フリットペーストともいう)を基板に塗布した後に、バインダ
を除去するための焼成を行う必要がある。バインダを除去することにより、レーザ光照射
後のガラス層に高いガスバリア性を持たせることができる。バインダに用いる材料によっ
て異なるが、バインダを除去するためには、一般的には350℃から450℃程度の高温
で焼成する必要がある。
。例えば、当該基板上に耐熱性の低い材料が設けられている場合などがある。一例として
、有機EL素子が適用されたデバイスにおける耐熱性の低い材料としては、有機EL素子
、カラーフィルタ、光取り出し効率の向上を目的として設けられるマイクロレンズアレイ
などを含む光学調整膜などが挙げられる。
層中にバインダなどが残存し、気密性が不十分となる、またはガラス層にクラックが生じ
、封止が破られてしまうなどの恐れがある。
態様は、耐熱性の低い材料が設けられた基板にも適用可能な、組成物の加熱方法を提供す
ることを課題の一とする。また、クラックの発生が抑制された、ガラスパターンの形成方
法を提供することを課題の一とする。
ペーストに対してレーザ光を照射して、局所的に加熱して焼成することに想到した。
ト形状が略円形であり、且つ略円対称の強度分布を示すビームスポット形状のレーザ光(
以下、円状レーザともいう)が用いられてきた。
題がある。
る。円状レーザ10は、略円対称の強度分布を示し、例えば紙面横方向の直径に沿った区
間X1−X2における強度分布と紙面縦方向の直径に沿った区間Y1−Y2における強度
分布が略一致する。図17(A)にはその外周に近いほどその強度が小さい強度分布を示
しているが、理想的なトップフラット形状とすることもできる。
を示す概略図である。フリットペースト11内でレーザ光が照射されない領域が形成され
ないよう、円状レーザ10としてはその直径がフリットペースト11の幅よりも大きいビ
ームスポット形状とし、円の中心の軌跡がフリットペースト11の中央部に沿うように走
査する。
、フリットペースト11の中央部と外側部とでは照射される期間に差が生じ、理想的なト
ップフラット形状の強度分布を有する場合であっても、フリットペースト11に与えられ
るエネルギーの積算値に差が生じてしまう。そのためフリットペースト11の中央部と外
側部とで加熱温度に差が生じる。
ビーム強度、走査速度等)を最適化した場合は、外側部での焼成が不十分でバインダが残
存してしまう。一方、フリットペースト11の外側部に合わせて最適化した場合では、中
央部は過剰に加熱されてしまうため、ガラスフリットの溶着状態が中央部と外側部とで異
なってしまい、次工程で封止不良を招く恐れがある。
フリットペーストに大きな温度分布があると、熱収縮の度合いに差が生じるため熱応力に
差が生じ、場合によっては冷却後のガラス層にクラックが生じる、またはガラス層の内部
応力に起因してガラス層と重畳する基板にまでクラックが生じてしまう。また、レーザ光
の照射によって基板も直接的、または間接的に加熱されるが、当該温度分布によって基板
自体にも内部応力が発生し、クラックが生じてしまう危険性がある。
とその走査方法に着眼し、課題の解決に至った。フリットペーストの中央部と外側部とで
照射される期間に差が生じないように、レーザ光を走査すればよい。より具体的には、フ
リットペーストと重畳するビームスポットの、走査方向の幅が略一定であるようなレーザ
光を用いて走査すればよい。
ームスポット形状を有するレーザ光を用いることができる。矩形形状のビームスポットの
、対向する2辺が、フリットペーストのパターンの両端と、常に交差するように走査すれ
ばよい。
点又は分解温度が低い分散媒とを含む組成物にレーザ光を走査しながら照射して組成物を
加熱する際に、レーザ光のビームスポットの形状を矩形に整形し、且つ当該矩形の対向す
る2辺が組成物の両端と常に交差するように走査すること、を特徴とする。
ザ光を走査させることにより、フリットペーストの中央部と外側部でレーザ光が照射され
る期間に差が生じることが無く、均一に加熱することができる。
的には、分散質と、分散質よりも沸点又は分解温度の低い分散媒とを含む分散組成物を加
熱する際にも同様に均一に加熱することができる。
に金属などの導電性粒子が分散された導電性ペーストが挙げられる。導電性ペーストは一
般的に焼成温度を下げるために導電性粒子の粒径を1μm未満とする必要があるが、本発
明の一態様の加熱方法を用いれば局所的に均一に加熱することができるため、その粒径を
大きくすることができ、焼成後の導電性を高めることができる。
形状は、長軸と、当該長軸と直交する短軸を有することを特徴とする。
ト形状を有するレーザ光(以下線状レーザともいう)を用いることが好ましい。
側部の間で照射期間に差が生じないようにする場合は、フリットペーストの形成幅よりも
そのスポット径を十分に大きくする必要がある。その際、フリットペーストと重畳せず、
フリットペーストの加熱に関与しない領域の面積が極めて大きいため、その分無駄なエネ
ルギーを消費してしまう。ここで、上述のような線状レーザを用いると、フリットペース
トの加熱に関与しない領域の面積を低減できるため、効率的にフリットペーストを加熱す
ることができる。
高い出力が必要となる。ここで、上記線状レーザを用いることで、そのビームスポットの
総面積を小さくできるため、円状レーザを用いる場合よりも低い出力で効率的にフリット
ペーストを加熱することが可能となる。
閉曲線形状のフリットペーストにレーザ光を走査しながら照射してフリットペーストを加
熱する際に、レーザ光のビームスポットの形状を矩形に整形し、且つ当該矩形の対向する
2辺がフリットペーストの両端と常に交差するように走査すること、を特徴とする。
加熱方法を適用することにより、耐熱性の低い材料が設けられた基板であっても均一にフ
リットペーストを加熱することができるため、クラックの発生が抑制された信頼性の高い
封止体を作製することができる。
ト形状は、長軸と、当該長軸と直交する短軸を有することを特徴とする。
て封止体を作製することにより、照射開始領域においてレーザ光が2度照射される領域(
オーバーラップ領域)の面積を極めて小さいものとすることができるため、クラックの発
生が抑制され、信頼性の高い封止体を作製することができる。
角を0度以上60度以下とすることが好ましい。ここで、ある一定幅の領域を照射する際
に、短軸と走査方向との成す角をθとすると、ビームスポットの長軸方向の必要な長さは
1/cos(θ)に比例する。したがって、この角度が60度を超えると、線状レーザの
長軸方向の必要な長さが急激に長くなり、その結果必要なビームスポットの面積が急激に
増大してしまう。この角度を60度以下とすることにより、ビームスポットの面積を小さ
く抑えることができる。
方法において、上記フリットペーストは、それぞれ対向する2辺が平行な4辺を有する閉
曲線を成して設けられ、レーザ光が、短軸と、フリットペーストの各々の辺との成す角度
が0度以上60度以下であり、且つ、閉曲線の対向しない2辺に接続する角部において、
短軸が90度回転するように走査することを特徴とする。
沿って、一度の走査でレーザ照射工程を終えることができるため、工程が簡略化できる。
角部を同一形状とすることにより、それぞれの角部で内部歪みに起因する残留応力に差が
生じないため、信頼性の高い封止体とすることができる。また、角部の外輪郭及び内輪郭
をいずれも円弧状とすることができる。このように曲率を有する角部とすることにより、
ガラス層中の内部応力を緩和し、クラックの発生をより低減することができる。またこの
場合は曲率半径を大きくすることが好ましい。
方法において、フリットペーストは、それぞれ対向する2辺が平行な4辺を有する閉曲線
を成して設けられ、レーザ光が、短軸と、フリットペーストの各々の辺との成す角度が0
度以上60度以下であり、且つ、閉曲線の1辺と接続する2つの角部の間の区間において
、短軸が90度回転するように走査することを特徴とする。
することにより内側と外側とでレーザ光の照射期間に差が生じず、均一に照射することが
できるため、クラックが低減された封止体を作製することができる。
方法において、フリットペーストは、それぞれ対向する2辺が平行な4辺を有する閉曲線
を成して設けられ、レーザ光が短軸と、フリットペーストの各々の辺との成す角が45度
となるように走査することを特徴とする。
基板のコーナー部などで走査方向が90度曲がる場合においても、線状レーザを回転させ
ることなく、フリットペーストに沿って線状レーザを走査することができる。
いる場合には、短軸方向と走査方向との成す角を45度とすることにより、フリットペー
ストの4辺で短軸方向と走査方向との成す角を常に45度に維持したまま走査することが
できる。したがって、対向しない2辺の間でレーザ光の照射条件を共通のものとしても、
フリットペーストの加熱状態を揃えることができると共に、ガラスフリットの溶着状態を
均一にできるため信頼性の高い封止体を形成することができる。
幅に対する最も細い幅の比が、90%以上である範囲も含むものとする。
また、ここでいう曲線には、広義に直線や線分の概念を含むものとする。したがって、例
えば四辺形の外周のように、複数の線分で構成され、且つ各々の線分の両端がそれぞれ他
の線分の一端と一致している場合も、閉曲線の一態様である。また、円や楕円、曲率の異
なる複数の曲線部が連続して構成された形状や、直線部分と曲線部分とが混在して構成さ
れた形状なども閉曲線の一態様である。
定の方向から180度回転した方向、つまり、当該一定の方向の反対の方向も含むものと
する。また、ある一定の方向を指す場合には、向きと表記する場合がある。また本明細書
等において、平行と記載する場合、厳密に平行な方向のみでなく、平行方向から±10度
以内の状態を含むものとし、直交と記載する場合、厳密に直交する方向のみでなく、直交
方向から±10度以内の状態を含むものとし、垂直と記載する場合、厳密に垂直な方向の
みでなく、垂直方向から±10度以内の状態を含むものとする。
を含むものとする。例えば、直角と記載する場合、厳密に直角のみでなく、厳密に直角な
角度から±10度以内の状態を含むものとする。
発光性の有機化合物を含む層(発光層とも呼ぶ)、または発光層を含む積層体を示すもの
とする。
含む)を指す。また、発光装置にコネクター、例えばFPC(Flexible pri
nted circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bond
ing)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付
けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュー
ル、または発光素子が形成された基板にCOG(Chip On Glass)方式によ
りIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
法を提供できる。また、クラックの発生が抑制された、ガラスパターンの形成方法を提供
できる。
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成におい
て、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い
、その繰り返しの説明は省略する。
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。
本実施の形態では、本発明の一態様の組成物の加熱方法、及び封止体の作製方法につい
て、図1乃至図10を用いて説明する。ここでは、組成物の加熱方法の一例として、組成
物の一態様であるフリットペーストの加熱方法について説明する。フリットペーストは、
低融点ガラスからなるガラスフリットを分散質とし、有機樹脂及び有機溶媒からなるバイ
ンダを分散媒とした、これらを含む組成物である。
る期間に差が生じないようにレーザ光を走査する。より具体的には、フリットペーストと
重畳するビームスポット形状が、走査方向と平行な方向の幅が略一定となるようにレーザ
光を照射する。
ポットの領域において、走査方向と交差する対向する2辺が略平行である形状であればよ
く、例えば矩形(正方形を含む長方形)、平行四辺形などの四角形や、楕円形を用いるこ
とができる。また、円状レーザを用いることもできるが、その場合はフリットペーストの
幅に対してそのスポット径を十分に大きくする必要がある。
図1(A)は、本発明の一態様の加熱方法に用いることのできる、矩形形状のビームス
ポットを有するレーザ150のビームスポット形状と、その強度分布を示す概略図である
。
向に垂直な方向の強度分布ができるだけ均一であることが好ましい。例えば走査方向に垂
直な方向の強度分布がトップフラット形状とすることが好ましい。一方、走査方向に平行
な方向の強度分布も均一であることが好ましいが、例えばガウス分布のように、該方向に
沿って強度が変化するような強度分布を有していてもよい。
を走査する様子を示す概略図である。レーザ150は、そのビームスポット形状の一対の
対向する辺に平行な方向に走査することが好ましい。このように走査することにより、図
中の矢印で示すように、フリットペーストの中央部と外側部とで照射される期間が一定と
なるため、均一に加熱することができる。
)に示すように、レーザ150をフリットペースト110の成す曲率に沿って回転させな
がら走査することにより、曲線部であっても均一に加熱することができる。
が溶融し、これが冷却、固化する場合、一方向に均一に固化が進むため、中央部に応力が
集中することがなく、クラックの発生起因となるガラス層中の残留応力を低減することが
できる。
軸を有する形状であるレーザ光(線状レーザ)を用いると、円状レーザに比べ、そのスポ
ットの面積を極めて小さくできる。そのためフリットペーストの加熱に関与しない無駄な
領域の面積を低減することができるため、効率的にフリットペーストを加熱することがで
きる。また、スポット面積を低減することにより、円状レーザを用いる場合よりも低い出
力で効率的にフリットペーストを加熱することが可能となるため好ましい。
まず、本発明の一態様の加熱方法に用いることのできる線状レーザについて説明する。
である。
101と短軸102とを有する形状を有するレーザである。図2(A)には、長方形のビ
ームスポット形状を有する線状レーザ100を示している。
の長さが長ければよい。ここで長軸101の長さを短軸102の長さに対して1.3倍以
上とすると、長軸101の長さと同じ直径を有する円状レーザよりもビームスポットの面
積を小さくできる。このようなビームスポット形状を有する線状レーザ100を用いるこ
とにより、円状レーザを用いた場合に比べてエネルギー効率を高めることができ、低い出
力で効率的にフリットペーストを加熱することができる。
だけ均一であることが好ましい。例えば、長軸に沿った方向の強度分布がトップフラット
形状とすることが好ましい。また、その短軸102に沿った方向(Y1−Y2)の強度分
布は均一であると好ましいが、後に説明するように、線状レーザ100を走査する際にそ
の走査方向と短軸102は直交しないため、例えばガウス分布のように、該方向に沿って
強度が変化するような強度分布を有していてもよい。
。例えば、図2(B)に示すように楕円形状であってもよいし、図2(C)に示すように
、角部の丸い長方形形状としてもよい。
図2(D)では複数の円状レーザを長軸101方向に一部が重畳するようにして重ね合わ
せた場合を示す。また、図2(E)のように長軸101と短軸102方向のそれぞれに、
一部が重畳するように複数の円状レーザを重ね合わせてもよい。また、図2(F)に示す
ように、楕円形のビームスポット形状を有するレーザを長軸101方向に複数重ね合わせ
て形成してもよい。
説明する。
続いて、線状レーザ100を用いてフリットペーストを加熱する際の、線状レーザ10
0の走査方法について説明する。
て照射する。この際、線状レーザ100をフリットペースト110が設けられた領域に沿
って走査する。線状レーザ100の照射によってフリットペースト110は加熱され、バ
インダを構成する有機樹脂及び有機溶媒を分解または揮発させることにより、バインダを
除去する。なお、この工程を仮焼成とも呼ぶ。このときガラスフリットの一部または全部
が溶融して溶着または凝集することにより、低融点ガラスからなるガラス層が形成される
。
体となっていてもよいし、ガラスフリット同士が部分的に溶着している状態であってもよ
い。ここで、仮焼成後のガラス層には、照射されるレーザ光を吸収する吸収剤が分散され
ていてもよい。また、レーザ照射条件によっては、バインダが完全に除去されずガラス層
中に残存している場合もあるが、バインダを完全に除去することが好ましい。
を、ガラス層と接して配置し、第1の基板111または第2の基板112を介して当該ガ
ラス層にレーザ光等を用いて加熱することにより、ガラス層を溶融して第2の基板112
と溶着させ、第1の基板111、第2の基板112及びガラス層で囲まれた封止領域を有
する封止体を作製することができる。ここでガラス層を加熱する際にも、本発明の一態様
の加熱方法を適用することもできる。したがって、均一にガラス層を加熱することができ
るため、クラックの発生が抑制された信頼性の高い封止体を作製することができる。
おける長軸または短軸と、が成す角度について、図3を用いて説明する。明瞭化のため図
3には、線状レーザ100の長軸101に平行な長軸方向101aと、短軸102に平行
な短軸方向102a、及び線状レーザ100の走査方向103の関係を示している。
に、言い換えると、走査方向103に対する短軸方向102aの余弦成分が0とならない
ように、保持しながら走査する。
することが好ましい。ここで、ある一定幅の領域を照射する際に、短軸102と走査方向
103との成す角をθとすると、ビームスポットの長軸101に必要な長さは1/cos
(θ)に比例する。したがって、この角度が60度を超えると、線状レーザ100の長軸
101に必要な長さが急激に長くなり、その結果必要なビームスポットの面積が急激に増
大してしまう。この角度を60度以下とすることにより、ビームスポットの面積を小さく
抑えることができる。
状レーザ100をフリットペースト110に沿って走査する場合の概略図を示す。
と外側部とでレーザ光が照射される期間に差が生じず、均一に加熱することができる。
スフリットや基板が冷却する際、走査方向103に沿って一方向に冷却が進むため、固化
した後のガラス層の中央部や、基板に応力が集中することを抑制することができる。その
結果、固化した後のガラス層や基板中の内部歪みが均一化され、クラックの発生起因とな
る残留応力を低減することができる。
、線状レーザ100のビームスポットを傾けてフリットペースト110に沿って走査する
場合の概略図を示す。
も、フリットペースト110の中央部と外側部とでレーザ光が照射される期間に差が生じ
ないため、均一に加熱することができる。
スフリットや基板が冷却する際、線状レーザ100の短軸102方向に略平行な一方向に
固化が進む。したがって、固化した後のガラス層や基板への応力集中を抑制し、クラック
の発生起因となる残留応力を低減することができる。
トペースト110の中央部と外側部ではレーザ光が照射される期間に多少の差が生じる場
合がある。このような場合は、走査速度、出力などを調整し、中央部と外側部で生じる温
度の差を抑制することが好ましい。さらに、フリットペースト110の外側部の中央部に
対する照射期間の比が、90%以上、好ましくは95%以上になるような、楕円形のビー
ムスポット形状を有する線状レーザ100を用いることが好ましい。
以下では、上述した線状レーザを用いた、フリットペーストの加熱方法例、及び対向す
る2枚の基板とガラス層によって封止された封止領域を有する封止体の作製方法例につい
て説明する。
。また線状レーザは、当該閉曲線に沿って走査する。具体的には、線状レーザは、ビーム
スポットの短軸方向と閉曲線の接線との成す角が0度以上60度以下に保持されるように
走査する。以下では、具体的な走査方法も併せて説明する。
本方法例では、線状レーザ100の短軸方向を走査方向103に対して傾けた状態で、
フリットペースト110に沿って走査し、フリットペースト110を加熱する方法、及び
封止体の作製方法について、図5を用いて説明する。図5は、本方法例に係る上面概略図
である。
ースト110は、それぞれ対向する2辺が平行な4辺を有する閉曲線を成して設ける。言
い換えると、平行に設けられた1対の対向する直線部分を2つ有し、且つ対向しない2つ
の直線部分が角部において連続するようにして設ける。
角をなしていてもよい。また角部の形状が曲線状であっていてもよい。また複数の鈍角で
構成された角部の形状であってもよい。
よい。例えば、内輪郭を四角形とし、外輪郭を多角形としてもよい。
に説明する線状レーザ100の走査方法に応じて、当該線状レーザ100の照射領域と重
畳するようにその形状を適宜変更すればよい。
有し、内輪郭が四角形で、且つ外輪郭は対向する一対の角部(角部115b、115d)
が2つの鈍角で構成された六角形をなすように、フリットペースト110を形成する(図
5(A))。
に、例えば有機溶媒で希釈した有機樹脂からなるバインダを混合したフリットペーストを
、第1の基板111上にスクリーン印刷法やディスペンス法などの公知の方法を用いて塗
布することによりフリットペースト110を形成することができる。
シウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸
化バナジウム、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化鉛、酸
化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化ロジウム、酸化鉄、酸化銅、酸化チタン、酸化
タングステン、酸化ビスマス、酸化アンチモン、ホウ酸鉛ガラス、リン酸スズガラス、バ
ナジン酸塩ガラス及びホウケイ酸ガラスよりなる群から選択された一以上の化合物を含む
ことが好ましい。
リットペースト110を加熱し、バインダを除去する。以下ではフリットペースト110
に沿って線状レーザ100を走査する方法について説明する。
100を走査して、フリットペースト110にレーザ光を照射する。このとき、線状レー
ザ100のスポット形状における短軸方向を走査方向に対して傾けた状態で照射を行う(
図5(B))。ここでは明瞭化のため、図5中にはレーザ光が照射され、バインダが除去
されたガラス層113のハッチングをフリットペースト110とは異ならせて明示してい
る。
を45度とすることが好ましい。特にフリットペースト110の対向しない2辺を成す角
が直角となるように設けられている場合には、短軸方向と走査方向103との成す角を4
5度とすることにより、フリットペースト110の4辺で短軸方向と走査方向103との
成す角を常に45度に維持したまま走査することができる。したがって、対向しない2辺
の間でレーザ光の照射条件を共通のものとしても、フリットペースト110を均一に加熱
できるため信頼性の高い封止体を形成することができる。
03との成す角を45度とする場合について説明する。
けてフリットペースト110に沿って角部115bに向かって走査する(図5(C))。
ットペースト110に沿って角部115cに向かって走査する(図5(D))。
103に対して傾けて走査することに起因し、一部の領域ではレーザ光が2度照射される
。したがって角部115bでは線状レーザ100の照射条件を異ならせることが好ましい
。例えば、角部115bでは走査速度を速める、または照射強度を小さくするなどが挙げ
られる。
って線状レーザ100を走査する(図5(E))。
線状レーザ100を走査する(図5(F))。このとき、角部115dでは、角部115
bと同様に線状レーザ100の照射条件を異ならせることが好ましい。
バインダを除去することができる。
た場合と比較して照射開始領域においてレーザ光が2度照射される領域(オーバーラップ
領域ともいう。)の面積を極めて小さいものとすることができる。オーバーラップ領域で
は熱履歴が異なるため、バインダが除去されて固化したガラス層113の溶着状態や、基
板に生じる内部歪みが他の領域とは異なる場合があり、この違いに起因する応力集中によ
ってクラックが発生してしまう恐れがある。線状レーザ100を用いることにより、オー
バーラップ領域の面積を極めて小さいものとすることができるため、クラックの発生が抑
制され、信頼性の高い封止体を作製することができる。
を配置する。
ーザ光を走査しながら照射し、ガラス層113を溶融、固化し、ガラス層113と第2の
基板112とを溶着する。このとき、ガラス層113と第2の基板112とが確実に接す
るように、圧力をかけながら処理することが好ましい。レーザ光の照射領域外においてク
ランプなどを用いて第1の基板111及び第2の基板112を挟んだ状態で処理してもよ
いし、第1の基板111及び第2の基板112の一方または両方から面状に圧力を印加し
ながら処理してもよい。
気となるように、処理を行うことが好ましい。例えば、レーザ光を照射する前にあらかじ
めフリットペースト110が塗布される領域よりも外側又は内側の領域に紫外線硬化樹脂
や熱硬化樹脂などのシール材を形成し、不活性ガス雰囲気下、又は減圧雰囲気下で2つの
基板を仮接着した後、大気雰囲気下、又は不活性ガス雰囲気下でレーザ光を照射する。ま
た、当該シール材を、閉曲線を成すように設けることにより、封止領域内部が不活性ガス
雰囲気下又は減圧雰囲気に保たれ、大気雰囲気下でレーザ光の照射を行うことができるた
め、装置構成を簡略化できる。また、あらかじめ封止領域内を減圧状態とすることで、レ
ーザ光の照射時に2枚の基板を押しつけるためのクランプなどの機構を用いずとも、大気
圧下でガラス層113と第2の基板112とが確実に接した状態で処理することができる
。
を用いた加熱方法を適用することが好ましい。線状レーザ100を用いることによりガラ
ス層113を均一に加熱することができるため、固化した後のガラス層113内の内部応
力が緩和され、クラックの発生が抑制された信頼性の高い封止体を作製することができる
。
以降では、上記方法例とは異なる方法を用いたフリットペースト110の加熱方法につ
いて説明する。本方法例で用いる線状レーザ100は、フリットペースト110に沿って
走査可能であることに加え、被照射面に対して垂直な回転軸で回転可能である。
リットペースト110に沿って、線状レーザ100を走査する際、角部、または2つの対
向しない角部の間の領域で、ビームスポットが90度回転するように走査することにより
、同一形状の角部を有するガラス層113を作製することができる。
査する方法の例を示している。
状レーザ100のビームスポットにおける短軸方向と走査方向103との成す角度が0度
以上60度以内となるようにして走査する。本方法例では、当該角度が0度になるように
走査する。
100を走査する。ここでは、線状レーザ100の長軸方向の一端が回転軸117と常に
一致するようにして回転させる。
状レーザ100は角部においてそのビームスポットが90度回転しているため、角部にお
いて連続する2辺では、短軸方向と走査方向103との成す角が常に一定の角度(ここで
は0度)となるように走査することができる。
るように形状を調整する。図6(A)では、フリットペースト110の角部における内輪
郭を直角とし、外輪郭を2つの鈍角から構成するように、フリットペースト110を設け
る。
同一形状の角部を有するガラス層113で封止された封止体を作製することができる。角
部を同一形状とすることにより、それぞれの角部で内部歪みに起因する残留応力に差が出
ないため、信頼性の高い封止体とすることができる。
を延長した直線上の一点を回転軸117として、線状レーザ100のビームスポットを回
転するように走査する場合について示す。
の内側と外側での照射される期間の差を小さくすることができる。その結果、角部におけ
るフリットペースト110の加熱温度の差を小さくし、加熱後のガラス層113や基板に
生じる内部応力を緩和することができ、角部におけるクラックの発生を抑制できる。
ができる。このように曲線状の角部とすることにより、ガラス層113中の内部応力を緩
和し、クラックの発生をより低減することができる。またこの場合は曲率半径を大きくす
ることが好ましい。
上記方法例2では、角部において線状レーザ100のビームスポットが回転するように
走査する方法について説明したが、本方法例では、フリットペースト110の直線部分(
辺)を含む領域でビームスポットが回転するように走査する方法について説明する。
90度回転するように走査する様子を示している。図7(A)では、線状レーザ100の
中心118の軌跡が、走査方向103と平行になるように走査する。
0の中央部と重畳するようにして走査することにより、線状レーザ100の比較的強度の
低い端部を使用することがないため、均一にフリットペースト110を加熱することがで
きる。
中心118の軌跡が円弧を描くように走査することもできる。
ースト110の近傍まで回路素子や発光素子などを形成したい場合には、図7(B)のよ
うに中心118の軌跡が封止領域の外側に円弧を描くように走査することにより、封止領
域内におけるレーザ光の軌跡を直線状にすることができる。
示装置としたい場合などでは、図7(C)に示すように中心118の軌跡が封止領域の内
側に円弧を描くように走査することにより、封止領域外におけるレーザ光の軌跡を直線状
にすることができる。
度回転するように走査し、且つ、角部では上記方法例で説明したように、短軸方向と走査
方向との成す角が45度になるようにして走査する。なお、図8には直線部分において中
心118の軌跡が走査方向と平行になるように走査したが、上述のように円弧を描くよう
にして走査してもよい。
成可能で、且つ角部では直線的に走査することにより中央部と外側部とでレーザ光の照射
期間に差が生じず、均一に照射することができるため、クラックが低減された封止体を作
製することができる。
以下では、光学的に線状レーザ100を形成する方法について説明する。
振器に直接接続してレーザ光を取り出す構成を用いてもよいし、ミラーとレンズの一方又
は両方を複数組み合わせてレーザ光を取り出す構成としてもよい。
例示したような正方形のビームスポット形状を有するレーザ150を形成することができ
る。また、当該光ファイバーの断面形状を長方形とすることによって、長軸と、長軸と直
交する短軸を有する長方形のビームスポット形状を有する線状レーザ100を形成するこ
とができる。また、ミラーやレンズによる集光を利用して、被照射面に正方形又は長方形
のビームスポットを形成することにより、レーザ150または線状レーザ100を形成す
ることもできる。
図9には、射出口121から被照射面123に照射される円状レーザを、複数重ね合わせ
て線状レーザ100を形成する場合の模式図を示す。
1から射出される円状レーザ120を複数重ね合わせて、被照射面123上に線状のビー
ムスポットを有する線状レーザ100を形成する。
1を配置することで、線状レーザ100のビームスポットにおける長軸方向の強度分布を
均一な分布に近づけることができる。
置して、線状レーザ100を形成してもよい。このような構成とすることにより、線状レ
ーザ100の短軸方向の強度分布の均一化を図りつつ、短軸方向の幅を大きくとることが
できる。
群を複数設け、それぞれの射出口群を被照射面123と垂直な方向に対して傾けて配置し
、複数の射出口121からの円状レーザ120が被照射面123上で集光するようにして
、線状レーザ100を形成してもよい。このような構成とすることにより、線状レーザ1
00の強度分布を改善するとともに、短軸方向の幅を小さくすることができる。
を有する遮光マスク125を設け、当該遮光マスクの開口部の形状に応じたビームスポッ
ト形状を有する線状レーザ100を形成してもよい。このように遮光マスクによって比較
的強度の低い外周部を遮光することにより、線状レーザ100の強度分布が改善すると共
に、線状レーザ100のビームスポットの形状を任意の形状に調整することができる。
としてもよい。
楕円形状のビームスポットを有する線状レーザ100を形成する場合の模式図を示す。
る。図10(A)に示すように、シリンドリカルレンズ127に円状レーザ120を入射
すると、Y軸方向にのみ収束されるため、シリンドリカルレンズ127を透過した後のビ
ームスポット形状は楕円状となる。このようにして、円状レーザ120を用いて線状レー
ザ100を形成することができる。
イダルレンズを用いてもよい。トロイダルレンズを用いると、長軸方向にも集光または拡
散させることができるため、ビームスポットの短軸の長さに加えて長軸の長さを制御する
ことができる。またこのほかに、非球面レンズなどを用いてビームスポットが任意の形状
になるように集光する構成としてもよい。
介して、それぞれのビームスポットの一部が重畳するように被照射面123に集光するこ
とにより線状レーザ100を形成してもよい。このような構成とすることにより、短軸方
向の幅が小さく、エネルギー密度の高い線状レーザ100とすることができる。
口群を被照射面に垂直な軸を中心に回転可能に設ける構成とする。または、レンズを用い
る場合には、当該レンズを回転可能に設ければよい。
設ける構成としてもよい。例えば被照射面を有する基板を支持するステージとして、X方
向及びY方向に可動な構成に加え、XY平面に垂直な回転軸を設けたステージを用いれば
よい。
とができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で例示したフリットペーストの加熱方法および封止
体の作製方法を適用可能な発光装置について説明する。以下では発光装置の例として、有
機EL素子が適用された表示装置について、図11及び図12を用いて説明する。
トリクス方式(単純マトリクス方式)、またはアクティブマトリクス方式が適用された表
示装置に適用することができる。下記構成例ではアクティブマトリクス方式の表示装置を
例に挙げて説明する。
本構成例では、有機EL素子が適用された表示装置について、図11を用いて説明する
。
示する表示装置200は、発光素子が設けられる基板とは反対側に光を射出する、いわゆ
る上面射出型(トップエミッション型)の発光装置である。
た封止領域内に、表示部201、走査線駆動回路202及び信号線駆動回路203を有す
る。また、走査線駆動回路202及び信号線駆動回路203と電気的に接続する配線が封
止領域内外に延在して設けられ、外部入力端子205と電気的に接続される。当該外部入
力端子205に電気的に接続されたFPC207により、走査線駆動回路202、信号線
駆動回路203等を駆動する電源電位や駆動信号などの信号を入力することができる。
む領域を切断する切断線A−B及びC−Dにおける断面概略図である。
用いることができる。また光射出とは反対側に設けられる基板の場合は、透光性を有して
いなくともよく、上記の材料に加え金属、半導体、セラミックなどの材料を用いることが
できる。導電性の基板を用いる場合、その表面を酸化させる、若しくは表面に絶縁膜を形
成することにより絶縁を持たせることが好ましい。また、工程にかかる熱に耐えうるので
あれば、有機樹脂を用いてもよい。また、ガラス以外の材料を用いるときには、少なくと
もガラス層と接する領域に酸化物膜を形成すると、密着性が向上するため好ましい。
し、基板内部または表面に吸着している水や水素、酸素などの不純物が低減されているこ
とが好ましい。当該加熱を行うことによって、発光素子やトランジスタの作製工程中に不
純物が拡散することが抑制され、信頼性の高い発光装置とすることができる。
電層で構成される。本構成例ではトランジスタのゲートを構成する導電層及び電極を構成
する導電層を積層して用いる。このように、複数の導電層を積層して外部入力端子205
を構成することにより強度を高められるため好ましい。また、外部入力端子205に接し
て接続体209が設けられ、当該接続体209を介してFPC207と外部入力端子20
5とが電気的に接続している。接続体209としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ
合わせたペースト状又はシート状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材
料を用いることができる。金属粒子としては、例えばNi粒子をAuで被覆したものなど
、2種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。
であるトランジスタ211とトランジスタ212を組み合わせたNMOS回路を有する例
を示している。なお、走査線駆動回路202はNMOS回路に限られず、nチャネル型の
トランジスタとpチャネル型のトランジスタを組み合わせた種々のCMOS回路や、pチ
ャネル型のトランジスタで構成されるPMOS回路などを有する構成としてもよい。なお
、信号線駆動回路203についても同様である。また、本構成例では、表示部201が形
成される基板上に走査線駆動回路202及び信号線駆動回路203が形成されたドライバ
ー一体型の構成を示すが、表示部201が形成される基板とは別に走査線駆動回路202
、信号線駆動回路203の一方又は両方を設ける構成としてもよい。
は、スイッチング用のトランジスタ213と、電流制御用のトランジスタ214と、電流
制御用のトランジスタ214の電極(ソース電極又はドレイン電極)に電気的に接続され
た画素電極223を含む。また、画素電極223の端部を覆う絶縁層217が設けられて
いる。
ジスタの構造は特に限定されない。例えばスタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆ス
タガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のトラン
ジスタのいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、トランジスタに用いる半導体材
料としては、例えばシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよいし、インジ
ウム、ガリウム、及び亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いてもよい。
また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非結晶半導体、
または結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部
に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると
、トランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。
れている。発光素子の構造及び材料等については、後の実施の形態で詳細に説明する。
には、EL層225からの発光に対して透光性を有する材料を用い、光射出側とは反対側
に設ける電極には、当該発光に対して反射性を有する材料を用いる。
を有する材料を用いる。したがって、EL層225からの発光は、第2の基板112側に
射出される。
インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛
などの導電性酸化物や、グラフェンなどを用いることができる。また、上記導電層として
、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コ
バルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を
用いることができる。または、これら金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)などを用
いてもよい。なお、金属材料(またはその窒化物)を用いる場合には、透光性を有する程
度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例え
ば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を
高めることができるためこのましい。
成することができる。導電性酸化物膜は、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると
、光透過性を向上させることができる。
低減されたアルゴンを含む雰囲気下で成膜した第1の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸
素を含む雰囲気下で成膜した第2の導電性酸化物膜との積層膜とすると、EL層225へ
の成膜ダメージを低減させることができるため好ましい。ここで第1の導電性酸化物膜を
成膜する際のアルゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−70℃以下、好
ましくは−100℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。
ニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、
銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
また、このような金属材料または合金材料にランタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添
加してもよい。合金材料の例としては、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニ
ッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金(アルミニ
ウム合金)や、銀と銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いること
もできる。銀と銅の合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接
する金属膜、または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制す
ることができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙
げられる。また、上記透光性を有する材料からなる膜と金属材料からなる膜とを積層して
もよい。例えば、銀とインジウムスズ酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジ
ウムスズ酸化物の積層膜などを用いることができる。
7の上層に形成される共通電極227の被覆性を良好なものとするため、絶縁層217の
上端部又は下端部に曲率半径(0.2μm〜3μm)を有する曲面を持たせるのが好まし
い。また、絶縁層217の材料としては、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性
樹脂などの有機化合物や、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機化合物を用いることが
できる。
、第1の基板111に含まれる不純物が拡散することを抑制する。また、トランジスタの
半導体層に接する絶縁層216及び絶縁層218、トランジスタを覆う絶縁層219は、
トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制することが好ましい。これら絶縁
層には、例えばシリコンなどの半導体、アルミニウムなどの金属の酸化物または窒化物を
用いることができる。また、このような無機絶縁材料の積層膜、または無機絶縁材料と有
機絶縁材料の積層膜を用いてもよい。なお、絶縁層215は、不要であれば設けなくても
よい。
れている。カラーフィルタ229は、発光素子220からの発光色を調色する目的で設け
られる。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの表示装置とする場合には、異
なる色のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、赤色(R)、緑色(G
)、青色(B)の3色を用いてもよいし、これに黄色(Y)を加えた4色とすることもで
きる。また、R、G、B(及びY)に加えて白色(W)の画素を用い、4色(又は5色)
としてもよい。
いる。ブラックマトリクス231は隣接する画素の発光素子220から回り込む光を遮光
し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、カラーフィルタ229の端部を、ブラ
ックマトリクス231と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる
。ブラックマトリクス231は、発光素子220からの発光を遮光する材料を用いること
ができ、金属や、顔料を含む有機樹脂などの材料を用いて形成することができる。なお、
ブラックマトリクス231は、走査線駆動回路202などの表示部201以外の領域に設
けてもよい。
3が形成されている。オーバーコート233は、発光素子220からの発光を透過する材
料から構成され、例えば無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。なお、オーバー
コート233は不要であれば設けなくてもよい。
、表示部201に3種類(R、G、B)の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形
成し、フルカラー表示が可能な表示装置を形成することができる。後の実施の形態で例示
する白色発光のEL層を有する発光素子とカラーフィルタを組み合わせることによってフ
ルカラー表示が可能な表示装置とすることができる。また、当該発光素子は、上面射出方
式に限られず、下面射出(ボトムエミッション)方式、両面射出(デュアルエミッション
)方式のいずれも採ることができる。ボトムエミッション方式を採用した発光装置の構成
例については、構成例2で説明する。
層113によって接着されている。ガラス層113の構成としては、上記実施の形態で例
示した構成を用いることができる。
囲まれた封止領域内に設けられている。当該封止領域は、希ガス又は窒素ガスなどの不活
性ガス、または有機樹脂などの固体、またはゲルなどの粘性体で充填されていてもよく、
減圧雰囲気となっていてもよい。また封止領域内を水や酸素などの不純物が低減されてい
る状態とすると、発光素子220の信頼性が向上するため好ましい。
性を向上させることができる。当該絶縁膜としては、水や酸素などの不純物を透過しない
材料を用いる。例えばシリコンやアルミニウムの酸化膜または窒化膜といった無機絶縁膜
を用いることができる。
剤は、例えばアルカリ土類金属の酸化物(酸化カルシウムや酸化バリウム等)のように、
化学吸着によって水分を吸収する物質を用いることができる。またその他の乾燥剤として
、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いても
よい。封止領域内に乾燥剤を設けることにより、水分などの不純物を低減し、発光素子2
20の信頼性が向上するため好ましい。
本構成例では、ボトムエミッション方式が採用された表示装置について説明する。なお
、構成例1と重複する部分については、説明を省略するか簡略化して説明する。
よりも第1の基板111側にカラーフィルタ229を有する点で、構成例1で例示した表
示装置200と異なる。
極223には上記透光性を有する材料を用いる。したがって、EL層225からの発光は
第1の基板111側に射出される。
ィルタ229が設けられる。さらに、カラーフィルタ229を覆うオーバーコート233
が形成されている。画素電極223は、当該オーバーコート233上に形成される。ここ
で、オーバーコート233は有機樹脂などの有機絶縁膜を用いて形成すると、平坦化層と
しても機能するため好ましい。
び封止体の作製方法を適用することにより、クラックの発生が抑制され、極めて信頼性の
高い表示装置とすることができる。
とができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で例示した加熱方法および封止体の作製方法を適用
可能な発光装置の例として、有機EL素子が適用された照明装置について、図13を用い
て説明する。なお、上記実施の形態と重複する部分については、説明を省略するか簡略化
して説明する。
た封止領域内に、発光部301を有する。また、発光部301と電気的に接続し、発光部
301を発光させる電力を供給する取り出し電極311及び312が、封止領域内外に延
在して設けられている。
断する切断線E−Fにおける断面概略図である。
7から構成される発光素子310が設けられている。
層113によって接着されている。ガラス層113の構成としては、上記実施の形態で例
示した構成を用いることができる。
電極312と電気的に接続する。ここで、図13(B)には、電極303並びに取り出し
電極311及び312が同一平面上に同一の層から形成され、且つ電極303の一部が取
り出し電極311を構成している例を示している。
られている。また絶縁層309は電極303と電極307とが接触して導通しないように
、電極303上の一部の領域に設けられる。絶縁層309としては、実施の形態2で例示
した絶縁層217と同様の構成を用いることができる。
えて形成され、取り出し電極312と電気的に接続されている。
いずれの方式を採ることができる。電極303及び電極307に用いる導電性材料は、射
出方式に応じて、上述の材料から適宜選択して用いることができる。
なる補助電極を設ける構成としてもよい。特に大面積の発光部301を備える照明装置3
00とする場合には、電極の抵抗による電位降下に起因して、発光輝度の面内分布が生じ
る恐れがあるため、補助電極を設けることは有効である。
絶縁層を介して電極307と電気的に接続する補助電極を設ける。電極303に接する補
助電極を設ける場合には、当該補助電極による段差を絶縁層309で被覆することが好ま
しい。
。上面射出方式又は両面射出方式の場合には、発光素子310と重ならない領域に設ける
。
表面には、基板からの不純物の拡散を抑制する絶縁層を形成してもよい。
もよい。また、封止領域内が不活性ガス、固体、または粘性体で充填されていてもよいし
、減圧雰囲気となっていてもよい。
び封止体の作製方法を適用することにより、クラックの発生が抑制され、極めて信頼性の
高い照明装置とすることができる。
とができる。
本実施の形態では、本発明の一態様に適用できるEL層の一例について、図14を用い
て説明する。
られている。第1の電極403及び第2の電極407は、実施の形態2で例示した画素電
極または共通電極、または実施の形態3で例示した電極と同様の構成を適用することがで
きる。
発光装置に適用可能である。
そのほか、電子輸送性の高い物質を含む層、正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性
の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポーラ性の物質(電子輸送性
及び正孔輸送性が高い物質)を含む層等を適宜組み合わせた積層構造を構成することがで
きる。本実施の形態において、EL層405は、第1の電極403側から、正孔注入層7
01、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電子輸送層704、及び
電子注入層705の順で積層されている。なお、これらを反転させた積層構造としてもよ
い。
しては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物
、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル
酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の金属酸化物を用いることが
できる。また、フタロシアニン(略称:H2Pc)、銅(II)フタロシアニン(略称:
CuPc)等のフタロシアニン系の化合物を用いることができる。
る。また、酸を添加した高分子化合物を用いることができる。
含有させた複合材料を用いることが好ましい。正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物
質を含有させた複合材料を用いることにより、第1の電極403からの正孔注入性を良好
にし、発光素子の駆動電圧を低減することができる。これらの複合材料は、正孔輸送性の
高い物質とアクセプター性物質(電子受容体)とを共蒸着することにより形成することが
できる。該複合材料を用いて正孔注入層701を形成することにより、第1の電極403
からEL層405への正孔注入が容易となる。
香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)など、種々の化
合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔輸送性の
高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、10−6cm2/Vs以上の正孔移
動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であ
れば、これら以外のものを用いてもよい。
ール誘導体、そのほか正孔移動度の高い芳香族炭化水素化合物を用いることができる。
きる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることが
できる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モ
リブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ま
しい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすい
ため好ましい。
01に用いてもよい。
しては、例えば、芳香族アミン化合物を用いることができる。これは主に10−6cm2
/Vs以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質
であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、
単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
か正孔輸送性の高い高分子化合物を用いてもよい。
燐光性化合物を用いることができる。
)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。ホスト材料としては、各種
のものを用いることができ、発光性の物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く
、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、ゲスト材料へのエネルギー移動をより
効率良く行うために、さらに異なる物質を添加してもよい。
む層703の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる
濃度消光を抑制することができる。
することで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、発光性
の有機化合物を含む層を2つ有する発光素子において、第1の発光性の有機化合物を含む
層の発光色と第2の発光性の有機化合物を含む層の発光色を補色の関係になるようにする
ことで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色
とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光
する物質から得られた光を混合すると、白色発光を得ることができる。また、発光性の有
機化合物を含む層を3つ以上有する発光素子の場合でも同様である。
しては、主に10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。また、電子輸
送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよ
い。
リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム
、リチウム酸化物等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用
いることができる。また、フッ化エルビウムのような希土類金属化合物を用いることがで
きる。また、上述した電子輸送層704を構成する物質を用いることもできる。
03、電子輸送層704、電子注入層705は、それぞれ、蒸着法(真空蒸着法を含む)
、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
複数積層されていてもよい。この場合、積層された第1のEL層800と第2のEL層8
01との間には、電荷発生層803を設けることが好ましい。電荷発生層803は上述の
複合材料で形成することができる。また、電荷発生層803は複合材料からなる層と他の
材料からなる層との積層構造でもよい。この場合、他の材料からなる層としては、電子供
与性物質(ドナー性物質)と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜からなる層
などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消
光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを
併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のEL層で燐光発光、他方で蛍光
発光を呈する発光素子を得ることも容易である。この構造は上述のEL層の構造と組み合
わせて用いることができる。
望の色の発光を得ることができる。例えば、2つのEL層を有する発光素子において、第
1のEL層の発光色と第2のEL層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光
素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。また、3つ以上のEL層
を有する発光素子の場合でも同様である。
する必要があり、3つ以上のEL層が積層された発光素子とすることが好ましい。例えば
それぞれ赤色、青色、緑色の発光色のEL層を積層して発光素子を形成することができる
。このように異なる3色以上のEL層が積層された発光素子とすることにより演色性を高
めることができる。
層は、反射性を有する電極と透過性を有する電極との間の光学距離を調整する層である。
光学調整層を設けることにより、特定の範囲の波長の光を強調することができるため、色
調を調整することができる。
の間に、正孔注入層701、正孔輸送層702、発光性の有機化合物を含む層703、電
子輸送層704、電子注入バッファー層706、電子リレー層707、及び第2の電極4
07と接する複合材料層708を有していてもよい。
用いて第2の電極407を形成する際に、EL層405が受けるダメージを低減すること
ができるため、好ましい。複合材料層708は、前述の、正孔輸送性の高い有機化合物に
アクセプター性物質を含有させた複合材料を用いることができる。
704との間の注入障壁を緩和することができるため、複合材料層708で生じた電子を
電子輸送層704に容易に注入することができる。
よびこれらの化合物(アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭
酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロ
ゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩
を含む))等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、0.001以上0.1以
下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アル
カリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(アルカリ金属化合物
(酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含
む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、または希土類
金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセン(
略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることも
できる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した電子輸送層704の材料と
同様の材料を用いて形成することができる。
7を形成することが好ましい。電子リレー層707は、必ずしも設ける必要は無いが、電
子輸送性の高い電子リレー層707を設けることで、電子注入バッファー層706へ電子
を速やかに送ることが可能となる。
た構造は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質と、電子注入バッファー層7
06に含まれるドナー性物質とが相互作用を受けにくく、互いの機能を阻害しにくい構造
である。したがって、駆動電圧の上昇を防ぐことができる。
MO準位は、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸
送層704に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるように形成する
。また、電子リレー層707がドナー性物質を含む場合には、当該ドナー性物質のドナー
準位も複合材料層708におけるアクセプター性物質のLUMO準位と、電子輸送層70
4に含まれる電子輸送性の高い物質のLUMO準位との間となるようにする。具体的なエ
ネルギー準位の数値としては、電子リレー層707に含まれる電子輸送性の高い物質のL
UMO準位は−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下とすると
よい。
又は金属−酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。
は、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることが好ましい。金属−酸素の二重
結合はアクセプター性(電子を受容しやすい性質)を有するため、電子の移動(授受)が
より容易になる。また、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体は安定であると考えられ
る。したがって、金属−酸素の二重結合を有する金属錯体を用いることにより発光素子を
低電圧でより安定に駆動することが可能になる。
しい。特に、分子構造的に金属−酸素の二重結合が他の分子に対して作用しやすい材料は
、アクセプター性が高いため好ましい。
。具体的にはPhO−VOPcのような、フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体が
好ましい。フェノキシ基を有するフタロシアニン誘導体は、溶媒に可溶である。そのため
、発光素子を形成する上で扱いやすいという利点を有する。また、溶媒に可溶であるため
、成膜に用いる装置のメンテナンスが容易になるという利点を有する。
、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属及びこれらの化合物(アルカリ金属化合
物(酸化リチウムなどの酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウムなどの炭酸
塩を含む)、アルカリ土類金属化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、又は希
土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む))の他、テトラチアナフタセ
ン(略称:TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセンなどの有機化合物を用いる
ことができる。電子リレー層707にこれらドナー性物質を含ませることによって、電子
の移動が容易となり、発光素子をより低電圧で駆動することが可能になる。
記した材料の他、複合材料層708に含まれるアクセプター性物質のアクセプター準位よ
り高いLUMO準位を有する物質を用いることができる。具体的なエネルギー準位として
は、−5.0eV以上、好ましくは−5.0eV以上−3.0eV以下の範囲にLUMO
準位を有する物質を用いることが好ましい。このような物質としては例えば、ペリレン誘
導体や、含窒素縮合芳香族化合物などが挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、
安定であるため、電子リレー層707を形成する為に用いる材料として、好ましい材料で
ある。
ナー性物質との共蒸着などの方法によって電子リレー層707を形成すればよい。
輸送層704は前述の材料を用いてそれぞれ形成すればよい。
とができる。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置が適用された電子機器や照明装置の例に
ついて、図15及び図16を用いて説明する。
ジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデ
オカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、
携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙
げられる。これらの電子機器の具体例を図15に示す。
、筐体7101に表示部7103が組み込まれている。表示部7103により、映像を表
示することが可能であり、発光装置を表示部7103に用いることができる。また、ここ
では、スタンド7105により筐体7101を支持した構成を示している。
モコン操作機7110により行うことができる。リモコン操作機7110が備える操作キ
ー7109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部7103に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機7110に、当該リモコン操作
機7110から出力する情報を表示する表示部7107を設ける構成としてもよい。
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(
送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
キーボード7204、外部接続ポート7205、ポインティングデバイス7206等を含
む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部7203に用いることにより作製され
る。
されており、連結部7303により、開閉可能に連結されている。筐体7301には表示
部7304が組み込まれ、筐体7302には表示部7305が組み込まれている。また、
図15(C)に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部7306、記録媒体挿入部73
07、LEDランプ7308、入力手段(操作キー7309、接続端子7310、センサ
7311(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度
、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、
振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン7312)等を備
えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部
7304および表示部7305の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他
付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図15(C)に示す携帯型遊技機は
、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や
、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図15(C
)に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができ
る。
1に組み込まれた表示部7402の他、操作ボタン7403、外部接続ポート7404、
スピーカ7405、マイク7406などを備えている。なお、携帯電話機7400は、発
光装置を表示部7402に用いることにより作製される。
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作
は、表示部7402を指などで触れることにより行うことができる。
表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表
示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部7402の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好
ましい。
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機7400の向き(縦か横か)を判断して、
表示部7402の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
作ボタン7403の操作により行われる。また、表示部7402に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
示部7402のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
402に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。
また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
光源として本発明の一態様の発光装置7503a〜7503dが組み込まれている。照明
装置7500は、天井や壁等に取り付けることが可能である。
と、異なる鮮やかな色を呈する光を発する発光パネルを備える。発光素子を駆動する条件
を発光色ごとに調整することで、使用者が色相を調節できる照明装置を実現できる。
)は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a、表示
部9631b、表示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省電力モ
ード切り替えスイッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有する。な
お、当該タブレット端末は、発光装置を表示部9631a、表示部9631bの一方又は
両方に用いることにより作製される。
れた操作キー9637にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部96
31aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領
域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部96
31aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としてもよい。例えば、表示部9
631aの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを表
示画面として用いることができる。
部をタッチパネルの領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボー
ド表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれること
で表示部9631bにキーボードボタン表示することができる。
タッチ入力することもできる。
を切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替え
スイッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外
光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セ
ンサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置
を内蔵させてもよい。
しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表
示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネ
ルとしてもよい。
633、充放電制御回路9634、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636を
有する。なお、図16(B)では充放電制御回路9634の一例としてバッテリー963
5、DCDCコンバータ9636を有する構成について示している。
にすることができる。従って、表示部9631a、表示部9631bを保護できるため、
耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻な
どを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ
入力機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有する
ことができる。
、表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は
、筐体9630の一面または二面に効率的なバッテリー9635の充電を行う構成とする
ことができるため好適である。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を
用いると、小型化を図れる等の利点がある。
C)にブロック図を示し説明する。図16(C)には、太陽電池9633、バッテリー9
635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3
、表示部9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ963
6、コンバータ9638、スイッチSW1乃至SW3が、図16(B)に示す充放電制御
回路9634に対応する箇所となる。
。太陽電池で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようDC
DCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に
太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ
9638で表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示
部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリ
ー9635の充電を行う構成とすればよい。
圧電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電手段によるバ
ッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線(非接触)で電力を送
受信して充電する無接点電力電送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構
成としてもよい。
た電子機器に特に限定されないことは言うまでもない。
形成方法及び封止体の作製方法を適用することができる。したがって、クラックの発生が
抑制された、極めて信頼性の高い電子機器や照明装置などの発光装置とすることができる
。
とができる。
11 フリットペースト
100 線状レーザ
101 長軸
101a 長軸方向
102 短軸
102a 短軸方向
103 走査方向
110 フリットペースト
111 第1の基板
112 第2の基板
113 ガラス層
115 角部
117 回転軸
118 中心
120 円状レーザ
121 射出口
123 被照射面
125 遮光マスク
127 シリンドリカルレンズ
150 レーザ
200 表示装置
201 表示部
202 走査線駆動回路
203 信号線駆動回路
205 外部入力端子
207 FPC
209 接続体
211 トランジスタ
212 トランジスタ
213 トランジスタ
214 トランジスタ
215 絶縁層
216 絶縁層
217 絶縁層
218 絶縁層
219 絶縁層
220 発光素子
223 画素電極
225 EL層
227 共通電極
229 カラーフィルタ
231 ブラックマトリクス
233 オーバーコート
250 表示装置
300 照明装置
301 発光部
303 電極
305 EL層
307 電極
309 絶縁層
310 発光素子
311 取り出し電極
312 取り出し電極
314 乾燥剤
403 第1の電極
405 EL層
407 第2の電極
701 正孔注入層
702 正孔輸送層
703 発光性の有機化合物を含む層
704 電子輸送層
705 電子注入層
706 電子注入バッファー層
707 電子リレー層
708 複合材料層
800 第1のEL層
801 第2のEL層
803 電荷発生層
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 表示部
7105 スタンド
7107 表示部
7109 操作キー
7110 リモコン操作機
7201 本体
7202 筐体
7203 表示部
7204 キーボード
7205 外部接続ポート
7206 ポインティングデバイス
7301 筐体
7302 筐体
7303 連結部
7304 表示部
7305 表示部
7306 スピーカ部
7307 記録媒体挿入部
7308 LEDランプ
7309 操作キー
7310 接続端子
7311 センサ
7312 マイクロフォン
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7500 照明装置
7501 筐体
7503 発光装置
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a 領域
9632b 領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 操作キー
9638 コンバータ
9639 キーボード表示切り替えボタン
9033 留め具
9034 表示モード切り替えスイッチ
9035 電源スイッチ
9036 省電力モード切り替えスイッチ
9038 操作スイッチ
Claims (3)
- 第1の基板と、
前記第1の基板と対向して配置された、第2の基板と、
前記第1の基板と、前記第2の基板とに溶着するガラス層とを有する発光装置の作製方法であって、
前記ガラス層の出発材料であるフリットペーストを、閉曲線状に形成する第1の工程と、
前記フリットペーストにレーザ光を照射する第2の工程と、を有し、
前記閉曲線状のフリットペーストは、第1の辺、第1の角部、第2の辺、第2の角部、第3の辺、第3の角部、第4の辺、及び第4の角部を順に有し、かつ、
前記第1の角部乃至前記第4の角部の内輪郭はそれぞれ、四角形を有し、
前記第1の角部及び前記第3の角部の外輪郭はそれぞれ、四角形を有し、
前記第2の角部及び第4の角部の外輪郭はそれぞれ、鈍角を有する多角形をなし、
前記レーザ光は、線状レーザであって、
前記レーザ光は、前記レーザ光の短軸が走査方向と角度をなすように走査され、
前記第2の工程において、前記第1の角部乃至前記第4の角部では、前記レーザ光を回転させないことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 第1の基板と、
前記第1の基板と対向して配置された、第2の基板と、
前記第1の基板と、前記第2の基板とに溶着するガラス層とを有する発光装置の作製方法であって、
前記ガラス層の出発材料であるフリットペーストを、閉曲線状に形成する第1の工程と、
前記フリットペーストにレーザ光を照射する第2の工程と、を有し、
前記閉曲線状のフリットペーストは、第1の辺、第1の角部、第2の辺、第2の角部、第3の辺、第3の角部、第4の辺、及び第4の角部を順に有し、かつ、
前記第1の角部乃至前記第4の角部の内輪郭はそれぞれ、四角形を有し、
前記第1の角部及び前記第3の角部の外輪郭はそれぞれ、四角形を有し、
前記第2の角部及び第4の角部の外輪郭はそれぞれ、鈍角を有する多角形をなし、
前記レーザ光は、線状レーザであって、
前記レーザ光は、前記レーザ光の短軸が走査方向と角度をなすように走査され、
前記第2の工程において、前記第1の角部乃至前記第4の角部では、前記レーザ光を回転させず、かつ前記レーザ光の走査を停止しないことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記レーザ光は、長軸と前記短軸とを有し、
前記長軸の長さは、前記短軸の長さに対して1.3倍以上とすることを特徴とする発光装置の作製方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011232096 | 2011-10-21 | ||
JP2011232096 | 2011-10-21 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012224946A Division JP2013101923A (ja) | 2011-10-21 | 2012-10-10 | 分散組成物の加熱方法、及びガラスパターンの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017063065A true JP2017063065A (ja) | 2017-03-30 |
JP6261783B2 JP6261783B2 (ja) | 2018-01-17 |
Family
ID=48136192
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012224946A Withdrawn JP2013101923A (ja) | 2011-10-21 | 2012-10-10 | 分散組成物の加熱方法、及びガラスパターンの形成方法 |
JP2017005925A Active JP6261783B2 (ja) | 2011-10-21 | 2017-01-17 | 発光装置の作製方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012224946A Withdrawn JP2013101923A (ja) | 2011-10-21 | 2012-10-10 | 分散組成物の加熱方法、及びガラスパターンの形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8623469B2 (ja) |
JP (2) | JP2013101923A (ja) |
KR (1) | KR102027097B1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI792087B (zh) | 2011-05-05 | 2023-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US9472776B2 (en) | 2011-10-14 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sealed structure including welded glass frits |
KR102058387B1 (ko) | 2011-11-28 | 2019-12-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유리 패턴 및 그 형성 방법, 밀봉체 및 그 제작 방법, 및 발광 장치 |
TWI569490B (zh) | 2011-11-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 密封體,發光模組,及製造密封體之方法 |
TWI577006B (zh) | 2011-11-29 | 2017-04-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 密封體、發光裝置、電子裝置及照明設備 |
TW201707202A (zh) | 2011-11-29 | 2017-02-16 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 密封結構,發光裝置,電子裝置,及照明裝置 |
JP6049509B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-12-21 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒーター、ヒーター電極及びセラミックヒーターの製法 |
KR20140016170A (ko) | 2012-07-30 | 2014-02-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체 및 유기 전계 발광 장치 |
TW201431149A (zh) | 2013-01-18 | 2014-08-01 | Innolux Corp | 顯示裝置及其封裝方法 |
JP6429465B2 (ja) | 2013-03-07 | 2018-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 装置及びその作製方法 |
KR102096053B1 (ko) * | 2013-07-25 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치의 제조방법 |
EP3018724B1 (en) * | 2013-09-30 | 2023-03-01 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device and manufacturing method therefor |
US20170334021A1 (en) * | 2014-12-15 | 2017-11-23 | Toyota Motor Europe | Systems for and method of welding using beam shaping means and shielding means |
KR102447144B1 (ko) | 2015-01-09 | 2022-09-26 | 삼성전자주식회사 | 포토 마스크 제조 방법, 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
JP6281577B2 (ja) | 2016-01-19 | 2018-02-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11953502B2 (en) | 2017-10-12 | 2024-04-09 | E&S Healthcare Co., Ltd. | Thioredoxin 1 epitope, encoding nucleic acid and methods of binding a monoclonal antibody |
CN208142179U (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
CN116456704B (zh) * | 2023-06-14 | 2023-08-15 | 中山市精研科技有限公司 | 一种高散热效能的液晶电视 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050184927A1 (en) * | 2004-02-14 | 2005-08-25 | Won-Kyu Kwak | Flat panel display |
JP2008517446A (ja) * | 2004-10-20 | 2008-05-22 | コーニング インコーポレイテッド | 有機発光ダイオード(oled)ディスプレイを封止するためのパラメータの最適化 |
JP2008532207A (ja) * | 2005-12-06 | 2008-08-14 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス外囲器を製造する方法 |
JP2011011925A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Asahi Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法 |
WO2011010489A1 (ja) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | 旭硝子株式会社 | 封着材料層付きガラス部材の製造方法及び製造装置、並びに電子デバイスの製造方法 |
JP2011142074A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 基板密封に使われるレーザビーム照射装置、基板密封方法、及び有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05208852A (ja) | 1992-01-30 | 1993-08-20 | Toshiba Lighting & Technol Corp | 接合方法および容器 |
TW305063B (ja) | 1995-02-02 | 1997-05-11 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
US6113450A (en) | 1998-05-14 | 2000-09-05 | Candescent Technologies Corporation | Seal material frit frame for flat panel displays |
JPH11329717A (ja) | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Sharp Corp | カラーelパネル |
DE69927305T2 (de) | 1998-06-15 | 2006-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Verfahren zur Herstellung einer Plasma-Anzeigevorrichtung mit verbesserten Lichtemissionseigenschaften |
TW509960B (en) | 2000-04-04 | 2002-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Highly productive method of producing plasma display panel |
US6646284B2 (en) | 2000-12-12 | 2003-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2003297558A (ja) | 2002-04-03 | 2003-10-17 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器 |
US7121642B2 (en) | 2002-08-07 | 2006-10-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Drop volume measurement and control for ink jet printing |
JP2004207314A (ja) | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 膜改質の終点検出方法、その終点検出装置及び電子ビーム処理装置 |
US20040195222A1 (en) | 2002-12-25 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device |
US6998776B2 (en) | 2003-04-16 | 2006-02-14 | Corning Incorporated | Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication |
US7431628B2 (en) | 2005-11-18 | 2008-10-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Method of manufacturing flat panel display device, flat panel display device, and panel of flat panel display device |
US8164257B2 (en) | 2006-01-25 | 2012-04-24 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display and method of fabricating the same |
KR100688795B1 (ko) | 2006-01-25 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR100671638B1 (ko) | 2006-01-26 | 2007-01-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 |
KR100688790B1 (ko) | 2006-01-27 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
JP2007220648A (ja) | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 平板表示装置とその製造装置及び製造方法 |
US7564185B2 (en) | 2006-02-20 | 2009-07-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof |
KR101337264B1 (ko) | 2006-02-28 | 2013-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 패널, 이를 구비한 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100732817B1 (ko) | 2006-03-29 | 2007-06-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR100787463B1 (ko) | 2007-01-05 | 2007-12-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 글래스 프릿, 실링재 형성용 조성물, 발광 장치 및 발광 장치의 제조방법 |
KR100838077B1 (ko) | 2007-01-12 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시장치의 제조방법 |
KR100867925B1 (ko) | 2007-03-08 | 2008-11-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
US8247730B2 (en) * | 2007-09-28 | 2012-08-21 | Corning Incorporated | Method and apparatus for frit sealing with a variable laser beam |
JP2009135453A (ja) | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器 |
EP2321694A4 (en) * | 2008-07-28 | 2012-05-30 | Corning Inc | METHOD FOR SEALING A LIQUID IN A GLASS PACKAGING AND RESULTING GLASS PACKAGING |
KR101453878B1 (ko) * | 2008-08-07 | 2014-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치의 제조방법 |
JP2010080344A (ja) | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 表示装置 |
KR100976457B1 (ko) | 2008-10-22 | 2010-08-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
US8245536B2 (en) * | 2008-11-24 | 2012-08-21 | Corning Incorporated | Laser assisted frit sealing of high CTE glasses and the resulting sealed glass package |
JP2011054477A (ja) | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
JP2011065895A (ja) | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | ガラス封止体、発光装置及びガラス封止体の製造方法 |
JP2011070797A (ja) | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 封止体の製造方法および有機el装置 |
KR101117732B1 (ko) | 2010-01-19 | 2012-02-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 밀봉에 사용되는 레이저 빔 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
JP6008546B2 (ja) | 2011-04-13 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エレクトロルミネセンス装置の作製方法 |
KR102038844B1 (ko) | 2011-06-16 | 2019-10-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치 |
JP6111022B2 (ja) | 2011-06-17 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 封止体の作製方法および発光装置の作製方法 |
WO2013031509A1 (en) | 2011-08-26 | 2013-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device |
US9472776B2 (en) | 2011-10-14 | 2016-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing sealed structure including welded glass frits |
-
2012
- 2012-10-10 JP JP2012224946A patent/JP2013101923A/ja not_active Withdrawn
- 2012-10-19 KR KR1020120116476A patent/KR102027097B1/ko active IP Right Grant
- 2012-10-19 US US13/656,059 patent/US8623469B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-01-17 JP JP2017005925A patent/JP6261783B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050184927A1 (en) * | 2004-02-14 | 2005-08-25 | Won-Kyu Kwak | Flat panel display |
JP2008517446A (ja) * | 2004-10-20 | 2008-05-22 | コーニング インコーポレイテッド | 有機発光ダイオード(oled)ディスプレイを封止するためのパラメータの最適化 |
JP2008532207A (ja) * | 2005-12-06 | 2008-08-14 | コーニング インコーポレイテッド | ガラス外囲器を製造する方法 |
JP2011011925A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Asahi Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法 |
WO2011010489A1 (ja) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | 旭硝子株式会社 | 封着材料層付きガラス部材の製造方法及び製造装置、並びに電子デバイスの製造方法 |
JP2011142074A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 基板密封に使われるレーザビーム照射装置、基板密封方法、及び有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6261783B2 (ja) | 2018-01-17 |
KR20130044169A (ko) | 2013-05-02 |
JP2013101923A (ja) | 2013-05-23 |
US8623469B2 (en) | 2014-01-07 |
US20130101754A1 (en) | 2013-04-25 |
KR102027097B1 (ko) | 2019-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6261783B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP6509924B2 (ja) | 封止体の作製方法 | |
JP5816029B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6220511B2 (ja) | 封止体及び発光装置 | |
JP7406663B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP6626183B2 (ja) | 封止体 | |
JP6208410B2 (ja) | 封止体の作製方法 | |
JP2021182559A (ja) | 封止体、発光装置、電子機器、及び、照明装置 | |
JP2019220488A (ja) | 発光装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171115 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6261783 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |