JP2017033961A - 光結合装置 - Google Patents

光結合装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2017033961A
JP2017033961A JP2015148951A JP2015148951A JP2017033961A JP 2017033961 A JP2017033961 A JP 2017033961A JP 2015148951 A JP2015148951 A JP 2015148951A JP 2015148951 A JP2015148951 A JP 2015148951A JP 2017033961 A JP2017033961 A JP 2017033961A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
coupling device
optical coupling
input terminal
resin member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015148951A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6438363B2 (ja
Inventor
真美 山本
Masami Yamamoto
真美 山本
直也 鷹居
Naoya Takai
直也 鷹居
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2015148951A priority Critical patent/JP6438363B2/ja
Publication of JP2017033961A publication Critical patent/JP2017033961A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6438363B2 publication Critical patent/JP6438363B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

【課題】基板と樹脂部材との密着を安定させることが可能な光結合装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、光結合装置は、第1の辺と、第1の辺に対向する第2の辺と、第1の辺と第2の辺とに交差する第3の辺と、第3の辺と対向しつつ第1の辺と第2の辺とに交差する第4の辺と、を有する矩形状の面を有する基板と、面の第1の辺側に設けられた入力端子と、面の第2の辺側に設けられた出力端子と、面の内部で入力端子と電気的に接続された発光素子と、面の内部で出力端子と電気的に接続され、発光素子の光を受光する受光素子と、入力端子と、出力端子と、発光素子と、受光素子と、面とを覆う樹脂部材と、を備え、面において、第1の辺と樹脂部材とが接する部分の長さが第2の辺と樹脂部材とが接する部分の長さに等しく、かつ、第3の辺と樹脂部材とが接する部分の長さが第4の辺と樹脂部材とが接する部分の長さに等しい。【選択図】図2

Description

本発明の実施形態は、光結合装置に関する。
フォトリレーやフォトカプラを含む光結合装置は、発光素子と、この発光素子の光を受光する受光素子と、を備える。一般的に、受光素子は基板に設置され、発光素子は受光素子の上面に設置される。また、この基板には、発光素子と電気的に接続される入力端子と、受光素子に電気的に接続される出力端子とが設けられている。一般的に、入力端子と出力端子は、基板の周縁に沿って設けられ、互いに対向している。
上記のような光結合装置では、発光素子と、受光素子と、入力端子と、出力端子とは、樹脂部材によって覆われる。しかし、入力端子および出力端子は、金属等の導電部材で構成されているので、これらの端子と樹脂部材との密着性は低い。そのため、特に、これらの端子が設けられた基板の周縁と樹脂との密着が不安定になるおそれがある。
特開平6−224725号公報
本発明の実施形態は、基板と樹脂部材との密着を安定させることが可能な光結合装置を提供することである。
本実施形態によれば、第1の辺と、前記第1の辺に対向する第2の辺と、前記第1の辺と前記第2の辺とに交差する第3の辺と、前記第3の辺と対向しつつ前記第1の辺と前記第2の辺とに交差する第4の辺と、を有する矩形状の面を有する基板と、
前記面の前記第1の辺側に設けられた入力端子と、
前記面の前記第2の辺側に設けられた出力端子と、
前記面の内部で前記入力端子と電気的に接続された発光素子と、
前記面の内部で前記出力端子と電気的に接続され、前記発光素子の光を受光する受光素子と、
前記入力端子と、前記出力端子と、前記発光素子と、前記受光素子と、前記面とを覆う樹脂部材と、
を備え、
前記面において、前記第1の辺と前記樹脂部材とが接する部分の長さが前記第2の辺と前記樹脂部材とが接する部分の長さに等しく、かつ、前記第3の辺と前記樹脂部材とが接する部分の長さが前記第4の辺と前記樹脂部材とが接する部分の長さに等しい光結合装置が提供される。
(a)は第1の実施形態に係る光結合装置を上方から透視して示す斜視図であり、(b)は(a)に示す光結合装置を側面から透視して示す図である。 第1の実施形態に係る光結合装置に設けられた基板の平面図である。 第1の実施形態に係る光結合装置の回路図である。 (a)は比較例に係る光結合装置の実装レイアウトを示す平面図であり、(b)は第1の実施形態に係る光結合装置の実装レイアウトを示す平面図である。 (a)は第2の実施形態に係る光結合装置を上方から透視して示す斜視図であり、(b)は(a)に示す光結合装置を側面から透視して示す図である。 第2の実施形態に係る光結合装置に設けられた基板の概略的な構成を示す斜視図である。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の実施形態では、光結合装置の一例としてフォトリレーの構成を中心に説明する。ただし、フォトリレー以外の他の光結合装置、例えばフォトカプラにも本実施形態を適用することは可能である。
(第1の実施形態)
図1(a)は、本実施形態に係る光結合装置を上方から透視して示す斜視図であり、図1(b)は、図1(a)に示す光結合装置1を側面から透視した図である。図1(a)および図1(b)に示すように、本実施形態に係る光結合装置1は、基板10と、入力端子20と、出力端子30と、発光素子40と、受光素子50と、スイッチング素子60、61と、抵抗70と、樹脂部材80と、を備える。
図2は、基板10の平面図である。図2に示す基板10は、矩形状の面11を有する絶縁基板である。面11は、第1の辺11aと、第1の辺11aに対向する第2の辺11bと、第1の辺11aと第2の辺11bとに交差する第3の辺11cと、第3の辺11cに対向しつつ第1の辺11aと第2の辺11bとに交差する第4の辺11dと、を有する。なお、本実施形態では、第1の辺11aと第2の辺11bは互いに平行であるが、これらの辺は平行でなくてもよい。同様に、第3の辺11cと第4の辺11dも互いに平行であるが、これらの辺は平行でなくてもよい。また、本実施形態では第3の辺11cと第4の辺11dは、第1の辺11aと第2の辺11bに直交しているが、直交していなくてもよい。
入力端子20は、第1の辺11a側に設けられている。入力端子20は、導電領域21と導電領域22を有する。導電領域21には、設置部12が一体に設けられている。導電領域21と、導電領域22と、設置部12とは、例えば、金(Au)、銀(Ag)、またはパラジウム(Pd)などでメッキ処理を施した金属層で構成されている。
導電領域21の周縁の一部である周縁21a(第1の周縁)は、第1の辺11aに沿って配置されている。導電領域22の周縁の一部である周縁22a(第1の周縁)も、第1の辺11aに沿って配置されている。本実施形態では、周縁21aの長さL1と周縁22aの長さL1は互いに等しいが、等しくなくてもよい。
出力端子30は、第2の辺11b側に設けられている。出力端子30は、導電領域31と導電領域32を有する。導電領域31、32も、上述した導電領域21、22と同様に、例えば、金(Au)、銀(Ag)、またはパラジウム(Pd)などでメッキ処理を施した金属層で構成されている。
導電領域31の周縁の一部である周縁31a(第2の周縁)は、第2の辺11bに沿って配置されている。導電領域32の周縁の一部である周縁32a(第2の周縁)も、第2の辺11bに沿って配置されている。本実施形態では、周縁31aの長さL2と周縁32aの長さL2も互いに等しいが、等しくなくてもよい。
本実施形態では、周縁21aの長さL1と周縁22aの長さL1とを加算した長さ2L1と、周縁31aの長さL2と周縁32aの長さL2とを加算した長さ2L2も、互いに等しい。さらに、入力端子10は、第3の辺11cの中点と第4の辺11dの中点とを結ぶ中心線Mに関して出力端子30と対称な位置に設けられている。
図1に戻って、発光素子40は、受光素子50の上面に設置されている。発光素子40は、導体91によって抵抗70に電気的に接続されているとともに、導体92によって導電領域22に電気的に接続されている。
本実施形態では、発光素子40はLED(Light Emitting Diode)であるが、この発光素子40はLEDに限定されず、他の種類の発光素子であってもよい。
受光素子50は、設置部13に設置されている。設置部13は、基板10の面11において、入力端子20に対向する位置に設けられている。受光素子50は、導体93および導体94によって、スイッチング素子60およびスイッチング素子61に電気的に接続されている。
スイッチング素子60は設置部14に設けられ、スイッチング素子61は設置部15に設けられている。設置部14および設置部15は、基板10の面11において、設置部13と出力端子30との間に設けられている。スイッチング素子60とスイッチング素子61は、導体95で互いに電気的に接続されている。
本実施形態では、スイッチング素子60およびスイッチング素子61は、N型のMOSトランジスタである。しかし、スイッチング素子60およびスイッチング素子61は、MOSトランジスタに限定されず、他の種類のスイッチング素子であってもよい。
なお、上述した導体91〜導体95は、例えば、金、銀、または銅(Cu)等から成る電気配線である。
抵抗70は、導電領域21に一体に設けられた設置部12に設置されている。なお、設置部12には、抵抗以外の他の種類の電子部品が設置されていてもよい。
樹脂部材80は、基板10の面11と、入力端子20と、出力端子30と、発光素子40と、受光素子50と、スイッチング素子60、61と、を覆っている。樹脂部材80は、遮光性を備える樹脂で構成されている。これにより、受光素子50が外光の受光により誤動作するのを回避できる。
以下、図3を参照して、本実施形態に係る光結合装置1の回路構成および動作について簡潔に説明する。図3は、本実施形態に係る光結合装置1の回路図である。
図3に示すように、本実施形態に係る光結合装置1では、抵抗70が発光素子40のアノードに直列に接続されている。これにより、発光素子40に供給される電流が抵抗70によって制限される。なお、抵抗70は、発光素子40のカソードに直列に接続されていてもよい。
また、本実施形態では、受光素子50は、複数のフォトダイオード50aと、制御回路50bと、を有する。複数のフォトダイオード50aは、発光素子40から放出された光を受光する。制御回路50bは、複数のフォトダイオード50aの受光状態に基づいてMOSトランジスタ60、61を制御する。
MOSトランジスタ60、61のゲートは、制御回路50bに接続されている。MOSトランジスタ60、61のドレインは、外部の回路に接続されている。MOSトランジスタ60のソースとMOSトランジスタ61のソースとは互いに接続されている。なお、MOSトランジスタ60にはボディダイオード62が内蔵され、MOSトランジスタ61にはボディダイオード63が内蔵されている。
上記のような回路構成を備える光結合装置1では、電流が入力端子20から抵抗70を介して発光素子40に供給されると、発光素子40が発光する。発光素子40の光はフォトダイオード50aで受光され、この受光に伴って制御回路50bがMOSトランジスタ60、61のゲートに電圧を供給する。これにより、MOSトランジスタ60、61は、ともにオンする。反対に、発光素子40への電流供給が停止されると、制御回路50bからMOSトランジスタ60、61のゲートへの電圧供給が停止される。そのため、MOSトランジスタ60、61は、ともにオフする。
以上説明した本実施形態によれば、図2に示すように、入力端子20の、第1の辺11aに沿って配置された周縁の長さ2L1が、出力端子30の、第2の辺11bに沿って配置された周縁の長さ2L2に等しい。換言すると、基板10の面11において、第1の辺11aと樹脂部材80とが接する部分の長さ(Y−2L1)が、第2の辺11bと樹脂部材80とが接する部分の長さ(Y−2L2)に等しい。また、第3の辺11cと樹脂部材80とが接する部分の長さ(X)も、第4の辺11dと樹脂部材80とが接する部分の長さ(X)と等しい。つまり、基板10の、互いに対向する周縁において、樹脂部材80との密着部分の長さが同等に確保されている。よって、基板10と樹脂部材80との密着が安定する。
特に、本実施形態では、図2に示すように、入力端子10は、第3の辺11cの中点と第4の辺11dの中点とを結ぶ中心線Mに関して出力端子30と対称な位置に設けられている。これにより、第1の辺11aと樹脂部材80との密着部分と、第2の辺11bと樹脂部材80との密着部分とが対称になるので、基板10と樹脂部材80との密着がより安定する。
また、本実施形態では、抵抗70が、光結合装置1に内蔵されている。ここで、図4を参照して、抵抗70が光結合装置1に内蔵されていることによって得られる効果について説明する。図4(a)は、比較例に係る光結合装置の実装レイアウトを示す平面図であり、図4(b)は本実施形態に係る光結合装置の実装レイアウトを示す平面図である。
図4(a)に示すように、比較例では、抵抗70が光結合装置1aに外付けされている。そのため、1つの抵抗70に対して実装面積Sが必要になる。例えば、3つの抵抗70を実装するためには、実装面積3Sが必要になる。
一方、図4(b)に示すように、本実施形態では、抵抗70が光結合装置1に内蔵されている。そのため、上述した実装面積3Sが不要になる。これにより、光結合装置1を用いる際に必要な実装面積を低減することが可能となる。
さらに、本実施形態では、図2に示すように、抵抗70が設置される設置部12の第3の辺11cからの最短距離d1が、導電領域21の第3の辺11cからの最短距離d2よりも長い。そのため、基板10に抵抗70が設置されても、第3の辺11cにおける樹脂部材80との密着エリアを十分に確保することができる。つまり、基板10と樹脂部材80との密着性を損なうことなく、抵抗10を光結合装置1に内蔵することが可能となる。さらに、最短距離d1は、第3の辺11と設置部13との間の距離と同じか、または長いことが望ましい。これにより、第3の辺11cにおいて、基板10と樹脂部材80との接着強度が均等になりやすいからである。
(第2の実施形態)
第2の実施形態について、第1の実施形態と異なる点を中心に説明する。図5(a)は、本実施形態に係る光結合装置を上方から透視して示す斜視図であり、図5(b)は、図5(a)に示す光結合装置2を側面から透視した図である。
図5(a)および図5(b)に示すように、本実施形態に係る光結合装置2は、入力端子20が第1の辺11aから離れて設けられ、かつ出力端子30も第2の辺11bから離れて設けられている点で第1の実施形態に係る光結合装置1と異なる。さらに、本実施形態に係る光結合装置2は、抵抗70が基板10の内部に設けられている点でも第1の実施形態に係る光結合装置1と異なる。
図6は、本実施形態に係る基板10の概略的な構成を示す斜視図である。図6に示すように、基板10は、第1の基板10aと、第2の基板10bと、少なくとも1つの第3の基板10cと、を有する積層基板で構成されている。
第1の基板10aは、基板10の最上層に位置し、矩形状の面11を有する。この面11には、第1の実施形態と同様に、入力端子20と、出力端子30と、受光素子50と、MOSトランジスタ60、61とが設置されている。なお、出力端子30は、導電領域31と導電領域32とを有する点で第1の実施形態と同様である。しかし、この出力端子30は、導電領域31が設置部14に一体に設けられるとともに、導電領域32が設置部15に一体に設けられている点で第1の実施形態と異なる。
第2の基板10bは、基板10の最下層に位置し、設置部71を有する。この設置部71には、発光素子40に供給される電流を制限する抵抗70が設置されている。
第3の基板10cは、第1の基板10aと第2の基板10bとの間に位置し、当該第3の基板10cをその厚さ方向に貫通する貫通導電部72を有する。貫通導電部72は、抵抗70から導電領域21までの電流経路Aの一部を構成する。つまり、貫通導電部72は、抵抗70を入力端子20に電気的に接続する。
以上説明した本実施形態によれば、第1の実施形態と同様に、第1の基板10aの面11において、第1の辺11aと樹脂部材80とが接する部分の長さが、第2の辺11bと樹脂部材80とが接する部分の長さと等しい。また、第3の辺11cと樹脂部材80とが接する部分の長さも、第4の辺11dと樹脂部材80とが接する部分の長さと等しい。これにより、第1の基板10aの、互いに対向する周縁同士では、樹脂部材80との密着部分の長さが同等に確保されているので、第1の基板10aと樹脂部材80との密着が安定する。
特に、本実施形態では、入力端子20が第1の辺11aから離れて設けられるとともに、出力端子30が第2の辺11bから離れて設けられている。そのため、第1の辺11a全体が樹脂部材80との密着部分になるとともに、第2の辺11b全体が樹脂部材80との密着部分になる。よって、第1の実施形態に比べて第1の基板10aの周縁と樹脂部材80との密着性が向上する。
さらに、本実施形態では、抵抗70が基板10の内部に設けられている。そのため、第1の実施形態に比べて基板10の平面積を小さくすることが可能となる。よって、装置を小型化することが可能となる。また、外部から光結合装置2に電流が供給される端子から発光素子40の入力端までの距離が長くなり、容量成分が増加する。この容量成分は、比較的高い周波数信号に乗るノイズを低減し、発光素子40の発光を適正に行わせることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1,2 光結合装置、10 基板、10a 第1の基板、10b 第2の基板、10c 第3の基板、11 面、11a 第1の辺、11b 第2の辺、11c 第3の辺、11d 第4の辺、12 設置部、20 入力端子、21a,22a 第1の周縁、31a,32a 第2の周縁、30 出力端子、40 発光素子、50 受光素子、70 抵抗、71 貫通導電部、80 樹脂部材

Claims (7)

  1. 第1の辺と、前記第1の辺に対向する第2の辺と、前記第1の辺と前記第2の辺とに交差する第3の辺と、前記第3の辺と対向しつつ前記第1の辺と前記第2の辺とに交差する第4の辺と、を有する矩形状の面を有する基板と、
    前記面の前記第1の辺側に設けられた入力端子と、
    前記面の前記第2の辺側に設けられた出力端子と、
    前記面の内部で前記入力端子と電気的に接続された発光素子と、
    前記面の内部で前記出力端子と電気的に接続され、前記発光素子の光を受光する受光素子と、
    前記入力端子と、前記出力端子と、前記発光素子と、前記受光素子と、前記面とを覆う樹脂部材と、
    を備え、
    前記面において、前記第1の辺と前記樹脂部材とが接する部分の長さが前記第2の辺と前記樹脂部材とが接する部分の長さに等しく、かつ、前記第3の辺と前記樹脂部材とが接する部分の長さが前記第4の辺と前記樹脂部材とが接する部分の長さに等しい、光結合装置。
  2. 前記入力端子の周縁の一部である第1の周縁が、前記第1の辺に沿って配置されているとともに、前記出力端子の周縁の一部である第2の周縁が、前記第2の辺に沿って配置され、
    前記第1の周縁の長さが、前記第2の周縁の長さに等しい、請求項1に記載の光結合装置。
  3. 前記入力端子が、前記第3の辺の中点と前記第4の辺の中点とを結ぶ中心線に関して前記出力端子と対称な位置に設けられている、請求項2に記載の光結合装置。
  4. 前記入力端子に設けられ、前記発光素子に電気的に接続される電子部品が設置される設置部をさらに備え、前記設置部の前記第3の辺からの最短距離が、前記入力端子の前記第3の辺からの最短距離よりも長い、請求項2または3に記載の光結合装置。
  5. 前記入力端子が前記第1の辺から離れて設けられ、かつ前記出力端子も前記第2の辺から離れて設けられている、請求項1に記載の光結合装置。
  6. 前記基板が、
    前記面を有する第1の基板と、
    電子部品が設置された第2の基板と、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間に設けられた少なくとも1つの第3の基板とを、有し、
    前記第3の基板が、前記電子部品を前記入力端子に電気的に接続する貫通導電部を有する、請求項5に記載の光結合装置。
  7. 前記電子部品が、前記発光素子に直列に接続される抵抗である、請求項4または6に記載の光結合装置。
JP2015148951A 2015-07-28 2015-07-28 光結合装置 Active JP6438363B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015148951A JP6438363B2 (ja) 2015-07-28 2015-07-28 光結合装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015148951A JP6438363B2 (ja) 2015-07-28 2015-07-28 光結合装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017033961A true JP2017033961A (ja) 2017-02-09
JP6438363B2 JP6438363B2 (ja) 2018-12-12

Family

ID=57986298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015148951A Active JP6438363B2 (ja) 2015-07-28 2015-07-28 光結合装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6438363B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107799512A (zh) * 2017-11-28 2018-03-13 无锡豪帮高科股份有限公司 一种立体封装集成光耦电路的结构及其方法
CN113540071A (zh) * 2020-04-17 2021-10-22 爱思开海力士有限公司 包括电阻器元件的半导体装置
US11699692B2 (en) 2020-06-23 2023-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
US11824134B2 (en) 2020-09-17 2023-11-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7273741B2 (ja) 2020-02-07 2023-05-15 株式会社東芝 光結合装置及び高周波装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4203792A (en) * 1977-11-17 1980-05-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for the fabrication of devices including polymeric materials
JPH06224725A (ja) * 1993-01-26 1994-08-12 Matsushita Electric Works Ltd フォトモスリレー
JP2001085732A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールの製造方法および赤外線データ通信モジュール
JP2002359392A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Works Ltd 半導体リレー
WO2014065035A1 (ja) * 2012-10-22 2014-05-01 株式会社村田製作所 電子部品内蔵モジュール
JP2014187210A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toshiba Corp 光結合装置
JP2015056531A (ja) * 2013-09-12 2015-03-23 株式会社東芝 実装部材および光結合装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4203792A (en) * 1977-11-17 1980-05-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for the fabrication of devices including polymeric materials
JPH06224725A (ja) * 1993-01-26 1994-08-12 Matsushita Electric Works Ltd フォトモスリレー
JP2001085732A (ja) * 1999-09-10 2001-03-30 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールの製造方法および赤外線データ通信モジュール
JP2002359392A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Matsushita Electric Works Ltd 半導体リレー
WO2014065035A1 (ja) * 2012-10-22 2014-05-01 株式会社村田製作所 電子部品内蔵モジュール
JP2014187210A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toshiba Corp 光結合装置
JP2015056531A (ja) * 2013-09-12 2015-03-23 株式会社東芝 実装部材および光結合装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107799512A (zh) * 2017-11-28 2018-03-13 无锡豪帮高科股份有限公司 一种立体封装集成光耦电路的结构及其方法
CN113540071A (zh) * 2020-04-17 2021-10-22 爱思开海力士有限公司 包括电阻器元件的半导体装置
US11699692B2 (en) 2020-06-23 2023-07-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing same
US11824134B2 (en) 2020-09-17 2023-11-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JP6438363B2 (ja) 2018-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6438363B2 (ja) 光結合装置
US9722127B2 (en) Photocoupler having light receiving element, light emitting element and MOSFET on a die pad unit of a mounting member that includes terminals with multiplied conductive regions
US20150262985A1 (en) Photorelay
US10593823B2 (en) Optical apparatus
JP5975856B2 (ja) 電力用半導体装置
JP2015177052A (ja) 光結合装置
JP2015188051A (ja) 光結合装置
JP2019075842A (ja) 半導体モジュールユニット
JP2020188239A (ja) 発光装置
JP7502983B2 (ja) 光モジュール
CN111403542B (zh) 光耦合装置及其安装部件
JP2016511546A (ja) オプトエレクトロニクス部品およびオプトエレクトロニクス部品を有する電子装置
JP2019145641A (ja) 半導体装置
US20160146436A1 (en) Led unit and led module having the same
NL2021292B1 (en) Electronic module
JP5494851B2 (ja) 半導体装置
JP6329596B2 (ja) 半導体装置
JP2006054245A (ja) 半導体装置
KR102345061B1 (ko) 반도체 패키지
JP2023044783A (ja) 半導体装置
JP2005101179A (ja) 回路装置
JP6008905B2 (ja) 光半導体装置
JP2010177598A (ja) 光通信モジュール
TWM494391U (zh) 發光二極體單元與軟板的結合模組及其發光二極體單元
JP2003051618A (ja) チップ型半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170823

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20170906

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20170908

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180509

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180608

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180731

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181001

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181019

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6438363

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150