JP2017044568A - 電池状態測定方法及び電池状態測定装置 - Google Patents
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Abstract
Description
好ましい方法として、前記複素インピーダンスに基づく値とメモリ効果の状態との関係を前記複素インピーダンスの傾きとメモリ効果の量との関係とし、前記演算工程では、前記取得した複素インピーダンスの傾きを予め設定された前記複素インピーダンスの傾きとメモリ効果の量との関係に適用する演算を行って前記メモリ効果の状態を求める。
好ましい方法として、前記拡散抵抗領域に対応する複素インピーダンスを、0.01Hz以上、かつ、0.1Hz以下の周波数範囲から取得する。
このような方法によれば、長期間に亘って使用したときにメモリ効果が比較的生じやすい二次電池であるニッケル水素蓄電池についてメモリ効果の有無を測定することにより、ニッケル水素蓄電池を適正に再利用することができるようになる。
電池状態測定方法及び電池状態測定装置を具体化した第1の実施形態について、図1〜図7に従って説明する。
一般に、二次電池は、過放電や過充電が行われると、電池性能が劣化してしまうという問題がある。このため、車両に搭載などされた二次電池は、その時々のSOCが測定される。詳述するとSOCは、電池1に充電可能な電気量である充電容量に対する実際に充電されている電気量である残容量の割合を示す。そこで、このSOCの測定に基づいて二次電池の充放電制御が行われる。ところで、二次電池は、メモリ効果が発生すると、SOCの測定精度が低下し、二次電池に対する充放電制御が適切に行えなくなるおそれがある。そこで、二次電池に生じたメモリ効果をメモリ効果の量として取得し、この取得したメモリ効果の量を考慮してSOCを算出することが行われる。
電流測定器6は、電源供給部2と電池1との間で測定した電流に対応する電流信号を測定装置10に出力する。
処理部40は、コンピュータを含み構成されており、演算装置、揮発性メモリ、不揮発性メモリなどを備える。また処理部40は、FRA部30及び記憶部20のそれぞれとの間でのデータの授受がそれぞれ可能になっている。
まず、図4及び図5を参照して、ナイキスト線図に描かれるインピーダンス曲線と正極との関係、及び、インピーダンス曲線とメモリ量との関係について順に説明する。
すなわち、図7(a)に示すように、SOCと式(2)の傾きa1との関係は、グラフLA1に示されるように、SOCが大きくなると傾きa1も大きくなる関係にあることが明らかになった。また、図7(b)に示すように、SOCと式(2)の切片b1との関係は、グラフLB1に示されるように、SOCが大きくなると切片b2も大きくなる関係にあることが明らかになった。
(1)拡散抵抗領域dに対応する複素インピーダンスを取得し、複素インピーダンスに基づく値とメモリ効果の状態とに適用して演算することに基づいてメモリ効果の状態(メモリ量ΔV)が演算される。これにより、二次電池である電池1におけるメモリ効果の状態が複素インピーダンス解析を用いて測定されるようになる。
図8〜図11に従って、電池状態測定方法、及び、電池状態測定装置を具体化した第2の実施形態について説明する。本実施形態では、複素インピーダンスの傾きに基づいてメモリ量を算出する点が、第1の実施形態と相違する。そこで、以下では、主に第1の実施形態と相違する構成について詳細に説明することとし、説明の便宜上、同様の構成については同じ符号を付して詳細な説明を割愛する。
傾き算出部44は、ナイキスト線図作成部42で作成したインピーダンス曲線L1の傾き取得する。例えば、拡散抵抗に対応する領域dに含まれる2つの相違する測定周波数における各インピーダンスの測定に基づいて、これら測定された2つのインピーダンスを結ぶ線分の実数軸に対する傾きを算出する。なお、FRA部30からは、測定周波数の異なる複数のインピーダンスを取得することができる。
ここで、傾き−メモリ量相関データ22の内容について説明する。
すなわち、図11(a)に示すように、SOCと式(3)の傾きa2との関係は、グラフLA2に示されるように、SOCが大きくなると傾きa2も大きくなる関係にあることが明らかになった。また、図11(b)に示すように、SOCと式(3)の切片b2との関係は、グラフLB2に示されるように、SOCが大きくなると切片b2も大きくなる関係にあることが明らかになった。
なお上記各実施形態は、以下の態様で実施することもできる。
・上記第1の実施形態では、0.01Hzの虚数値とメモリ量ΔVの関係を利用してメモリ効果の状態を測定したが(図6参照)、それ以外の周波数(例えば、0.1Hz)の虚数値を利用してもよい。0.01Hzのように低い周波数であれば、メモリ効果発生の前後で虚数値の差が大きく得られるため、精度の面で好ましい。一方、0.1Hzのように高い周波数であれば、測定時間が短くできるため、実用性の面で好ましい。
・上記各実施形態では、電源供給部2は測定装置10から入力される電流値や周波数範囲に応じた交流電流を出力する場合について例示した。しかしこれに限らず、測定装置からの指示によらず、所定の交流電流を所定の周波数範囲で変化させて出力してもよい。
Claims (7)
- 二次電池におけるメモリ効果の状態を測定する電池状態測定方法であって、
前記二次電池における拡散抵抗領域に対応する複素インピーダンスを取得するインピーダンス取得工程と、
予め求められた前記複素インピーダンスに基づく値とメモリ効果の状態との関係に前記取得された複素インピーダンスに基づく値を適用する演算を行ってメモリ効果の状態を求める演算工程と、が実行されることに基づいて前記メモリ効果の状態を測定する
ことを特徴とする電池状態測定方法。 - 前記複素インピーダンスに基づく値とメモリ効果の状態との関係を前記複素インピーダンスの虚数値とメモリ効果の量との関係とし、
前記演算工程では、前記取得した複素インピーダンスの虚数値を予め設定された前記複素インピーダンスの虚数値とメモリ効果の量との関係に適用する演算を行って前記メモリ効果の状態を求める
請求項1に記載の電池状態測定方法。 - 前記複素インピーダンスに基づく値とメモリ効果の状態との関係を前記複素インピーダンスの傾きとメモリ効果の量との関係とし、
前記演算工程では、前記取得した複素インピーダンスの傾きを予め設定された前記複素インピーダンスの傾きとメモリ効果の量との関係に適用する演算を行って前記メモリ効果の状態を求める
請求項1に記載の電池状態測定方法。 - 前記拡散抵抗領域に対応する複素インピーダンスを、0.01Hz以上、かつ、0.1Hz以下の周波数範囲から取得する
請求項1〜3のいずれか一項に記載の電池状態測定方法。 - 前記複素インピーダンスに基づく値とメモリ効果の状態との関係には電池蓄電量の残容量を示すSOCが対応付けられており、前記対応付けられたSOCに近似された二次電池から前記複素インピーダンスを取得する
請求項1〜4のいずれか一項に記載の電池状態測定方法。 - 前記二次電池がニッケル水素蓄電池である
請求項1〜5のいずれか一項に記載の電池状態測定方法。 - 二次電池におけるメモリ効果の状態を測定する電池状態測定装置であって、
前記二次電池における拡散抵抗領域に対応する複素インピーダンスを取得するインピーダンス取得部と、
前記複素インピーダンスに基づく値とメモリ効果の状態との関係を保持する保持部と、
前記取得した複素インピーダンスから該複素インピーダンスに基づく値を算出する算出部と、
前記保持する複素インピーダンスに基づく値とメモリ効果の状態との関係に前記算出した複素インピーダンスに基づく値を適用する演算を行って前記メモリ効果の状態を測定する測定部とを備える
ことを特徴とする電池状態測定装置。
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