KR101062611B1 - 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙(Scribing) 방법에 관한 것으로서, 사파이어 기판의 연마된 면에 정렬 지그(Align-Zig)용 패턴을 장착한 후 스크라이빙 공정을 수행하며, 상기 스크라이빙 공정을 수행한 후 반도체 레이저 다이오드를 스템(Stem)에 접합시키기 위한 금속층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 상기 정렬 지그용 패턴을 이용하여 스크라이빙함으로써, 스크라이빙하는 방향을 정확히 정렬시킬 수 있게 되며, 종전과 같이 금속층에 스크라이빙용 팁을 직접 접촉시켜 스크라이빙 공정을 수행하지 않기 때문에 금속 분말이 스크라이빙용 팁에 묻지 않아 스크라이빙하려는 부분에 가해지는 힘을 분산시키지 않으므로 용이하게 스크라이빙 공정을 수행할 수 있고, 양호한 반도체 레이저 다이오드의 벽개면을 얻을 수 있게 된다.
스크라이빙, 브레이킹, 벽개면, 크랙, 사파이어 기판

Description

반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법{ Method for scribing of semiconductor laser diode }
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 질화물 반도체 레이저 다이오드의 개략적인 제조 공정 단면도.
도 2는 일반적인 질화물 반도체 레이저 다이오드가 스템(Stem)에 패키징된 상태를 나타낸 단면도.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙(Scribing) 방법을 나타낸 공정 단면도.
도 4는 도 3e에 있어서, 정렬 지그(Align-Zig)용 패턴을 장착한 모습을 나타낸 평면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 사파이어 기판 110 : 연마된 사파이어 기판
120 : 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층 130 : 홀더(Holder)
140 : 정렬 지그용 패턴 150 : 금속층
160 : 블루 테이프
본 발명은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로서, 특히 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙(Scribing) 방법에 관한 것이다.
일반적으로 질화물(Nitrides) 반도체 레이저 다이오드는 대용량 정보 저장장치와 칼라 프린터에 적용하기 위하여 개발 및 시판되고 있고, 최근에 이것을 이용한 여러 가지 새로운 응용들이 시도되고 있다.
대용량 정보 저장장치와 칼라 프린터에 응용을 하기 위해서 질화물 반도체 레이저 다이오드는 낮은 임계 전류(Threshold Current : Ith)와 높은 외부 양자 효율(External Quantum Efficiency : ηex)이 요구되어 진다.
한편, 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조에 있어서, 반도체 레이저 다이오드의 미러(mirror)면의 상태는 위에서 언급한 임계 전류(Ith)와 외부 양자 효율(ηex)에 매우 중요한 역할을 한다.
반도체 레이저 다이오드에서 상기 미러면은 스크라이빙(Scribing) 공정을 통해 얻어지므로, 양호한 미러면을 얻기 위해서는 스크라이빙 공정이 매우 중요하게 된다.
도 1a 내지 도 1d는 종래 기술에 따른 질화물 반도체 레이저 다이오드의 개략적인 제조 공정 단면도이다. 먼저 사파이어 기판(10)을 준비하고(도 1a), 상기 사파이어 기판(10) 일면의 상부에 (In, Al)GaN층이 적층되어 이루어진 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층(12)을 성장시킨다(도 1b).
그 후, 상기 사파이어 기판(10)의 일부를 래핑(Lapping) 또는 폴리싱(Polishing) 공정과 같은 연마 공정으로 제거한다(도 1c).
여기서, 도 1b의 사파이어 기판(10)은 연마 공정을 수행하기 전의 두께(d1)에서, 도 1c에 도시된 바와 같이 상기 연마 공정을 수행한 후의 두께(d2)로 줄어들게 된다.
이어서, 상기 연마된 사파이어 기판(11) 면을 따라 스크라이빙 공정을 수행하여 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층(12)을 각각의 개별 반도체 레이저 다이오드(21)(22)(23)(24)(25)(26)로 분리시킨다(도 1d).
여기서, 상기 사파이어 기판(10) 상부에 성장시킨 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층(12)은 GaN계 반도체로 이루어진 층이 적층된 에피층으로서, 상기 사파이어(Al2O3)는 격자 상수가 a:4.758(Å)이고, c:12.991(Å)이며, 열팽창 계수는 a:7.5(×10-6/K)이고, c:8.5(×10-6/K)인데 반하여, 상기 GaN은 격자 상수가 a:3.189(Å)이고, c:5.185(Å)이며, 열팽창 계수는 a:5.59(×10-6/K)이고, c:3.17(×10-6/K)이다.
이와 같이, 상기 사파이어와 GaN는 격자 상수(16.02 %) 및 열팽창 계수(35.5 %)의 차이가 많이나기 때문에, 복수의 반도체 레이저 다이오드 에피층(12)이 형성된 후에, 사파이어 기판(10)이 휘어지는 현상이 발생한다.
상기 사파이어 기판(10)의 휘어짐은 상기 연마 공정 중에 복수의 반도체 레 이저 다이오드 에피층(12)과 사파이어 기판(10) 간에 스트레스(Stress)를 유발시키며, 상기 사파이어 기판(10)을 전부 제거하면 휘어짐으로 인하여 적층 에피층에 손상을 주게 되므로, 연마 공정시 사파이어 기판(10)의 두께를 60 ~ 120 ㎛ 정도 남겨두고 종료한다.
그런데, 상기 사파이어 기판(10)과 적층된 에피층의 벽개면(Facet)은 방향성에 차이가 있어 연마 공정 후, 남아있는 사파이어 기판(11)을 개별 소자로 분리하기 위한 스크라이빙 공정을 어렵게 만들고, 이로 인한 스트레스로 분리된 소자의 벽개면이 깨어지거나 크랙(Crack)이 형성되는 등 특성이 저하되는 문제점이 발생한다.
그리고, 현재 질화물 반도체 레이저 다이오드를 패키징하는 방법은 정션 업(Junction-up), 정션 다운(Junction-down), 그리고 탑 다운(Top-down) 방식을 사용하고 있는데, 이 중에서 사파이어 기판 상에 (In, Al)GaN층을 성장시키는 대부분의 측면 발광(Edge emission)하는 질화물 반도체 레이저 다이오드는 정션 업(Junction-up)과 정션 다운(Junction-down) 방법을 사용한다.
이 중에서 정션 업(Junction-up) 방식의 패키징을 위해서는 서브 마운트(Submount) 또는 스템(Stem)과 반도체 레이저 다이오드와의 접합을 위해서 상기 서브 마운트 또는 스템과 소자 간의 접촉면에 메탈을 증착시킨다.
도 2는 일반적인 질화물 반도체 레이저 다이오드가 스템에 패키징된 상태를 나타낸 단면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 질화물 반도체 레이저 다이오드(30)가 스템(40)의 상부에 패키징되어 있으며, 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드(30)와 상기 스템(40) 사이에는 금속층(50)이 개재되어 상기 질화물 반도체 레이저 다이오드(30)와 스템(40)을 접합시키고 있다.
이렇게, 각각 분리된 개별 반도체 레이저 다이오드를 스템과 같은 서브 마운트 부재에 본딩하여 패키징하기 위해서, 스크라이빙 공정을 수행하기 전에 연마된 사파이어 기판 면에 솔더(Solder)와 같은 금속층을 미리 증착시킨다.
그러나, 상기 금속층을 연마된 사파이어 기판 면에 증착시키는 경우, 반도체 레이저 다이오드 소자의 스크라이빙(scribing) 공정시 다음과 같은 문제점이 나타나게 된다.
첫째, 증착된 메탈에서 스크라이빙 공정을 수행하면, 금속층이 불투명하기 때문에 스크라이빙하는 방향을 정확히 정렬(Align)하기가 쉽지 않다는 문제점이 있다.
이 경우, 이러한 문제를 극복하기 위해서 증착하는 메탈의 두께를 줄이거나, 미리 스크라이빙 방향에 따라 정렬된 소정의 바(Bar)를 별도로 마운트한 후, 메탈을 증착하는 방법이 제안되었으나, 그에 따른 제조 시간과 비용이 추가로 발생되어 생산 효율이나 단가를 저하시키게 된다.
둘째, 증착된 메탈에 스크라이빙용 팁(Tip)을 직접 접촉시켜 스크라이빙을 수행하기 때문에 절단되는 금속 분말에 의해 팁이 지저분해져 스크라이빙 하려는 부분에 가해지는 힘을 분산시키고, 스크라이빙 된 개별 반도체 레이저 다이오드의 벽개면 특성을 저하시키는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 사파이어 기판의 연마된 면에 정렬 지그용 패턴을 장착한 후 스크라이빙함으로써, 스크라이빙하는 방향을 정확히 정렬할 수 있으며, 스크라이빙 공정을 수행한 후, 금속층을 증착함으로써 금속 분말에 의해 스크라이빙용 팁이 지저분해지는 것을 방지하고, 반도체 레이저 다이오드의 벽개면 특성을 향상시킨 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법의 실시예는, 사파이어 기판의 일면에 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 형성하는 단계와;
상기 기판 이면의 일 끝단에 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들 각각의 에피층 사이에 해당하는 영역을 노출시키는 정렬 지그(Align-Zig)용 패턴을 장착하는 단계와;
상기 정렬 지그용 패턴에 의해 노출된 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들 각각의 에피층 사이에 해당하는 영역을 스크라이빙하는 단계와;
상기 기판의 이면에 금속층을 형성하는 단계와;
상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 각각의 개별 소자로 분리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법에 대해 상세히 설명한다. 먼저, 도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
이에 도시된 바와 같이, 먼저 사파이어 기판(100)을 준비하고(도 3a), 상기 사파이어 기판(100)의 일면의 상부에 질화물계 예를 들면, GaN계 반도체층들이 적층되어 이루어진 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(120)을 형성한다(도 3b).
그 후, 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing) 공정과 같은 연마공정을 수행하여 상기 사파이어 기판(100)의 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(200)이 형성되지 않은 이면의 두께를 감소시킨다(도 3c).
여기서, 상기 연마 공정을 수행한 결과 사파이어 기판(100)의 두께는 d1 에서 d2 로 감소된다.
즉, 본래 사파이어 기판(100)의 두께는 200 ~ 300㎛ 정도이나, 상기 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing) 공정과 같은 연마 공정을 수행한 후의 사파이어 기판(110)의 두께는 60 ~ 120㎛ 정도가 된다.
여기서, 상기 래핑 공정은 상기 사파이어 기판(100)의 두께를 크게 감소시키므로, 후공정에서 보다 용이하게 스크라이빙 공정을 수행할 수 있게 한다.
그리고, 상기 래핑 공정으로 인하여 사파이어 기판(110)의 표면 거칠기(Surface Roughness)는 원하는 표면 거칠기 이상으로 거칠어진 상태가 되는데, 폴리싱 공정을 연속적으로 수행하여 상기 래핑 공정으로 인해 거칠어진 사파이어 기판(110)의 표면 거칠기를 향상시킨다.
이어서, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층 상에 블루 테이프(Blue Tape)와 같은 물질로 이루어진 홀더(Holder)(130)를 붙인다(도 3d).
이는 앞서 살펴본 바와 같이, 상기 사파이어와 GaN는 격자 상수 및 열팽창 계수의 차이가 많이 나서 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(120)이 형성된 후에 사파이어 기판(110)이 휘어지는 현상이 발생하기 때문에, 이후에 행해지는 공정을 용이하게 수행하기 위하여 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(120) 상에 상기 홀더(Holder)(130)를 붙여 전체 구조물을 평평히 하기 위한 것이다.
다음으로, 상기 래핑 및 폴리싱 공정을 수행한 사파이어 기판(110) 면에 정렬 지그(Align-Zig)용 패턴(140)을 장착한다(도 3e).
상기 정렬 지그용 패턴(140)은 금속, 석영(Quartz) 및 스트레인리스 스틸(Strainless Steel) 등으로 이루어지며, 특히 자성이 없는 스트레인리스 스틸을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 정렬 지그용 패턴(140)은 상기 사파이어 기판(110)의 연마된 면에 장착되는데, 상기 정렬 지그용 패턴(140)은 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들 각각의 에피층 사이에 해당하는 영역과 같은 간격(a)을 두고 상호 이격되어 있으며, 각 반도체 레이저 다이오드들의 에피층과 같은 폭(b)을 가지고 형성된다.
즉, 상기 정렬 지그용 패턴(140)은 상기 사파이어 기판(110)의 연마된 면에 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들 각각의 에피층 사이에 해당하는 영역을 노출시키며 장착된다.
상기 정렬 지그용 패턴(140)은 상기 사파이어 기판(110)의 연마된 면의 일 끝단에만 장착될 수도 있고, 양 끝단에 상호 대칭적으로 장착될 수도 있다.
그 후, 상기 정렬 지그용 패턴(140)을 이용하여 상기 연마된 사파이어 기판(110)에 스크라이빙(Scribing) 및 브레이킹(Breaking) 공정을 수행한다(도 3f).
즉, 상기 정렬 지그용 패턴(140)에 의해 노출된 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들 각각의 에피층 사이에 해당하는 영역에 스크라이빙 및 브레이킹 공정을 수행한다.
이때, 상기 스크라이빙 공정시 다이아몬드 팁을 구비한 스크라이버(Scriber)(145)가 사용되는데, 상기 스크라이버(145)는 다이아몬드 팁을 갖춘 선단의 왕복 직선 운동을 이용하여 웨이퍼 상에 매우 얇은 폭과 소정의 깊이를 갖는 스크라이브 라인(Scribe Line)을 형성하는 장치를 말한다.
여기서, 상기 정렬 지그용 패턴(140)을 이용하여 스크라이빙하게 되면, 스크라이빙 과정 중에 얼라인(Align) 여부를 계속 확인하지 않아도 되므로 보다 신속하고 정확하게 스크라이빙 공정을 수행할 수 있다.
즉, 본 발명에서는 상기 사파이어 기판(110)의 연마된 면에 반도체 레이저 다이오드 구조물을 스템 또는 서브 마운트에 접합시키기 위한 금속층을 형성하기 전에 상기 정렬 지그용 패턴(140)을 이용하여 스크라이빙한다.
이와 같이, 금속층을 형성하기 전에 상기 정렬 지그용 패턴(140)을 이용하여 스크라이빙하는 경우, 금속층이 불투명하기 때문에 스크라이빙하는 방향을 얼라인 하기 어려워 스크라이빙 과정 중에 수시로 얼라인 여부를 확인하는 번거로움을 피 할 수 있게 된다.
그리고, 종전과 같이 금속층에 상기 스크라이버(145)를 직접 접촉시켜 스크라이빙 공정을 수행하지 않기 때문에 금속 분말이 스크라이빙용 팁에 묻지 않아 스크라이빙 하려는 부분에 가해지는 힘을 분산시키지 않으므로 용이하게 스크라이빙 공정을 수행할 수 있게 된다.
이어서, 상기 사파이어 기판(110)의 연마된 면의 상부에 반도체 레이저 다이오드 구조물을 스템 또는 서브 마운트에 접합시키기 위한 금속층(150)을 형성한다(도 3g).
여기서, 금속층(150)은 상기 정렬 지그용 패턴(140)의 두께(c)와 동일한 두께로 형성된다. 상기 금속층(150)은 반도체 레이저 다이오드 구조물을 상기 스템 또는 서브 마운트에 접합시키기 위하여 형성하는 것이기 때문에 너무 두껍게 형성할 필요는 없으며, 100 ~ 1000 Å의 두께를 가지고 형성되는 것이 바람직하다.
다음으로, 상기 정렬용 지그 패턴(140)을 떼어낸 후, 상기 금속층(150) 상부에 블루 테이프(160) 부착하고 팽창(Expansion) 공정을 수행하여 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(120)을 각각 별개의 반도체 레이저 다이오드(171)(172)(173)(174)(175)(176)(177)(178)(179)로 분리시킨다(도 3h).
여기서, 상기 금속층(150)은 얇은 두께를 가지고 형성되기 때문에 상기 팽창공정을 수행하여 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(120)을 각각 별개의 반도체 레이저 다이오드로 분리시키는데 큰 영향을 주지 않는다.
이와 같이, 상기 금속층(150)을 스크라이빙 공정 후에 형성하게 되면, 상기 금속층(150)을 상기 별개의 반도체 레이저 다이오드(171)(172)(173)(174)(175)(176)(177)(178)(179)에 각각 형성하기 위한 포토 마스크(Photo Mask) 공정을 생략할 수 있으므로 제조 공정이 간단해지고 제조 원가를 절감할 수 있다.
도 4는 도 3e에 있어서, 정렬 지그용 패턴을 장착한 모습을 나타낸 평면도이다. 이에 도시된 바와 같이, 홀더(200)가 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(미도시) 하부에 형성되어 있으며, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(미도시)의 상부에 형성된 사파이어 기판(210) 상에는 정렬 지그용 패턴(220)이 장착되어 있다.
여기서, 상기 홀더(200)는 격자 상수 및 열 팽창 계수의 차이로 휘어져 있는 상기 사파이어 기판(210) 및 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층(미도시)을 평평하게 유지하는 기능을 한다.
상기 정렬 지그용 패턴(220)은 상기 사파이어 기판(210)의 양 끝단에 상호 대칭적으로 형성되어 있으며, 각 패턴은 스크라이빙 용 팁이 지나갈 간격 즉, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들 각각의 에피층 사이에 해당하는 영역과 같은 간격(a)을 두고 상호 이격되어 형성되어 있고, 각 반도체 레이저 다이오드의 에피층의 폭과 같은 폭(b)을 가지고 형성되어 있다.
상기 사파이어 기판(210)의 상부에 상기 정렬 지그용 패턴(220)을 장착할 때, 얼라인 키(Align-Key)를 사용하면 쉽게 정렬을 맞출 수 있다.
즉, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 상기 사파이어 기판 (210) 상에 형성할 때, 상기 사파이어 기판(210)의 각 모서리에 해당하는 부분에 얼라인 키를 형성하여 두고, 상기 정렬 지그용 패턴(220)의 상기 사파이어 기판(210)의 각 모서리 부분에 해당하는 부분에 또 다른 얼라인 키를 형성한 후, 이를 장착하면 쉽게 정렬을 맞출 수 있게 된다.
본 발명에서는 이와 같은 정렬 지그용 패턴(220)을 이용하여 스크라이빙 및 브레이킹 공정을 수행하게 되는데, 이 경우 스크라이빙 할 방향을 쉽게 찾을 수 있어 용이하게 공정을 수행할 수 있고, 상기 정렬 지그용 패턴(220)은 스크라이빙 및 브레이킹 공정시 계속 사용이 가능하다는 장점이 있다.
한편, 상기에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있다.
본 발명에 의하면, 상기 사파이어 기판의 연마된 면에 금속층을 형성하기 전에 정렬 지그용 패턴을 이용하여 스크라이빙함으로써, 금속층이 불투명하기 때문에 스크라이빙하는 방향을 얼라인 하기 어려워 스크라이빙 과정 중에 수시로 얼라인 여부를 확인하던 번거로움을 피할 수 있는 반면, 스크라이빙하는 방향을 정확히 정렬시킬 수 있게 된다.
그리고, 종전과 같이 금속층에 스크라이버를 직접 접촉시켜 스크라이빙 공정 을 수행하지 않기 때문에 금속 분말이 스크라이빙용 팁에 묻지 않아 스크라이빙 하려는 부분에 가해지는 힘을 분산시키지 않으므로 용이하게 스크라이빙 공정을 수행할 수 있으며, 양호한 반도체 레이저 다이오드의 벽개면을 얻을 수 있게 된다.
또한, 상기 정렬 지그용 패턴은 스크라이빙 공정시 계속하여 사용할 수 있으므로 제조 원가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
게다가, 상기 금속층을 스크라이빙 공정 후에 형성하게 되면, 상기 금속층을 별개의 반도체 레이저 다이오드에 각각 형성하기 위한 포토 마스크(Photo Mask) 공정을 생략할 수 있으므로 제조 공정이 간단해지고 제조 원가를 절감할 수 있게 된다.

Claims (7)

  1. 사파이어 기판의 일면에 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 형성하는 단계;
    상기 기판 이면의 일 끝단에 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들 각각의 에피층 사이에 해당하는 영역을 노출시키는 정렬 지그(Align-Zig)용 패턴을 장착하는 단계;
    상기 정렬 지그용 패턴에 의해 노출된 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들 각각의 에피층 사이에 해당하는 영역을 스크라이빙하는 단계;
    상기 기판의 이면에 금속층을 형성하는 단계; 및
    상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 각각의 개별 소자로 분리하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 형성한 후, 상기 기판의 이면에 연마 공정을 수행하여 기판의 일부를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 형성한 후, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드에 홀더(Holder)를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 정렬 지그용 패턴은 상기 기판 이면의 다른 끝단에 더 형성되어 상호 대칭적으로 장착되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 정렬 지그용 패턴은 스트레인리스 스틸(Strainless Steel)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 금속층은 상기 정렬 지그용 패턴의 두께와 동일한 두께를 가지고 형성되되, 100 ~ 1000 Å의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 복수의 반도체 레이저 다이오드들의 에피층을 각각의 개별 소자로 분리하는 단계는,
    상기 금속층 상부에 블루 테이프(Blue Tape)를 부착한 후, 팽창(Expansion) 공정을 수행하여 분리시키는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 스크라이빙 방법.
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