JP2017037974A - 太陽電池の製造方法及び太陽電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板の少なくとも第1主表面上に集電電極を有する太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の少なくとも前記第1主表面上に、平行線状で所定の幅を有し第1の間隔及び前記第1の間隔よりも大きい第2の間隔の2つの間隔を有するエッチングマスクを設けた後、前記エッチングマスクによってマスクされていない部分の前記半導体基板をエッチングし、前記半導体基板の前記第1主表面上に前記所定の幅を有する凸部パターンを形成する工程と、前記半導体基板の前記第1主表面上の前記第1の間隔を隔てた凸部間の領域に導電性ペーストを印刷し焼成し、前記集電電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【選択図】 図1
Description
ことが好ましい。
(実施例1)
裏面側に本発明を適用した場合の太陽電池を、n型シリコン基板を用いて作製した。まず、厚さ200μm、比抵抗1Ω・cmの、リンドープ{100}n型アズカットシリコン基板を8枚準備した。この基板に対し熱濃水酸化カリウム水溶液により処理を行ってダメージ層を除去後、72℃の水酸化カリウム/2−プロパノール水溶液中に浸漬しテクスチャ形成を行い、引き続き75℃に加熱した塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。
実施例1と同様にして太陽電池を8枚作製した。ただし、凸部形成は行わず、裏面電界層の選択的な形成も行わず、テクスチャは受光面及び裏面に形成された。作製された太陽電池を用いて、実施例1と同様に擬似太陽光下で電流電圧特性を測定した。測定された特性値の平均値を表1に示す。
受光面側に本発明を適用した場合の太陽電池を、p型シリコン基板を用いて作製した。厚さ200μm、比抵抗1.5Ω・cmの、ホウ素ドープ{100}p型アズカットシリコン基板を8枚準備した。基板に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去した。
実施例2と同様にして太陽電池を8枚作製した。ただし、凸部形成は行わず、エミッタ高濃度層の形成も行わず、テクスチャは受光面及び裏面に形成された。
104…半導体基板、 105…裏面集電電極、 106…裏面電界層、
107…第2の間隔、 108…第1の間隔、 109…エッチングマスク、
110…間隔の狭い凸部間の領域、 111…拡散剤、 112…反射防止膜、
113…裏面保護膜、 114…凸部(凸部パターン)、 115…導電性ペースト、
116…第1主表面、 117…集電電極、 118…フィンガー電極、
119…バスバー電極、
201…受光面集電電極、 201a…フィンガー電極、 201b…バスバー電極、
202…反射防止膜、 203…エミッタ層、 204…半導体基板、
205…裏面集電電極、 206…裏面電界層、 207…裏面保護膜。
Claims (7)
- 半導体基板の少なくとも第1主表面上に集電電極を有する太陽電池の製造方法であって、
前記半導体基板の少なくとも前記第1主表面上に、平行線状で所定の幅を有し第1の間隔及び前記第1の間隔よりも大きい第2の間隔の2つの間隔を有するエッチングマスクを設けた後、前記エッチングマスクによってマスクされていない部分の前記半導体基板をエッチングし、前記半導体基板の前記第1主表面上に前記所定の幅を有する凸部パターンを形成する工程と、
前記半導体基板の前記第1主表面上の前記第1の間隔を隔てた凸部間の領域に導電性ペーストを印刷し焼成し、前記集電電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記エッチングマスクの前記幅を5μm以上100μm以下とし、
前記エッチングマスクの前記第1の間隔を40μm以上150μm以下とし、
前記エッチングマスクの前記第2の間隔を0.8mm以上2.5mm以下とすることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記半導体基板の前記第1主表面の前記集電電極が形成される領域を含む領域に拡散層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の太陽電池の製造方法。
- 前記半導体基板の前記第1主表面に拡散層を形成する工程は、拡散剤を前記第1の間隔を隔てた凸部間の領域に印刷して熱処理する段階を含むことを特徴とする請求項3に記載の太陽電池の製造方法。
- 半導体基板の少なくとも第1主表面に集電電極を有する太陽電池であって、
前記半導体基板の前記第1主表面には、平行線状の所定の幅を有する複数の凸部が設けられ、最隣接する該凸部は第1の間隔及び前記第1の間隔よりも大きい第2の間隔の2つの間隔を隔てて設けられており、
前記集電電極は前記第1の間隔を隔てた凸部間に設けられていることを特徴とする太陽電池。 - 少なくとも前記第1の間隔を隔てた凸部間の領域における基板中のドーパントの表面濃度が、1×1019cm−3以上1×1021cm−3以下であることを特徴とする請求項5に記載の太陽電池。
- 前記凸部の前記幅が5μm以上100μm以下であり、
前記凸部の高さが1μm以上20μm以下であり、
前記凸部の前記第1の間隔が40μm以上150μm以下であり、
前記凸部の前記第2の間隔が0.8mm以上2.5mm以下であることを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の太陽電池。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2017037974A true JP2017037974A (ja) | 2017-02-16 |
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Country | Link |
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