JP2017034223A - 抵抗変化型メモリ - Google Patents

Abstract

【課題】基板１１０と、導電層１２０と、抵抗スイッチング層１３０と、銅含有酸化物層１４０と、および電子供給層１５０と、を備える抵抗変化型メモリ（ＲｅＲＡＭ）を提供する。【解決手段】基板１１０上に導電層１２０を設ける。導電層１２０上に抵抗スイッチング層１３０を設ける。抵抗スイッチング層１３０上に銅含有酸化物層１４０を設ける。銅含有酸化物層１４０上に電子供給層１５０を設ける。さらに、導電層１２０は単層構造または多層構造を含んでもよい。【選択図】図１

Description

本発明は、不揮発性メモリに関し、より詳細には、抵抗変化型メモリに関する。

不揮発性メモリは、電源を切ってもデータを保持するという利点がある。したがって、電子光学製品の多くは、電源を入れたときに正常動作を維持するために不揮発性メモリを必要とする。現在、業界において開発が盛んな不揮発性メモリの一つに抵抗変化型メモリ（resistive random access memory（ＲｅＲＡＭ））がある。ＲｅＲＡＭの利点として、書き込み電圧が低いこと、書き込み／消去時間が短いこと、記憶保持時間が長いこと、非破壊的読み出し可能なこと、マルチステートメモリであること、構造が単純なこと、および所要面積が僅かであること等が挙げられる。その結果、ＲｅＲＡＭは、将来的に、パソコンや電子機器等において広く採用される不揮発性メモリの１つとなる可能性がある。しかしながら、抵抗性不揮発性メモリのデータ保持能力をさらに向上するにはどうしたらよいかについては、業界が現在積極的に取り組んでいる課題である。

本発明は、データ保持能力を向上した抵抗変化型メモリを提供する。

本発明は、基板、導電層、銅含有酸化物層、および電子供給層を備える抵抗変化型メモリを提供する。基板上に導電層を設ける。抵抗スイッチング層上に銅含有酸化物層を設ける。銅含有酸化物層上に電子供給層を設ける。

以上を踏まえ、本発明において提供する抵抗変化型メモリでは、低抵抗状態において、電子供給層が供給する電子によって銅フィラメントの拡散を抑制して、抵抗変化型メモリのデータ保持能力を向上することができる。さらに、抵抗変化型メモリ内の電子供給層を用いて酸素を捕捉することにより大気中への酸素の放散を阻止して、抵抗変化型メモリの耐久性を向上することもできる。

本発明の一実施形態である抵抗変化型メモリ（ＲｅＲＡＭ）の断面模式図である。 本発明の別の実施形態である抵抗変化型メモリ（ＲｅＲＡＭ）の断面模式図である。 銅フィラメント形成過程における、サンプル１の動作電圧と電流との関係を示すグラフである。 銅フィラメント形成過程における、サンプル２の動作電圧と電流との関係を示すグラフである。 サンプル１の抵抗スイッチングの電気的性質を示すグラフである。 サンプル２の抵抗スイッチングの電気的性質を示すグラフである。 耐久試験における、サンプル１の抵抗スイッチングの電流と回数との関係を示すグラフである。 耐久試験における、サンプル２の抵抗スイッチングの電流と回数との関係を示すグラフである。 ８５℃の温度下でのデータ保持能力試験における、サンプル２の電流と時間との関係を示す図である。 ２００℃の温度下でのデータ保持能力試験における、サンプル２の電流と時間との関係を示す図である。 抵抗変化型メモリにおける酸素元素分布の関係を示す図であり、図１１中の写真は、室温でのサンプル２の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による顕微鏡写真であり、図１１中のグラフは、室温でサンプル２をＸ線光電子分光装置により分析して得られた酸素元素分布率を示す。 抵抗変化型メモリにおける酸素元素分布の関係を示す図であり、図１２中の写真は、加熱試験後のサンプル２の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による顕微鏡写真であり、図１２中のグラフは、室温でサンプル２をＸ線光電子分光装置により分析して得られた酸素元素分布率を示す。

以下に、例示的な実施形態を添付の図面とともに記載して、本開示をさらに詳細に説明する。

添付の図面は本発明についての理解を深めるために提供するものであり、本明細書において援用され、その一部を構成するものである。各図面は本発明の実施形態を示し、発明の詳細な説明とともに、本発明の原理を説明するのに資するものである。

図１を参照すると、抵抗変化型メモリ１００は、基板１１０、導電層１２０、抵抗スイッチング層１３０、銅含有酸化物層１４０、および電子供給層１５０を備える。基板１１０は、例えば、シリコン基板等の半導体基板である。

基板１１０上に導電層１２０を設けて、抵抗変化型メモリ１００の下部電極として用いることができる。導電層１２０は単層構造または多層構造とすることができる。本実施形態においては、多層構造の導電層１２０を例示しているが、本発明はこれに限定されない。導電層１２０は、例えば、導電層１２０ａ、導電層１２０ｂ、および導電層１２０ｃを含むことができる。導電層１２０の材料としては、例えば、チタン、窒素化チタン、白色金、アルミニウム、タングステン、イリジウム、酸化イリジウム、ルテニウム、タンタル、窒化タンタル、ニッケル、モリブデン、ジルコニウム、酸化インジウム錫、またはドープ半導体（例えばドープ多結晶シリコン等）が挙げられる。導電層１２０の厚さは、例えば、１ナノメートル〜５００ナノメートルとする。導電層１２０の形成方法としては、例えば、ＡＣマグネトロンスパッタリング法、原子層堆積法、または電子ビーム蒸着法等がある。

導電層１２０上には抵抗スイッチング層１３０を設ける。抵抗スイッチング層１３０の材料としては、例えば、酸化ハフニウム（ＩＶ）、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化錫、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、または窒化ケイ素等が挙げられる。抵抗スイッチング層１３０の厚さは、例えば、１ナノメートル〜１００ナノメートルとする。抵抗スイッチング層１３０の形成方法としては、例えば、プラズマ促進化学蒸着法、原子層堆積法、ＡＣマグネトロンスパッタリング法、または電子ビーム蒸着法等がある。抵抗スイッチング層１３０の堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）温度範囲は、例えば、１００℃〜５００℃である。また、高温炎管を用いて抵抗スイッチング層１３０をアニール処理することもできる。さらに、抵抗スイッチング層１３０の材料として、密な構造を有する材料、例えば、窒化ケイ素、酸化ハフニウム（ＩＶ）、または酸化アルミニウム等を選択すると、抵抗スイッチング層１３０における銅フィラメントの拡散を抑制することができ、よって本発明の抵抗変化型メモリ１００のデータ保持能力を向上することができる。

抵抗スイッチング層１３０上には銅含有酸化物層１４０を設ける。銅含有酸化物層１４０の材料としては、例えば、酸化チタン銅、酸化タンタル銅、酸化アルミニウム銅、酸化コバルト銅、酸化タングステン銅、酸化イリジウム銅、酸化ルテニウム銅、酸化ニッケル銅、酸化モリブデン銅、酸化ジルコニウム銅、または酸化インジウム錫銅等が挙げられる。銅含有酸化物層１４０の厚さは、例えば、１ナノメートル〜１００ナノメートルとする。銅含有酸化物層１４０の形成方法としては、例えば、ＡＣマグネトロンスパッタリング法または電子ビーム蒸着法等がある。銅含有酸化物層１４０は、抵抗スイッチング用の銅イオンを供給することができる。

抵抗変化型メモリ１００の電子供給層１５０に正バイアスを印加すると、銅含有酸化物層１４０中の銅イオンが抵抗スイッチング層１３０において銅原子に還元されて銅フィラメントを形成し、抵抗変化型メモリ１００の抵抗値が減少して抵抗変化型メモリ１００は低抵抗状態（ＬＲＳ）になる。抵抗変化型メモリ１００の電子供給層１５０に負バイアスを印加すると、銅フィラメント中の銅原子が酸化されて銅イオンになることによって銅フィラメントが破壊して、抵抗変化型メモリ１００の抵抗値が増加して抵抗変化型メモリ１００は高抵抗状態（ＨＲＳ）になる。

銅含有酸化物層１４０上には電子供給層１５０を設ける。電子供給層１５０の材料としては、例えば、チタン銅合金、窒化チタン銅、アルミニウム銅合金、タングステン銅合金、イリジウム銅合金、酸化イリジウム銅、ルテニウム銅合金、タンタル銅合金、窒化タンタル銅、ニッケル銅合金、モリブデン銅合金、ジルコニウム銅合金、または酸化インジウム錫銅等が挙げられる。電子供給層１５０の厚さは、例えば、１ナノメートル〜１０００ナノメートルとする。電子供給層１５０の形成方法としては、例えば、ＡＣマグネトロンスパッタリング法、原子層堆積法、または電子ビーム蒸着法等がある。

電子供給層１５０の主な機能を以下に説明する。抵抗変化型メモリ１００が低抵抗状態にあるとき、銅原子が形成した銅フィラメントが経時的に外側へ拡散する。電子供給層１５０は銅フィラメントに電子を供給して銅フィラメントの拡散を抑制し、抵抗変化型メモリ１００のデータ保持能力を向上することができる。さらに、電子供給層１５０を用いて酸素を捕捉することもでき、酸化還元（レドックス）反応を連続的に行うことができるようにして、本発明の抵抗変化型メモリ１００の耐久性を向上させることができる。さらに、電子供給層１５０は抵抗変化型メモリ１００の上部電極層としても用いることができる。

さらに、抵抗変化型メモリ１００は誘電体層１６０をさらに有することができる。誘電体層１６０は、基板１１０と導電層１２０との間に設ける。誘電体層１６０の材料としては、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、または酸窒化ケイ素等の誘電体材料が挙げられる。誘電体層１６０の厚さは、例えば、３ナノメートル〜１０ナノメートルとする。誘電体層１６０の形成方法として、例えば、熱酸化法または化学蒸着法等がある。

上記の各実施形態からわかるように、抵抗変化型メモリ１００において、銅含有酸化物層１４０が銅イオンを供給して銅フィラメントが形成され、抵抗変化型メモリ１００が低抵抗状態となる。低抵抗状態において、電子供給層１５０が電子を供給して銅フィラメントの拡散を抑制でき、抵抗変化型メモリ１００のデータ保持能力を向上することができる。さらに、抵抗変化型メモリ１００における電子供給層１５０を用いて酸素を捕捉して大気中への酸素の放散を阻止することができ、抵抗変化型メモリ１００の耐久性を向上することもできる。

図１および図２を参照すると、図２の抵抗変化型メモリ２００と図１の抵抗変化型メモリ１００との相違点は、図２の抵抗変化型メモリ２００の導電層１２０が２層構造である点である。具体的には、図２の抵抗変化型メモリ２００において、導電層１２０は導電層１２０ａおよび導電層１２０ｂを含む。さらに、図２の抵抗変化型メモリ２００のその他の部材の堆積の方法、材料、形成方法、および効能は、図１の抵抗変化型メモリ１００におけるものと同様であるため、それらの各部材には同じ参照符号を付して説明は省略する。

（実験的実施例）
以下に、本実施形態の抵抗変化型メモリの特性について、実験的実施例に基づきより詳細に説明する。以下の各実験的実施例において、サンプル１は、図１に示す抵抗変化型メモリ１００の構成を有し、サンプル２は、図２に示す抵抗変化型メモリ２００の構成を有する。まず、サンプル１およびサンプル２の製造方法および適切なパラメータ条件について説明するが、本発明の抵抗変化型メモリの製造方法はこれに限定されない。

サンプル１：
基板１１０として、ＲＣＡ（アメリカのラジオ会社）洗浄ステップで洗浄したシリコン基板を用意した。そして、高温の炉心管を用いて、基板１１０上に２００ｎｍ厚の二酸化ケイ素薄膜を成長させて誘電体層１６０とした。続いて、誘電体層１６０上に、１５ｎｍ厚のチタン薄膜および３０ｎｍ厚の白色金薄膜を電子ビーム蒸着法により成長させ、それぞれ導電層１２０ａおよび導電層１２０ｂとして用いることとした。ここで、導電層１２０ｂ（白色金薄膜）は、導電層１２０ａ（チタン薄膜）を介して誘電体層１６０に固定して接着することもできる。その後、テトラキス（ジメチルアミノ）チタン（Ｔｉ［Ｎ（ＣＨ_３）_２］_４；ＴＤＭＡＴ）を前駆体として用いて窒素プラズマと反応させ、堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）温度２５０℃および作動圧力０．３トルの環境下で、導電層１２０ｃとして使用する１０ｎｍ厚の窒化チタン薄膜を原子層堆積法により導電層１２０ｂ上に成長させた。そして、プラズマ促進化学蒸着法により、抵抗スイッチング層１３０として使用する窒化ケイ素薄膜を導電層１２０ｃ上に蒸着した。この蒸着は、堆積（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）温度３００℃および作動圧力１．３トルの環境下で、シラン（ＳｉＨ_４）およびアンモニア（ＮＨ_３）を反応ガスとして用い、反応速度を促進するアルゴン（Ａｒ）プラズマを用いて行った。続いて、真空環境において、ＡＣマグネトロンスパッタリング法により酸素雰囲気下で銅薄膜を抵抗スイッチング層１３０上に蒸着して、銅含有酸化物層１４０として使用する酸素ドープした銅薄膜を形成した。その後、酸素雰囲気を終了して、電子供給層１５０として使用するチタン銅合金薄膜を銅含有酸化物層１４０上に成長させて、サンプル１の製造を完了した。

サンプル２：
サンプル２とサンプル１の相違点は、サンプル２の導電層１２０が２層構造である点である。具体的には、サンプル２において、導電層１２０は導電層１２０ａおよび導電層１２０ｂを含む。さらに、サンプル２をリソグラフィ工程およびエッチング工程を介してパターニングし、面積２×２μｍ^２のクロスバーパターンとした。さらに、サンプル２のその他の部材の蒸着方法、材料、および形成方法は、サンプル１におけるものと同様であるため、説明は省略する。

図３を参照すると、サンプル１における電子供給層１５０には正極性バイアスが印加されている。この時点で、導電層１２０ｃは導電層１２０ｂを介して接地されている。電圧が上昇すると、電流も増加する。電流が電流制限値（２０μＡ）まで増加すると、この時点でのバイアス電圧３．４Ｖが銅フィラメントの形成における形成電圧となる。そして、このバイアスをさらに増加して抵抗スイッチングを完了する必要があり、抵抗変化型メモリの抵抗値は最初の高抵抗状態（ＨＲＳ）から低抵抗状態（ＬＲＳ）へと切り替わる。

図４を参照すると、サンプル２における電子供給層１５０には正極性バイアスが印加されている。この時点で、導電層１２０ｂは接地されている。電圧が上昇すると、電流も増加する。電流が電流制限値（１０ｎＡ）まで増加すると、この時点でのバイアス電圧２．２Ｖが形成電圧となる。そして、このバイアスをさらに増加して抵抗スイッチングを完了する必要があり、抵抗変化型メモリの抵抗値は初期の高抵抗状態（ＨＲＳ）から低抵抗状態（ＬＲＳ）へと切り替わる。

図３および図４から次のことがわかる。すなわち、面積の大きいサンプル１と比べ、面積の小さいサンプル２は電流制限値が低い。

図５を参照すると、サンプル１における電子供給層１５０には正の直流バイアスが印加されている。バイアスを０Ｖから１Ｖまで印加すると電流値が上昇しはじめるが、この現象から、正バイアスの増加に伴いサンプル１の抵抗値が減少したことがわかる。正バイアスを３Ｖまで連続的に印加した後、印加バイアスを３Ｖから０Ｖに戻すが、０Ｖから１Ｖまでのバイアスの電圧−電流曲線（Ｉ−Ｖ曲線）は、反対方向の１Ｖから０ＶまでのバイアスのＩ−Ｖ曲線とは重複しないことがわかる。この現象から、抵抗スイッチングが発生したことがわかる。すなわち、高抵抗状態が低抵抗状態に切り替わっている。そして、負の直流バイアスを電子供給層１５０に印加し、印加バイアスが０Ｖから−１Ｖに変化すると電流値が上昇しはじめるが、この現象から、負バイアスの増加に伴いサンプル１の抵抗値が減少したことがわかる。負バイアスを−１Ｖまで連続的に印加すると、サンプル１の電流値は初めて減少し、そして、負バイアスは−２Ｖまで連続的に増加し、電流値は減少を続ける。その後、印加バイアスを−２Ｖから０Ｖに増加するが、０Ｖから−２Ｖまでのバイアスの電圧−電流曲線（Ｉ−Ｖ曲線）は、反対方向の−２Ｖから０ＶまでのバイアスのＩ−Ｖ曲線とは重複しないことがわかる。この現象から、サンプル１が低抵抗値状態から高抵抗状態に切り替わったことがわかる。

図６を参照すると、サンプル２における電子供給層１５０には正の直流バイアスが印加されている。バイアスを０Ｖから１．６Ｖまで印加すると電流値が上昇し始めるが、この現象から、正バイアスの増加に伴いサンプル２の抵抗値が減少したことがわかる。正バイアスを３Ｖまで連続的に印加した後、印加バイアスを３Ｖから０Ｖに戻すが、０Ｖから１．６Ｖまでのバイアスの電圧−電流曲線（Ｉ−Ｖ曲線）は、反対方向の１．６Ｖから０ＶまでのバイアスのＩ−Ｖ曲線とは重複しないことがわかる。この現象から、抵抗スイッチングが発生したことがわかる。すなわち、高抵抗状態が低抵抗状態に切り替わっている。そして、負の直流バイアスを電子供給層１５０に印加するが、印加バイアスが０Ｖから−１．８Ｖに変化すると電流値が上昇をはじめ、この現象から、負バイアスの増加に伴ってサンプル２の抵抗値が減少したことがわかる。負バイアスを−１．８Ｖまで連続的に印加すると、サンプル２の電流値は初めて減少し、その後、負バイアスは−２．５Ｖまで連続して減少し、電流値は引き続き減少する。そして、印加バイアスを−２．５Ｖから０Ｖまで増加するが、０Ｖから−２．５Ｖまでのバイアスの電圧−電流曲線（Ｉ−Ｖ曲線）は、反対方向の−２．５Ｖから０ＶまでのバイアスのＩ−Ｖ曲線とは重複しないことがわかる。この現象から、サンプル２が低抵抗値状態から高抵抗状態に切り替わったことがわかる。

図７を参照すると、サンプル１における電子供給層１５０にバイアスが印加されており、導電層１２０ｃは導電層１２０ｂを介して接地されている。ここで、高抵抗状態および低抵抗状態の電流値はいずれもバイアス０．３Ｖを下回っていることがわかる。１０００回を超える連続したスイッチング動作の下、高抵抗状態と低抵抗状態とにおける抵抗値の比は依然として２００よりも大きい。したがって、サンプル１は耐久性に優れていることがわかる。

図８を参照すると、サンプル２における電子供給層１５０にバイアスが印加されており、導電層１２０ｂは接地されている。ここで、高抵抗状態および低抵抗状態の電流値はいずれもバイアス０．１Ｖを下回っていることがわかる。１０００回を超える連続したスイッチング動作の下、高抵抗状態と低抵抗状態との抵抗値の比は依然として１０よりも大きい。したがって、サンプル２は耐久性に優れていることがわかる。

図９を参照すると、図６の実験的実施例における消去／書き込み電圧を介して、サンプル２を低抵抗状態と高抵抗状態とにそれぞれ切り替える。低抵抗状態下および高抵抗状態下での各電流値を、低抵抗状態下および高抵抗状態下における０．３Ｖの電圧で周期的に読み出す。試験結果から、サンプル２を温度８５℃に１０^５秒置いた後も、メモリ特性の劣化は全く生じることなく、データを正確に読み出すことができたことがわかる。さらに、高抵抗状態と低抵抗状態とにおける抵抗値の比は１０^３を上回っている。

図１０を参照すると、図６の実験的実施例における消去／書き込み電圧値を介して、サンプル２を低抵抗状態と高抵抗状態とにそれぞれ切り替える。そして、低抵抗状態下および高抵抗状態下での各電流値を、それぞれ、低抵抗状態下および高抵抗状態下における０．３Ｖの電圧で周期的に読み出す。試験結果から、サンプル２は、温度２００℃の温度下でメモリ状態を８×１０^３秒維持できることがわかる。さらに、高抵抗状態と低抵抗状態とにおける抵抗値の比は１０^４を上回っている。

図１１は、室温におけるサンプル２の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による顕微鏡写真であり、図１１中のグラフは、室温におけるサンプル２をＸ線光電子分光装置により分析して得られた酸素元素分布率を示す。図１２は、サンプル２の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による顕微鏡写真であり、図１２中のグラフは、加熱試験後のサンプル２をＸ線光電子分光装置により分析して得られた酸素原子分布率を示す。

図１１を参照すると、サンプル２の銅フィラメント形成前に、サンプル２中の電子供給層１５０、銅含有酸化物層１４０、および抵抗スイッチング層１３０の各画像を透過型電子顕微鏡で取得し、Ｘ線光電子分光装置を用いて、サンプル２中の電子供給層１５０、銅含有酸化物層１４０、および抵抗スイッチング層１３０における酸素元素比率分析を行う。分析結果から、電子供給層１５０と銅含有酸化物層１４０との境界面における酸素元素比率のピーク値は１０．８３％であることがわかる。

図１２を参照すると、各温度（最高温度２００℃）でサンプル２の加速試験を行った後、サンプル２は低抵抗状態から高抵抗状態へ自動的に切り替わる。そして、サンプル２中の電子供給層１５０、銅含有酸化物層１４０、および抵抗スイッチング層１３０の各画像を透過型電子顕微鏡で取得し、Ｘ線光電子分光装置を用いて、サンプル２中の電子供給層１５０、銅含有酸化物層１４０、および抵抗スイッチング層１３０における酸素元素比率分析を行う。分析結果から、酸素原子が分布している電子供給層１５０と銅含有酸化物層１４０との境界面における酸素元素比率のピーク値は２３．２３％であることがわかる。

図１１および図１２の結果からわかるように、高温加速試験後の電子供給層１５０と銅含有酸化物層１４０との境界面における酸素原子増加率は１１４％であり、よって、このことは電子供給層１５０が酸素を捕捉する効果を確かに有しており、銅含有酸化物層１４０において酸素が散逸する現象を抑制することができることを間接的に実証している。その結果、抵抗変化型メモリの耐久性を効果的に向上することができる。

以上のことから、上記の各実施形態の抵抗変化型メモリは少なくとも以下の特徴を有する。抵抗変化型メモリ中の電子供給層により電子を供給して銅フィラメントの拡散を抑制することができ、よって抵抗変化型メモリのデータ保持能力を向上することができる。さらに、抵抗変化型メモリ中の電子供給層を用いて酸素を捕捉し大気中への酸素の放散を阻止することもでき、抵抗変化型メモリの耐久性を向上することもできる。

以上、本発明を上記の各実施形態を参照して説明したが、本発明の要旨を逸脱しない限りにおいて上記の各実施形態に各種変更を加えてもよいことは当業者にとって明らかであろう。したがって、本発明の範囲は、上記の発明の詳細な説明ではなく、添付の請求の範囲によって定義されるものである。

本発明の抵抗変化型メモリは、向上したデータ保持能力を有することができる。

１００、２００：抵抗変化型メモリ
１１０：基板
１２０、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ：導電層
１３０：抵抗スイッチング層
１４０：銅含有酸化物層
１５０：電子供給層
１６０：誘電体層

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に設けた導電層と、
   前記導電層上に設けた抵抗スイッチング層と、
   前記抵抗スイッチング層上に設けた銅含有酸化物層と、
   前記銅含有酸化物層上に設けた電子供給層と、を備える抵抗変化型メモリ。
2. 前記導電層は単層構造または多層構造を含む、請求項１に記載の抵抗変化型メモリ。
3. 前記導電層は厚さが１ナノメートル〜５００ナノメートルである、請求項１または請求項２に記載の抵抗変化型メモリ。
4. 前記抵抗スイッチング層は厚さが１ナノメートル〜１００ナノメートルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の抵抗変化型メモリ。
5. 前記抵抗スイッチング層の堆積温度範囲が１００℃〜５００℃である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の抵抗変化型メモリ。
6. 前記銅含有酸化物層の材料が、酸化チタン銅、酸化タンタル銅、酸化アルミニウム銅、酸化コバルト銅、酸化タングステン銅、酸化イリジウム銅、酸化ルテニウム銅、酸化ニッケル銅、酸化モリブデン銅、酸化ジルコニウム銅、または酸化インジウム錫銅を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の抵抗変化型メモリ。
7. 前記銅含有酸化物層は厚さが１ナノメートル〜１００ナノメートルである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の抵抗変化型メモリ。
8. 前記電子供給層の材料が、チタン銅合金、窒化チタン銅、アルミニウム銅合金、タングステン銅合金、イリジウム銅合金、酸化イリジウム銅、ルテニウム銅合金、タンタル銅合金、窒化タンタル銅、ニッケル銅合金、モリブデン銅合金、ジルコニウム銅合金、または酸化インジウム錫銅を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の抵抗変化型メモリ。
9. 前記電子供給層は厚さが１ナノメートル〜１０００ナノメートルである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の抵抗変化型メモリ。
10. 前記抵抗変化型メモリは、誘電体層をさらに備え、前記誘電体層は前記基板と前記導電層との間に設ける、請求項１〜９のいずれか一項に記載の抵抗変化型メモリ。