JP2017059732A - サブマウントの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板から複数のサブマウントを形成するサブマウントの製造方法であって、基板をドライエッチングによって貫通させ、基板のドライエッチング面をサブマウントの少なくとも1面として形成するドライエッチング工程と、サブマウントの表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、基板のドライエッチング面の少なくとも1面を除く他の面を機械加工することで、基板からサブマウントを切り離す個片化工程と、を備えるようにした。また、ドライエッチングによる貫通部は島部が残る様に環状に形成し、取り除くことで幅広の貫通部を形成するようにした。
【選択図】 図1
Description
本発明の目的は上記課題を解決し、垂直性の高い側面の形成とともに製造工程の時間短縮と基板のウエハレベルのハンドリング性に優れたサブマウントの製造方法を提供することである。
説明にあたっては、同一要素には同一番号を付し重複する説明は省略するものとする。また、発明に関係のない部分は省略している。
図1は、本発明の製造方法によって製造されるサブマウントの構成及び被搭載物への搭載状況を示し、図2は、第1の実施形態の製造工程のフローチャートを示す。また、図3、図4、図5は、図2に示すS210、S220、S230の工程をそれぞれ平面図及び斜視図によって示す。
図1(a)はサブマウント20の斜視図を示し。図1(b)、(c)はサブマウント20の基準面20Sを被搭載物27に装着した状態の2つの例を側面図に示す。図1(a)に示すように、サブマウント20は基板から形成された1つの直方体である。側面20Sは基板から形成されたサブマウント20の側面の1つであり、サブマウント20の基準面である。また、側面20Sに隣り合う2つの側面20K、20K´及び側面20Sに対向する側面20S´は、基板からサブマウントが個片化される時に形成される他の側面である。また、上面20Jは基板の上面に相当し、下面20J´は基板の下面に相当する。
次に、図2に製造工程フローチャートを示し、まず、第1の実施形態の製造方法について流れを説明する。尚、ここでは基板の材料として半導体材料であるシリコン(Si)を用いた例として説明する。また以下の各工程では特定の記載がない限りそれぞれの工程に必要な所定の検査、所定の洗浄等を行うことは当然のこととし、それらの詳細な説明は省略する。
まず、基板の受け入れ工程S200では基板の所定の検査、所定の洗浄等を行う。
次に、基板に複数のサブマウント形成するためにドライエッチング工程S210を行い、サブマウントの基準面となる側面を形成するための貫通部を形成する。
次に、ドライエッチングにより貫通部が形成された基板に、金属膜形成工程S220を行い上面側より貫通部側面及び表面に所定の金属膜を形成する。
次に、金属膜が形成された基板に機械加工による個片化工程S230を行い、サブマウントを個片化する。
次に、図3〜図5を用いて、図2の製造工程フローチャートの順に各工程をより具体的に説明する。尚、ここでは基板受け入れ工程S200の詳細説明は省略する。
図3(a)は、基板10に複数のサブマウント20(破線で示す)を形成する状況を示し、基板10の一部を拡大して示している。図3(b)は、基板10の同じ部分を斜視図にて立体的に示している。図3(a)、(b)において、ドライエッチング工程S210について説明する。シリコンからなり所定の厚さに形成された基板10を例えばフォトリソグラフィー等によってレジストパターンを形成し、ドライエッチングによって貫通部12を複数形成する。各貫通部12は各サブマウント20の基準面となる側面20Sを有しておりサブマウント20の側面20Sがそれぞれ形成される。
図4は、前述のドライエッチング工程S210にて基板10に複数のサブマウント20を形成し、各サブマウント20に金属膜を形成した状態を示す。
次に、図5は、前述の金属膜形成工程S220にて金属膜が形成された基板10において、機械加工による個片化工程S230を示す。前工程の図4(a)に示すように、ハッチングで示す領域はダイシングブレード30によって切断される切断溝17である。切断溝17をX方向に各ダイシングライン31に沿って順次切断していく。そして図5(a)、(b)に示すように、幅Lの切断溝17により接続部が除去されサブマウント20が個片化される。これにより、サブマウントの一方の対向2側面はドライエッチングにより形成し、他方の対向2側面は機械加工により形成されたサブマウント20を得る。
次に、図6を用いて第2の実施形態を説明する。図6は、第1の実施形態の説明で用いた図3(b)に相当している。
次に、図7を用いて第3の実施形態を説明する。図7(a)は、第1の実施形態の説明で用いた図3(a)に相当し(ドライエッチング工程)、図7(b)は、第1の実施形態の説明で用いた図4(a)に相当する(金属膜形成工程)。
11 環状の貫通部
12 貫通部
17 切断溝
18 島部
20、20J´ サブマウント
20J サブマウントの上面
20J´ サブマウントの下面
20S サブマウントの側面(基準となる側面)
20S´ サブマウントの対向側面
20K サブマウントの側面に隣り合う側面
20K´ サブマウントの側面に隣り合う側面
21 下地金属膜(回路パターン)
22 接着用金属膜
23 金属膜開口部(ストリート)
25、26 装着物
27 被搭載物
28 被搭載物の搭載面
30 ダイシングブレード
31 ダイシングライン
32 ドライフィルム(保持部材)
40 サブマウントの接続部
Claims (8)
- 基板からサブマウントを形成するサブマウントの製造方法において、前記基板をドライエッチングによって貫通させ、前記基板のドライエッチング面をサブマウントの少なくとも1面として形成するドライエッチング工程と、前記サブマウントの表面に金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記基板のドライエッチング面の少なくとも1面を除く面を機械加工することで、前記基板から前記サブマウントを切り離す個片化工程と、を有することを特徴とするサブマウントの製造方法。
- 前記基板の一方の面を保持部材により保持し、前記ドライエッチング工程において、前記基板の一方の面と対向する他方の面より前記基板を貫通し、前記基板の貫通部は、その内部に前記基板が貫通されない島部が残るよう環状形状で形成され、前記保持部材を前記基板から取り除くことで、前記基板より前記島部を取り除くことを特徴とする請求項1に記載のサブマウントの製造方法。
- 前記機械加工は、ダイシング加工であることを特徴とする請求項1又は2に記載のサブマウントの製造方法。
- 前記金属膜形成工程で、前記ドライエッチング面と、前記基板の一方の面または他方の面の少なくとも一方に金属膜を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のサブマウントの製造方法。
- 前記ドライエッチング面は被搭載物への搭載面であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のサブマウントの製造方法。
- 前記ドライエッチングによって形成する前記サブマウントの側面は一方の対向2側面であり、前記機械加工によって形成する側面は前記一方の対向2側面に直交する他の対向2側面であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のサブマウントの製造方法。
- 前記基板上に形成された複数の前記サブマウントの隣接する前記サブマウントの間に形成された前記貫通部は、前記隣接するサブマウントによって共有されることを特徴とする請求項6に記載のサブマウントの製造方法。
- 前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のサブマウントの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017059732A true JP2017059732A (ja) | 2017-03-23 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020533797A (ja) * | 2017-09-12 | 2020-11-19 | ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハーRogers Germany GmbH | レーザダイオードなどの構成要素をヒートシンクに接合するためのアダプタ要素、レーザダイオード、ヒートシンクおよびアダプタ要素を含むシステム、およびアダプタ要素の製造方法 |
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2015
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JP7034266B2 (ja) | 2017-09-12 | 2022-03-11 | ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハー | レーザダイオードなどの構成要素をヒートシンクに接合するためのアダプタ要素、レーザダイオード、ヒートシンクおよびアダプタ要素を含むシステム、およびアダプタ要素の製造方法 |
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