KR102027097B1 - 분산 조성물의 가열 방법, 및 글라스 패턴의 형성 방법 - Google Patents

분산 조성물의 가열 방법, 및 글라스 패턴의 형성 방법 Download PDF

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히데카즈 미야이리
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

본 발명은, 내열성이 낮은 재료가 제공된 기판에도 적용할 수 있는, 조성물의 가열 방법을 제공한다. 또한, 크랙의 발생이 억제된, 글라스 패턴의 형성 방법을 제공한다.
기판 위에 형성된 조성물에 대하여 레이저 광을 조사함으로써 국소적으로 가열하여 소성한다. 조성물의 중앙부와 외측부에서 조사되는 기간에 차이가 생기지 않도록 레이저 광을 주사하면 좋다. 보다 구체적으로는, 조성물과 중첩되는 빔 스폿의, 주사 방향의 폭이 대략 일정한 레이저 광을 사용하여 주사하면 좋다.

Description

분산 조성물의 가열 방법, 및 글라스 패턴의 형성 방법{METHOD OF HEATING DISPERSION COMPOSITION AND METHOD OF FORMING GLASS PATTERN}
본 발명은, 기판 위에 제공된 조성물의 가열 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 글라스 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
2장의 기판을 저융점 유리로 이루어진 유리층으로 접합하여, 높은 밀폐성을 갖는 밀봉체를 형성하는 기술이 알려져 있다. 특허 문헌 1에서 기재된 기술은, 저융점 유리로 이루어진 글라스 프릿(문헌에서는 "프릿재(frit material)"라고 표기되어 있음)과 바인더를 포함한 페이스트를 유리 기판의 가장자리를 따라 도포하고, 상기 페이스트를 소성하여 바인더를 제거하고, 또한 글라스 프릿을 용융하여 유리층(문헌에서는 "프릿 글라스"라고 표기되어 있음)으로 하고, 상기 기판과 대향 기판을 중첩시켜 유리층에 레이저광을 조사함으로써, 기판과 유리층과 대향 기판을 용착시켜 높은 기밀성을 갖는 밀봉체를 형성하는 것이다.
이와 같은 유리층은 높은 가스 배리어성을 갖기 때문에 밀봉된 내부를 외부의 분위기와 격리할 수 있다. 이와 같은 유리층을 사용한 밀봉 방법은, 예를 들어 유기 EL(Electro Luminescence) 소자와 같이 소자가 대기(수분이나 산소를 포함함)에 노출되면 그 성능이 급속하게 저하되는 소자가 적용된 디바이스에 응용된다.
유기 EL 소자가 적용된 디바이스로서는, 예를 들어 유기 EL 소자를 광원으로서 사용한 조명 장치나, 박막 트랜지스터와 유기 EL 소자를 조합한 화상 표시 장치 등을 들 수 있다. 유기 EL 소자는, 막 형상으로 형성할 수 있고, 대면적의 소자를 용이하게 형성할 수 있기 때문에, 면광원을 갖는 조명 장치를 실현할 수 있다. 또한, 유기 EL 소자가 적용된 화상 표시 장치는 액정 표시 장치 등에서 필요한 백 라이트가 불필요하기 때문에 박형, 경량이며 콘트라스트가 높고 소비 전력이 낮은 표시 장치를 실현할 수 있다.
일본 공개 특허 출원 제 2011-65895호
상기와 같이, 유리층을 사용한 밀봉체의 제작 방법에서, 글라스 프릿과 바인더를 포함한 페이스트(이하에서, 프릿 페이스트라고도 함)를 기판에 도포한 후에, 바인더를 제거하기 위한 소성을 행할 필요가 있다. 바인더를 제거함으로써, 레이저 광 조사 후의 유리층에 높은 가스 배리어성을 갖게 할 수 있다. 바인더에 사용하는 재료에 따라 상이하지만, 바인더를 제거하기 위해서는 일반적으로 350℃ 내지 450℃ 정도의 고온으로 소성할 필요가 있다.
또한, 프릿 페이스트가 도포된 기판을 고온으로 소성할 수 없는 경우가 있다. 예를 들어, 상기 기판 위에 내열성이 낮은 재료가 제공되는 경우 등이 있다. 유기 EL 소자가 적용된 디바이스에서의 내열성이 낮은 재료의 일례로서는, 유기 EL 소자, 컬러 필터, 광 추출 효율을 향상하기 위하여 제공되는 마이크로 렌즈 어레이 등을 포함한 광학 조정막 등을 들 수 있다.
또한, 프릿 페이스트의 소성이 불충분하면, 레이저 광을 조사한 후의 유리층 내에 바인더 등이 잔존하여 기밀성이 불충분해지거나 또는 유리층에 크랙이 생겨 밀봉 부분이 찢어질 등의 우려가 있다.
본 발명은 이러한 기술적 배경을 바탕으로 하여 이루어진 것이다. 따라서, 본 발명의 일 형태는, 내열성이 낮은 재료가 제공된 기판에도 적용할 수 있는 조성물의 가열 방법을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또한, 크랙의 발생이 억제된 글라스 패턴의 형성 방법을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
본 발명의 일 형태는 상기 과제 중 적어도 하나를 해결하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 프릿 페이스트를 기판에 도포한 후에, 상기 페이스트에 대하여 레이저 광을 조사하여, 국소적으로 가열하여 소성하는 것에 생각이 미쳤다.
여기서, 종래에는 국소적으로 가열하기 위하여 사용하는 레이저 광으로서는 그 빔 스폿 형상이 대략 원형이고 대략 원형 대칭의 강도 분포를 나타내는 빔 스폿 형상의 레이저 광(이하에서, 원형 레이저라고도 함)이 사용되어 왔다.
하지만, 프릿 페이스트를 소성하는 경우에 원형 레이저를 적용하면 이하와 같은 문제가 있다.
도 17a는 원형 레이저의 빔 스폿의 형상과, 그 강도 분포를 도시한 개략도이다. 원형 레이저(10)는 대략 원형 대칭의 강도 분포를 나타내고, 예를 들어 지면(紙面)의 가로 방향의 직경을 따른 구간 X1-X2에서의 강도 분포와, 지면의 세로 방향의 직경을 따른 구간 Y1-Y2에서의 강도 분포가 대략 일치한다. 도 17a는 그 외주에 가까울수록 그 강도가 작아지는 강도 분포를 도시하였지만, 이상적인 톱 플랫 형상으로 할 수도 있다.
또한, 도 17b는 프릿 페이스트(11)를 따라 원형 레이저(10)를 주사하는 모양을 도시한 개략도이다. 프릿 페이스트(11) 내에서 레이저 광이 조사되지 않는 영역이 형성되지 않도록, 원형 레이저(10)로서는 그 직경이 프릿 페이스트(11)의 폭보다 큰 빔 스폿 형상으로 하고, 원의 중심의 궤적이 프릿 페이스트(11)의 중앙부를 따라 주사한다.
여기서, 원형 레이저(10)의 빔 스폿 형상은 대략 원형이기 때문에, 도면에 도시한 바와 같이, 프릿 페이스트(11)의 중앙부와 외측부에서 조사되는 기간에 차이가 생기고, 이상적인 톱 플랫 형상의 강도 분포를 갖는 경우에도 프릿 페이스트(11)에 주어지는 에너지의 적산값에 차이가 생긴다. 따라서, 프릿 페이스트(11)의 중앙부와 외측부에서 가열 온도에 차이가 생긴다.
여기서, 예를 들어 프릿 페이스트(11) 중앙부에 맞추어 원형 레이저(10)의 조사 조건(빔 강도, 주사 속도 등)을 최적화한 경우에는, 외측부에서의 소성이 불충분하여 바인더가 잔존한다. 한편, 프릿 페이스트(11)의 외측부에 맞추어 최적화한 경우에는, 중앙부가 과잉으로 가열되기 때문에, 글라스 프릿의 용착 상태가 중앙부와 외측부에서 상이하여, 다음 공정에서 밀봉 불량을 초래할 우려가 있다.
또한, 프릿 페이스트(11)를 가열한 후, 냉각할 때 열 수축이 일어나지만, 가열 중의 프릿 페이스트에 큰 온도 분포가 있으면 열 수축의 정도에 차이가 생기기 때문에 열 응력에 차이가 생겨, 경우에 따라서는 냉각 후의 유리층에 크랙이 생기거나, 또는 유리층의 내부 응력에 기인하여 유리층과 중첩되는 기판까지 크랙이 생긴다. 또한, 레이저 광의 조사에 의하여 기판도 직접적으로, 또는 간접적으로 가열되지만, 상기 온도 분포에 의하여 기판 자체에도 내부 응력이 발생되어 크랙이 생길 위험성이 있다.
따라서, 본 발명은, 프릿 페이스트의 가열에 사용하는 레이저 광의 빔 스폿 형상과 그 주사 방법에 착안하여 과제를 해결하였다. 프릿 페이스트의 중앙부와 외측부에서 조사되는 기간에 차이가 생기지 않도록 레이저 광을 주사하면 좋다. 보다 구체적으로는, 프릿 페이스트와 중첩되는 빔 스폿의 주사 방향의 폭이 대략 일정(실질적으로 일정이라고도 함)한 레이저 광을 사용하여 주사하면 좋다.
대표적으로는, 사용하는 레이저 광으로서 직사각형(정사각형을 포함하는 장방형), 또는 타원형의 빔 스폿 형상을 갖는 레이저 광을 사용할 수 있다. 직사각형의 빔 스폿의, 대향하는 2변이 프릿 페이스트의 패턴의 양단(兩端)과 항상 교차되도록 주사하면 좋다.
즉, 본 발명의 일 형태의 분산 조성물의 가열 방법은, 분산질과, 상기 분산질보다 비점(沸點) 또는 분해 온도가 낮은 분산매(分散媒)를 포함한 조성물에 레이저 광을 주사하면서 조사하여 조성물을 가열할 때, 레이저 광의 빔 스폿 형상을 직사각형으로 정형하고 상기 직사각형의 대향하는 2변이 조성물의 양단과 항상 교차되도록 주사하는 것을 특징으로 한다.
글라스 프릿이 바인더 등에 분산된 프릿 페이스트를 따라 상기와 같이 레이저 광을 주사함으로써, 프릿 페이스트 중앙부와 외측부에서 레이저 광이 조사되는 기간에 차이가 생기지 않아 균일하게 가열할 수 있다.
또한, 이 가열 방법은 프릿 페이스트에 한정되지 않고 넓게 응용할 수 있다. 구체적으로는, 분산질과, 분산질보다 비점 또는 분해 온도가 낮은 분산매를 포함한 분산 조성물을 가열할 때도 마찬가지로 균일하게 가열할 수 있다.
이와 같은 분산 조성물의 다른 일례로서는, 예를 들어 수지 및 유기 용매로 이루어진 바인더에 금속 등의 도전성 입자가 분산된 도전성 페이스트를 들 수 있다. 도전성 페이스트는 일반적으로 소성 온도를 낮추기 위하여 도전성 입자의 입경을 1μm 미만으로 할 필요가 있지만, 본 발명의 일 형태의 가열 방법을 사용하면 국소적으로 균일하게 가열할 수 있기 때문에, 그 입경을 크게 할 수 있고, 소성 후의 도전성을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태의 분산 조성물의 가열 방법은, 상기 레이저 광의 빔 스폿 형상은 장축과, 상기 장축과 직교하는 단축을 갖는 것을 특징으로 한다.
특히, 상기 레이저 광으로서, 장축과, 장축과 직교하는 단축을 갖는 선형 빔 스폿 형상을 갖는 레이저 광(이하에서 선형 레이저라고도 함)을 사용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 상기 레이저 광으로서 원형 레이저를 사용하는 경우, 프릿 페이스트의 중앙부와 외측부 사이에서 조사 기간에 차이가 생기지 않도록 하는 경우에는, 프릿 페이스트가 형성된 폭보다 그 스폿 직경을 충분히 크게 할 필요가 있다. 그 때, 프릿 페이스트와 중첩되지 않고 프릿 페이스트의 가열에 관여하지 않는 영역의 면적이 매우 크기 때문에, 그만큼 에너지가 낭비된다. 여기서, 상기와 같은 선형 레이저를 사용하면, 프릿 페이스트의 가열에 관여하지 않는 영역의 면적을 저감할 수 있기 때문에, 효율적으로 프릿 페이스트를 가열할 수 있다.
또한, 빔 스폿의 면적이 크게 되면, 같은 에너지 밀도를 얻기 위해서는 그 만큼 높은 출력이 필요하다. 여기서, 상기 선형 레이저를 사용함으로써, 그 빔 스폿의 총 면적을 작게 할 수 있기 때문에, 원형 레이저를 사용하는 경우보다 낮은 출력으로 효율적으로 프릿 페이스트를 가열할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 일 형태의 글라스 패턴의 형성 방법은, 저융점 유리와 바인더를 포함한 폐곡선 형상의 프릿 페이스트에 레이저 광을 주사하면서 조사하여 프릿 페이스트를 가열할 때, 레이저 광의 빔 스폿 형상을 직사각형으로 정형하고, 상기 직사각형의 대향하는 2변이 프릿 페이스트의 양단과 항상 교차되도록 주사하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 폐곡선을 이뤄 제공된 프릿 페이스트에 대하여 본 발명의 일 형태의 가열 방법을 적용함으로써, 내열성이 낮은 재료가 제공된 기판이라도 균일하게 프릿 페이스트를 가열할 수 있기 때문에, 크랙의 발생이 억제된 신뢰성이 높은 밀봉체를 제작할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태의 글라스 패턴의 형성 방법은, 상기 레이저의 빔 스폿 형상이 장축과, 상기 장축과 직교하는 단축을 갖는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 선형 레이저를 폐곡선을 이뤄 제공된 프릿 페이스트를 따라 주사하여 밀봉체를 제작함으로써, 조사 개시 영역에서 레이저 광이 2번 조사되는 영역(오버랩 영역)의 면적을 매우 작게 할 수 있기 때문에, 크랙의 발생이 억제되고 신뢰성이 높은 밀봉체를 제작할 수 있다.
또한, 선형 레이저의 주사 방향에 대하여, 그 단축을 기울여서 주사하는 경우에는, 이들이 이루는 각도를 0°이상 60°이하로 하는 것이 바람직하다. 여기서, 어떠한 일정한 폭의 영역에 조사할 때, 단축과 주사 방향이 이루는 각도를 θ로 하면, 빔 스폿의 장축 방향의 필요한 길이는 1/cos(θ)에 비례된다. 따라서, 이 각도가 60°를 넘으면 선형 레이저의 장축 방향의 필요한 길이가 급격하게 길어지고, 그 결과 필요한 빔 스폿의 면적이 급격하게 증대된다. 이 각도를 60°이하로 함으로써, 빔 스폿의 면적을 작게 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태의 글라스 패턴의 형성 방법은, 상기 글라스 패턴의 형성 방법에서, 상기 프릿 페이스트가, 각각 대향하는 2변이 평행한 4변의 폐곡선을 이뤄 제공되고, 레이저 광의 단축과 프릿 페이스트의 각각의 변이 이루는 각도가 0°이상 60°이하이고, 폐곡선의 대향하지 않는 2변에 접속된 각부에 있어서 단축이 90°회전되도록 레이저 광을 주사하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 방법을 적용함으로써, 폐곡선을 이뤄 형성된 프릿 페이스트를 따라, 한번의 주사로 레이저 조사 공정을 완료할 수 있기 때문에, 공정을 간략화할 수 있다.
또한, 동일 형상의 각부를 갖는 유리층으로 밀봉된 밀봉체를 제작할 수 있다. 각부를 동일 형상으로 함으로써, 각각의 각부에서 내부 변형에 기인한 잔류 응력에 차이가 생기지 않기 때문에 신뢰성이 높은 밀봉체로 할 수 있다. 또한, 각부의 외부 윤곽 및 내부 윤곽의 양쪽 모두를 원호(圓弧) 형상으로 할 수 있다. 이와 같이 곡률을 갖는 각부로 함으로써, 유리층 중의 내부 응력을 완화하여 크랙의 발생을 더 억제할 수 있다. 또한, 이 경우에는 곡률 반경을 크게 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태의 글라스 패턴의 형성 방법은, 상기 글라스 패턴의 형성 방법에서, 프릿 페이스트가, 각각 대향하는 2변이 평행한 4변의 폐곡선을 이뤄 제공되고, 레이저 광의 단축과, 프릿 페이스트의 변 각각이 이루는 각도가 0°이상 60°이하이고, 폐곡선의 1변과 접속되는 2개의 각부 사이의 구간에 있어서, 단축이 90°회전되도록 레이저 광을 주사하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 방법을 적용하면, 동일 형상의 각부를 갖고 각부에서는 직선으로 주사함으로써 내측과 외측에서 레이저 광의 조사 기간에 차이가 생기지 않아 균일하게 조사할 수 있기 때문에, 크랙이 저감된 밀봉체를 제작할 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 일 형태의 글라스 패턴의 형성 방법은, 상기 글라스 패턴의 형성 방법에서, 프릿 페이스트가, 각각 대향하는 2변이 평행한 4변의 폐곡선을 이뤄 제공되고, 레이저 광의 단축과 프릿 페이스트의 변 각각이 이루는 각도가 45°가 되도록 레이저 광을 주사하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이, 선형 레이저 주사 방향에 대하여 그 단축을 45°기울여 주사함으로써, 기판의 코너부 등에서 주사 방향이 90°구부러지는 경우에도 선형 레이저를 회전시키지 않아도 프릿 페이스트를 따라 선형 레이저를 주사할 수 있다.
또한, 특히 대향하지 않는 2변이 이루는 각도가 직각이 되도록 프릿 페이스트가 제공되는 경우에는, 단축 방향과 주사 방향이 이루는 각도를 45°로 함으로써, 프릿 페이스트의 4변에서 단축 방향과 주사 방향이 이루는 각도를 항상 45°로 유지하면서 주사할 수 있다. 따라서, 대향하지 않는 2변간에 레이저 광의 조사 조건을 공통으로 하는 경우에도, 프릿 페이스트의 가열 상태를 일치시킬 수 있음과 함께, 글라스 프릿의 용착 상태를 균일하게 할 수 있기 때문에 신뢰성이 높은 밀봉체를 형성할 수 있다.
또한, 본 명세서 등에서, "폭이 대략 일정하다"란, 완전히 일정한 경우뿐만 아니라 가장 큰 폭에 대한 가장 작은 폭의 비율이 90% 이상인 범위도 포함하는 것으로 한다.
또한, 본 명세서 등에 있어서, "폐곡선"이란, 양단이 일치되는 연속 곡선을 말한다. 또한, 여기서 말하는 곡선에는 광의적으로 직선이나 선분의 개념이 포함되는 것으로 한다. 따라서, 예를 들어 사변형의 외주와 같이, 복수의 선분으로 구성되며, 선분 각각의 양단이 각각 다른 선분의 일단(一端)과 일치되는 경우도 폐곡선의 일 형태인 것이다. 또한, 원이나 타원, 곡률이 상이한 복수의 곡선부가 연속되어 구성된 형상이나, 직선 부분과 곡선 부분이 혼재하여 구성된 형상 등도 폐곡선의 일 형태인 것이다.
또한, 본 명세서 등에서, "방향"이라고 기재하는 경우에는, 어떠한 일정 방향뿐만 아니라, 상기 일정 방향으로부터 180°회전된 방향, 즉, 상기 일정 방향의 반대 방향도 포함하는 것으로 한다. 또한, 어떠한 일정 방향을 가리키는 경우에는 "방향"이라고 표기할 수도 있다. 또한, 본 명세서 등에서, "평행"이라고 표기하는 경우에는 엄밀하게 평행한 방향뿐만 아니라, 평행 방향으로부터 ±10°이내의 상태를 포함하는 것으로 하고, "직교"라고 표기하는 경우에는 엄밀하게 직교하는 방향뿐만 아니라, 직교 방향으로부터 ±10°이내의 상태를 포함하는 것으로 하고, "수직"이라고 표기하는 경우에는 엄밀하게 수직인 방향뿐만 아니라, 수직 방향으로부터 ±10°이내의 상태를 포함하는 것으로 한다.
또한, 본 명세서 등에서, "각도"란 엄밀한 각도뿐만 아니라, ±10°이내로 편차가 생긴 각도도 포함하는 것으로 한다. 예를 들어, "직각"이라고 표기하는 경우에는 엄밀하게 직각인 각도뿐만 아니라, 엄밀하게 직각인 각도에서 ±10°이내의 상태를 포함하는 것으로 한다.
또한, 본 명세서에서, "EL층"이란, 발광 소자의 한 쌍의 전극간에 제공되고, 적어도 발광성 유기 화합물을 포함한 층(발광층이라고도 함), 또는 발광층을 포함한 적층체를 가리키는 것으로 한다.
또한, 본 명세서 중에서, 발광 장치란 화상 표시 디바이스, 또는 광원(조명 장치를 포함함)을 나타낸다. 또한, 발광 장치에 커넥터, 예를 들어, FPC(Flexible Printed Circuit) 또는 TAB(Tape Automated Bonding) 테이프 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 부착된 모듈, TAB 테이프나 TCP의 선단에 프린트 배선판이 제공된 모듈, 또는 발광 소자가 형성된 기판에 COG(Chip On Glass) 방식에 의하여 IC(집적 회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 발광 장치에 포함하는 것으로 한다.
본 발명에 따르면, 내열성이 낮은 재료가 제공된 기판에도 적용할 수 있는, 조성물의 가열 방법을 제공할 수 있다. 또한, 크랙의 발생이 억제된, 글라스 패턴의 형성 방법을 제공할 수 있다.
도 1a 내지 도 1c는 실시형태에 따른 레이저를 설명하는 도면.
도 2a 내지 도 2f는 실시형태에 따른 선형 레이저를 설명하는 도면.
도 3은 실시형태에 따른 선형 레이저를 설명하는 도면.
도 4a 및 도 4b는 실시형태에 따른 선형 레이저의 주사 방법을 설명하는 도면.
도 5a 내지 도 5f는 실시형태에 따른 밀봉체의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 6a 및 도 6b는 실시형태에 따른 밀봉체의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 7a 내지 도 7c는 실시형태에 따른 밀봉체의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 8은 실시형태에 따른 밀봉체의 제작 방법을 설명하는 도면.
도 9a 내지 도 9d는 실시형태에 따른 선형 레이저를 설명하는 도면.
도 10a 및 도 10b는 실시형태에 따른 선형 레이저를 설명하는 도면.
도 11a 및 도 11b는 실시형태에 따른 표시 장치를 설명하는 도면.
도 12는 실시형태에 따른 표시 장치를 설명하는 도면.
도 13a 및 도 13b는 실시형태에 따른 조명 장치를 설명하는 도면.
도 14a 내지 도 14c는 실시형태에 따른 발광 소자를 설명하는 도면.
도 15a 내지 도 15e는 실시형태에 따른 전자 기기를 설명하는 도면.
도 16a 내지 도 16c는 실시형태에 따른 전자 기기를 설명하는 도면.
도 17a 및 도 17b는 종래의 예에 따른 원형 레이저를 설명하는 도면.
실시형태에 대하여, 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 아니하며, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 상세한 사항을 다양하게 변경할 수 있음은 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다. 또한, 이하에 설명하는 발명의 구성에 있어서, 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 다른 도면 간에서 공통적으로 사용하고, 그 반복 설명은 생략한다.
또한, 본 명세서에서 설명하는 각 도면에 있어서, 각 구성의 크기, 층 두께, 또는 영역은, 명료화를 위하여 과장되어 있는 경우가 있다. 따라서, 반드시 그 스케일에 한정되지 않는다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 조성물의 가열 방법, 및 밀봉체의 제작 방법에 대하여 도 1a 내지 도 10b를 사용하여 설명한다. 여기서, 조성물의 가열 방법의 일례로서, 조성물의 일 형태인 프릿 페이스트의 가열 방법에 대하여 설명한다. 프릿 페이스트는, 저융점 유리로 이루어진 글라스 프릿을 분산질로 하고 유기 수지 및 유기 용매로 이루어진 바인더를 분산매로 한 이들을 포함한 조성물이다.
본 발명의 일 형태의 가열 방법에서, 프릿 페이스트의 중앙부와 외측부에서 조사되는 기간에 차이가 생기지 않도록 레이저 광을 주사한다. 보다 구체적으로는, 프릿 페이스트와 중첩되는 빔 스폿 형상에 있어서, 주사 방향과 평행한 방향의 폭이 대략 일정하게 되도록 레이저 광을 조사한다.
따라서, 사용하는 빔 스폿 형상으로서는, 프릿 페이스트와 중첩되는 빔 스폿의 영역에서 주사 방향과 교차되는 대향하는 2변이 대략 평행(실질적으로 평행이라고도 함)한 형상이면 좋고, 예를 들어 직사각형(정사각형을 포함한 장방형), 평행 사변형 등의 사각형이나 타원형을 사용할 수 있다. 또한, 원형 레이저를 사용할 수도 있지만, 그 경우에는 프릿 페이스트의 폭에 대하여 그 스폿 직경을 충분히 크게 할 필요가 있다.
<직사각형의 빔 스폿을 갖는 레이저 광을 사용한 가열 방법>
도 1a는 본 발명의 일 형태의 가열 방법에 사용할 수 있는, 직사각형의 빔 스폿을 갖는 레이저(150)의 빔 스폿 형상과, 그 강도 분포를 나타낸 개략도를 도시한 것이다.
레이저(150)는 각각의 변에 수평인 방향(X1-X2 및 Y1-Y2) 중, 주사 방향에 수직인 방향의 강도 분포가 최대한 균일한 것이 바람직하다. 예를 들어, 주사 방향에 수직인 방향의 강도 분포가 톱 플랫 형상이 되는 것이 바람직하다. 한편, 주사 방향에 평행한 방향의 강도 분포도 균일한 것이 바람직하지만, 예를 들어 가우스 분포와 같이, 상기 방향을 따라 강도가 변화되는 강도 분포를 가져도 좋다.
도 1b는 프릿 페이스트(110)를 따른 주사 방향(103)을 따라 레이저(150)를 주사하는 모양을 나타낸 개략도를 도시한 것이다. 레이저(150)는 그 빔 스폿 형상의 대향하는 한 쌍의 변에 평행한 방향으로 주사하는 것이 바람직하다. 이와 같이 주사함으로써, 도면 중의 화살표로 나타낸 바와 같이, 프릿 페이스트의 중앙부와 외측부에서 조사되는 기간이 일정하게 되기 때문에 균일하게 가열할 수 있다.
또한, 곡선 형상으로 제공된 프릿 페이스트(110)에 대하여 주사하는 경우에는, 도 1c에 도시한 바와 같이, 레이저(150)를 프릿 페이스트(110)가 이루는 곡률을 따라 회전시키면서 주사함으로써 곡선부를 균일하게 가열할 수 있다.
또한, 레이저(150)의 조사에 의하여, 프릿 페이스트(110) 내의 글라스 프릿의 일부가 용융되고, 이것이 냉각되어 고체화될 때, 일 방향으로 균일하게 고체화가 진행되기 때문에, 중앙부에 응력이 집중하지 않아 크랙의 발생 기인이 되는 유리층 내의 잔류 응력을 저감할 수 있다.
여기서, 레이저 광으로서, 특히 그 빔 스폿 형상이 장축과, 장축과 직교하는 단축을 갖는 레이저 광(선형 레이저)을 사용하면, 원형 레이저와 비교하여 그 스폿 면적을 매우 작게 할 수 있다. 따라서, 프릿 페이스트의 가열에 관여하지 않는 불필요한 영역의 면적을 저감할 수 있기 때문에, 프릿 페이스트를 효율적으로 가열할 수 있다. 또한, 스폿 면적을 저감함으로써, 원형 레이저를 사용하는 경우보다 낮은 출력으로 프릿 페이스트를 효율적으로 가열할 수 있기 때문에 바람직하다.
이하에서는, 선형 레이저를 사용한 프릿 페이스트의 가열 방법에 대하여 자세히 설명한다.
<선형 레이저의 스폿 형상에 대하여>
우선, 본 발명의 일 형태의 가열 방법에 사용할 수 있는 선형 레이저에 대하여 설명한다.
도 2a는 선형 레이저(100)의 빔 스폿 형상과, 그 강도 분포를 나타낸 개략도를 도시한 것이다.
선형 레이저(100)는 피조사면에 조사한 경우의 빔 스폿 형상이, 직교하는 장축(101)과 단축(102)을 갖는 레이저이다. 도 2a에는, 장방형의 빔 스폿 형상을 갖는 선형 레이저(100)를 도시하였다.
장축(101)과 단축(102)의 길이 비율로서는, 적어도 단축(102)보다 장축(101)의 길이가 길면 좋다. 여기서, 단축(102)의 길이에 대하여 장축(101)의 길이를 1.3배 이상으로 하면, 장축(101)의 길이와 같은 직경을 갖는 원형 레이저보다 빔 스폿의 면적을 작게 할 수 있다. 이와 같은 빔 스폿 형상을 갖는 선형 레이저(100)를 사용함으로써, 원형 레이저를 사용한 경우와 비교하여 에너지 효율을 높일 수 있어, 낮은 출력으로 프릿 페이스트를 효율적으로 가열할 수 있다.
선형 레이저(100)는, 그 장축(101)을 따른 방향(X1-X2)의 강도 분포가 최대한 균일한 것이 바람직하다. 예를 들어, 장축을 따른 방향의 강도 분포가 톱 플랫 형상이 되는 것이 바람직하다. 또한, 그 단축(102)을 따른 방향(Y1-Y2)의 강도 분포도 균일하면 바람직하지만, 후술하는 바와 같이, 선형 레이저(100)를 주사할 때 그 주사 방향과 단축(102)은 직교하지 않기 때문에, 예를 들어 가우스 분포와 같이, 상기 방향을 따라 강도가 변화되는 강도 분포를 가져도 좋다.
또한, 선형 레이저(100)의 빔 스폿 형상은 장방형 이외에도 다양한 형상을 취할 수 있다. 예를 들어, 도 2b에 도시한 바와 같이 타원형이라도 좋고, 도 2c에 도시한 바와 같이 각부가 둥근 장방형 형상으로 하여도 좋다.
또한, 선형 레이저(100)는, 복수의 원형 레이저를 겹쳐 형성되어도 좋다. 도 2d는 복수의 원형 레이저를 장축(101) 방향으로 일부가 중첩되도록 겹친 경우를 도시한 것이다. 또한, 도 2e와 같이 장축(101) 방향과 단축(102) 방향 각각으로, 일부가 중첩되도록 복수의 원형 레이저를 겹쳐도 좋다. 또한, 도 2f에 도시한 바와 같이, 타원형의 빔 스폿 형상을 갖는 레이저를 장축(101) 방향으로 복수로 겹쳐 형성하여도 좋다.
상기와 같은 형상을 갖는 선형 레이저(100)를 광학적으로 형성하는 방법에 대해서는 이후에 설명한다.
상술한 내용이 선형 레이저(100)의 빔 스폿 형상에 대한 설명이다.
<선형 레이저(100)의 주사에 대하여>
이어서, 선형 레이저(100)를 사용하여 프릿 페이스트를 가열할 때의 선형 레이저(100)의 주사 방법에 대하여 설명한다.
선형 레이저(100)는 제 1 기판(111) 위에 형성된 프릿 페이스트(110)에 대하여 조사된다. 이 때, 선형 레이저(100)를 프릿 페이스트(110)가 제공된 영역을 따라 주사한다. 선형 레이저(100)의 조사에 의하여 프릿 페이스트(110)는 가열되고, 바인더를 구성하는 유기 수지 및 유기 용매를 분해시키거나 휘발시킴으로써, 바인더를 제거한다. 또한, 이 공정을 프리베이킹이라고도 한다. 이 때, 글라스 프릿의 일부 또는 전체 부분이 용융되어 용착 또는 응집됨으로써, 저융점 유리로 이루어진 유리층이 형성된다.
이 때, 고체화된 후의 유리층은 글라스 프릿이 완전히 용융된 후에, 용착되어 일체로 되어 있어도 좋고, 글라스 프릿끼리 부분적으로 용착된 상태이어도 좋다. 여기서, 프리베이킹한 후의 유리층에는 조사되는 레이저 광을 흡수하는 흡수제가 분산되어 있어도 좋다. 또한, 레이저 조사 조건에 따라서는, 바인더가 완전히 제거되지 않고 유리층 내에 잔존하는 경우도 있지만, 바인더를 완전히 제거하는 것이 바람직하다.
또한, 그 후 밀봉체를 제작하는 경우에는, 제 1 기판(111)과 대향하는 제 2 기판(112)을 유리층과 접하도록 배치하여, 제 1 기판(111) 또는 제 2 기판(112)을 투과시켜 상기 유리층에 레이저 광 등을 사용하여 가열함으로써, 유리층을 용융하고 제 2 기판(112)과 용착시켜, 제 1 기판(111), 제 2 기판(112) 및 유리층으로 둘러싸인 밀봉 영역을 갖는 밀봉체를 제작할 수 있다. 여기서, 유리층을 가열할 때도 본 발명의 일 형태의 가열 방법을 적용할 수도 있다. 따라서, 유리층을 균일하게 가열할 수 있기 때문에, 크랙의 발생이 억제된 신뢰성이 높은 밀봉체를 제작할 수 있다.
여기서, 선형 레이저(100)를 주사할 때의 주사 방향과, 선형 레이저의 빔 스폿에서의 장축 또는 단축이 이루는 각도에 대하여 도 3을 사용하여 설명한다. 명료화를 위하여, 도 3에는 선형 레이저(100)의 장축(101)에 평행한 장축 방향(101a)과, 단축(102)에 평행한 단축 방향(102a), 및 선형 레이저(100)의 주사 방향(103)의 관계를 도시하였다.
선형 레이저(100)의 주사는, 주사 방향(103)과 단축 방향(102a)이 직교하지 않도록, 바꿔 말하면, 주사 방향(103)에 대한 단축 방향(102a)의 코사인 성분이 0이 되지 않도록 유지하면서 주사한다.
여기서, 주사 방향(103)과 단축(102)의 각도(도 3 중의 θ)를 0°이상 60°이하로 하는 것이 바람직하다. 여기서, 어떠한 일정 폭의 영역을 조사할 때, 단축(102)과 주사 방향(103)이 이루는 각도를 θ로 하면, 빔 스폿의 장축(101)에 필요한 길이는 1/cos(θ)에 비례한다. 따라서, 이 각도가 60°를 넘으면, 선형 레이저(100)의 장축(101)에 필요한 길이가 급격하게 길어져서, 결과적으로는 필요한 빔 스폿의 면적이 급격하게 증대된다. 이 각도를 60°이하로 함으로써 빔 스폿의 면적을 작게 억제할 수 있다.
이어서, 도 4a에 주사 방향(103)과 단축(102)의 각도가 0°가 되도록 선형 레이저(100)를 프릿 페이스트(110)를 따라 주사하는 경우의 개략도를 도시하였다.
이와 같이 선형 레이저(100)를 주사함으로써, 프릿 페이스트(110)의 중앙부와 외측부에서 레이저 광이 조사되는 기간에 차이가 생기지 않아 균일하게 가열할 수 있다.
또한, 도 4a에서 파선 화살표로 나타낸 바와 같이, 선형 레이저(100)로 가열된 글라스 프릿이나 기판이 냉각될 때, 주사 방향(103)을 따라 일 방향으로 냉각이 진행되기 때문에, 고체화된 후의 유리층의 중앙부나 기판에 응력이 집중되는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 고체화된 후의 유리층이나 기판 내의 내부 변형이 균일화되어, 크랙의 발생 기인이 되는 잔류 응력을 저감할 수 있다.
도 4b에는, 주사 방향(103)과 단축(102)의 각도가 0°보다 크게 되도록 선형 레이저(100)의 빔 스폿을 기울여 프릿 페이스트(110)를 따라 주사하는 경우의 개략도를 도시하였다.
이와 같이, 선형 레이저(100)를 주사 방향(103)에 대하여 기울여 주사한 경우에도, 프릿 페이스트(110)의 중앙부와 외측부에서 레이저 광이 조사되는 기간에 차이가 생기지 않기 때문에 균일하게 가열할 수 있다.
또한, 도 4b에서 파선 화살표로 나타낸 바와 같이, 선형 레이저(100)로 가열된 글라스 프릿이나 기판이 냉각될 때, 선형 레이저(100)의 단축(102) 방향에 대략 평행한 일 방향으로 고체화가 진행된다. 따라서, 고체화된 후의 유리층이나 기판에 응력이 집중되는 것을 억제하여, 크랙의 발생 기인이 되는 잔류 응력을 저감할 수 있다.
여기서, 빔 스폿 형상이 타원 형상인 선형 레이저(100)를 사용하는 경우 등에, 프릿 페이스트(110)의 중앙부와 외측부에서 레이저 광이 조사되는 기간에 약간 차이가 생기는 경우가 있다. 이와 같은 경우에는, 주사 속도, 출력 등을 조정함으로써, 중앙부와 외측부에서 생기는 온도 차이를 억제하는 것이 바람직하다. 또한, 프릿 페이스트(110)의 중앙부의 조사 기간에 대한 외측부의 조사 기간의 비율이 90% 이상, 바람직하게는 95% 이상이 되는, 타원형의 빔 스폿 형상을 갖는 선형 레이저(100)를 사용하는 것이 바람직하다.
<프릿 페이스트의 가열 방법 및 밀봉체의 제작 방법>
이하에서는, 상술한 선형 레이저를 사용한, 프릿 페이스트의 가열 방법의 예, 및 대향하는 2장의 기판과 유리층에 의하여 밀봉된 밀봉 영역을 갖는 밀봉체의 제작 방법의 예에 대하여 설명한다.
밀봉체를 제작할 때, 프릿 페이스트는 제 1 기판 위에 폐곡선을 이뤄 제공된다. 또한, 선형 레이저는 상기 폐곡선을 따라 주사한다. 구체적으로는, 선형 레이저는, 빔 스폿의 단축 방향과 폐곡선의 접선이 이루는 각도가 0°이상 60°이하로 유지되도록 주사한다. 이하에서는, 구체적인 주사 방법에 대해서도 아울러 설명한다.
(방법의 예 1)
본 방법의 예에서는, 선형 레이저(100)의 단축 방향을 주사 방향(103)에 대하여 기울인 상태로 프릿 페이스트(110)를 따라 선형 레이저(100)를 주사하여, 프릿 페이스트(110)를 가열하는 방법, 및 밀봉체의 제작 방법에 대하여 도 5a 내지 도 5f를 사용하여 설명한다. 도 5a 내지 도 5f는 본 방법의 예에 따른 상면 개략도를 도시한 것이다.
우선, 제 1 기판(111) 위에 프릿 페이스트(110)를 형성한다. 여기서, 프릿 페이스트(110)는, 각각 대향하는 2변이 평행한 4변의 폐곡선을 이뤄 제공된다. 바꿔 말하면, 평행하게 제공된 대향하는 한 쌍의 직선 부분을 2개 갖고, 대향하지 않는 2개의 직선 부분이 각부에서 연속되도록 제공한다.
여기서, 대향하지 않는 2개의 직선 부분이 접속된 각부의 형상은 직각, 예각, 또는 둔각을 이뤄도 좋다. 또한, 각부의 형상이 곡선 형상이라도 좋다. 또한, 각부의 형상이 복수의 둔각으로 구성되어도 좋다.
또한, 폐곡선을 이루는 프릿 페이스트(110)의 내부 윤곽의 형상과 외부 윤곽의 형상이 상이하여도 좋다. 예를 들어, 내부 윤곽을 사각형으로 하고, 외부 윤곽을 다각형으로 하여도 좋다.
상술한 프릿 페이스트(110)의 각부의 형상, 및 내부 윤곽 및 외부 윤곽의 형상은 이후에서 설명하는 선형 레이저(100)의 주사 방법에 따라, 상기 선형 레이저(100)의 조사 영역과 중첩되도록 그 형상을 적절히 변경하면 좋다.
본 방법의 예에서는, 도 5a에 도시한 바와 같이, 4개의 각부(각부(115a) 내지 각부(115d))를 가지며, 내부 윤곽이 사각형이고, 외부 윤곽은, 대향하는 한 쌍의 각부(각부(115b), 각부(115d))가 2개의 둔각으로 구성된 육각형을 이루도록, 프릿 페이스트(110)를 형성한다(도 5a 참조).
프릿 페이스트(110)의 형성 방법으로서는, 우선 분말 유리로 이루어진 글라스 프릿에 예를 들어 유기 용매로 희석한 유기 수지로 이루어진 바인더를 혼합한 프릿 페이스트를, 제 1 기판(111) 위에 스크린 인쇄법이나 디스펜서법 등 공지의 방법을 사용하여 도포함으로써 프릿 페이스트(110)를 형성할 수 있다.
글라스 프릿으로서 사용하는 유리 재료로서는, 예를 들어 산화 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 바륨, 산화 리튬, 산화 나트륨, 산화 칼륨, 산화 붕소, 산화 바나듐, 산화 아연, 산화 텔루르, 산화 알루미늄, 이산화 실리콘, 산화 납, 산화 주석, 산화 인, 산화 루테늄, 산화 로듐, 산화 철, 산화 구리, 산화 티타늄, 산화 텅스텐, 산화 비스무트, 산화 안티몬, 붕산 납 유리, 인산 주석 유리, 바나듐산 염 유리, 및 보로실리케이트 유리로 이루어진 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 화합물을 함유하는 것이 바람직하다.
이후, 프릿 페이스트(110)에 대하여 선형 레이저(100)를 주사하면서 조사함으로써 프릿 페이스트(110)를 가열하여 바인더를 제거한다. 이하에서는, 프릿 페이스트(110)를 따라 선형 레이저(100)를 주사하는 방법에 대하여 설명한다.
우선, 프릿 페이스트(110)의 하나의 직선 부분(1변이라고도 함)을 따라 선형 레이저(100)를 주사하여 프릿 페이스트(110)에 레이저 광을 조사한다. 이 때, 선형 레이저(100)의 스폿 형상에서의 단축 방향을 주사 방향에 대하여 기울인 상태로 조사한다(도 5b 참조). 여기서는 명료화를 위하여, 도 5a 내지 도 5f에는 레이저 광이 조사되어 바인더가 제거된 유리층(113)의 해칭(hatching)을 프릿 페이스트(110)와 상이하게 하여 명시하였다.
여기서, 선형 레이저(100)의 빔 스폿의 단축 방향과 주사 방향(103)이 이루는 각도를 45°로 하는 것이 바람직하다. 특히, 프릿 페이스트(110)의 대향하지 않는 2변이 이루는 각도가 직각이 되도록 제공되는 경우에는, 단축 방향과 주사 방향(103)이 이루는 각도를 45°로 함으로써, 프릿 페이스트(110)의 4변에서 단축 방향과 주사 방향(103)이 이루는 각도를 항상 45°로 유지하면서 주사할 수 있다. 따라서, 대향하지 않는 2변 사이에서 레이저 광의 조사 조건을 공통으로 하여도 프릿 페이스트(110)를 균일하게 가열할 수 있기 때문에 신뢰성이 높은 밀봉체를 형성할 수 있다.
본 방법의 예에서는, 선형 레이저(100)의 빔 스폿 형상에서의 단축 방향과 주사 방향(103)이 이루는 각도를 45°로 하는 경우에 대하여 설명한다.
다음에, 선형 레이저(100)가 프릿 페이스트(110)의 각부(115a)에 도달하면, 이어서 프릿 페이스트(110)를 따라 각부(115b)를 향하여 주사한다(도 5c 참조).
선형 레이저(100)가 프릿 페이스트(110)의 각부(115b)에 도달하면, 이어서 프릿 페이스트(110)를 따라 각부(115c)를 향하여 주사한다(도 5d 참조).
여기서, 각부(115b)에서는 선형 레이저(100)의 빔 스폿의 단축 방향을 주사 방향(103)에 대하여 기울여 주사함에 기인하여 일부 영역에서는 레이저 광이 2번 조사된다. 따라서, 각부(115b)에서는 선형 레이저(100)의 조사 조건을 상이하게 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 각부(115b)에서는 주사 속도를 빠르게 하거나, 또는 조사 강도를 작게 하는 등의 조사 조건을 들 수 있다.
그 후, 마찬가지로 각부(115c)로부터 각부(115d)를 향하여 프릿 페이스트(110)를 따라 선형 레이저(100)를 주사한다(도 5e 참조).
각부(115d)에 도달한 후, 각부(115d)와 각부(115a) 사이의 조사 개시 영역까지 선형 레이저(100)를 주사한다(도 5f 참조). 이 때, 각부(115d)에서는 각부(115b)와 마찬가지로 선형 레이저(100)의 조사 조건을 상이하게 하는 것이 바람직하다.
이와 같이 함으로써, 제 1 기판(111) 위에 형성된 프릿 페이스트(110)를 가열하여 바인더를 제거할 수 있다.
여기서, 본 발명의 일 형태에서는, 선형 레이저(100)를 사용하기 때문에, 원형 레이저를 사용한 경우와 비교하여 조사 개시 영역에서 레이저 광이 2번 조사되는 영역(오버랩 영역이라고도 함)의 면적을 매우 작게 할 수 있다. 오버랩 영역에서는 열 이력이 다른 영역과 상이하기 때문에, 바인더가 제거되어 고체화된 유리층(113)의 용착 상태나 기판에 생기는 내부 변형이 다른 영역과 상이한 경우가 있고, 이러한 차이로 인한 응력 집중에 기인하여 크랙이 발생할 우려가 있다. 선형 레이저(100)를 사용함으로써, 오버랩 영역의 면적을 매우 작게 할 수 있기 때문에, 크랙의 발생이 억제되어 신뢰성이 높은 밀봉체를 제작할 수 있다.
그 후, 제 1 기판(111)과 대향하고 유리층(113)과 접하도록 제 2 기판을 배치한다.
이어서, 제 1 기판(111) 또는 제 2 기판(112)을 통과시켜 유리층(113)에 레이저 광을 주사하면서 조사하여 유리층(113)을 용융, 고체화시킴으로써, 유리층(113)과 제 2 기판(112)을 용착한다. 이 때, 유리층(113)과 제 2 기판(112)이 확실히 접하도록, 압력을 가하면서 처리하는 것이 바람직하다. 레이저 광의 조사 영역 외에서 클램프(clamp) 등을 사용하여 제 1 기판(111) 및 제 2 기판(112)을 끼운 상태로 처리하여도 좋고, 제 1 기판(111) 및 제 2 기판(112) 중 한쪽 또는 양쪽으로부터 기판 면에 균일하게 압력을 가하면서 처리하여도 좋다.
이 때, 레이저 광이 조사된 후에 밀봉 영역 내가 불활성 가스 분위기, 또는 감압 분위기가 되도록 처리하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 레이저 광을 조사하기 전에 프릿 페이스트(110)가 도포되는 영역보다 외측 또는 내측의 영역에 자외선 경화 수지나 열 경화 수지 등의 씰재를 미리 형성하고, 불활성 가스 분위기하 또는 감압 분위기하에서 2개의 기판을 임시 접착한 후, 대기 분위기하 또는 불활성 가스 분위기하에서 레이저 광을 조사한다. 또한, 상기 씰재를 폐곡선을 이루도록 제공함으로써, 밀봉 영역 내부가 불활성 가스 분위기 또는 감압 분위기로 유지되고 대기 분위기하에서 레이저 광을 조사할 수 있기 때문에, 장치 구성을 간략화할 수 있다. 또한, 미리 밀봉 영역 내를 감압 상태로 함으로써, 레이저 광을 조사할 때 2장의 기판을 누르기 위한 클램프 등 기구를 사용하지 않아도 대기압하에서 유리층(113)과 제 2 기판(112)이 확실히 접한 상태로 처리할 수 있다.
또한, 유리층(113)에 레이저 광을 조사하는 공정에서도, 상술한 선형 레이저(100)를 사용한 가열 방법을 적용하는 것이 바람직하다. 선형 레이저(100)를 사용함으로써 유리층(113)을 균일하게 가열할 수 있기 때문에, 고체화된 후의 유리층(113) 내의 내부 응력이 완화되어 크랙의 발생이 억제된, 신뢰성이 높은 밀봉체를 제작할 수 있다.
(방법의 예 2)
이하에서는, 상기 방법의 예와 상이한 방법을 사용한 프릿 페이스트(110)의 가열 방법에 대하여 설명한다. 본 방법의 예에서 사용하는 선형 레이저(100)는, 프릿 페이스트(110)를 따라 주사할 수 있는 것에 더하여, 피조사면에 대하여 수직인 회전축으로 회전할 수 있다.
여기서, 각각 대향하는 2변이 평행한 4변의 폐곡선을 이뤄 제공된 프릿 페이스트(110)를 따라, 선형 레이저(100)를 주사할 때, 각부 또는 2개의 대향하지 않는 각부 사이의 영역에서, 빔 스폿이 90°회전되도록 주사함으로써 동일 형상의 각부를 갖는 유리층(113)을 제작할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는, 각부에서 선형 레이저(100)의 빔 스폿이 90°회전되도록 주사하는 방법의 예를 도시한 것이다.
도 6a에 도시한 방법에서는, 프릿 페이스트(110)의 직선 부분(변)에 있어서는 선형 레이저(100)의 빔 스폿에서의 단축 방향과 주사 방향(103)이 이루는 각도가 0°이상 60°이하가 되도록 주사한다. 본 방법의 예에서는, 상기 각도가 0°가 되도록 주사한다.
선형 레이저(100)가 각부에 도달하면, 회전축(117)을 중심으로 회전되도록 선형 레이저(100)를 주사한다. 여기서는, 선형 레이저(100)의 장축 방향의 일단이 회전축(117)과 항상 일치되도록 회전시킨다.
그 후, 프릿 페이스트(110)를 따라 선형 레이저(100)를 주사한다. 이 때, 선형 레이저(100)는 각부에서 그 빔 스폿이 90° 회전되기 때문에, 각부에서 연속되는 2변에 있어서는, 단축 방향과 주사 방향(103)이 이루는 각도가 항상 일정한 각도(여기서는 0°)가 되도록 주사할 수 있다.
여기서, 각부에서의 프릿 페이스트(110)는, 선형 레이저(100)의 조사 영역과 중첩되도록 형상을 조정한다. 도 6a에서는, 프릿 페이스트(110)의 각부에서의 내부 윤곽을 직각으로 하고, 외부 윤곽이 2개의 둔각으로 구성되도록 프릿 페이스트(110)를 형성한다.
프릿 페이스트(110)의 4개의 각부에서, 상기와 마찬가지로 주사를 실행함으로써, 동일 형상의 각부를 갖는 유리층(113)으로 밀봉된 밀봉체를 제작할 수 있다. 각부를 동일 형상으로 함으로써, 각각의 각부에서 내부 변형에 기인한 잔류 응력에 차이가 생기지 않아 신뢰성이 높은 밀봉체로 할 수 있다.
도 6b는, 회전축(117)이 선형 레이저(100)의 장축 방향의 일단과 일치되지 않고, 장축을 연장한 직선상의 한 지점을 회전축(117)으로 하고, 선형 레이저(100)의 빔 스폿이 회전되도록 주사하는 경우에 대하여 도시한 것이다.
이와 같이 주사함으로써, 선형 레이저(100)의 빔 스폿이 회전될 때, 그 내측과 외측에서 조사되는 기간의 차이를 작게 할 수 있다. 그 결과, 각부에서의 프릿 페이스트(110)의 가열 온도의 차이를 작게 하고, 가열 후의 유리층(113)이나 기판에 생기는 내부 응력을 완화시킬 수 있어, 각부에서 크랙이 발생하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 6b에 도시한 바와 같이, 각부의 외부 윤곽 및 내부 윤곽의 양쪽 모두를 원호 형상으로 할 수 있다. 이와 같이 곡선 형상의 각부로 함으로써, 유리층(113) 내의 내부 응력을 완화시켜, 크랙의 발생을 더 저감할 수 있다. 또한, 이 경우에는 곡률 반경을 크게 하는 것이 바람직하다.
(방법의 예 3)
상기 방법의 예 2에서는, 각부에 있어서 선형 레이저(100)의 빔 스폿이 회전되도록 주사하는 방법에 대하여 설명하였지만, 본 방법의 예에서는, 프릿 페이스트(110)의 직선 부분(변)을 포함한 영역에서 빔 스폿이 회전되도록 주사하는 방법에 대하여 설명한다.
도 7a에는, 대향하지 않는 2개의 각부 사이에서 선형 레이저(100)의 빔 스폿이 90°회전되도록 주사하는 모양을 도시하였다. 도 7a에서는, 선형 레이저(100)의 중심(118)의 궤적이 주사 방향(103)과 평행하게 되도록 주사한다.
이와 같이, 선형 레이저(100)의 빔 스폿의 중심(118)이 프릿 페이스트(110)의 중앙부와 중첩되도록 주사함으로써, 선형 레이저(100)의 강도가 비교적 낮은 단부(端部)를 사용하지 않기 때문에, 균일하게 프릿 페이스트(110)를 가열할 수 있다.
또한, 도 7b 및 도 7c에 도시한 바와 같이, 선형 레이저(100)의 빔 스폿의 중심(118)의 궤적이 원호를 그리도록 주사할 수도 있다.
예를 들어, 레이저 광이 밀봉 영역 내에 조사되는 면적을 저감하고자 하는 경우, 구체적으로는 프릿 페이스트(110) 근방까지 회로 소자나 발광 소자 등을 형성하고자 하는 경우에는, 도 7b와 같이 중심(118)의 궤적이 밀봉 영역의 외측에 원호를 그리도록 주사함으로써, 밀봉 영역 내에서 레이저 광의 궤적을 직선 형상으로 할 수 있다.
한편, 레이저 광이 밀봉 영역 외에 조사되는 면적을 저감하는 경우, 구체적으로는 테두리가 좁은 화상 표시 장치로 하는 경우 등에는, 도 7c에 도시한 바와 같이 중심(118)의 궤적이 밀봉 영역의 내측에 원호를 그리도록 주사함으로써, 밀봉 영역 외에서 레이저 광의 궤적을 직선 형상으로 할 수 있다.
또한, 도 8에 도시한 주사 방법에서는, 직선 부분에서 선형 레이저(100)의 빔 스폿이 90°회전되도록 주사하고, 또 각부에서는 상기 방법의 예에서 설명한 바와 같이, 단축 방향과 주사 방향이 이루는 각도가 45°가 되도록 주사한다. 또한, 도 8에는 직선 부분에서 중심(118)의 궤적이 주사 방향과 평행하게 되도록 주사하였지만, 상술한 바와 같이 원호를 그리도록 주사하여도 좋다.
이와 같은 주사 방법을 사용함으로써, 동일 형상의 각부를 갖는 유리층(113)을 형성할 수 있고, 각부에서는 직선적으로 주사함으로써 중앙부와 외측부에서 레이저 광의 조사 기간에 차이가 생기지 않아 균일하게 조사할 수 있기 때문에, 크랙이 저감된 밀봉체를 제작할 수 있다.
상술한 내용이 선형 레이저(100)의 주사 방법에 대한 설명이다.
[선형 레이저(100)의 형성 방법에 대하여]
이하에서는 광학적으로 선형 레이저(100)를 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
레이저 광을 사출하는 사출구로서는, 예를 들어 광섬유 등을 사용하고, 이것을 레이저 발진기에 직접적으로 접속하여 레이저 광을 추출하는 구성을 사용하여도 좋고, 미러와 렌즈의 한쪽 또는 양쪽을 복수로 조합하여 레이저 광을 추출하는 구성으로 하여도 좋다.
여기서, 상기 광섬유로서 단면 형상이 정사각형인 것을 사용함으로써, 도 1a 내지 도 1c에 도시한 바와 같은 정사각형의 빔 스폿 형상을 갖는 레이저(150)를 형성할 수 있다. 또한, 상기 광섬유의 단면 형상을 장방형으로 함으로써, 장축과, 장축과 직교하는 단축을 갖는 장방형의 빔 스폿 형상을 갖는 선형 레이저(100)를 형성할 수 있다. 또한, 미러나 렌즈에 의하여 레이저 광을 집광하여 피조사면에 정사각형 또는 장방형의 빔 스폿을 형성함으로써, 레이저(150) 또는 선형 레이저(100)를 형성할 수도 있다.
또한, 선형 레이저(100)는 복수의 원형 레이저를 겹쳐 형성할 수도 있다. 도 9a 내지 도 9d에는 사출구(121)로부터 피조사면(123)에 조사되는 원형 레이저를 복수로 겹쳐 선형 레이저(100)를 형성하는 경우의 모식도를 도시하였다.
도 9a에서는, 직선상에 복수의 사출구(121)를 같은 간격을 두고 배치하고, 상기 사출구(121)로부터 사출된 원형 레이저(120)를 복수로 겹치고, 피조사면(123) 위에 선형의 빔 스폿을 갖는 선형 레이저(100)를 형성한다.
여기서, 원형 레이저(120) 각각의 빔 스폿의 일부가 중첩되도록 사출구(121)를 배치함으로써, 선형 레이저(100)의 빔 스폿에서의 장축 방향의 강도 분포를 균일한 분포에 가깝게 할 수 있다.
또한, 도 9b에 도시한 바와 같이, 사출구(121)를 세로 방향 및 가로 방향으로 매트릭스 형상으로 배치하여 선형 레이저(100)를 형성하여도 좋다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 선형 레이저(100)의 단축 방향의 강도 분포의 균일화를 도모하면서, 단축 방향의 폭을 크게 할 수 있다.
또한, 도 9c에 도시한 바와 같이, 직선상에 사출구(121)를 같은 간격을 두고 복수로 배치한 사출구 그룹을 복수로 제공하고, 각각의 사출구 그룹을 피조사면(123)과 수직인 방향에 대하여 기울여 배치하고, 복수의 사출구(121)로부터의 원형 레이저(120)가 피조사면(123) 위에서 집광되도록 함으로써 선형 레이저(100)를 형성하여도 좋다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 선형 레이저(100)의 강도 분포를 개선함과 함께, 단축 방향의 폭을 작게 할 수 있다.
또한, 도 9d에 도시한 바와 같이, 복수의 사출구(121)와 피조사면(123) 사이에 개구부를 갖는 차광 마스크(125)를 제공하고, 상기 차광 마스크의 개구부의 형상에 따른 빔 스폿 형상을 갖는 선형 레이저(100)를 형성하여도 좋다. 이와 같이 차광 마스크에 의하여 강도가 비교적 낮은 외주부를 차광함으로써, 선형 레이저(100)의 강도 분포가 개선됨과 함께, 선형 레이저(100)의 빔 스폿 형상을 임의의 형상으로 조정할 수 있다.
여기서, 선형 레이저(100)는 렌즈를 사용하여 피조사면(123)에 집광시켜 형성하는 구성으로 하여도 좋다.
도 10a에는, 원기둥 렌즈(127)를 사용하여 원형 레이저(120)를 집광시켜, 타원 형상의 빔 스폿을 갖는 선형 레이저(100)를 형성하는 경우의 모식도를 도시하였다.
원기둥 렌즈(127)는, 일축 방향으로만 광을 수렴시키거나 확산시킬 수 있다. 도 10a에 도시한 바와 같이, 원기둥 렌즈(127)에 원형 레이저(120)를 입사하면, Y축 방향으로만 광이 수렴되기 때문에, 원기둥 렌즈(127)를 투과한 후의 빔 스폿 형상은 타원 형상이 된다. 이와 같이 하여, 원형 레이저(120)를 사용하여 선형 레이저(100)를 형성할 수 있다.
또한, 원기둥 렌즈(127) 대신에, 직교하는 2축으로 상이한 곡률을 갖는 토로이달(toroidal) 렌즈를 사용하여도 좋다. 토로이달 렌즈를 사용하면, 장축 방향으로도 광을 집광시키거나 확산시킬 수 있기 때문에, 빔 스폿의 단축 길이와 함께 장축 길이를 제어할 수 있다. 또한 이 이외에, 비구면 렌즈 등을 사용하여 빔 스폿이 임의의 형상이 되도록 집광하는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 도 10b에 도시한 바와 같이, 복수의 원형 레이저를 원기둥 렌즈(127)를 투과하여, 각각의 빔 스폿의 일부가 중첩되도록 피조사면(123)에 집광함으로써, 선형 레이저(100)를 형성하여도 좋다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 단축 방향의 폭이 작으며 에너지 밀도가 높은 선형 레이저(100)로 할 수 있다.
또한, 선형 레이저(100)의 빔 스폿이 회전되도록 주사하는 경우, 피조사면에 수직인 축을 중심으로 회전될 수 있게 복수의 사출구 그룹을 제공하는 구성으로 한다. 또는, 렌즈를 사용하는 경우에는, 회전될 수 있게 상기 렌즈를 제공하면 좋다.
또한, 선형 레이저(100)의 빔 스폿 자체를 회전시키지 않고, 피조사면을 회전될 수 있게 제공하는 구성으로 하여도 좋다. 예를 들어, 피조사면을 갖는 기판을 지지하는 스테이지로서, X 방향 및 Y 방향으로 움직일 수 있는 구성에 더하여, XY 평면에 수직인 회전축을 제공한 스테이지를 사용하면 좋다.
본 실시형태는, 본 명세서에 기재하는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 상기 실시형태에서 예시한 프릿 페이스트의 가열 방법 및 밀봉체의 제작 방법을 적용할 수 있는 발광 장치에 대하여 설명한다. 이하에서는 발광 장치의 예로서, 유기 EL 소자가 적용된 표시 장치에 대하여 도 11a 내지 도 12를 사용하여 설명한다.
본 발명의 일 형태의 가열 방법 및 밀봉체의 제작 방법은, 유기 EL 소자를 구비한 패시브 매트릭스 방식(단순 매트릭스 방식), 또는 액티브 매트릭스 방식이 적용된 표시 장치에 적용할 수 있다. 하기 구성예에서는 액티브 매트릭스 방식의 표시 장치를 예로 들어 설명한다.
[구성예 1]
본 구성예에서는, 유기 EL 소자가 적용된 표시 장치에 대하여 도 11a 및 도 11b를 사용하여 설명한다.
도 11a는 본 발명의 일 형태의 표시 장치(200)의 상면 개략도를 도시한 것이다. 본 구성예에서 예시하는 표시 장치(200)는, 발광 소자가 제공된 기판과 반대측으로 광을 사출하는, 소위 전면 사출형(톱 이미션형)의 발광 장치이다.
표시 장치(200)는, 제 1 기판(111), 제 2 기판(112) 및 유리층(113)으로 둘러싸인 밀봉 영역 내에 표시부(201), 주사선 구동 회로(202) 및 신호선 구동 회로(203)를 갖는다. 또한, 주사선 구동 회로(202) 및 신호선 구동 회로(203)와 전기적으로 접속되는 배선이 밀봉 영역 내외로 연장되어 제공되고, 외부 입력 단자(205)와 전기적으로 접속된다. 상기 외부 입력 단자(205)에 전기적으로 접속된 FPC(207)에 의하여, 주사선 구동 회로(202), 신호선 구동 회로(203) 등을 구동하는 전원 전위나 구동 신호 등의 신호를 입력할 수 있다.
도 11b는 외부 입력 단자(205), 주사선 구동 회로(202), 및 표시부(201)를 포함한 영역을 절단하는 절단선 A-B 및 C-D에서의 단면 개략도를 도시한 것이다.
광 사출측에 제공되는 기판의 재료로서는, 유리, 석영 등의 투광성을 갖는 재료를 사용할 수 있다. 또한, 광 사출측과 반대측에 제공되는 기판은 투광성을 갖지 않아도 좋고, 상기 재료 이외에도 금속, 반도체, 세라믹 등의 재료를 사용할 수 있다. 도전성의 기판을 사용하는 경우에는 그 표면을 산화시키거나 또는 표면에 절연막을 형성함으로써 절연성을 갖게 하는 것이 바람직하다. 또한, 공정 중의 열에 견딜 수 있다면 유기 수지를 사용하여도 좋다. 또한, 유리 이외의 재료를 사용할 때는 적어도 유리층과 접한 영역에 산화물막을 형성하면, 밀착성이 향상되기 때문에 바람직하다.
또한, 발광 소자나 트랜지스터가 제공되는 기판은 슈링크(shrink)될 정도로 미리 가열하여, 기판 내부 또는 표면에 흡착되는 물이나 수소, 산소 등의 불순물이 저감되어 있는 것이 바람직하다. 상기 가열을 행함으로써, 발광 소자나 트랜지스터의 제작 공정 중에 불순물이 확산되는 것이 억제되어, 신뢰성이 높은 발광 장치로 할 수 있다.
외부 입력 단자(205)는, 표시 장치(200) 내의 트랜지스터 또는 발광 소자를 구성하는 도전층으로 구성된다. 본 구성예에서는 트랜지스터의 게이트를 구성하는 도전층 및 전극을 구성하는 도전층을 적층하여 사용한다. 이와 같이, 복수의 도전층을 적층하여 외부 입력 단자(205)를 구성함으로써 강도를 높일 수 있기 때문에 바람직하다. 또한, 외부 입력 단자(205)에 접하여 접속체(209)가 제공되고, 상기 접속체(209)를 통하여 FPC(207)와 외부 입력 단자(205)가 전기적으로 접속된다. 접속체(209)로서는 열경화성 수지에 금속 입자를 혼합한 페이스트상 또는 시트상의 재료를 사용함으로써 열압착에 의하여 이방성 도전성을 나타내는 재료를 사용할 수 있다. 금속 입자로서는 예를 들어, Ni 입자를 Au로 피복한 것 등 2종류 이상의 금속이 층 형상으로 된 입자를 사용하는 것이 바람직하다.
도 11b에는 주사선 구동 회로(202)로서, 양쪽 모두가 n채널형 트랜지스터인 트랜지스터(211)와 트랜지스터(212)를 조합한 NMOS 회로를 갖는 예를 도시하였다. 또한, 주사선 구동 회로(202)는 NMOS 회로에 한정되지 않고, n채널형 트랜지스터와 p채널형 트랜지스터를 조합한 각종 CMOS 회로나, p채널형 트랜지스터로 구성되는 PMOS 회로 등을 갖는 구성으로 하여도 좋다. 또한, 신호선 구동 회로(203)에 대하여도 마찬가지이다. 또한, 본 구성예에서는, 표시부(201)가 형성되는 기판 위에 주사선 구동 회로(202) 및 신호선 구동 회로(203)가 형성된 드라이버 일체형의 구성을 제시하지만, 표시부(201)가 형성되는 기판과 별도로 주사선 구동 회로(202) 및 신호선 구동 회로(203) 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 제공하는 구성으로 하여도 좋다.
도 11b에는, 표시부(201)의 일례로서 화소 1개분의 단면 구조를 도시하였다. 화소는, 스위칭용 트랜지스터(213)와, 전류 제어용 트랜지스터(214)와, 전류 제어용 트랜지스터(214)의 전극(소스 전극 또는 드레인 전극)에 전기적으로 접속된 화소 전극(223)을 포함한다. 또한, 화소 전극(223)의 단부를 덮는 절연층(217)이 제공되어 있다.
또한, 표시부(201), 주사선 구동 회로(202), 신호선 구동 회로(203)를 구성하는 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 스태거형 트랜지스터로 하여도 좋고, 역 스태거형 트랜지스터로 하여도 좋다. 또한, 톱 게이트형 및 보텀 게이트형 중 어느 쪽의 트랜지스터 구조로 하여도 좋다. 또한, 트랜지스터에 사용하는 반도체 재료로서는, 예를 들어 실리콘이나 게르마늄 등의 반도체 재료를 사용하여도 좋고, 인듐, 갈륨, 및 아연 중 적어도 하나를 포함한 산화물 반도체를 사용하여도 좋다. 또한, 트랜지스터에 사용하는 반도체의 결정성에 대하여도 특별히 한정되지 않고, 비결정 반도체, 또는 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 일부에 결정 영역을 갖는 반도체)를 사용하여도 좋다. 결정성을 갖는 반도체를 사용하면, 트랜지스터 특성이 열화되는 것을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
발광 소자(220)는, 화소 전극(223), EL층(225) 및 공통 전극(227)으로 구성되어 있다. 발광 소자의 구조 및 재료 등에 대해서는 후술하는 실시형태에서 자세히 설명한다.
화소 전극(223) 및 공통 전극(227)에 사용하는 도전성 재료로서는, 광 사출측에 제공되는 전극에는 EL층(225)으로부터의 발광에 대한 투광성을 갖는 재료를 사용하고, 광 사출측과 반대측에 제공되는 전극에는 상기 발광에 대한 반사성을 갖는 재료를 사용한다.
본 구성예에서는, 화소 전극(223)에 반사성을 갖는 재료를 사용하고, 공통 전극(227)에 투광성을 갖는 재료를 사용한다. 따라서, EL층(225)으로부터의 발광은, 제 2 기판(112)측으로 사출된다.
광 사출측의 전극에 사용할 수 있는 투광성을 갖는 재료로서는, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨이 첨가된 산화 아연 등의 도전성 산화물이나, 그래핀 등을 들 수 있다. 또한, 상기 도전층으로서 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 또는 티타늄 등의 금속 재료나, 상기 금속 재료를 포함한 합금 재료를 사용할 수 있다. 또는, 이들 금속 재료의 질화물(예를 들어, 질화 티타늄) 등을 사용하여도 좋다. 또한, 금속 재료(또는 그 질화물)를 사용하는 경우에는, 투광성을 가질 정도로 얇게 하면 좋다. 또한, 상기 재료의 적층막을 도전층으로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 은과 마그네슘의 합금과, 인듐 주석 산화물의 적층막 등을 사용하면, 도전성을 높일 수 있어 바람직하다.
또한, 광 사출측의 전극으로서 사용하는 상술한 도전성 산화물막을 스퍼터링법에 의하여 형성할 수 있다. 도전성 산화물막은, 아르곤 및 산소를 포함한 분위기하에서 성막하면, 광 투과성을 향상시킬 수 있다.
또한, 전면 사출형인 경우, EL층(225) 위에 형성되는 도전성 산화물막을, 산소 농도가 저감된 아르곤을 포함한 분위기하에서 형성한 제 1 도전성 산화물막과, 아르곤 및 산소를 포함한 분위기하에서 형성한 제 2 도전성 산화물막의 적층막으로 하면, EL층(225)에 대한 성막 손상을 저감시킬 수 있어 바람직하다. 여기서, 제 1 도전성 산화물막을 형성할 때의 아르곤 가스의 순도가 높은 것이 바람직하며, 예를 들어 노점(露點)이 -70℃ 이하, 바람직하게는 -100℃ 이하인 아르곤 가스를 사용하는 것이 바람직하다.
광 사출측과 반대측의 전극에 사용할 수 있는 반사성을 갖는 재료로서는, 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료나, 상기 금속 재료를 함유한 합금 재료를 사용할 수 있다. 또한, 이와 같은 금속 재료 또는 합금 재료에 란탄이나, 네오디뮴, 게르마늄 등을 첨가하여도 좋다. 합금 재료의 예로서는, 알루미늄과 티타늄의 합금, 알루미늄과 니켈의 합금, 알루미늄과 네오디뮴의 합금 등의 알루미늄을 함유한 합금(알루미늄 합금)이나, 은과 구리의 합금, 은과 마그네슘의 합금 등의 은을 함유한 합금을 사용할 수도 있다. 은과 구리의 합금은 내열성이 높기 때문에 바람직하다. 또한, 알루미늄 합금막에 접하는 금속막, 또는 금속 산화물막을 적층함으로써 알루미늄 합금막의 산화를 억제할 수 있다. 상기 금속막, 금속 산화물막의 재료로서는 티타늄, 산화 티타늄 등을 들 수 있다. 또한, 상기 투광성을 갖는 재료로 이루어진 막과 금속 재료로 이루어진 막을 적층하여도 좋다. 예를 들어, 은과 인듐 주석 산화물의 적층막, 은과 마그네슘의 합금과 인듐 주석 산화물의 적층막 등을 사용할 수 있다.
절연층(217)은, 화소 전극(223)의 단부를 덮어 형성되어 있다. 그리고, 절연층(217)의 상층에 형성되는 공통 전극(227)의 피복성을 양호하게 하기 위하여, 절연층(217)의 상단부 또는 하단부에 곡률 반경(0.2μm 내지 3μm)을 갖는 곡면을 갖게 하는 것이 바람직하다. 또한, 절연층(217)의 재료로서는 네거티브형 감광성 수지, 또는 포지티브형 감광성 수지 등의 유기 화합물이나, 산화 실리콘, 산화 질화 실리콘 등의 무기 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 제 1 기판(111)의 표면에는 절연층(215)이 형성되어 있다. 절연층(215)은 제 1 기판(111)에 포함되는 불순물이 확산되는 것을 억제한다. 또한, 트랜지스터의 반도체층에 접하는 절연층(216) 및 절연층(218), 트랜지스터를 덮는 절연층(219)은, 트랜지스터를 구성하는 반도체로 불순물이 확산되는 것을 억제하는 것이 바람직하다. 이들 절연층에는, 예를 들어 실리콘 등의 반도체, 알루미늄 등의 금속의 산화물 또는 질화물을 사용할 수 있다. 또한, 이와 같은 무기 절연 재료의 적층막, 또는 무기 절연 재료와 유기 절연 재료의 적층막을 사용하여도 좋다. 또한, 절연층(215)은 불필요하면 형성하지 않아도 좋다.
제 2 기판(112)에는 발광 소자(220)와 중첩되는 위치에 컬러 필터(229)가 제공되어 있다. 컬러 필터(229)는 발광 소자(220)로부터의 발광색을 조색하기 위하여 제공된다. 예를 들어, 백색 발광의 발광 소자를 사용하여 풀 컬러의 표시 장치로 하는 경우에는, 상이한 색의 컬러 필터를 제공한 복수의 화소를 사용한다. 이 경우, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3색을 사용하여도 좋고, 상기 3색에 황색(Y)을 추가한 4색으로 할 수도 있다. 또한, R, G, B(및 Y)에 추가로 백색(W)의 화소를 사용하고 4색(또는 5색)으로 하여도 좋다.
또한, 인접한 컬러 필터(229) 사이에는 블랙 매트릭스(231)가 제공되어 있다. 블랙 매트릭스(231)는 인접한 화소의 발광 소자(220)로부터 들어오는 광을 차광하여, 인접 화소간에서의 혼색을 억제한다. 여기서, 컬러 필터(229)의 단부를 블랙 매트릭스(231)와 중첩되도록 제공함으로써, 광 누설을 억제할 수 있다. 블랙 매트릭스(231)는 발광 소자(220)로부터의 발광을 차광하는 재료를 사용할 수 있고, 금속이나 안료를 포함한 유기 수지 등의 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 블랙 매트릭스(231)는 주사선 구동 회로(202) 등의 표시부(201) 이외의 영역에 제공하여도 좋다.
또한, 컬러 필터(229) 및 블랙 매트릭스(231)를 덮는 오버 코트(233)가 형성되어 있다. 오버 코트(233)는 발광 소자(220)로부터의 발광을 투과시키는 재료로 구성되며, 예를 들어, 무기 절연막이나 유기 절연막을 사용할 수 있다. 또한, 오버 코트(233)는 불필요하면 제공하지 않아도 좋다.
또한, 도 11b에 도시한 단면 개략도에서는, 발광 소자(220)를 하나만 도시하였지만, 표시부(201)에 3종류(R, G, B)의 발광을 얻을 수 있는 발광 소자를 각각 선택적으로 형성하여, 풀 컬러 표시할 수 있는 표시 장치를 형성할 수 있다. 이후의 실시형태에서 예시하는 백색 발광의 EL층을 갖는 발광 소자와 컬러 필터를 조합함으로써, 풀 컬러 표시할 수 있는 표시 장치로 할 수 있다. 또한, 상기 발광 소자는 전면 사출 방식에 한정되지 않고, 배면 사출(보텀 이미션) 방식이나 양면 사출(듀얼 이미션) 방식 모두를 채용할 수 있다. 보텀 이미션 방식을 채용한 발광 장치의 구성예에 대해서는 구성예 2에서 설명한다.
제 1 기판(111)과 제 2 기판(112)은 제 2 기판(112)의 외주부에서 유리층(113)에 의하여 접착되어 있다. 유리층(113)의 구성으로서는, 상기 실시형태에서 예시한 구성을 사용할 수 있다.
또한, 발광 소자(220)는 제 1 기판(111), 제 2 기판(112) 및 유리층(113)으로 둘러싸인 밀봉 영역 내에 제공되어 있다. 상기 밀봉 영역은, 희가스 또는 질소 가스 등의 불활성 가스, 또는 유기 수지 등의 고체, 또는 겔 등의 점성체로 충전되어 있어도 좋고, 감압 분위기로 되어 있어도 좋다. 또한, 밀봉 영역 내를 물이나 산소 등의 불순물이 저감된 상태로 하면, 발광 소자(220)의 신뢰성이 향상되기 때문에 바람직하다.
또한, 발광 소자(220)를 덮는 절연막을 형성하면, 발광 소자(220)가 노출되지 않기 때문에 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상기 절연막으로서는, 물이나 산소 등의 불순물을 투과시키지 않는 재료를 사용한다. 예를 들어, 실리콘이나 알루미늄의 산화막 또는 질화막 등의 무기 절연막을 사용할 수 있다.
또한, 밀봉 영역 내의 발광 소자(220)와 중첩되지 않는 영역에 건조제를 제공하여도 좋다. 건조제는, 예를 들어 알칼리 토금속의 산화물(산화 칼슘이나 산화 바륨 등)과 같이 화학 흡착에 의하여 수분을 흡수하는 물질을 사용할 수 있다. 또한, 그 외의 건조제로서 제올라이트나 실리카 겔 등과 같이, 물리 흡착에 의하여 수분을 흡착하는 물질을 사용하여도 좋다. 밀봉 영역 내에 건조제를 제공함으로써, 수분 등의 불순물이 저감되어 발광 소자(220)의 신뢰성이 향상되기 때문에 바람직하다.
이상이 표시 장치(200)에 대한 설명이다.
[구성예 2]
본 구성예에서는, 보텀 이미션 방식이 채용된 표시 장치에 대하여 설명한다. 또한, 구성예 1과 중복하는 부분에 대해서는 설명을 생략하거나 간략화하여 설명한다.
도 12는 본 구성예에서 예시하는 표시 장치(250)의 단면 개략도를 도시한 것이다.
표시 장치(250)는 보텀 이미션 방식이 채용되어 있는 점, 및 발광 소자(220)보다 제 1 기판(111)측에 컬러 필터(229)를 갖는 점에서, 구성예 1에서 예시한 표시 장치(200)와 상이하다.
발광 소자(220)에서, 공통 전극(227)에는 상기 반사성을 갖는 재료를 사용하고, 화소 전극(223)에는 상기 투광성을 갖는 재료를 사용한다. 따라서, EL층(225)으로부터의 발광은 제 1 기판(111)측으로 사출된다.
또한, 트랜지스터를 덮는 절연층(219) 위의, 발광 소자(220)와 중첩되는 위치에 컬러 필터(229)가 제공된다. 또한, 컬러 필터(229)를 덮는 오버 코트(233)가 형성되어 있다. 화소 전극(223)은 상기 오버 코트(233) 위에 형성된다. 여기서, 오버 코트(233)는 유기 수지 등의 유기 절연막을 사용하여 형성하면, 평탄화층으로서도 기능할 수 있기 때문에 바람직하다.
상술한 내용이 표시 장치(250)에 대한 설명이다.
본 실시형태에서 예시한 표시 장치에, 본 발명의 일 형태의 글라스 패턴의 형성 방법 및 밀봉체의 제작 방법을 적용함으로써, 크랙의 발생이 억제되어 신뢰성이 매우 높은 표시 장치로 할 수 있다.
본 실시형태는, 본 명세서 중에서 기재하는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는, 상기 실시형태에서 예시한 가열 방법 및 밀봉체의 제작 방법을 적용할 수 있는 발광 장치의 예로서, 유기 EL 소자가 적용된 조명 장치에 대하여, 도 13a 및 도 13b를 사용하여 설명한다. 또한, 상기 실시형태와 중복하는 부분에 대해서는, 설명을 생략하거나 간략화한다.
또한, 도 13a는 본 실시형태에서 예시하는 조명 장치(300)의 상면 개략도이다.
조명 장치(300)는 제 1 기판(111), 제 2 기판(112) 및 유리층(113)으로 둘러싸인 밀봉 영역 내에 발광부(301)를 갖는다. 또한, 발광부(301)와 전기적으로 접속되며, 발광부(301)를 발광시키는 전력을 공급하는 추출 전극(311) 및 추출 전극(312)이 밀봉 영역 내외로 연장하여 제공되어 있다.
도 13b는, 발광부(301), 및 추출 전극(311) 및 추출 전극(312)을 포함한 영역을 절단하는 절단선 E-F에서의 단면 개략도이다.
밀봉 영역 내에서, 제 1 기판(111) 위에, 전극(303), EL층(305) 및 전극(307)으로 구성되는 발광 소자(310)가 제공되어 있다.
제 1 기판(111)과 제 2 기판(112)은 제 2 기판(112)의 외주부에서 유리층(113)에 의하여 접착되어 있다. 유리층(113)의 구성으로서는, 상기 실시형태에서 예시한 구성을 사용할 수 있다.
전극(303)은 추출 전극(311)과 전기적으로 접속된다. 또한, 전극(307)은 추출 전극(312)과 전기적으로 접속된다. 여기서, 도 13b에는, 전극(303) 및 추출 전극(311) 및 추출 전극(312)이 동일 평면 위에 동일 층으로 형성되고, 전극(303)의 일부가 추출 전극(311)을 구성하는 예를 도시하였다.
또한, 전극(303) 및 추출 전극(312) 각각의 단부를 덮는 절연층(309)이 형성되어 있다. 또한, 절연층(309)은 전극(303)과 전극(307)이 접하여 도통되지 않도록, 전극(303) 위의 일부의 영역에 형성된다. 절연층(309)으로서는, 실시형태 2에서 예시한 절연층(217)과 같은 구성을 사용할 수 있다.
전극(307)은, 전극(303)과 추출 전극(312) 각각의 단부를 덮는 절연층(309)을 넘어서 형성되며, 추출 전극(312)과 전기적으로 접속된다.
여기서, 조명 장치(300)는, 배면 사출 방식, 전면 사출 방식, 및 양면 사출 방식 중 어느 방식이나 채용할 수 있다. 전극(303) 및 전극(307)에 사용하는 도전성 재료는, 사출 방식에 따라 상술한 재료로부터 적절히 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 전극(303) 또는 전극(307)의 도전성을 보조하기 위하여, 저저항인 도전성 재료로 이루어진 보조 전극을 제공하는 구성으로 하여도 좋다. 특히, 대면적의 발광부(301)를 구비한 조명 장치(300)로 하는 경우에는, 전극의 저항으로 인한 전위 강하에 기인하여 발광 휘도의 면내 분포가 생길 우려가 있기 때문에, 보조 전극을 제공하는 것은 유효하다.
예를 들어, 전극(303)의 상면 또는 하면에 접하도록 보조 전극을 제공한다. 또는, 전극(303) 위에 절연층을 개재(介在)하여 전극(307)과 전기적으로 접속되는 보조 전극을 제공한다. 전극(303)에 접하는 보조 전극을 제공하는 경우에는, 상기 보조 전극으로 인한 단차를 절연층(309)으로 피복하는 것이 바람직하다.
또한, 도 13b에 도시한 바와 같이, 밀봉 영역 내에 건조제(314)를 제공하는 것이 바람직하다. 전면 사출 방식 또는 양면 사출 방식인 경우에는, 발광 소자(310)와 중첩되지 않는 영역에 제공한다.
또한, 제 1 기판(111) 및 제 2 기판(112) 중 한쪽 또는 양쪽 모두의 발광 소자(310)측의 표면에는, 기판으로부터의 불순물의 확산을 억제하는 절연층을 형성하여도 좋다.
또한, 발광 소자(310)를 덮어서, 물이나 산소 등의 불순물을 투과시키지 않는 무기 절연막을 제공하여도 좋다. 또한, 밀봉 영역 내가 불활성 가스, 고체, 또는 점성체로 충전되어 있어도 좋고, 감압 분위기로 되어 있어도 좋다.
본 실시형태에서 예시한 조명 장치에, 본 발명의 일 형태의 글라스 패턴의 형성 방법 및 밀봉체의 제작 방법을 적용함으로써, 크랙의 발생이 억제되어 신뢰성이 매우 높은 조명 장치로 할 수 있다.
본 실시형태는, 본 명세서 중에서 기재하는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태에 적용할 수 있는 EL층의 일례에 대하여 도 14a 내지 도 14c를 사용하여 설명한다.
도 14a에 도시한 EL층(405)은 제 1 전극(403)과 제 2 전극(407) 사이에 제공되어 있다. 제 1 전극(403) 및 제 2 전극(407)은 실시형태 2에서 예시한 화소 전극 또는 공통 전극, 또는 실시형태 3에서 예시한 전극과 같은 구성을 적용할 수 있다.
본 실시형태에서 예시하는 EL층(405)을 갖는 발광 소자는 상술한 실시형태에서 예시한 발광 장치에 적용할 수 있다.
EL층(405)은 적어도 발광성 유기 화합물을 포함한 발광층을 포함하면 좋다. 이 외에, 전자 수송성이 높은 물질을 함유한 층, 정공 수송성이 높은 물질을 함유한 층, 전자 주입성이 높은 물질을 함유한 층, 정공 주입성이 높은 물질을 함유한 층, 양극성(bipolar) 물질(전자 수송성 및 정공 수송성이 높은 물질)을 함유한 층 등을 적절히 조합한 적층 구조를 구성할 수 있다. 본 실시형태에서, EL층(405)은 제 1 전극(403)측에서 정공 주입층(701), 정공 수송층(702), 발광성 유기 화합물을 포함한 층(703), 전자 수송층(704), 및 전자 주입층(705)이 차례로 적층되어 있다. 또한, 이들을 반전시킨 적층 구조로 하여도 좋다.
도 14a에 도시한 발광 소자의 제작 방법에 대하여 설명한다.
정공 주입층(701)은 정공 주입성이 높은 물질을 함유한 층이다. 정공 주입성이 높은 물질로서는 예를 들어, 몰리브덴 산화물, 티타늄 산화물, 바나듐 산화물, 레늄 산화물, 루테늄 산화물, 크롬 산화물, 지르코늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈 산화물, 은 산화물, 텅스텐 산화물, 망간 산화물 등의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 또한, 프탈로시아닌(약칭: H2Pc), 구리(II)프탈로시아닌(약칭: CuPc) 등의 프탈로시아닌계의 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 저분자 유기 화합물인 방향족 아민 화합물 등을 사용할 수 있다.
또한, 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)을 사용할 수도 있다. 또한, 산을 첨가한 고분자 화합물을 사용할 수 있다.
특히, 정공 주입층(701)으로서, 정공 수송성이 높은 유기 화합물에 억셉터성 물질을 함유시킨 복합 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 정공 수송성이 높은 물질에 억셉터성 물질을 함유시킨 복합 재료를 사용함으로써, 제 1 전극(403)으로부터의 정공 주입성을 양호하게 하여, 발광 소자의 구동 전압을 저감할 수 있다. 이들 복합 재료는 정공 수송성이 높은 물질과 억셉터성 물질(전자 수용체)을 공증착함으로써 형성할 수 있다. 상기 복합 재료를 사용하여 정공 주입층(701)을 형성함으로써, 제 1 전극(403)으로부터 EL층(405)에 정공을 용이하게 주입할 수 있게 된다.
복합 재료에 사용하는 유기 화합물로서는, 방향족 아민 화합물, 카르바졸 유도체, 방향족 탄화수소, 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)과 같은 다양한 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 복합 재료에 사용하는 유기 화합물로서는 정공 수송성이 높은 유기 화합물인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 10-6cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 물질인 것이 바람직하다. 다만, 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이면 이들 이외의 물질을 사용하여도 좋다.
복합 재료에 사용할 수 있는 유기 화합물로서는, 방향족 아민 화합물이나, 카르바졸 유도체, 그 이외에 정공 이동도가 높은 방향족 탄화수소 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 억셉터성 물질로서는 유기 화합물이나 전이금속 산화물을 들 수 있다. 또한, 원소 주기율표 제 4족 내지 제 8족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화 바나듐, 산화 니오브, 산화 탄탈, 산화 크롬, 산화 몰리브덴, 산화 텅스텐, 산화 망간, 산화 레늄은 전자 수용성이 높기 때문에 바람직하다. 그 중에서도, 특히 산화 몰리브덴은 대기 중에서도 안정적이고 흡습성이 낮으며 취급하기 쉽기 때문에 바람직하다.
또한, 고분자 화합물과, 상술한 전자 수용체를 사용하여 복합 재료를 형성하고 정공 주입층(701)에 사용하여도 좋다.
정공 수송층(702)은 정공 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 정공 수송성이 높은 물질로서는, 예를 들어, 방향족 아민 화합물을 사용할 수 있다. 이것은 주로 10-6cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는 물질이다. 다만, 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이면 이들 이외의 물질을 사용하여도 좋다. 또한, 정공 수송성이 높은 물질을 함유한 층은 단층 구조에 한정되지 않고 상기 물질로 이루어진 층이 2층 이상 적층된 것으로 하여도 좋다.
또한, 정공 수송층(702)에는, 카르바졸 유도체나 안트라센 유도체, 그 이외에 정공 수송성이 높은 고분자 화합물을 사용하여도 좋다.
발광성 유기 화합물을 포함한 층(703)은, 형광을 발광하는 형광성 화합물이나 인광을 발광하는 인광성 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 발광성 유기 화합물을 포함한 층(703)으로서는, 발광성 유기 화합물(게스트 재료)을 다른 물질(호스트 재료)에 분산시킨 구성으로 하여도 좋다. 호스트 재료로서는 다양한 물질을 사용할 수 있지만, 발광성 물질보다 최저 비점유 분자궤도 준위(LUMO 준위)가 높고, 최고 점유 분자궤도 준위(HOMO 준위)가 낮은 물질을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 호스트 재료는 복수 종류 사용할 수 있다. 예를 들어, 결정화를 억제하기 위하여 결정화를 억제하는 물질을 더 첨가하여도 좋다. 또한, 게스트 재료에 에너지를 더 효율적으로 이동시키기 위하여, 다른 물질을 더 첨가하여도 좋다.
게스트 재료를 호스트 재료에 분산시킨 구성으로 함으로써 발광성 유기 화합물을 포함한 층(703)의 결정화를 억제할 수 있다. 또한, 게스트 재료의 농도가 높은 것에 기인한 농도 소광(消光)을 억제할 수 있다.
또한, 발광성 유기 화합물을 포함한 층(703)으로서 고분자 화합물을 사용할 수 있다.
또한, 발광성 유기 화합물을 포함한 층을 복수로 제공하고, 각 층의 발광색을 달리함으로써, 발광 소자 전체로서 원하는 색의 발광을 얻을 수 있다. 예를 들어, 발광성 유기 화합물을 포함한 층을 2개 갖는 발광 소자에 있어서, 제 1 발광성 유기 화합물을 포함한 층의 발광색과 제 2 발광성 유기 화합물을 포함한 층의 발광색이 보색의 관계가 되도록 함으로써, 발광 소자 전체로서 백색 발광하는 발광 소자를 얻을 수도 있다. 또한, "보색"이란 그들이 혼합되는 경우 무채색이 되는 색들 사이의 관계를 의미한다. 즉, 보색 관계에 있는 색을 발광하는 물질로부터 얻어진 광을 혼합하면, 백색 발광을 얻을 수 있다. 또한, 발광성 유기 화합물을 포함한 층을 3개 이상 갖는 발광 소자의 경우라도 마찬가지이다.
전자 수송층(704)은 전자 수송성이 높은 물질을 포함하는 층이다. 전자 수송성이 높은 물질로서는, 주로 10-6cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 물질이다. 또한, 전자 수송층은 단층 구조뿐만 아니라, 상기 물질로 이루어진 층이 2층 이상 적층된 것으로 하여도 좋다.
전자 주입층(705)은 전자 주입성이 높은 물질을 함유한 층이다. 전자 주입층(705)에는 리튬, 세슘, 칼슘, 불화 리튬, 불화 세슘, 불화 칼슘, 리튬 산화물 등 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 불화 에르븀과 같은 희토류 금속 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 상술한 전자 수송층(704)을 구성하는 물질도 사용할 수 있다.
또한, 상술한 정공 주입층(701), 정공 수송층(702), 발광성 유기 화합물을 포함한 층(703), 전자 수송층(704), 전자 주입층(705)은 각각 증착법(진공 증착법을 포함함), 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
EL층은, 도 14b에 도시한 바와 같이, 복수의 EL층이 제 1 전극(403)과 제 2 전극(407) 사이에 적층되어도 좋다. 이 경우에는 적층된 제 1 EL층(800)과 제 2 EL층(801) 사이에는 전하 발생층(803)을 제공하는 것이 바람직하다. 전하 발생층(803)은 상술한 복합 재료로 형성할 수 있다. 또한, 전하 발생층(803)은 복합 재료로 이루어진 층과 다른 재료로 이루어진 층의 적층 구조라도 좋다. 이 경우, 다른 재료로 이루어진 층으로서는 전자 공여성 물질(도너성 물질)과 전자 수송성이 높은 물질을 함유한 층이나, 투명 도전막으로 이루어진 층 등을 사용할 수 있다. 이와 같은 구성을 갖는 발광 소자는, 에너지의 이동이나 소광 등의 문제가 쉽게 일어나지 않고, 재료의 선택의 여지가 넓어짐으로써 높은 발광 효율과 긴 수명의 양쪽 모두를 갖는 발광 소자로 하기에 용이하다. 또한, 한쪽의 EL층에서 인광 발광, 다른 쪽의 EL층에서 형광 발광을 나타내는 발광 소자를 용이하게 얻을 수도 있다. 이 구조는 상술한 EL층의 구조와 조합하여 사용할 수 있다.
또한 각각의 EL층의 발광색을 다른 것으로 함으로써 발광 소자 전체로서, 원하는 색의 발광을 얻을 수 있다. 예를 들면 2개의 EL층을 갖는 발광 소자에 있어서, 제 1 EL층의 발광색과 제 2 EL층의 발광색을 보색의 관계가 되도록 함으로써 발광 소자 전체로서 백색 발광하는 발광 소자를 얻을 수도 있다. 또한, 3개 이상의 EL층을 갖는 발광 소자의 경우라도 마찬가지이다.
또한, 연색성이 좋은 백색 발광을 얻는 경우, 발광 스펙트럼이 가시광 전역에 걸치도록 할 필요가 있기 때문에, 3개 이상의 EL층이 적층된 발광 소자로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 적색, 청색, 녹색의 발광색의 EL층을 각각 적층하여 발광 소자를 형성할 수 있다. 이와 같이, 상이한 3색 이상의 EL층이 적층된 발광 소자로 함으로써 연색성을 높일 수 있다.
제 1 전극(403)과 제 2 전극(407) 사이에 광학 조정층을 형성하여도 좋다. 광학 조정층은, 반사성을 갖는 전극과 투과성을 갖는 전극 사이의 광학 거리를 조정하는 층이다. 광학 조정층을 제공함으로써, 특정 범위의 파장의 광을 강조할 수 있어, 색조를 조정할 수 있다.
EL층(405)은, 도 14c에 도시한 바와 같이, 제 1 전극(403)과 제 2 전극(407) 사이에 정공 주입층(701), 정공 수송층(702), 발광성 유기 화합물을 포함한 층(703), 전자 수송층(704), 전자 주입 버퍼층(buffer layer)(706), 전자 릴레이층(electron-relay layer)(707), 및 제 2 전극(407)에 접하는 복합 재료층(708)을 가져도 좋다.
제 2 전극(407)에 접하는 복합 재료층(708)을 제공함으로써, 특히 스퍼터링법을 사용하여 제 2 전극(407)을 형성할 때, EL층(405)이 받는 손상을 저감할 수 있기 때문에 바람직하다. 복합 재료층(708)은 상술한 정공 수송성이 높은 유기 화합물에 억셉터성 물질을 함유시킨 복합 재료를 사용할 수 있다.
또한, 전자 주입 버퍼층(706)을 제공함으로써, 복합 재료층(708)과 전자 수송층(704) 사이의 주입 장벽을 완화할 수 있기 때문에, 복합 재료층(708)에서 발생한 전자를 전자 수송층(704)에 용이하게 주입할 수 있다.
전자 주입 버퍼층(706)에는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 및 이들의 화합물(알칼리 금속 화합물(산화 리튬 등의 산화물, 할로겐화물, 탄산 리튬이나 탄산 세슘 등의 탄산염을 포함함), 알칼리 토금속 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함), 또는 희토류 금속의 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함)) 등의 전자 주입성이 높은 물질을 사용할 수 있다.
또한, 전자 주입 버퍼층(706)이 전자 수송성이 높은 물질과 도너성 물질(donor substance)을 포함하여 형성되는 경우에는, 전자 수송성이 높은 물질에 대하여 질량 비율로 0.001 이상 0.1 이하의 비율로 포함되도록 도너성 물질을 첨가하는 것이 바람직하다. 또한, 도너성 물질로서는, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 및 이들의 화합물(알칼리 금속 화합물(산화 리튬 등의 산화물, 할로겐화물, 탄산 리튬이나 탄산 세슘 등의 탄산염을 포함함), 알칼리 토금속 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함), 또는 희토류 금속의 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함)) 외에, 테트라 티아나프타센(약칭: TTN), 니켈로센, 데카메틸니켈로센 등의 유기 화합물을 사용할 수도 있다. 또한, 전자 수송성이 높은 물질로서는, 전술한 전자 수송층(704)의 재료와 같은 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
또한, 전자 주입 버퍼층(706)과 복합 재료층(708) 사이에 전자 릴레이층(707)을 형성하는 것이 바람직하다. 전자 릴레이층(707)은 반드시 제공할 필요는 없지만, 전자 수송성이 높은 전자 릴레이층(707)을 제공함으로써, 전자 주입 버퍼층(706)에 전자를 신속하게 수송할 수 있게 된다.
복합 재료층(708)과 전자 주입 버퍼층(706) 사이에 전자 릴레이층(707)이 끼워진 구조는 복합 재료층(708)에 함유되는 억셉터성 물질과, 전자 주입 버퍼층(706)에 함유되는 도너성 물질이 상호 작용을 받기 어렵고 서로 기능을 저해하기 어려운 구조이다. 따라서, 구동 전압의 상승을 방지할 수 있다.
전자 릴레이층(707)은 전자 수송성이 높은 물질을 함유하고, 상기 전자 수송성이 높은 물질의 LUMO 준위가 복합 재료층(708)에 함유되는 억셉터성 물질의 LUMO 준위와 전자 수송층(704)에 함유되는 전자 수송성이 높은 물질의 LUMO 준위 사이에 위치하도록 형성한다. 또한, 전자 릴레이층(707)이 도너성 물질을 함유한 경우에는 상기 도너성 물질의 도너 준위도 복합 재료층(708)에 있어서의 억셉터성 물질의 LUMO 준위와, 전자 수송층(704)에 함유되는 전자 수송성이 높은 물질의 LUMO 준위 사이에 위치하도록 한다. 구체적인 에너지 준위의 값으로서는 전자 릴레이층(707)에 함유되는 전자 수송성이 높은 물질의 LUMO 준위는 -5.0eV 이상, 바람직하게는 -5.0eV 이상 -3.0eV 이하로 하면 좋다.
전자 릴레이층(707)에 함유되는 전자 수송성이 높은 물질로서는 프탈로시아닌계 재료 또는 금속-산소 결합과 방향족 배위자를 갖는 금속 착체를 사용하는 것이 바람직하다.
전자 릴레이층(707)에 포함되는 금속-산소 결합과 방향족 배위자를 갖는 금속 착체로서는 금속-산소의 이중 결합을 갖는 금속 착체를 사용하는 것이 바람직하다. 금속-산소의 이중 결합은 억셉터성(전자를 수용하기 쉬운 성질)을 갖기 때문에, 전자의 이동(주고 받음)이 더 용이하게 된다. 또한, 금속-산소의 이중 결합을 갖는 금속 착체는 안정적이라고 생각할 수 있다. 따라서, 금속-산소의 이중 결합을 갖는 금속 착체를 사용함으로써 발광 소자를 저전압으로 더 안정적으로 구동할 수 있다.
금속-산소 결합과 방향족 배위자를 갖는 금속 착체로서는 프탈로시아닌계 재료가 바람직하다. 특히, 분자 구조적으로 금속-산소의 이중 결합이 다른 분자에 대하여 작용하기 쉬운 재료는 억셉터성이 높기 때문에 바람직하다.
또한, 상술한 프탈로시아닌계 재료로서는 페녹시기를 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는 PhO-VOPc 등 페녹시기를 갖는 프탈로시아닌 유도체가 바람직하다. 페녹시기를 갖는 프탈로시아닌 유도체는 용매에 용해될 수 있다. 그래서, 발광 소자를 형성하는 데 취급하기 쉽다는 이점을 갖는다. 또한, 용매에 용해될 수 있기 때문에 막 형성에 사용하는 장치의 메인터넌스(maintenance)가 용이해진다는 이점을 갖는다.
전자 릴레이층(707)은 도너성 물질을 더 함유하여도 좋다. 도너성 물질로서는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 및 이들의 화합물(알칼리 금속 화합물(산화 리튬 등의 산화물, 할로겐화물, 탄산 리튬이나 탄산 세슘 등의 탄산염을 포함함), 알칼리 토금속 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함), 또는 희토류 금속 화합물(산화물, 할로겐화물, 탄산염을 포함함)) 외에, 테트라티아나프타센(약칭: TTN), 니켈로센, 데카메틸니켈로센 등의 유기 화합물을 사용할 수 있다. 전자 릴레이층(707)에 상기 도너성 물질을 함유시킴으로써, 전자가 이동하기 쉬워져서 발광 소자를 더 낮은 전압으로 구동할 수 있게 된다.
전자 릴레이층(707)에 도너성 물질을 함유시키는 경우, 전자 수송성이 높은 물질로서는 상술한 재료 외, 복합 재료층(708)에 함유되는 억셉터성 물질의 억셉터 준위보다 높은 LUMO 준위를 갖는 물질을 사용할 수 있다. 구체적인 에너지 준위로서는 -5.0eV 이상, 바람직하게는 -5.0eV 이상 -3.0eV 이하의 범위에 LUMO 준위를 갖는 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 물질로서는, 예를 들어 페릴렌 유도체나 함질소 축합 방향족 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 함질소 축합 방향족 화합물은 안정적이기 때문에, 전자 릴레이층(707)을 형성하는 데 사용되는 재료로서 바람직한 재료이다.
또한, 전자 릴레이층(707)에 도너성 물질을 함유시키는 경우, 전자 수송성이 높은 물질과 도너성 물질의 공증착 등의 방법으로 전자 릴레이층(707)을 형성하면 좋다.
정공 주입층(701), 정공 수송층(702), 발광성 유기 화합물을 포함한 층(703), 및 전자 수송층(704)은 상술한 재료를 사용하여 각각 형성하면 좋다.
상술한 바와 같이 하여, 본 실시형태의 EL층(405)을 제작할 수 있다.
본 실시형태는, 본 명세서 중에서 기재한 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 발광 장치가 적용된 전자 기기나 조명 장치의 예에 대하여 도 15a 내지 도 16c를 사용하여 설명한다.
발광 장치를 적용한 전자 기기로서, 예를 들어, 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치, 파칭코기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다. 이들 전자 기기의 구체적인 예를 도 15a 내지 도 15e에 도시하였다.
도 15a에는 텔레비전 장치의 일례를 도시하였다. 텔레비전 장치(7100)는, 하우징(7101)에 표시부(7103)가 삽입되어 있다. 표시부(7103)에 의하여, 영상을 표시하는 것이 가능하고, 발광 장치를 표시부(7103)에 사용할 수 있다. 또한, 여기에서는, 스탠드(7105)에 의하여 하우징(7101)을 지지한 구성을 나타내었다.
텔레비전 장치(7100)의 조작은, 하우징(7101)이 구비하는 조작 스위치나, 별체의 리모트 컨트롤러(7110)에 의하여 행할 수 있다. 리모트 컨트롤러(7110)가 구비하는 조작 키(7109)에 의하여, 채널이나 음량을 조작할 수 있어, 표시부(7103)에 표시되는 영상을 조작할 수 있다. 또한, 리모트 컨트롤러(7110)에, 상기 리모트 컨트롤러(7110)에서 출력하는 정보를 표시하는 표시부(7107)를 설치하는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 텔레비전 장치(7100)는, 수신기나 모뎀 등을 구비한 구성으로 한다. 수신기에 의하여 일반 텔레비전 방송을 수신할 수 있으며, 추가로 모뎀을 통하여 유선 또는 무선에 의한 통신 네트워크에 접속함으로써, 일방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자 간 또는 수신자 간끼리 등)의 정보 통신을 할 수도 있다.
도 15b는 컴퓨터이며, 본체(7201), 하우징(7202), 표시부(7203), 키보드(7204), 외부 접속 포트(7205), 포인팅 디바이스(7206) 등을 포함한다. 또한, 컴퓨터는, 발광 장치를 그 표시부(7203)에 사용함으로써 제조된다.
도 15c는 휴대형 게임기이며, 하우징(7301)과 하우징(7302)의 2개의 하우징으로 구성되어 있고, 연결부(7303)에 의하여 개폐 가능하게 연결되어 있다. 하우징(7301)에는 표시부(7304)가 삽입되고, 하우징(7302)에는 표시부(7305)가 삽입되어 있다. 또한, 도 15c에 도시한 휴대형 게임기는 그 외에 스피커부(7306), 기록 매체 삽입부(7307), LED 램프(7308), 입력 수단(조작 키(7309), 접속 단자(7310), 센서(7311)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기(磁氣), 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도(硬度), 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경도(傾度), 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(7312)) 등을 구비한다. 물론, 휴대형 게임기의 구성은 상기한 것에 한정되지 않고, 적어도 표시부(7304) 및 표시부(7305)의 양쪽, 또는 한쪽에 발광 장치를 사용하고 있으면 좋고, 기타 부속 설비가 적절히 설정된 구성으로 할 수 있다. 도 15c에 도시된 휴대형 게임기는, 기록 매체에 기록되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능이나, 다른 휴대형 게임기와 무선 통신을 행하여 정보를 공유하는 기능을 갖는다. 또한, 도 15c에 도시한 휴대형 게임기가 갖는 기능은 이것에 한정되지 않고, 다양한 기능을 가질 수 있다.
도 15d는 휴대 전화기의 일례를 도시한 것이다. 휴대 전화기(7400)는 하우징(7401)에 삽입된 표시부(7402) 외에, 조작 버튼(7403), 외부 접속 포트(7404), 스피커(7405), 마이크로폰(7406) 등을 구비한다. 또한, 휴대 전화기(7400)는 발광 장치를 표시부(7402)에 사용하여 제작된다.
도 15d에 도시한 휴대 전화기(7400)는, 표시부(7402)를 손가락 등으로 터치함으로써 정보를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 걸거나 또는 메일을 작성하는 등의 조작은 표시부(7402)를 손가락 등으로 터치함으로써 행할 수 있다.
표시부(7402)의 화면에는 주로 3가지 모드가 있다. 제 1 모드는 화상의 표시가 주된 표시 모드이고, 제 2 모드는 문자 등의 정보의 입력이 주된 입력 모드이다. 제 3 모드는 표시 모드와 입력 모드의 2개의 모드가 혼합한 표시+입력 모드이다.
예를 들어, 전화를 걸거나 또는 메일을 작성하는 경우에는, 표시부(7402)를 문자의 입력이 주된 문자 입력 모드로 하고 화면에 표시시킨 문자의 입력 조작을 행하면 좋다. 이 경우, 표시부(7402)의 화면의 대부분에 키보드 또는 번호 버튼을 표시시키는 것이 바람직하다.
또한, 휴대 전화기(7400) 내부에 자이로(gyroscope), 가속도 센서 등 기울기를 검출하는 센서를 갖는 검출 장치를 제공함으로써, 휴대 전화기(7400)의 방향(세로인지 가로인지)을 판단하여 표시부(7402)의 화면 표시를 자동적으로 전환하도록 할 수 있다.
또한, 화면 모드는 표시부(7402)를 터치하거나 또는 하우징(7401)의 조작 버튼(7403)을 조작함으로써 전환된다. 또한, 표시부(7402)에 표시되는 화상의 종류에 따라 전환하도록 할 수도 있다. 예를 들어, 표시부에 표시하는 화상 신호가 동영상 데이터라면, 표시 모드, 텍스트 데이터라면 입력 모드로 전환한다.
또한, 입력 모드에서 표시부(7402)의 광 센서로 검출되는 신호를 검지하여, 표시부(7402)의 터치 조작에 의한 입력이 일정 기간 동안 없는 경우에는, 화면의 모드를 입력 모드로부터 표시 모드로 전환하도록 제어하여도 좋다.
표시부(7402)는 이미지 센서로서 기능시킬 수도 있다. 예를 들어, 표시부(7402)에 손바닥이나 손가락으로 터치하여 장문(掌紋)이나 지문 등을 촬상(撮像)함으로써 본인 인증을 행할 수 있다. 또한, 표시부에 근적외광을 발광하는 백 라이트 또는 근적외광을 발광하는 센싱용 광원을 사용하면, 손가락 정맥, 손바닥 정맥 등을 촬상할 수도 있다.
도 15e는 조명 장치의 일례를 도시한 것이다. 조명 장치(7500)는 하우징(7501)에 광원으로서 본 발명의 일 형태인 발광 장치(7503a) 내지 발광 장치(7503d)가 내장되어 있다. 조명 장치(7500)는 천장이나 벽 등에 장착할 수 있다.
또한, 장시간에 걸쳐 사용하여도 눈이 피로하기 어려운 명도가 높고 옅은 색을 나타내는 광과, 선명한 적색과, 다른 선명한 색을 나타내는 광을 발하는 발광 패널을 구비한다. 발광 소자를 구동하는 조건을 발광색마다 조정함으로써, 사용자가 색상을 조절할 수 있는 조명 장치를 실현할 수 있다.
도 16a 및 도 16b는 폴더형 태블릿 단말기이다. 도 16a는 펼친 상태를 도시한 것이며, 태블릿 단말기는 하우징(9630), 표시부(9631a), 표시부(9631b), 표시 모드 전환 스위치(9034), 전원 스위치(9035), 전력 절약 모드 전환 스위치(9036), 후크(9033), 조작 스위치(9038)를 갖는다. 또한 상기 태블릿 단말기는 발광 장치를 표시부(9631a) 및 표시부(9631b) 중 한쪽 또는 양쪽에 사용하여 제작된다.
표시부(9631a)는 일부를 터치 패널의 영역(9632a)으로 할 수 있으며, 표시된 조작 키(9637)를 터치함으로써 데이터를 입력할 수 있다. 또한 도면에서는 일례로서 표시부(9631a)에 있어서 영역의 반이 표시만 하는 기능을 갖는 구성이고 영역의 나머지 반이 터치 패널 기능을 갖는 구성을 도시하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 표시부(9631a)의 모든 영역이 터치 패널의 기능을 갖는 구성으로 하여도 좋다. 예를 들어, 표시부(9631a)의 전체면에 키보드 버튼을 표시시킨 터치 패널로 하여, 표시부(9631b)를 표시 화면으로서 사용할 수 있다.
또한, 표시부(9631b)에서도 표시부(9631a)와 마찬가지로 표시부(9631b)의 일부를 터치 패널의 영역(9632b)으로 할 수 있다. 또한, 터치 패널의 키보드 표시 전환 버튼(9639)이 표시되어 있는 위치를 손가락이나 스타일러스 등으로 터치함으로써 표시부(9631b)에 키보드 버튼을 표시할 수 있다.
또한, 터치 패널의 영역(9632a)과 터치 패널의 영역(9632b)에 동시적으로 터치 입력을 수행할 수도 있다.
또한, 표시 모드 전환 스위치(9034)는 세로 표시 또는 가로 표시 등 표시 방향을 전환하며, 흑백 표시나 컬러 표시의 전환 등을 선택할 수 있다. 전력 절약 모드 전환 스위치(9036)는 태블릿 단말에 내장된 광센서로 검출되는 사용시의 외광의 광량에 따라 표시의 휘도를 최적화할 수 있다. 태블릿 단말기는 광센서뿐만 아니라, 자이로, 가속도 센서 등 기울기를 검출하는 센서와 같은 다른 검출 장치를 내장시켜도 좋다.
또한, 도 16a에서는 표시부(9631b)와 표시부(9631a)의 표시 면적이 같은 예를 도시하였지만 이것에 특별히 한정되지 않고, 서로 크기가 상이하여도 좋고 표시 품질도 상이하여도 좋다. 예를 들어, 한쪽이 다른 쪽보다 고정밀 표시가 가능한 표시 패널로 하여도 좋다.
도 16b는 닫은 상태를 도시한 것이며, 태블릿 단말기는 하우징(9630), 태양 전지(9633), 충방전 제어 회로(9634), 배터리(9635), DCDC 컨버터(9636)를 갖는다. 또한, 도 16b에서는 충방전 제어 회로(9634)의 일례로서 배터리(9635), DCDC 컨버터(9636)를 갖는 구성을 도시하였다.
또한, 태블릿 단말기는 접을 수 있기 때문에, 사용하지 않을 때는 하우징(9630)을 닫은 상태로 할 수 있다. 따라서, 표시부(9631a), 표시부(9631b)를 보호할 수 있기 때문에 내구성이 우수하며 장기 사용의 관점에서 봐도 신뢰성이 우수한 태블릿 단말기를 제공할 수 있다.
또한, 도 16a 및 도 16b에 도시한 태블릿 단말기는 이 외에도 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시하는 기능, 달력, 날짜 또는 시각 등을 표시부에 표시하는 기능, 표시부에 표시한 정보를 터치 입력 조작하거나 편집하는 터치 입력 기능, 각종 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능 등을 가질 수 있다.
태블릿 단말기의 표면에 장착된 태양 전지(9633)에 의하여, 전력을 터치 패널, 표시부, 또는 영상 신호 처리부 등으로 공급할 수 있다. 또한 태양 전지(9633)를 하우징(9630)의 한쪽 또는 양쪽 면에 설치하면, 배터리(9635)를 효율적으로 충전할 수 있는 구성으로 할 수 있기 때문에 적합하다. 또한, 배터리(9635)로서는 리튬 이온 전지를 사용하면, 소형화를 도모할 수 있는 등의 이점이 있다.
또한, 도 16b에 도시한 충방전 제어 회로(9634)의 구성 및 동작에 대하여 도 16c의 블록도를 참조하여 설명한다. 도 16c는 태양 전지(9633), 배터리(9635), DCDC 컨버터(9636), 컨버터(9638), 스위치(SW1) 내지 스위치(SW3), 표시부(9631)를 도시한 것이며, 배터리(9635), DCDC 컨버터(9636), 컨버터(9638), 스위치(SW1) 내지 스위치(SW3)가 도 16b에 도시한 충방전 제어 회로(9634)에 대응하는 부분이다.
우선, 외광에 의하여 태양 전지(9633)를 이용하여 발전되는 경우의 동작의 예에 대하여 설명한다. 태양 전지로 발생된 전력은 배터리(9635)를 충전하기 위한 전압이 되도록 DCDC 컨버터(9636)에 의하여 승압 또는 강압된다. 또한, 표시부(9631)의 동작에 태양 전지(9633)로부터의 전력이 사용될 때는 스위치(SW1)를 온 상태로 하여, 컨버터(9638)에 의하여 표시부(9631)에 필요한 전압으로 승압 또는 강압한다. 또한, 표시부(9631)에 있어서 표시를 행하지 않을 때는, 스위치(SW1)를 오프 상태로 하고, 스위치(SW2)를 온 상태로 하고 배터리(9635)를 충전하는 구성으로 하면 좋다.
또한, 태양 전지(9633)에 대해서는 발전 수단의 일례로서 도시하였지만, 특별히 한정되지 않고 압전 소자(피에조 소자)나 열전 변환 소자(펠티어 소자) 등의 다른 발전 수단에 의하여 배터리(9635)를 충전하는 구성이라도 좋다. 예를 들어, 무선(비접촉)으로 전력을 송수신하여 충전하는 무접점 전력 전송 모듈이나, 다른 충전 수단을 조합하여 충전하는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서 설명한 발광 장치를 구비하면, 도 15a 내지 도 16c에 도시한 전자 기기에 특별히 한정되지 않는 것은 물론이다.
상술한 전자 기기나 조명 장치 등의 발광 장치에는, 본 발명의 일 형태의 글라스 패턴의 형성 방법 및 밀봉체의 제작 방법을 적용할 수 있다. 따라서, 크랙의 발생이 억제된, 신뢰성이 매우 높은 전자 기기나 조명 장치 등의 발광 장치로 할 수 있다.
본 실시형태는 본 명세서 중에 기재된 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
10: 원형 레이저
11: 프릿 페이스트
100: 선형 레이저
101: 장축
101a: 장축 방향
102: 단축
102a: 단축 방향
103: 주사 방향
110: 프릿 페이스트
111: 제 1 기판
112: 제 2 기판
113: 유리층
115: 각부
117: 회전축
118: 중심
120: 원형 레이저
121: 사출구
123: 피조사면
125: 차광 마스크
127: 원기둥 렌즈
150: 레이저
200: 표시 장치
201: 표시부
202: 주사선 구동 회로
203: 신호선 구동 회로
205: 외부 입력 단자
207: FPC
209: 접속체
211: 트랜지스터
212: 트랜지스터
213: 트랜지스터
214: 트랜지스터
215: 절연층
216: 절연층
217: 절연층
218: 절연층
219: 절연층
220: 발광 소자
223: 화소 전극
225: EL층
227: 공통 전극
229: 컬러 필터
231: 블랙 매트릭스
233: 오버 코트
250: 표시 장치
300: 조명 장치
301: 발광부
303: 전극
305: EL층
307: 전극
309: 절연층
310: 발광 소자
311: 추출 전극
312: 추출 전극
314: 건조제
403: 제 1 전극
405: EL층
407: 제 2 전극
701: 정공 주입층
702: 정공 수송층
703: 발광성 유기 화합물을 포함한 층
704: 전자 수송층
705: 전자 주입층
706: 전자 주입 버퍼층
707: 전자 릴레이층
708: 복합 재료층
800: 제 1 EL층
801: 제 2 EL층
803: 전하 발생층
7100: 텔레비전 장치
7101: 하우징
7103: 표시부
7105: 스탠드
7107: 표시부
7109: 조작 키
7110: 리모트 컨트롤러
7201: 본체
7202: 하우징
7203: 표시부
7204: 키보드
7205: 외부 접속 포트
7206: 포인팅 디바이스
7301: 하우징
7302: 하우징
7303: 연결부
7304: 표시부
7305: 표시부
7306: 스피커부
7307: 기록 매체 삽입부
7308: LED 램프
7309: 조작 키
7310: 접속 단자
7311: 센서
7312: 마이크로폰
7400: 휴대 전화기
7401: 하우징
7402: 표시부
7403: 조작 버튼
7404: 외부 접속 포트
7405: 스피커
7406: 마이크로폰
7500: 조명 장치
7501: 하우징
7503: 발광 장치
9630: 하우징
9631: 표시부
9631a: 표시부
9631b: 표시부
9632a: 영역
9632b: 영역
9633: 태양 전지
9634: 충방전 제어 회로
9635: 배터리
9636: DCDC 컨버터
9637: 조작 키
9638: 컨버터
9639: 키보드 표시 전환 버튼
9033: 후크
9034: 표시 모드 전환 스위치
9035: 전원 스위치
9036: 전력 절약 모드 전환 스위치
9038: 조작 스위치

Claims (13)

  1. 분산 조성물의 가열 방법에 있어서,
    분산질과, 상기 분산질보다 비점 또는 분해 온도가 낮은 분산매를 포함하며 폐곡선 형상을 갖는 조성물을 레이저 광으로 조사하면서 상기 레이저 광의 빔 스폿을 주사하는 단계를 포함하고,
    상기 빔 스폿의 형상은 직사각형이고,
    상기 빔 스폿의 단축이 주사 방향에 대하여 기울인 상태로 상기 주사하는 단계가 수행되고,
    상기 빔 스폿의 변(side)은 상기 조성물의 폭보다 길고,
    상기 빔 스폿의 상기 변이 상기 주사 방향과 수직이 되도록 상기 빔 스폿이 주사되는, 분산 조성물의 가열 방법.
  2. 삭제
  3. 분산 조성물의 가열 방법에 있어서,
    분산질과, 상기 분산질보다 비점 또는 분해 온도가 낮은 분산매를 포함하며 폐곡선 형상을 갖는 조성물을 레이저 광으로 조사하면서 상기 레이저 광의 빔 스폿을 주사하는 단계를 포함하고,
    상기 빔 스폿의 형상이 직사각형이고,
    상기 빔 스폿의 단축이 주사 방향에 대하여 기울인 상태로 상기 주사하는 단계가 수행되고,
    상기 빔 스폿의 대향하는 2변들 각각이 상기 조성물의 양단들과 교차되도록 상기 빔 스폿이 주사되는, 분산 조성물의 가열 방법.
  4. 삭제
  5. 글라스 패턴의 형성 방법에 있어서,
    글라스 프릿과 바인더를 포함하며 폐곡선 형상을 갖는 프릿 페이스트를 레이저 광으로 조사하면서 상기 레이저 광의 빔 스폿을 주사하는 단계를 포함하고,
    상기 빔 스폿의 형상은 직사각형이고,
    상기 빔 스폿의 단축이 주사 방향에 대하여 기울인 상태로 상기 주사하는 단계가 수행되고,
    상기 빔 스폿의 변은 상기 프릿 페이스트의 폭보다 길고,
    상기 빔 스폿의 상기 변이 상기 주사 방향과 수직이 되도록 상기 빔 스폿이 주사되는, 글라스 패턴의 형성 방법.
  6. 삭제
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 프릿 페이스트는 4변들과, 상기 프릿 페이스트의 인접한 2변들에 각각 접속된 4개의 각부들(corner portions)을 갖고,
    상기 프릿 페이스트의 2개의 대향하는 변들의 쌍들은 평행한, 글라스 패턴의 형성 방법.
  8. 글라스 패턴의 형성 방법에 있어서,
    글라스 프릿과 바인더를 포함하며 폐곡선 형상을 갖는 프릿 페이스트를 레이저 광으로 조사하면서 상기 레이저 광의 빔 스폿을 주사하는 단계를 포함하고,
    상기 빔 스폿의 형상은 직사각형이고,
    상기 빔 스폿의 단축이 주사 방향에 대하여 기울인 상태로 상기 주사하는 단계가 수행되고,
    상기 빔 스폿의 대향하는 2변들 각각이 상기 프릿 페이스트의 외부 윤곽 및 내부 윤곽과 교차되도록 상기 빔 스폿이 주사되는, 글라스 패턴의 형성 방법.
  9. 삭제
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 프릿 페이스트는 4변들과, 상기 프릿 페이스트의 인접한 2변들에 각각 접속된 4개의 각부들을 갖고,
    상기 프릿 페이스트의 2개의 대향하는 변들의 쌍들은 평행한, 글라스 패턴의 형성 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 단축과 상기 프릿 페이스트의 변들 각각이 이루는 각도는 0°이상 60°이하이고,
    상기 단축은 상기 각부들 각각에서 90°회전될 수 있는, 글라스 패턴의 형성 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 단축과 상기 프릿 페이스트의 변들 각각이 이루는 각도는 0°이상 60°이하이고,
    상기 단축은 상기 프릿 페이스트의 변들 중 하나에 접속된 2개의 각부들 사이의 영역에서 90°회전될 수 있는, 글라스 패턴의 형성 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 단축과 상기 프릿 페이스트의 변들 각각이 이루는 각도는 45°인 글라스 패턴의 형성 방법.
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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI671911B (zh) 2011-05-05 2019-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
US9472776B2 (en) 2011-10-14 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sealed structure including welded glass frits
KR102058387B1 (ko) 2011-11-28 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유리 패턴 및 그 형성 방법, 밀봉체 및 그 제작 방법, 및 발광 장치
TWI569490B (zh) 2011-11-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 密封體,發光模組,及製造密封體之方法
TWI577006B (zh) 2011-11-29 2017-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 密封體、發光裝置、電子裝置及照明設備
TWI570906B (zh) 2011-11-29 2017-02-11 半導體能源研究所股份有限公司 密封結構,發光裝置,電子裝置,及照明裝置
JP6049509B2 (ja) * 2012-03-28 2016-12-21 日本碍子株式会社 セラミックヒーター、ヒーター電極及びセラミックヒーターの製法
KR20140016170A (ko) 2012-07-30 2014-02-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체 및 유기 전계 발광 장치
TW201431149A (zh) * 2013-01-18 2014-08-01 Innolux Corp 顯示裝置及其封裝方法
JP6429465B2 (ja) 2013-03-07 2018-11-28 株式会社半導体エネルギー研究所 装置及びその作製方法
KR102096053B1 (ko) * 2013-07-25 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
EP3018724B1 (en) * 2013-09-30 2023-03-01 LG Display Co., Ltd. Organic light-emitting device and manufacturing method therefor
US20170334021A1 (en) * 2014-12-15 2017-11-23 Toyota Motor Europe Systems for and method of welding using beam shaping means and shielding means
KR102447144B1 (ko) 2015-01-09 2022-09-26 삼성전자주식회사 포토 마스크 제조 방법, 포토레지스트 패턴 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6281577B2 (ja) * 2016-01-19 2018-02-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
AU2018349387B2 (en) 2017-10-12 2022-05-19 E&S Healthcare Co., Ltd. Thioredoxin 1 epitope and monoclonal antibody specifically binding thereto
CN208142179U (zh) * 2018-05-31 2018-11-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN116456704B (zh) * 2023-06-14 2023-08-15 中山市精研科技有限公司 一种高散热效能的液晶电视

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100942118B1 (ko) * 2004-10-20 2010-02-12 코닝 인코포레이티드 유기발광다이오드 디스플레이를 밀봉하기 위한 파라메터의최적화

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05208852A (ja) 1992-01-30 1993-08-20 Toshiba Lighting & Technol Corp 接合方法および容器
TW305063B (ko) 1995-02-02 1997-05-11 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6113450A (en) 1998-05-14 2000-09-05 Candescent Technologies Corporation Seal material frit frame for flat panel displays
JPH11329717A (ja) 1998-05-15 1999-11-30 Sharp Corp カラーelパネル
KR100742854B1 (ko) 1998-06-15 2007-07-25 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법
TW509960B (en) 2000-04-04 2002-11-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Highly productive method of producing plasma display panel
US6646284B2 (en) 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003297558A (ja) 2002-04-03 2003-10-17 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法、電子機器
US7121642B2 (en) 2002-08-07 2006-10-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Drop volume measurement and control for ink jet printing
JP2004207314A (ja) 2002-12-24 2004-07-22 Tokyo Electron Ltd 膜改質の終点検出方法、その終点検出装置及び電子ビーム処理装置
TWI334156B (en) 2002-12-25 2010-12-01 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method for manufacturing semiconductor device
US6998776B2 (en) 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
US7538488B2 (en) * 2004-02-14 2009-05-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
US7431628B2 (en) 2005-11-18 2008-10-07 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of manufacturing flat panel display device, flat panel display device, and panel of flat panel display device
US7537504B2 (en) * 2005-12-06 2009-05-26 Corning Incorporated Method of encapsulating a display element with frit wall and laser beam
KR100688795B1 (ko) 2006-01-25 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US8164257B2 (en) 2006-01-25 2012-04-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100671638B1 (ko) 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치
KR100688790B1 (ko) 2006-01-27 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP2007220648A (ja) 2006-02-14 2007-08-30 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置とその製造装置及び製造方法
US7564185B2 (en) 2006-02-20 2009-07-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof
KR101337264B1 (ko) 2006-02-28 2013-12-05 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널, 이를 구비한 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100732817B1 (ko) 2006-03-29 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
KR100787463B1 (ko) 2007-01-05 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 글래스 프릿, 실링재 형성용 조성물, 발광 장치 및 발광 장치의 제조방법
KR100838077B1 (ko) 2007-01-12 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치의 제조방법
KR100867925B1 (ko) 2007-03-08 2008-11-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US8247730B2 (en) * 2007-09-28 2012-08-21 Corning Incorporated Method and apparatus for frit sealing with a variable laser beam
JP2009135453A (ja) 2007-10-30 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器
KR20160014771A (ko) * 2008-07-28 2016-02-11 코닝 인코포레이티드 유리 패키지 내에 액체를 밀봉하는 방법 및 이로부터 얻어진 유리 패키지
KR101453878B1 (ko) * 2008-08-07 2014-10-23 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치의 제조방법
JP2010080344A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置
KR100976457B1 (ko) 2008-10-22 2010-08-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US8245536B2 (en) * 2008-11-24 2012-08-21 Corning Incorporated Laser assisted frit sealing of high CTE glasses and the resulting sealed glass package
JP2011011925A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Asahi Glass Co Ltd 封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法
WO2011010489A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 旭硝子株式会社 封着材料層付きガラス部材の製造方法及び製造装置、並びに電子デバイスの製造方法
JP2011054477A (ja) 2009-09-03 2011-03-17 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2011065895A (ja) 2009-09-17 2011-03-31 Toshiba Corp ガラス封止体、発光装置及びガラス封止体の製造方法
JP2011070797A (ja) 2009-09-24 2011-04-07 Toshiba Corp 封止体の製造方法および有機el装置
KR101243920B1 (ko) 2010-01-07 2013-03-14 삼성디스플레이 주식회사 기판 밀봉에 사용되는 레이저 빔 조사 장치, 기판 밀봉 방법, 및 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101117732B1 (ko) 2010-01-19 2012-02-24 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 밀봉에 사용되는 레이저 빔 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP6008546B2 (ja) 2011-04-13 2016-10-19 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネセンス装置の作製方法
KR102038844B1 (ko) 2011-06-16 2019-10-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체의 제작 방법 및 밀봉체, 그리고 발광 장치의 제작 방법 및 발광 장치
JP6111022B2 (ja) 2011-06-17 2017-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 封止体の作製方法および発光装置の作製方法
WO2013031509A1 (en) 2011-08-26 2013-03-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, lighting device, and method for manufacturing the light-emitting device
US9472776B2 (en) 2011-10-14 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sealed structure including welded glass frits

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100942118B1 (ko) * 2004-10-20 2010-02-12 코닝 인코포레이티드 유기발광다이오드 디스플레이를 밀봉하기 위한 파라메터의최적화

Also Published As

Publication number Publication date
US20130101754A1 (en) 2013-04-25
JP6261783B2 (ja) 2018-01-17
US8623469B2 (en) 2014-01-07
KR20130044169A (ko) 2013-05-02
JP2013101923A (ja) 2013-05-23
JP2017063065A (ja) 2017-03-30

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