JP2017043749A - 軟磁性粉末組成物及び磁性素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の一つの目的は、相対的に緩やかな条件で硬化成形可能な軟磁性粉末組成物を提供することにある。
【解決手段】軟磁性粉末組成物を混練することで混練物を形成する工程と、混練物を基材に塗布する工程と、混練物を冷却する工程とを含む磁性素子の製造方法。軟磁性粉末組成物は、成分（Ａ）としてのセンダスト合金粉末、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末、及びＭｎ−Ｚｎフェライト粉末の中の少なくとも一種を含む磁性材料８０〜９３重量％と、成分（Ｂ）としての高分子材料７〜２０重量％とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、フェライト磁石材料に関し、特に、常温または中低温で硬化可能な軟磁性粉末組成物、及び前記軟磁性粉末組成物が適用される磁性素子の製造方法に関する。

科学技術の進歩に伴って、電子製品が小型化及び高出力化に向かって発展しているとともに、携帯電話やコンピュータ等の装置に使用される周波数帯域が高周波化しており、現在、ＧＨｚという規格に達していた。それに伴う磁性素子に、周波数が拡大された範囲での高透磁率、低コア損失、高飽和誘導、及び高機械的強度等の特性を含むことが要求される。

上記磁性素子の主な材料として、軟磁性金属材料とフェライト材料がある。軟磁性金属材料については、その飽和磁束密度がフェライト材料よりも高いものであるが、使用される時、損失が高く、値段が高く、比重が高く、そして防錆性が悪い等の問題がある。フェライト材料については、値段が安いだけではなく、数十ｋＨｚから数百ｋＨｚまでの帯域に損失が低いというメリットを有する。

一般的に、フェライト材料（例えば、粉末）はプレス成形を経て、高温焼結で磁性素子が形成される。言い換えれば、従来の磁性素子の製造方法はフェライト材料の焼結性の問題を解決しなければならないので、焼結性の低下、透磁率の低下、周波数特性の低周波数化、及び誘電率の低減を防ぐために、硬化条件も厳しく管理される必要があるとともに、フェライト材料による複合フェライト組成物の硬化反応も高温で完成される必要がある。

本発明の一つの目的は、相対的に緩やかな条件で硬化成形可能な軟磁性粉末組成物を提供することにある。

本発明のもう一つの目的は、高操作効率を有し、各種の素子に対する小型化要求に適合し、且つ自動化手段で所望の磁性素子を製造できる磁性素子の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は以下の技術手段を採用する。成分（Ａ）としてのセンダスト合金粉末、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末、及びＭｎ−Ｚｎフェライト粉末の中の少なくとも一種を含む磁性材料８０〜９３重量％と、成分（Ｂ）としての高分子材料７〜２０重量％とを含む軟磁性粉末組成物である。

上記目的を達成するために、本発明は以下の技術手段を採用する。上記軟磁性粉末組成物を混練することで混練物を形成する工程と、前記混練物を基材に塗布する工程と、前記混練物を冷却する工程とを含む磁性素子の製造方法である。

本発明が提供する軟磁性粉末組成物は常温または中低温で十分に硬化することができるので、成形過程で高温焼結処理を行う必要がない。

なお、本発明の方法により製造された磁性素子は十分な可撓性機械的強度、最大の透磁率、及び磁束密度（誘導）等のメリットを有するとともに、渦電流を低いレベルに保持し、ヒステリシス損失を最小化することができる。

図１は、本発明の磁性素子の製造方法のフローの模式図である。

セラミックス磁性材料は良い透磁率、高抵抗係数、低損失等の特性を有し、特に軟磁性材料（例えば、磁性ナノ粒子）は科学技術の発展における役割がますます重要になるので、本発明は特別な配合組成を有する軟磁性粉末組成物を提供し、各種の磁性素子またはその部品（例えば、マイクロ波吸収材、電磁誘導薄膜、軟磁性シート、平面コイル誘導材）の需要に適合するようにする。

現在市販の電磁干渉遮蔽材料に用いられる複合フェライト組成物に比べて、焼結による種々の問題を解決しなければならないが、本発明に提供される軟磁性粉末組成物は良い操作性を提供することに加えて、それを原料として製造された軟磁性素子／部品は更に十分な可撓性機械的強度、最大の透磁率、及び磁束密度（誘導）等のメリットを有するとともに、渦電流を低レベルに保持し、ヒステリシスの損失を最小化することができる。しかし、前記軟磁性粉末組成物は常温または中低温（２００°Ｃまたはそれよりも低い温度）で硬化することができ、成形過程で高温焼結処理を行う必要がない。

次に、まず前記軟磁性粉末組成物の組成成分及び重量配合比を簡単に説明し、その後、適時に前記シリコーン樹脂組成物の反応機構を補足説明する。当業者は本開示内容から本発明のメリットと効果が分る。本開示内容に記載の各項目の詳細は、異なる観点に基づき実施または応用することが可能であるので、本発明の要旨の範囲内において種々の変形と変更を加えることは、いずれも本発明の均等な構成の技術的範囲に属するものである。

本発明の一つの具体的実施例において、加工性、硬化性、及び製品効果等の観点から考えると、前記軟磁性粉末組成物は、８４〜８５重量％の鉄、９〜１０重量％のシリコン、及び５〜６重量％のアルミニウムからなるセンダスト合金粉末、化学式としての（Ｎｉ_ｘ−Ｚｎ_１−ｘ）Ｆｅ_２Ｏ_４（ｘの範囲は０．００５−０．９９５である）を有するＮｉ−Ｚｎフェライト粉末、及び化学式としての（Ｍｎ_ｘ−Ｚｎ_１−ｘ）Ｆｅ_２Ｏ_４（ｘの範囲は０．００５−０．９９５である）を有するＭｎ−Ｚｎフェライト粉末の中の少なくとも一種を含む成分（Ａ）としての磁性材料８０〜９３重量％と、成分（Ｂ）としての高分子材料７〜２０重量％とを含む。成分（Ａ）としての磁性材料は、異なる構造と形態を有するので、特別な配合比に従い、簡単なプロセスを利用して、多種の積層構造方法により、コストが安価で、極薄で、可撓性に優れた等のメリットを有する磁性素子に製造されることができる。

さらには、異なる加工技術により成分（Ａ）としての磁性材料に所定の形状を付与できる。例を挙げると、センダスト合金粉末は、転造加工によりシート状構造を形成させることができ、あるいはセンダスト合金粉末は、ボールミルによる加工により、不規則な構造を形成させることができ、また、センダスト合金粉末は、噴霧造粒により球状構造を形成させることができる。一方、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末とＭｎ−Ｚｎフェライト粉末はセラミックス材料の性質とその晶体構造の関係で、それ自体は針状とシート状構造に成形されにくい。Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末とＭｎ−Ｚｎフェライト粉末は、ボールミルによる加工により不規則な構造を形成させることができ、あるいは前記の両者は、化学的水熱法により球状構造を形成させることができる。水熱法により、針状酸化チタンまたはシート状酸化ケイ素基材を成長させ、基材の表面に水熱法または化学蒸着法によりＮｉ−ＺｎまたはＭｎ−Ｚｎフェライト薄膜を堆積させることにより、針状またはシート状構造を含むフェライト粉末を製造することもできる。

成分（Ｂ）としての高分子材料は、その後の成形作業が行われやすいように、成分（Ａ）としての磁性材料を接着して一体にするためのものである。本発明の具体的実施例において、成分（Ｂ）としての高分子材料は熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂であってもよく、前記熱可塑性樹脂としては、熱可塑性ポリイミド（ＰＩ）、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ポリブテン（ＰＢ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイソブチレン（ＰＩＢ）、ポリ乳酸（ＰＬＡ）、ポリメチルアクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、可塑性澱粉材料（ＰＳＭ）、ポリスルホン（ＰＳＵ／ＰＳＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド樹脂（ＰＡＩ）、ポリアクリロニトリル、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリフェニレンオキシド（ＰＰＯ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリヒドロキシブチレート（ＰＨＢ）、ポリヒドロキシアルカノエート（ＰＨＡ）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）、セルロイド（ＣＮ）、セルロースアセテート（ＣＡ）、ビニロン（ｖｉｎｙｌｏｎ）、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）、エチレン酢酸ビニル（ＥＶＡ）、熱可塑性アクリル酸樹脂、熱可塑性ポリエステルエラストマー（ＴＰＥＥ）、熱可塑性ゴム（ＴＰＲ）、ポリアミド（ＰＡ）系ホットメルト、ポリオレフィン系（ＰＰ）ホットメルト、湿気硬化型ポリウレタン（ＰＵＲ）ホットメルト、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレントリモノマー重合体（ＡＢＳ）、ポリアミド樹脂（ＰＡ）等が挙げられる。

前記熱硬化性樹脂としては、熱硬化型ポリイミド（ＰＩ）樹脂、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）樹脂、フェノール・ホルムアルデヒド（ＰＦ）樹脂、ビニルエステル樹脂、ウレア・ホルムアルデヒド（ＵＦ）樹脂、シリコーン樹脂（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙ）、熱硬化型ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、熱硬化性ポリイミド（ＰＩ）、不飽和ポリエステル（ＵＰ）樹脂、ポリウレタン（ＰＵ）樹脂、可撓性、熱硬化性を有する樹脂であるカルボキシル基末端ブタジエンニトリルゴム（ＣＴＢＮ）またはアミノ基末端液状ブチロニトリルゴム（ＡＴＢＮ）変性エポキシ樹脂、ビスマレイミド−シアネート（ＢＴ）樹脂等が挙げられる。

本発明の所望の効果を損なわない範囲内において、前記軟磁性粉末組成物は各種の応用の要求に応じて２〜５重量％成分（Ｃ）としての添加剤を選択的に添加することができる。本発明の具体的実施例において、成分（Ｃ）としての添加剤は、０．５〜１重量％の溶剤、０．３〜１重量％の硬化剤、０．１〜０．５重量％のカップリング剤、０．３〜１重量％のレベリング剤、０．３〜０．５重量％の消泡剤、０．４〜１．３重量％の可塑剤、及び０．１〜０．２重量％の促進剤からなる。

前記溶剤は組成物塗料の粘度を調整するためのものであり、組成物中の成膜物質（即ち、磁性材料／高分子材料）を溶解または均一に分散させることができ、更に可塑化の機能がある。前記溶剤としては、イソプロパノール（ＩＰＡ）、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＭＡ）、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＤＰＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、ジメチルアミノエタノール（ＤＭＡＥ）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、キシレン（Ｘｙｌｅｎｅ）、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＤＰＭ）、シクロヘキサノン（Ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ＢＣＳ）、ジエチレングリコールエチルエーテル（ＥＣ）、トリプロピレングリコールメチルエーテル（ＴＰＭ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＭ）、フタル酸エステル類（ＤＰ）、トリメチロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）等が挙げられる。

前記硬化剤は高分子モノマーを架橋して硬化させるためのものであり、本発明の具体的実施例で使用される硬化剤は、主として脂肪族アミン類硬化剤、芳香アミン類硬化剤、イミダゾール類硬化剤、有機酸無水物類硬化剤、有機ヒドラジド類硬化剤、マイクロカプセル類潜在性硬化剤、及び光硬化型硬化剤等の複数の種類がある。

前記脂肪族アミン類硬化剤としては、エチレンジアミン、ヘキサンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン等が挙げられる。前記芳香アミン類硬化剤としては、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、メタフェニレンジアミン（ｍ−ＰＤＡ）等が挙げられる。前記イミダゾール類硬化剤としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール等が挙げられる。前記有機酸無水物類硬化剤としては、３級アミン／３級アミン塩、４級ホスホニウム塩、ルイス酸−アミン錯体、アセチルアセトン遷移金属錯体、ルイス酸（例えば、ＢＦ_３、ＡｌＣｌ_３、ＺｎＣｌ_２、ＰＦ_５等）と１級アミン／２級アミンとで形成された錯体等が挙げられる。前記有機ヒドラジド類硬化剤としては、コハク酸ヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド、セバシン酸ヒドラジド、イソフタル酸ヒドラジドとｐ-ヒドロキシ安息香酸ヒドラジド（ＰＯＢＨ）等が挙げられる。前記光硬化型硬化剤としては、芳香族ジアゾニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、鉄アレーン系化合物等が挙げられる。

前記促進剤は高分子の硬化速度を向上し硬化時間を低減するためのものである。本発明の具体的実施例で使用される促進剤としては、重合体ホスト材料に埋め込んだ３級ポリアミン（ｔｅｒｔｉａｒｙ）、ポリ（ｐ-ビニルフェノール）ホスト材料に侵入したような２，４，６−トリ（ジメチルアミノメチル）フェノールまたはＣＶＣ社に提供されるＯＭＩＣＵＲＥ（登録商標）、２４ＥＭＩ、３３−ＤＤ５、ＢＣ１２０、Ｕ−２１０（Ｎ−（４−クロロフェニル）−Ｎ，Ｎ−ジメチルウレア）、Ｕ−３５（脂環族−ビスウレア化合物）、Ｕ−４１５＝Ｕ５２（４’−メタンビス（フェニルジメチルウレア））、Ｕ−２４（２，４−トルエン−ビス（ジメチルウレア））、Ｕ−４０５（フェニルジメチルウレア）、Ｕ４１０（８０／２０トルエンジメチルウレア）が挙げられる。

前記カップリング剤は有機材料と無機材料との間の結合性を向上させるためのものである。本発明の具体的実施例で使用されるカップリング剤は、主としてシランカップリング剤である。前記レベリング剤はコロイド／接着フィルムの成形後の表面の平坦性を増やすように、組成物塗料の表面張力を調整するためのものである。本発明の具体的実施例で使用されるレベリング剤は、主として有機シリコンとシクロヘキサノンの混合物であり、例えば、ドイツビックケミーで販売されるＢＹＫ−１０８、ドイツビックケミーで販売されるＢＹＫ３００等がある。前記消泡剤は組成物塗料の表面張力を調整するためのものであり、コロイド／接着フィルムの内部と表面の気泡を除去することができる。本発明の具体的実施例で使用される消泡剤は、主として有機シリコンと重合体の混合物であり、例えば、ドイツビックケミーで販売されるＢＹＫ０８８、ＢＹＫ ＰＭＡ等がある。

前記可塑剤は成膜中または使用中において膜破断や割れの問題を防ぐために、軟磁性粉末組成物の磁性素子の可撓性を向上するためのものである。本発明の具体的実施例で使用される可塑剤としては、シュウ酸ジエチル、グリセリン、トリエチレングリコール、ブチル−ベンジルブチルフタレート、ブチルフタレート（ＤＢＰ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、トリエチレングリコールヘキサン、オクチルフタレート（ＤＤＰ）、ブチル−ベンジルジメチルフタレート、ジオクチルフタレートが挙げられる。

本発明の軟磁性粉末組成物の特徴は以上のように詳述したが、次に、図１を参照して、更に前記軟磁性粉末組成物による磁性素子の製造方法を説明する。図１に示すように、前記磁性素子の製造方法は、前記軟磁性粉末組成物を混練し、混練物を形成する工程Ｓ１００と、前記混練物を基材に加工成形させる工程Ｓ１０２と、十分に硬化させるように前記混練物を冷却させる工程Ｓ１０４とを含む。

工程Ｓ１００は実際に実施される時、適用周波数範囲により、異なる構造と形態のセンダスト合金粉末、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末、及び／またはＭｎ−Ｚｎフェライト粉末を選択し、所定の重量割合によりそれと高分子材料とを混練させる。本発明の具体的実施例で採用される技術手段は溶剤使用の有無により異なるが、具体的には、押出機（ｅｘｔｒｕｄｅｒ）、混練機（ｃｏｍｐｏｕｎｄｅｒ）、ミキサー（ｉｎｔｅｒｎａｌｍｉｘｔｅｒ）、ニーダー（ｋｎｅａｄｅｒ）、ブラベンダー（ｂｒａｂｅｎｄｅｒ）、またはロールミラー（ｒｏｌｌｍｉｌｌｅｒ）等で、無溶剤下で磁性材料と高分子材料とを均一に混練させることができる。望ましい条件は、混練温度は約１００〜２００℃であり、１５０℃が最も好ましく、回転数は約６０〜１００ｒｐｍであり、混練時間は約３〜６時間であり、このようにすれば優れた特性（例えば、強度、伸び率、靭性）を有する混練物が得られる。

一方、磁性材料と高分子材料は溶剤に合わせて混練されてもよく、採用される技術手段としては、常温で３本ロールを用いて前記の両者を均一に混練する。なお、当業者に知られているいかなる他の混練方法は、いずれも工程Ｓ１００に用いられてもよい。

工程Ｓ１０２は実際に実施される時、適切な加工方法で前記混練物を成形させてもよい。本発明の具体的実施例で採用される技術手段は材料の最終用途により異なるが、具体的には、ブレードにより一部の前記混練物を付着し、その後付着された混練物を基材に塗布して平らにすることができる。望ましい条件は、ブレードと基材との間の距離は約０．０５〜３ｍｍ程度に保持され、基材の走行速度は約０．５〜３ｍ／ｍｉｎ程度に保持され、塗布温度は約１３０〜２００℃であり、これにより、混練物を均一な厚さに基材に形成させる。

それ以外に、前記混練物はそのまま成形されてもよく、例を挙げると、対応する雄型と雌型を利用して真空環境にて前記混練物をプレス成形することができる。望ましい条件は、雄型と雌型との間の距離は約０．０５〜３ｍｍ程度に保持され、成形温度は約１２０〜１５０℃であり、時間は約０．５〜１時間である。なお、当業者に知られているいかなる他の加工成形方法は、いずれも工程Ｓ１０２に用いられてもよい。

工程Ｓ１０４は実際に実施される時、成形後の混練物は常温または中低温で十分に硬化することが可能である。なお、実際の必要に応じて前記混練物を加熱してもよい。望ましい条件は、約１０〜３０℃の温度範囲内で前記混練物を約１０〜３０秒冷却させ、冷却硬化された磁性素子は十分な可撓性機械的強度、最大の透磁率、及び磁束密度（誘導）等のメリットを有するとともに、渦電流を低レベルに保持し、ヒステリシスの損失を最小化することができ、更に各種の部品、例えば、マイクロ波吸収材、電磁誘導薄膜、軟磁性シート、平面コイル誘導材等に製造されることができる。

以下には、表１及び表２を参照して、本発明の方法（焼結する必要がなく、実施例１〜５）により製造された磁性コロイド／接着フィルムと、従来の方法（焼結を経る必要があり、比較例１〜２）により製造されたコロイド／接着フィルムで複数組の実験を行うことにより、特殊な組成成分及び重量配合比を有する軟磁性粉末組成物による可能な技術効果を説明する。下記の表には、実施例１〜５はそれぞれ、異なる軟磁性粉末組成物による中低温で硬化可能な磁性コロイド／接着フィルムであり、以下の通りである。

［実施例１］
本実施例の軟磁性粉末組成物の適用する周波数範囲は０．０１ＭＨｚ〜４ＧＨｚであり、成分（Ａ）としての磁性材料はシート状センダスト合金粉末８５〜９０重量％を含み、成分（Ｂ）としての高分子材料はエチレン・酢酸ビニル樹脂（ＥＶＡ）１０〜１５重量％を含む。

［実施例２］
本実施例の軟磁性粉末組成物の適用する周波数範囲は０．０１ＭＨｚ〜２ＭＨｚであり、成分（Ａ）としての磁性材料はＭｎ−Ｚｎフェライト粉末８５〜８８重量％、及びセンダスト合金粉末２〜５重量％を含み、成分（Ｂ）としての高分子材料はエチレン・酢酸ビニル樹脂（ＥＶＡ）１０重量％を含む。

さらには、８５〜８８重量％の前記Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末はいずれも球状Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末であり、２〜５重量％の前記センダスト合金粉末は、シート状センダスト合金粉末１〜３重量％、不規則または球状センダスト合金粉末０．５〜１重量％、及び針状センダスト合金粉末０．５〜１重量％を含む。

［実施例３］
本実施例の軟磁性粉末組成物の適用する周波数範囲は２ＭＨｚ〜１ＧＨｚであり、成分（Ａ）としての磁性材料はＮｉ−Ｚｎフェライト粉末８５〜８８重量％、及びセンダスト合金粉末２〜５重量％を含み、成分（Ｂ）としての高分子材料はエチレン・酢酸ビニル樹脂（ＥＶＡ）１０重量％を含む。

さらには、８５〜８８重量％の前記Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末はいずれも球状Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末であり、２〜５重量％の前記センダスト合金粉末は、１〜３重量％のシート状センダスト合金粉末、０．５〜１重量％の不規則または球状センダスト合金粉末、及び０．５〜１重量％の針状センダスト合金粉末を含む。

［実施例４］
本実施例の軟磁性粉末組成物の適用する周波数範囲は０．０１ＭＨｚ〜４ＧＨｚであり、前記軟磁性粉末組成物は、シート状センダスト合金粉末８０〜８８重量％を含む成分（Ａ）としての磁性材料と、カルボキシル基末端ブタジエンニトリルゴム（ＣＴＢＮ）変性エポキシ樹脂１０〜１５重量％を含む成分（Ｂ）としての高分子材料と、溶剤１〜３重量％、硬化剤０．３〜０．５重量％、カップリング剤０．１〜０．５重量％、レベリング剤０．３〜０．５重量％、及び消泡剤０．３〜０．５重量％を含む成分（Ｃ）としての添加剤２〜５重量％とを含む。

［実施例５］
本実施例の軟磁性粉末組成物の適用する周波数範囲は０．０１ＭＨｚ〜４ＧＨｚであり、前記軟磁性粉末組成物は、シート状センダスト合金粉末８０〜８８重量％を含む成分（Ａ）としての磁性材料と、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）及び／又はポリビニルブチラール（ＰＶＢ）及び／又はポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）１０〜１５重量％を含む成分（Ｂ）としての高分子材料と、溶剤１〜３重量％、可塑剤０．３〜０．５重量％、カップリング剤０．１〜０．５重量％、レベリング剤０．３〜０．５重量％、及び消泡剤０．３〜０．５重量％を含む成分（Ｃ）としての添加剤２〜５重量％とを含む。

さらには、１〜３重量％の前記溶剤はシクロヘキサノンであり、０．３〜０．５重量％の前記硬化剤はジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）であり、０．１〜０．５重量％の前記カップリング剤はシロキサンカップリング剤であり、０．３〜０．５重量％の前記レベリング剤は有機シリコンとシクロヘキサノンの混合物であり、０．３〜０．５重量％の前記消泡剤は有機シリコンと重合体の混合物である。

上記の比較結果から分るように、実施例１〜４はいずれも軟磁材料の基本定義に適合する。また、実施例１〜４の飽和磁束密度（Ｂｓ）と初透磁率（μｉ）のいずれも比較例１〜２より優れており、実施例１〜４の磁性材料による誘導電流の数は比較例１〜２の磁性材料による誘導電流の数よりも多いことが示される。尚、実施例１〜４の磁性材料による抵抗値はすべて１０^６Ωよりも大きいので、低中高周波数の環境における使用上の需要に適合することに対して、比較例１〜２の磁性材料による抵抗値が高過ぎ、高周波数の環境における使用に適合しない。

以上のように、現在市場でよく見られる複合フェライト組成物に比べて、更に焼結による種々の問題を解決しなければならないことに対して、本発明に提供される軟磁性粉末組成物は常温または低温下で十分に硬化でき、成形過程で高温焼結処理を行う必要がない。

以上のことから、冷却硬化された磁性素子は十分な機械的強度、最大の透磁率、及び磁束密度（誘導）等のメリットを有するとともに、渦電流を低レベルに保持し、ヒステリシスの損失を最小化することができ、更に各種の部品、例えば、マイクロ波吸収材、電磁誘導薄膜、軟磁性シート、平面コイル誘導材等に製造されることができる。

なお、前記軟磁性粉末組成物において、成分（Ａ）としての磁性材料は異なる構造と形態を有するので、特別な配合比に従い、簡単なプロセスを利用して、多種の積層構造方法により、コストが安価で、極薄で、及び可撓性に優れた等のメリットを有する磁性素子に製造されることができる。

尚、本発明はセンダスト合金粉末、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末、及びＭｎ−Ｚｎフェライト粉末のメリットをまとめることができるので、応用の範囲がより広くなる。

以上の本発明で示されるメリットについて、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、発明に関する多くの修正と他の実施例を提案することができる。したがって、本発明は開示された所定の実施例により限定されるものではなく、修正と他の実施例を後の特許請求の範囲内に組み込むことが可能である。ここで所定の用語が用いられたとしても、一般と説明の概念で用いられるにすぎず、特許請求の範囲に定義される発明の範囲を限定するものではない。

Claims (13)

1. センダスト合金粉末、Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末、及びＭｎ−Ｚｎフェライト粉末の中の少なくとも一種を含む成分（Ａ）としての磁性材料８０〜９３重量％と、
   成分（Ｂ）としての高分子材料７〜２０重量％とを含む
   ことを特徴とする軟磁性粉末組成物。
2. 成分（Ａ）としての磁性材料はシート状センダスト合金粉末８５〜９０重量％を含み、
   成分（Ｂ）としての高分子材料は熱可塑性樹脂１０〜１５重量％を含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の軟磁性粉末組成物。
3. １０〜１５重量％の前記熱可塑性樹脂はエチレン・酢酸ビニル樹脂（ＥＶＡ）である
   ことを特徴とする請求項２に記載の軟磁性粉末組成物。
4. 成分（Ａ）としての磁性材料はＭｎ−Ｚｎフェライト粉末８５〜８８重量％、及びセンダスト合金粉末２〜５重量％を含み、
   成分（Ｂ）としての高分子材料は熱可塑性樹脂である
   ことを特徴とする請求項１に記載の軟磁性粉末組成物。
5. ８５〜８８重量％の前記Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末はいずれも球状Ｍｎ−Ｚｎフェライト粉末であり、
   ２〜５重量％の前記センダスト合金粉末は、シート状センダスト合金粉末１〜３重量％、不規則または球状センダスト合金粉末０．５〜１重量％、及び針状センダスト合金粉末０．５〜１重量％を含み、
   前記熱可塑性樹脂はエチレン・酢酸ビニル樹脂（ＥＶＡ）である
   ことを特徴とする請求項４に記載の軟磁性粉末組成物。
6. 成分（Ａ）としての磁性材料はＮｉ−Ｚｎフェライト粉末８５〜８８重量％、及びセンダスト合金粉末２〜５重量％を含み、
   成分（Ｂ）としての高分子材料は熱可塑性樹脂である
   ことを特徴とする請求項１に記載の軟磁性粉末組成物。
7. ８５〜８８重量％の前記Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末はいずれも球状Ｎｉ−Ｚｎフェライト粉末であり、
   ２〜５重量％の前記センダスト合金粉末は、シート状センダスト合金粉末１〜３重量％、不規則または球状センダスト合金粉末０．５〜１重量％、及び針状センダスト合金粉末０．５〜１重量％を含み、
   前記熱可塑性樹脂はエチレン・酢酸ビニル樹脂（ＥＶＡ）である
   ことを特徴とする請求項６に記載の軟磁性粉末組成物。
8. 成分（Ａ）としての磁性材料はシート状センダスト合金粉末８０〜８８重量％を含み、
   成分（Ｂ）としての高分子材料は熱硬化性樹脂１０〜１５重量％を含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の軟磁性粉末組成物。
9. 溶剤０．５〜１重量％、硬化剤０．３〜１重量％、カップリング剤０．１〜０．５重量％、レベリング剤０．３〜０．５重量％、消泡剤０．３〜０．５重量％、可塑剤０．４〜１．３重量％、及び促進剤０．１〜０．２重量％を含む成分（Ｃ）としての添加剤２〜５重量％を更に含む
   ことを特徴とする請求項８に記載の軟磁性粉末組成物。
10. 前記溶剤はシクロヘキサノンであり、
    前記硬化剤はジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）であり、
    前記カップリング剤はシロキサンカップリング剤であり、
    前記レベリング剤は有機シリコンとシクロヘキサノンの混合物であり、
    前記消泡剤は有機シリコンと重合体の混合物であり、
    前記熱硬化性樹脂はカルボキシル基末端ブタジエンニトリルゴム（ＣＴＢＮ）変性エポキシ樹脂であり、
    前記可塑剤はシュウ酸ジエチル、グリセリン、トリエチレングリコール、ブチル−ベンジルブチルフタレート、ブチルフタレート（ＤＢＰ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、トリエチレングリコールヘキサン、オクチルフタレート（ＤＤＰ）、ブチル−ベンジルジメチルフタレートまたはジオクチルフタレートである
    ことを特徴とする請求項９に記載の軟磁性粉末組成物。
11. 請求項１に記載の軟磁性粉末組成物を混練することで混練物を形成する工程と、
    前記混練物を基材に加工成形させる工程と、
    十分に硬化させるように前記混練物を冷却させる工程とを含む
    ことを特徴とする磁性素子の製造方法。
12. 前記軟磁性粉末組成物を混練する工程では、混練の温度範囲は１００℃〜２００℃であり、混練の回転数は６０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍである
    ことを特徴とする請求項１１に記載の磁性素子の製造方法。
13. 前記混練物を基材に加工成形させる工程は、塗布法またはプレス法により前記混練物を成形させることを含む
    ことを特徴とする請求項１１に記載の磁性素子の製造方法。

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