JP2017045492A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体記憶装置1は、選択トランジスタST1の一端に接続されたビット線BLと、選択トランジスタST2の一端に接続されたソース線CELSRCと、ウェルに接続されたウェル線CPWELLと、選択トランジスタST1、ST2、及びメモリセルトランジスタMTのゲートにそれぞれ接続された選択線SGD、SGS、及びワード線WLと、選択トランジスタST1の書き込み動作を行う制御回路14とを備え、前記書き込み動作において、選択線SGDにVpgmが印加される前に前記ビット線のプリチャージ動作が行われ、プリチャージ動作において、ワード線WL及び選択線SGSにVuselが印加され、ソース線CELSRC及びウェル線CPWELLにVuselより高いVblhが印加され前記第1選択線にVblhより低いVgが印加される。
【選択図】図11
Description
第1実施形態に係る半導体記憶装置1は、ウェル線CPWELLから供給されたキャリアによって書き込み禁止のビット線BLの充電を行い、フルページで選択トランジスタST1の書き込みを行う。
[1−1−1]全体構成
図1を用いて、半導体記憶装置1の全体構成について説明する。
半導体記憶装置1は、メモリセルアレイ10、ロウデコーダ(R/D)11、センスアンプモジュール12、ドライバ13、シーケンサ(コントローラ)14、レジスタ15、及び入出力回路(I/O)16を備えている。
図2を用いて、半導体記憶装置1の備えるメモリセルアレイ10の回路構成について説明する。
図4を用いて、半導体記憶装置1の備えるセンスアンプモジュール12の回路構成について説明する。
[1−2−1]選択トランジスタST1
図5〜7を用いて、選択トランジスタST1の動作について説明する。図5〜7は、1つの選択トランジスタST1におけるキャリアの挙動を示している。以下の説明において、選択トランジスタST1のゲートには電圧Vgが印加され、ビット線BLにはビット線電圧Vblが印加され、ウェル線CPWELLにはウェル電圧Vcwが印加されている。尚、以下の説明は、メモリセルトランジスタMT及び選択トランジスタST2についても同様である。
Vg−Vbl<Vthn
Vg−Vcw>Vthp
Vthp+Vcw<Vg<Vthn+Vbl
また、選択トランジスタST1において、電子の閾値電圧Vthnと正孔の閾値電圧Vthpとの差を、Δnp=Vthn−Vthp>0Vとする。第1実施形態に係る書き込み動作において、Vblは例えば0Vに設定され、VcwはΔnp−Vcw>0を満たすように設定される。このとき、VthnとVgの関係は、以下の通りになる。
Vthn−Δnp+Vcw<Vg<Vthn
この数式は、以下の通りに変形することができる。
Vg<Vthn<Vg+Δnp−Vcw
つまり、選択トランジスタST1は、VthnがVg<Vthn<Vg+Δnp−Vcwの範囲内にあるとき電子及び正孔をオフする。
図9を用いて、第1実施形態に係る半導体記憶装置1の書き込み動作の全体の流れについて説明する。
半導体記憶装置1において、選択トランジスタST1は、メモリセルトランジスタMTと同様の構造となっている場合、書き込み及び消去によって閾値電圧を変化させることができる。このとき、半導体記憶装置1は、選択トランジスタST1に対して書き込み及びベリファイを行うことで、閾値分布を狭くすることができる。選択トランジスタST1の閾値分布が狭くなると、書き込みを行ったメモリセルトランジスタMTの閾値分布も狭くなるため、半導体記憶装置1の信頼性が向上する。
第2実施形態に係る半導体記憶装置1は、書き込み動作時に、Vgを最適値に設定するVgサーチ動作を行う。以下、第1実施形態と異なる点のみ説明する。
第3実施形態に係る半導体記憶装置1は、第1実施形態の書き込み動作に対して、ベリファイ動作を追加する。以下、第1実施形態と異なる点のみ説明する。
図15を用いて、第3実施形態に係る半導体記憶装置1の書き込み動作の全体の流れについて説明する。
半導体記憶装置1は、全てのビット線BLをフローティング状態にして、書き込み禁止のビット線BLだけに高い電圧を転送する場合、ビット線BL間のカップリングや、ビット線BL−ソース線CELSRC間のカップリングの影響により、書き込み対象のビット線BLがVssを維持できない場合がある。
第4実施形態に係る半導体記憶装置1は、第3実施形態の書き込み動作において、BL充電動作後に制御信号BLS、BLCの電圧をVssにする。
第5実施形態に係る半導体記憶装置1は、第3実施形態の書き込み動作において、BLプレ充放電動作からSGD書き込み動作にかけて、制御信号BLCの電圧をVblc_inhに維持する。
第6実施形態は、第1〜第5実施形態に係る半導体記憶装置1の書き込み動作を、メモリセルトランジスタMTに対して適用する。以下、第1実施形態の書き込み動作をメモリセルトランジスタMTに適用した場合を例に説明する。
第7実施形態に係る半導体記憶装置1は、セレクトゲート線SGSをストリングユニットSU毎に設け、さらに共通セレクトゲート線SGSBを備えている。この場合、第1〜第5実施形態に係る半導体記憶装置1における書き込み動作を、選択トランジスタST2に対しても行うことができる。以下、第7実施形態として、第1実施形態の書き込み動作を選択トランジスタST2に適用した場合を例に説明する。
(1)読み出し動作では、Aレベルの読み出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば0V〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1V〜0.24、0.21V〜0.31V、0.31V〜0.4V、0.4V〜0.5V、0.5V〜0.55Vのいずれかの間にしてもよい。
(2)書き込み動作は、上述したとおりプログラム動作とベリファイ動作を含む。書き込み動作では、プログラム動作時に選択されたワード線に最初に印加される電圧は、例えば13.7V〜14.3Vの間である。これに限定されることなく、例えば13.7V〜14.0V、14.0V〜14.6Vのいずれかの間としてもよい。
(3)消去動作では、半導体基板上部に形成され、かつ、上記メモリセルが上方に配置されたウェルに最初に印加する電圧は、例えば12V〜13.6Vの間である。この場合に限定されることなく、例えば13.6V〜14.8V、14.8V〜19.0V、19.0V〜19.8V、19.8V〜21Vの間であってもよい。
(4)メモリセルの構造は、半導体基板(シリコン基板)上に膜厚が4〜10nmのトンネル絶縁膜を介して配置された電荷蓄積層を有している。この電荷蓄積層は膜厚が2〜3nmのSiN、又はSiON等の絶縁膜と膜厚が3〜8nmのポリシリコンとの積層構造にすることができる。また、ポリシリコンにはRu等の金属が添加されていてもよい。電荷蓄積層の上には絶縁膜を有している。この絶縁膜は、例えば、膜厚が3〜10nmの下層High−k膜と膜厚が3〜10nmの上層High−k膜に挟まれた膜厚が4〜10nmのシリコン酸化膜を有している。High−k膜はHfO等が挙げられる。また、シリコン酸化膜の膜厚はHigh−k膜の膜厚よりも厚くすることができる。絶縁膜上には膜厚が3〜10nmの材料を介して膜厚が30nm〜70nmの制御電極が形成されている。ここで材料はTaO等の金属酸化膜、TaN等の金属窒化膜である。制御電極にはW等を用いることができる。
また、メモリセル間にはエアギャップを形成することができる。
Claims (9)
- ウェル上に形成され、第1選択トランジスタと、メモリセルトランジスタと、第2選択トランジスタとが直列に接続されたメモリストリングと、
前記第1選択トランジスタの一端に接続されたビット線と、
前記第2選択トランジスタの一端に接続されたソース線と、
前記ウェルに接続されたウェル線と、
前記第1選択トランジスタのゲートに接続された第1選択線と、
前記メモリセルトランジスタのゲートに接続されたワード線と、
前記第2選択トランジスタのゲートに接続された第2選択線と、
前記第1選択トランジスタの書き込み動作を行う制御回路と、
を備え、
前記書き込み動作において、前記第1選択線に書き込み電圧が印加される前に前記ビット線のプリチャージ動作が行われ、
前記プリチャージ動作において、
前記ワード線及び前記第2選択線に第1電圧が印加され、
前記ソース線及び前記ウェル線に前記第1電圧より高い第2電圧が印加され、
前記第1選択線に前記第1電圧より高い第3電圧が印加される
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - ウェル上に形成され、第1選択トランジスタと、メモリセルトランジスタと、第2選択トランジスタとが直列に接続されたメモリストリングと、
前記第1選択トランジスタの一端に接続されたビット線と、
前記第2選択トランジスタの一端に接続されたソース線と、
前記ウェルに接続されたウェル線と、
前記第1選択トランジスタのゲートに接続された第1選択線と、
前記メモリセルトランジスタのゲートに接続されたワード線と、
前記第2選択トランジスタのゲートに接続された第2選択線と、
前記メモリセルトランジスタの書き込み動作を行う制御回路と、
を備え、
前記書き込み動作において、前記ワード線に書き込み電圧が印加される前に前記ビット線のプリチャージ動作が行われ、
前記プリチャージ動作において、
前記第1選択線及び前記第2選択線に第1電圧が印加され、
前記ソース線及び前記ウェル線に前記第1電圧より高い第2電圧が印加され、
前記ワード線に前記第1電圧より高い第3電圧が印加される
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記ビット線に接続され、前記メモリセルトランジスタに保存されているデータをセンスするセンスアンプをさらに備え、
前記プリチャージ動作において、前記センスアンプ及び前記ビット線間は電気的に接続されていないことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記ビット線に接続され、前記メモリセルトランジスタに保存されているデータをセンスするセンスアンプをさらに備え、
前記制御回路は、ベリファイ動作をさらに行い、
前記プリチャージ動作において、
ベリファイ動作をパスした場合、前記センスアンプ及び前記ビット線間は電気的に接続されず、
ベリファイ動作がフェイルした場合、前記ビット線には前記センスアンプから接地電圧が印加される
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、前記書き込み動作の後に、前記第3電圧をインクリメントして、再度書き込み動作を実行することを特徴とする請求項3又は4に記載の半導体記憶装置。
- 前記第3電圧のインクリメントは複数回行われることを特徴とする請求項5に記載の半導体記憶装置。
- 前記第3電圧は、前記第2電圧より低いことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1電圧は、接地電圧又は負の電圧であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 第1選択トランジスタと、メモリセルトランジスタと、第2選択トランジスタとは、半導体基板の上方に向かって配列していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体記憶装置。
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