JP2017059731A

JP2017059731A - サーミスタ及び電子機器

Info

Publication number: JP2017059731A
Application number: JP2015184593A
Authority: JP
Inventors: 勝己谷口; Katsumi Taniguchi
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2015-09-18
Filing date: 2015-09-18
Publication date: 2017-03-23
Also published as: CN206038181U

Abstract

【課題】簡単な構造により外部回路と接続可能なサーミスタ及び電子機器を提供することである。
【解決手段】本発明に係るサーミスタは、可撓性を有する素体と、前記素体に設けられている線状の信号線路と、を備えており、前記信号線路は、前記信号線路と外部回路との接続に用いられる第１の接続部及び第２の接続部と、前記第１の接続部と前記第２の接続部との間においてこの順に直列に電気的に接続されている第１の引き回し部及びセンシング部と、を含んでおり、前記センシング部の線幅の平均値は、前記第１の引き回し部の線幅の平均値よりも小さいこと、を特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、可撓性を有する素体を備えたサーミスタ及び電子機器に関する。

従来のサーミスタに関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の電池装置が知られている。図９は、特許文献１に記載の電池装置５００及び機器５０９の断面構造図である。

電池装置５００は、図９に示すように、電池本体５０２、基板５０３、サーミスタ５０４及びスルーホール５１１を備えている。電池本体５０２は直方体状をなしている。基板５０３は、電池本体５０２の上面に設けられている。サーミスタ５０４は、基板５０３の上面に設けられており、例えば、蛇行形状をなす線状の導体層である。サーミスタ５０４は、電池本体５０２の温度を測定するために設けられている。スルーホール５１１は、基板５０３を上下方向に貫通しており、サーミスタ５０４の一端と電池本体５０２とを接続している。機器５０９には、電池装置５００が取り付けられ、サーミスタ５０４の他端に接続される接点５１０が設けられている。

ところで、特許文献１に記載の電池装置５００では、サーミスタ５０４は、サーミスタ５０４の直上に設けられた機器５０９と接点５１０により接続されている。ただし、サーミスタ５０４の一端と電池装置５００から離れた位置にある回路基板とを接続するためには、接点５１０ではなく、サーミスタ５０４と回路基板とを接続する配線が必要になる。しかしながら、電池装置５００では、比較的に硬い基板５０３にサーミスタ５０４が形成されている。従って、基板５０３に例えばコネクタのような接続部材を配置して、該接続部材に配線を接続する必要がある。その結果、電池装置５００では、配線の接続に接続部材のような部品が必要となり、構造が複雑になる。

特開２００３−３３１９２６号公報

そこで、本発明の目的は、簡単な構造により外部回路と接続可能なサーミスタ及び電子機器を提供することである。

本発明の一形態に係るサーミスタは、可撓性を有する素体と、前記素体に設けられている線状の信号線路と、を備えており、前記信号線路は、前記信号線路と外部回路との接続に用いられる第１の接続部及び第２の接続部と、前記第１の接続部と前記第２の接続部との間においてこの順に直列に電気的に接続されている第１の引き回し部及びセンシング部と、を含んでおり、前記センシング部の線幅の平均値は、前記第１の引き回し部の線幅の平均値よりも小さいこと、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子機器は、サーミスタと、物品と、を備えており、前記サーミスタは、可撓性を有する素体と、前記素体に設けられている線状の信号線路と、を備えており、前記信号線路は、前記信号線路と外部回路との接続に用いられる第１の接続部及び第２の接続部と、前記第１の接続部と前記第２の接続部との間においてこの順に直列に電気的に接続されている第１の引き回し部及びセンシング部と、を含んでおり、前記センシング部は、前記物品の温度を測定できる位置に配置され、前記センシング部の線幅の平均値は、前記第１の引き回し部の線幅の平均値よりも小さいこと、を特徴とする。

本発明によれば、簡単な構造によりサーミスタと外部回路とを接続できる。

サーミスタ１０の外観斜視図である。図１のサーミスタ１０の素体１２の分解斜視図である。電子機器２００を前側から透視した図である。電子機器２００を上側から透視した図である。電子機器２００内の回路の一部を抜き出した等価回路図である。サーミスタ１０ａの外観斜視図である。第１の変形例に係るサーミスタ１０ａの素体１２の分解斜視図である。第２の変形例に係るサーミスタ１０ｂの素体１２の分解斜視図である。電子機器２００ａを前側から透視した図である。電子機器２００ａを上側から透視した図である。その他の実施形態に係る電子機器２００ｂを上側から透視した図である。特許文献１に記載の電池装置５００及び機器５０９の断面構造図である。

以下に、本発明の実施形態に係るサーミスタ及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（サーミスタ及び電子機器の構成）
以下に、本発明の一実施形態に係るサーミスタ１０の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、サーミスタ１０の外観斜視図である。図２は、図１のサーミスタ１０の素体１２の分解斜視図である。図１及び図２において、サーミスタ１０の積層方向を上下方向と定義する。また、サーミスタ１０の長手方向を左右方向と定義し、上下方向及び左右方向に直交する方向を前後方向と定義する。

サーミスタ１０は、例えば、発熱する物品（以下、発熱体）の温度を測定するために携帯電話等の電子機器内に設けられる。サーミスタ１０は、図１及び図２に示すように、素体１２、接着層１３、信号線路１８及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

素体１２は、角張ったＵ字型をなす可撓性の帯状部材であり、誘電体層１４及び保護層１５を含んでいる。誘電体層１４は、上側から見たときに、素体１２と同じように、角張ったＵ字型をなす可撓性の帯状部材である。誘電体層１４は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。以下では、素体１２及び誘電体層１４の上側の主面を表面と呼び、素体１２及び誘電体層１４の下側の主面を裏面と呼ぶ。

信号線路１８は、図２に示すように、素体１２の表面上に設けられており、素体１２に沿って延在する線状の導体層である。従って、信号線路１８は、上側から見たときに、素体１２と同じように、角張ったＵ字型をなしている。信号線路１８は、銅や銀等の金属箔であり、素体１２の表面に張り付けられている。また、信号線路１８は、引き回し部２０ａ，２０ｂ、センシング部２２及び接続部２４ａ，２４ｂを含んでいる。

接続部２４ａ（第１の接続部の一例）は、矩形状をなしており、素体１２の表面において左後ろ側の端部に設けられている。接続部２４ａは、信号線路１８の左後ろ側の端部を構成しており、外部回路との接続に用いられる。接続部２４ｂ（第２の接続部の一例）は、矩形状をなしており、素体１２の表面において左前側の端部に設けられている。接続部２４ｂは、信号線路１８の左前側の端部を構成しており、外部回路との接続に用いられる。接続部２４ａ，２４ｂの表面には、金めっき等が施される。

引き回し部２０ａ、センシング部２２及び引き回し部２０ｂは、接続部２４ａと接続部２４ｂとの間においてこの順に直列に接続されている。引き回し部２０ａ（第１の引き回し部の一例）は、接続部２４ａから右方向に向かって延在した後、前側に折れ曲っている。引き回し部２０ａの線幅の平均値は、線幅Ｗ１である。線幅とは、上側から見たときに、信号線路１８の延在方向に直交する方向における信号線路１８の大きさである。なお、引き回し部２０ａは、図２に示すように、実質的に均一な線幅を有している。

引き回し部２０ｂは、接続部２４ｂから右方向に向かって延在した後、後ろ側に折れ曲っている。引き回し部２０ｂの線幅の平均値は、線幅Ｗ１である。なお、引き回し部２０ｂは、図２に示すように、実質的に均一な線幅を有している。

センシング部２２は、発熱体の温度を測定するために設けられており、ミアンダ形状をなしている。より詳細には、センシング部２２は、後ろ側から前側へと進行しながら、左右方向に往復するように蛇行している。センシング部２２の後ろ側の端部は、引き回し部２０ａの右前側の端部に接続されている。センシング部２２の前側の端部は、引き回し部２０ｂの右後ろ側の端部に接続されている。センシング部２２の線幅の平均値は、線幅Ｗ２である。線幅Ｗ２は、線幅Ｗ１よりも小さい。なお、センシング部２２は、図２に示すように、実質的に均一な線幅を有している。

以上のように、センシング部２２をミアンダ形状とすることにより、センシング部２２の長さを長くすることができる。更に、センシング部２２の線幅を引き回し部２０ａ，２０ｂの線幅よりも小さくすることにより、センシング部２２の単位長さ当たりの抵抗値が大きくなる。その結果、センシング部２２の抵抗値が引き回し部２０ａ，２０ｂの抵抗値よりも大きくなる。このように、センシング部２２の抵抗値が大きくなれば、センシング部２２の温度変化によるセンシング部２２の抵抗値の変動量も大きくなる。これにより、温度変化をより正確に検知できるようになる。

ところで、素体１２は、区間Ａ１〜Ａ５を含んでいる。区間Ａ１（第１の区間の一例）は、引き回し部２０ａが設けられている区間であり、右側に向かって延在した後に前側に向かって折れ曲がったＬ字型をなしている。区間Ａ４（第３の区間の一例）は、接続部２４ａが設けられている区間であり、区間Ａ１の左側の端部に接続されている。区間Ａ３は、引き回し部２０ｂが設けられている区間であり、右側に向かって延在した後に後ろ側に向かって折れ曲がったＬ字型をなしている。区間Ａ５は、接続部２４ｂが設けられている区間であり、区間Ａ３の左側の端部に接続されている。

区間Ａ２（第２の区間の一例）は、センシング部２２が設けられている区間であり、矩形状をなしている。区間Ａ２の後ろ側の端部は、区間Ａ１の右前側の端部に接続されている。区間Ａ２の前側の端部は、区間Ａ３の右後ろ側の端部に接続されている。

ここで、区間Ａ１，Ａ３の幅の平均値は、区間Ａ２の幅の平均値よりも小さくなっている。これにより、区間Ａ１，Ａ３は、区間Ａ２よりも変形しやすい。区間Ａ１〜Ａ３の幅とは、上側から見たときに、区間Ａ１〜Ａ３の延在方向に直交する方向における区間Ａ１〜Ａ３の大きさである。

保護層１５は、図１に示すように、素体１２の表面の略全面を覆うことにより、信号線路１８を保護している。ただし、接続部２４ａ，２４ｂ及びその近傍は、保護層１５により覆われていない。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂により構成されている。

コネクタ１００ａは、区間Ａ４に実装され、接続部２４ａに接続されている。より詳細には、コネクタ１００ａの下面には、図示しない外部電極が設けられている。外部電極は、はんだ等により接続部２４ａに固定される。また、コネクタ１００ａの上面には、外部電極と電気的に接続されている外部端子（図示せず）が設けられている。

コネクタ１００ｂは、区間Ａ５に実装され、接続部２４ｂに接続されている。コネクタ１００ｂの構造は、コネクタ１００ａの構造と同じであるので、説明を省略する。

接着層１３（固定部の一例）は、区間Ａ２と発熱体との相対位置を固定するための部材であり、薄い接着剤の層である。本実施形態では、接着層１３は、区間Ａ２の表面に設けられており、区間Ａ２を発熱体に対して貼り付けて固定する役割を果たす。

次に、サーミスタ１０を備える電子機器２００の構成について説明する。図３Ａは、電子機器２００を前側から透視した図である。図３Ｂは、電子機器２００を上側から透視した図である。図４は、電子機器２００内の回路の一部を抜き出した等価回路図である。

電子機器２００は、サーミスタ１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ（レセプタクル２０４ｂについてはレセプタクル２０４ａに隠れているため図示せず）、バッテリーパック（物品の一例）２０６及び筐体２１０を備えている。

筐体２１０は、サーミスタ１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ及びバッテリーパック２０６を収容している。回路基板２０２ａには、Ａ／Ｄコンバータ２０７、抵抗器２０８及びプロセッサ２０９が実装されている。本実施形態において、回路基板２０２ｂの構成は重要ではないので説明を省略する。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。バッテリーパック２０６は、回路基板２０２ａ，２０２ｂに対して電力を供給する電源であり、使用時に発熱する発熱体である。以上のような回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、左側から右側へとこの順に並んでいる。ただし、バッテリーパック２０６の上面は、回路基板２０２ａ，２０２ｂの上面よりも上側に位置している。

レセプタクル２０４ａ，２０４ｂは、回路基板２０２ａの上側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。そのため、サーミスタ１０は、表面が下側を向いた状態で用いられる。

ここで、サーミスタ１０は、図３Ａに示すように、区間Ａ１，Ａ３において折り曲げられている。これにより、サーミスタ１０は、バッテリーパック２０６の上面及び左面に沿っている。更に、サーミスタ１０の区間Ａ２は、接着層１３によりバッテリーパック２０６の表面に貼り付けられている。

以上のような電子機器２００には、図４に示す回路が含まれている。具体的には、バッテリーパック（給電部）２０６と抵抗器２０８とサーミスタ１０とがグランド間にこの順に直列に接続されている。また、Ａ／Ｄコンバータ２０７の入力側の端子は、抵抗器２０８とサーミスタ１０との間に接続されている。Ａ／Ｄコンバータ２０７の出力側の端子は、プロセッサ２０９に接続されている。

次に、図４に示す回路の動作について説明する。抵抗器２０８及びサーミスタ１０にはバッテリーパック２０６により電圧が印加されている。バッテリーパック２０６の電源電圧をＶ０とし、抵抗器２０８に印加されている電圧をＶ１とし、サーミスタ１０に印加されている電圧をＶ２とする。このとき、Ｖ０＝Ｖ１＋Ｖ２が成立する。Ａ／Ｄコンバータ２０７は、サーミスタ１０に印加されている電圧Ｖ２をデジタル信号に変換して、プロセッサ２０９に出力する。

ここで、バッテリーパック２０６の温度が上昇すると、サーミスタ１０の抵抗値が上昇する。そのため、Ｖ２が高くなり、Ｖ１が低くなる。よって、Ａ／Ｄコンバータ２０７からプロセッサ２０９に出力されるデジタル信号の値も大きくなる。プロセッサ２０９は、デジタル信号の値に基づいて、電子機器２００内の各部の動作を制御する。例えば、プロセッサ２０９は、デジタル信号の値が所定値よりも大きくなった場合には、プロセッサ２０９の処理速度を低下させ、それ以上バッテリーパック２０６の温度が上昇することを抑制する。

（高周波信号線路の製造方法）
以下に、サーミスタ１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つのサーミスタ１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電層が積層及びカットされることにより、同時に複数のサーミスタ１０が作製される。

まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体層１４を準備する。誘電体層１４の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。誘電体層１４は、例えば、液晶ポリマーである。

次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号線路１８を誘電体層１４の表面に形成する。具体的には、誘電体層１４の銅箔上に、図２に示す信号線路１８と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、信号線路１８が誘電体層１４の表面に形成される。

次に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体層１４上に保護層１５を形成する。更に、区間Ａ２の表面に接着層１３を貼り付ける。最後に、コネクタ１００ａ，１００ｂをそれぞれ区間Ａ４，Ａ５上にはんだにより実装する。これにより、図１に示すサーミスタ１０が得られる。

（効果）
以上のように構成されたサーミスタ１０によれば、簡単な構造により回路基板２０２ａとサーミスタ１０とを接続できる。より詳細には、サーミスタ１０は、引き回し部２０ａ，２０ｂ、センシング部２２及び接続部２４ａ，２４ｂを含む信号線路１８を備えている。センシング部２２は、サーミスタ１０における温度測定部である。そのため、センシング部２２が設けられている区間Ａ２は、バッテリーパック２０６に固定される。引き回し部２０ａ，２０ｂはそれぞれ、センシング部２２の後端及び前端から左側に向かって延在している。よって、センシング部２２が設けられている区間Ａ２をバッテリーパック２０６に固定した状態で、引き回し部２０ａ，２０ｂのそれぞれが設けられた区間Ａ１，Ａ３をバッテリーパック２０６の左側に引き出すことができる。そのため、バッテリーパック２０６の左側に位置する回路基板２０２ａに接続部２４ａ，２４ｂを接続することができる。

以上のように、サーミスタ１０には、センシング部２２が設けられた区間Ａ２と、引き回し部２０ａ，２０ｂが設けられた区間Ａ１，Ａ３とが直接に接続されており、これらの間に別の接続部材が存在しない。そのため、センシング部２２をセンシング部２２から離れた位置にある回路基板２０２ａと接続する場合に、区間Ａ２に別の接続部材を実装して配線を接続する必要がない。よって、サーミスタ１０によれば、簡単な構造により回路基板２０２ａとサーミスタ１０とを接続できる。

また、サーミスタ１０では、センシング部２２の線幅の平均値である線幅Ｗ２は、引き回し部２０ａ，２０ｂの線幅の平均値である線幅Ｗ１よりも小さい。これにより、バッテリーパック２０６などの物品の温度変化による抵抗値の変化を大きくすることができる。これにより、精度の高い温度検知が可能となる。

また、サーミスタ１０では、引き回し部２０ａ，２０ｂの線幅の平均値である線幅Ｗ１は、センシング部２２の線幅の平均値である線幅Ｗ２よりも大きい。これにより、引き回し部２０ａ，２０ｂの抵抗値が低減され、サーミスタ１０の抵抗値が低減される。さらに引き回し部２０ａ，２０ｂが物品に接触または近接したとしても引き回し部２０ａ，２０ｂにおいて抵抗値が変化して測定結果に影響を及ぼすことが抑制できる。これにより、精度の高い温度検知が可能となる。

また、サーミスタ１０では、区間Ａ１，Ａ３の幅の平均値は、区間Ａ２の幅の平均値よりも小さくなっている。これにより、区間Ａ１，Ａ３が相対的に変形しやすくなり、区間Ａ２が相対的に変形しにくくなる。区間Ａ１，Ａ３が相対的に変形しやすくなることによって、区間Ａ１，Ａ３を折り曲げてバッテリーパック２０６の上面及び左面に沿わせることが容易となる。また、区間Ａ２が相対的に変形しにくくなることによって、区間Ａ２が反ってバッテリーパック２０６からはがれることが抑制される。

また、サーミスタ１０では、区間Ａ１，Ａ３には、直線状をなす引き回し部２０ａ，２０ｂが設けられ、区間Ａ２には、ミアンダ状をなすセンシング部２２が設けられている。そのため、区間Ａ２の単位長さあたりに占める導体の面積の割合は、区間Ａ１，Ａ３の単位長さあたりに占める導体の面積の割合よりも高くなる。これにより、区間Ａ２は、区間Ａ１，Ａ３よりも変形しにくくなる。よって、区間Ａ２が相対的に変形しにくくなることによって、区間Ａ２が反ってバッテリーパック２０６からはがれることがより抑制される。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係るサーミスタ１０ａの構造について図面を参照しながら説明する。図５Ａは、第１の変形例に係るサーミスタ１０ａの外観斜視図である。図５Ｂは、第１の変形例に係るサーミスタ１０ａの素体１２の分解斜視図である。

サーミスタ１０ａは、区間Ａ２の構造においてサーミスタ１０と相違する。以下に、かかる相違点を中心にサーミスタ１０ａについて説明する。

区間Ａ１，Ａ３〜Ａ５は、１層の誘電体層１４（第１の絶縁体層の一例）により構成されている。一方、区間Ａ２は、複数の誘電体層１４，１４ａ〜１４ｃ（複数の第２の絶縁体層の一例）が積層されることにより構成されている。

センシング部２２は、部分２２ａ〜２２ｄ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ４を含んでいる。部分２２ａ〜２２ｄはそれぞれ、ミアンダ形状をなす線状の導体層であり、誘電体層１４，１４ａ〜１４ｃの表面に設けられている。より詳細には、部分２２ａ，２２ｃは、後ろ側から前側へと進行しながら、左右方向に往復するように蛇行している。部分２２ｂ，２２ｄは、右側から左側へと進行しながら前後方向に往復するように蛇行している。ただし、部分２２ｄは、部分２２ｂの左側の端部に相当する位置から誘電体層１４ｃの後ろ側の辺の中央近傍まで引き出されている。部分２２ｄにおいて引き出されている端部を一端と呼び、残りの端部を他端と呼ぶ。これにより、部分２２ｄの一端と引き回し部２０ａの右前側の端部とが重なっている。

また、部分２２ｄの他端は、部分２２ｃの後ろ側の端部と重なっている。部分２２ｃの前側の端部は、部分２２ｂの左側の端部と重なっている。部分２２ｂの右側の端部は、部分２２ａの後ろ側の端部と重なっている。

ビアホール導体ｖ１は、誘電体層１４，１４ａ，１４ｂを上下方向に貫通しており、引き回し部２０ａの右前側の端部と部分２２ｄの一端とを接続している。ビアホール導体ｖ２は、誘電体層１４ｂを上下方向に貫通しており、部分２２ｄの他端と部分２２ｃの後ろ側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、誘電体層１４ａを上下方向に貫通しており、部分２２ｃの前側の端部と部分２２ｂの左側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ４は、誘電体層１４を上下方向に貫通しており、部分２２ｂの右側の端部と部分２２ａの後ろ側の端部とを接続している。

また、部分２２ａの前側の端部は、引き回し部２０ｂの右後ろ側の端部と接続されている。これにより、引き回し部２０ａの右前側の端部と引き回し部２０ｂの右後ろ側の端部との間において、ビアホール導体ｖ１、部分２２ｄ、ビアホール導体ｖ２、部分２２ｃ、ビアホール導体ｖ３、部分２２ｂ、ビアホール導体ｖ１、部分２２ａの順に直列に接続される。

以上のように構成されたサーミスタ１０ａは、サーミスタ１０と同じ作用効果を奏することができる。

また、サーミスタ１０ａでは、区間Ａ２は、複数の誘電体層１４，１４ａ〜１４ｃ（第２の絶縁体層の一例）が積層されることにより構成されている。これにより、区間Ａ２がより変形しにくくなる。

また、サーミスタ１０ａでは、部分２２ａ〜２２ｄが区間Ａ２において上下方向に重なるように配置されている。これにより、区間Ａ２がより変形しにくくなる。

また、サーミスタ１０ａでは、部分２２ａ〜２２ｄ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ４が直列に接続されてセンシング部２２が構成されている。これにより、センシング部２２が長くなるので、センシング部２２の抵抗値を大きくすることができる。これにより、精度の高い温度検知が可能となる。

なお、サーミスタ１０ａにおいて、区間Ａ１，Ａ３〜Ａ５は、複数の誘電体層が積層されることにより構成されていてもよい。ただし、区間Ａ１，Ａ３〜Ａ５における誘電体層の層数は、区間Ａ２における誘電体層の層数よりも少ないことが好ましい。これにより、区間Ａ１，Ａ３〜Ａ５が区間Ａ２よりも変形しやすくなる。

（第２の変形例）
以下、第２の変形例に係るサーミスタ１０ｂの構造について図面を参照しながら説明する。図６は、第２の変形例に係るサーミスタ１０ｂの素体１２の分解斜視図である。

サーミスタ１０ｂは、素体１２の形状においてサーミスタ１０と相違する。より詳細には、サーミスタ１０は、角張ったＵ字型をなしている。一方、サーミスタ１０ｂは、図６に示すように、左右に延在する直線状をなしている。このようなサーミスタ１０ｂは、以下に説明するように、２つの回路基板を接続するのに適している。

次に、サーミスタ１０ｂを備える電子機器２００ａの構成について説明する。図７Ａは、電子機器２００ａを前側から透視した図である。図７Ｂは、電子機器２００ａを上側から透視した図である。

電子機器２００ａでは、レセプタクル２０４ｂは、回路基板２０２ｂの上側の主面上に設けられている。これにより、サーミスタ１０ｂは、回路基板２０２ａと回路基板２０２ｂとを電気的に接続する。

以上のように構成されたサーミスタ１０ｂは、サーミスタ１０と同じ作用効果を奏することができる。

また、サーミスタ１０ｂは２つの回路基板２０２ａ，２０２ｂを接続するためのケーブル部材としての機能を持たせることができる。

（その他の実施形態）
本発明に係るサーミスタは、前記サーミスタ１０，１０ａ，１０ｂに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。

なお、サーミスタ１０，１０ａ，１０ｂの構成を任意に組み合わせてもよい。

なお、センシング部２２及び部分２２ａ〜２２ｄは、ミアンダ形状をなしているが、渦巻形状等の他の形状をなしていてもよい。

なお、サーミスタ１０，１０ａ，１０ｂでは、区間Ａ２（センシング部２２）は、区間Ａ２の表面に設けられた接着層１３により、バッテリーパック２０６に固定されている。しかしながら、区間Ａ２（センシング部２２）の固定方法はこれに限らない。図８は、その他の実施形態に係る電子機器２００ｂを上側から透視した図である。

図８に示すように、区間Ａ２及びバッテリーパック２０６の上面を跨ぐように粘着テープ１３ａが貼り付けられることにより、区間Ａ２（センシング部２２）がバッテリーパック２０６に固定されてもよい。

また、区間Ａ２の近傍が接着層１３や粘着テープ１３ａ等によりバッテリーパック２０６に固定されることにより、区間Ａ２（センシング部２２）がバッテリーパック２０６に固定されてもよい。すなわち、区間Ａ２が固定されるとは、区間Ａ２が接着層１３や粘着テープ１３ａ等の固定部によりバッテリーパック２０６に直接に固定される場合、及び、区間Ａ２の近傍が接着層１３や粘着テープ１３ａ等によりバッテリーパック２０６に固定されることにより、区間Ａ２がバッテリーパック２０６に対して動かなくなる場合の両方の意味を含む。

また、区間Ａ２（センシング部２２）は、バッテリーパック２０６に固定されなくてもよく、バッテリーパック２０６の温度をセンシング部２２が測定できるように筐体２１０内のいずれかの位置に固定（配置）されればよい。従って、区間Ａ２（センシング部２２）は、バッテリーパック２０６の近傍において筐体２１０に固定されてもよい。

また、センシング部２２が温度を測定する発熱体は、バッテリーパック２０６以外であってもよく、例えば、ＩＣ、回路基板等であってもよい。

以上のように、本発明は、サーミスタ及び電子機器に有用であり、特に、簡単な構造によりサーミスタと外部回路とを接続できる点において優れている。

１０，１０ａ，１０ｂ：サーミスタ
１２：素体
１３：接着層
１３ａ：粘着テープ
１４，１４ａ〜１４ｃ：誘電体層
１５：保護層
１８：信号線路
２０ａ，２０ｂ：引き回し部
２２：センシング部
２２ａ〜２２ｄ：部分
２４ａ，２４ｂ：接続部
１００ａ，１００ｂ：コネクタ
２００，２００ａ，２００ｂ：電子機器
２０２ａ，２０２ｂ：回路基板
２０６：バッテリーパック
２０７：Ａ／Ｄコンバータ
２０８：抵抗器
２０９：プロセッサ
２１０：筐体
Ａ１〜Ａ５：区間

Claims

可撓性を有する素体と、
前記素体に設けられている線状の信号線路と、
を備えており、
前記信号線路は、
前記信号線路と外部回路との接続に用いられる第１の接続部及び第２の接続部と、
前記第１の接続部と前記第２の接続部との間においてこの順に直列に電気的に接続されている第１の引き回し部及びセンシング部と、
を含んでおり、
前記センシング部の線幅の平均値は、前記第１の引き回し部の線幅の平均値よりも小さいこと、
を特徴とするサーミスタ。
前記センシング部は、物品の温度を測定するために設けられていること、
を特徴とする請求項１に記載のサーミスタ。
前記センシング部の抵抗値は、前記第１の引き回し部の抵抗値よりも大きいこと、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のサーミスタ。
前記素体は、帯状をなしており、
前記素体は、
前記第１の引き回し部が設けられている第１の区間と、
前記センシング部が設けられている第２の区間と、
を含んでいること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のサーミスタ。
前記センシング部は、物品の温度を測定するために設けられており、
前記サーミスタは、
前記第２の区間と前記物品との相対位置を固定するための固定部を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項４に記載のサーミスタ。
前記第１の区間は、前記第２の区間よりも変形しやすいこと、
を特徴とする請求項４又は請求項５のいずれかに記載のサーミスタ。
前記第１の区間の幅の平均値は、前記第２の区間の幅の平均値よりも小さいこと、
を特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれかに記載のサーミスタ。
前記第２の区間は、複数の第２の絶縁体層が積層されることにより構成されており、
前記センシング部は、前記複数の第２の絶縁体層のそれぞれに設けられていること、
を特徴とする請求項４ないし請求項７のいずれかに記載のサーミスタ。
前記第１の区間は、１以上の第１の絶縁体層が積層されることにより構成されており、
前記第１の絶縁体層の層数は、前記第２の絶縁体層の層数よりも少ないこと、
を特徴とする請求項８に記載のサーミスタ。
前記第１の区間において折り曲げられていること、
を特徴とする請求項４ないし請求項９のいずれかに記載のサーミスタ。
前記素体は、
前記第１の接続部が設けられている第３の区間を、
更に含んでおり、
前記サーミスタは、
前記第３の区間に実装され、前記第１の接続部に接続されているコネクタを、
更に備えていること、
を特徴とする請求項４ないし請求項１０のいずれかに記載のサーミスタ。
サーミスタと、
物品と、
を備えており、
前記サーミスタは、
可撓性を有する素体と、
前記素体に設けられている線状の信号線路と、
を備えており、
前記信号線路は、
前記信号線路と外部回路との接続に用いられる第１の接続部及び第２の接続部と、
前記第１の接続部と前記第２の接続部との間においてこの順に直列に電気的に接続されている第１の引き回し部及びセンシング部と、
を含んでおり、
前記センシング部は、前記物品の温度を測定できる位置に配置され、
前記センシング部の線幅の平均値は、前記第１の引き回し部の線幅の平均値よりも小さいこと、
を特徴とする電子機器。
前記電子機器は、
固定部を、
更に備えており、
前記素体は、
前記第１の引き回し部が設けられている第１の区間と、
前記センシング部が設けられている第２の区間と、
を含んでおり、
前記固定部は、前記センシング部が前記物品の温度を測定できるように、前記第２の区間と前記物品との相対位置を固定していること、
を特徴とする請求項１２に記載の電子機器。