JP2001085732A - 赤外線データ通信モジュールの製造方法および赤外線データ通信モジュール - Google Patents

赤外線データ通信モジュールの製造方法および赤外線データ通信モジュール

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Abstract

(57)【要約】 【課題】品質の良好な赤外線データ通信モジュールを効
率良く製造できるようにする。 【解決手段】基板1の片面上に搭載された複数組の発光
素子2と受光素子3とを含む一群の部品を、樹脂封止す
る封止工程と、上記樹脂封止がなされた一群の部品を、
発光素子2と受光素子3とが1組ずつの組み合わせとさ
れた複数の赤外線データ通信モジュールとして分割する
分割工程と、を有している、赤外線データ通信モジュー
ルの製造方法であって、上記封止工程においては、上記
一群の部品を封止する樹脂を、互いに分離した複数の樹
脂パッケージ4として形成し、かつこれら複数の樹脂パ
ッケージ4のそれぞれにより、発光素子2と受光素子3
とを2組以上一括して封止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本願発明は、携帯型情報機
器、パーソナルコンピュータ、あるいはその周辺機器な
どに搭載されることにより、それらの装置機器間におい
て赤外線データ通信を行うのに利用される赤外線データ
通信モジュールの製造方法および赤外線データ通信モジ
ュールに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の赤外線データ通信モジュールの製
造方法の一例を、図13および図14に示す。この従来
の製造方法は、長尺状または長矩形状の基板1eの片面
上に、赤外線を発する発光素子2eと赤外線を感知する
受光素子3eとを複数組並べて搭載した後に、これらを
複数の樹脂パッケージ4eにより封止する工程を有して
いる。この工程においては、発光素子2eと受光素子3
eとを1組ずつ別個独立に樹脂封止するように、発光素
子2eと受光素子3eとの組み合わせ数と同等数の樹脂
パッケージ4eを基板1e上に形成していた。このよう
な樹脂封止工程の後に、たとえば仮想線L1,L2に示
す位置において基板1eを切断すると、複数の赤外線デ
ータ通信モジュールが得られることとなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の製造方法においては、次のような不具合を生じてい
た。
【0004】すなわち、従来においては、発光素子2e
と受光素子3eとをそれらの組み合わせ数と同等数の樹
脂パッケージ4eによってそれぞれ個別に封止している
ために、樹脂パッケージ4eの総数が多くなる。したが
って、従来においては、複数の樹脂パッケージ4eの相
互間の隙間90の数も多くなり、基板1e上における無
駄なスペースが大きくなる。その結果、一定のサイズの
基板1eから製造される赤外線データ通信モジュールの
取り数が少なく、赤外線データ通信モジュールの製造コ
ストが高価となる不具合があった。
【0005】一方、本願発明者は、上記不具合を解消す
る手段として、基板1e上に搭載された複数組の発光素
子2eと受光素子3eとを含む一群の部品を、1つの樹
脂パッケージによって一括して封止することを先に着想
した。このような手段によれば、樹脂パッケージの数を
最小数にし、従来において発生していた複数の樹脂パッ
ケージの各間の無駄なスペース(隙間90)を無くすこ
とが可能である。ところが、このような手段によれば、
基板1eの片面の広い面積に対して樹脂パッケージが密
着することとなる。このため、上記手段においては、基
板1eの厚みが小さい場合、あるいは基板1eの材質が
比較的軟質であるような場合には、基板1eに反り変形
を生じ、最終的に得られる赤外線データ通信モジュール
の各部に歪みを生じさせる虞れがあった。
【0006】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、品質の良好な赤外線データ通信
モジュールを効率良く製造できるようにすることをその
課題としている。
【0007】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
【0008】本願発明の第1の側面によって提供される
赤外線データ通信モジュールの製造方法は、基板の片面
上に搭載された複数組の発光素子と受光素子とを含む一
群の部品を、樹脂封止する封止工程と、上記樹脂封止が
なされた一群の部品を、上記発光素子と上記受光素子と
が1組ずつの組み合わせとされた複数の赤外線データ通
信モジュールとして分割する分割工程と、を有してい
る、赤外線データ通信モジュールの製造方法であって、
上記封止工程においては、上記一群の部品を封止する樹
脂を、互いに分離した複数の樹脂パッケージとして形成
し、かつこれら複数の樹脂パッケージのそれぞれによ
り、上記発光素子と上記受光素子とを2組以上一括して
封止することを特徴としている。
【0009】本願発明においては、樹脂パッケージの総
数を発光素子および受光素子のそれぞれの組み合わせ数
よりも少なくすることができる。したがって、基板上に
おいて無駄なスペースとなる複数の樹脂パッケージどう
しの間の隙間の数を少なくし、そのトータルの面積を小
さくすることができる。その結果、本願発明において
は、従来と比較すると、同一サイズの基板から製造され
る赤外線データ通信モジュールの取り数を多くすること
ができ、赤外線データ通信モジュールの製造コストの低
減化を図ることが可能となる。さらに、本願発明におい
ては、基板の片面上の一群の部品を1つの樹脂パッケー
ジで一括して封止する手段とは異なり、複数の樹脂パッ
ケージの各間には適度な隙間が形成され、基板の片面に
は樹脂パッケージが密着していない領域が設けられる。
したがって、基板の片面に樹脂パッケージを形成するこ
とに起因して基板に反り変形が生じることを適切に防止
し、または抑制することもできる。その結果、各部に歪
みが無い品質の良好な赤外線データ通信モジュールを製
造することができる。
【0010】本願発明の好ましい実施の形態において
は、上記複数組の発光素子と受光素子とは、上記基板の
片面上において縦横のそれぞれの方向に複数列ずつ配列
されており、かつ上記封止工程においては、上記縦横の
いずれの方向においても上記樹脂パッケージが複数ずつ
並ぶように形成する。
【0011】このような構成によれば、基板が上記縦横
のいずれの方向においても反り変形を生じ難くすること
ができる。したがって、最終的に製造される赤外線デー
タ通信モジュールの品質を一層高めることができる。
【0012】本願発明の他の好ましい実施の形態におい
ては、上記基板は、一定方向に延びる帯状または長矩形
状であるとともに、上記基板には、その短手方向に延び
る複数のスリットが上記基板の長手方向に間隔を隔てて
設けられており、かつ上記基板の片面のうち、上記複数
のスリットの各間の領域に、上記一群の部品が搭載され
ている。
【0013】このような構成によれば、上記基板は、上
記複数のスリットが設けられている箇所においてその長
手方向に部分的に撓み変形し易くなる。したがって、基
板の片面上のうち、2つのスリットの間の領域に搭載さ
れている一群の部品を樹脂封止したときに、仮にその領
域において基板を反り変形させようとする応力が発生し
たとしても、その応力については、上記基板を上記スリ
ットが設けられている箇所において部分的に変形させる
ことにより吸収させることが可能となる。その結果、上
記基板の長手方向のうち、上記樹脂封止された領域とは
スリットを介して隔てた隣りの領域には、上記応力が直
接大きな影響を及ぼさないようにすることができ、一群
の部品が搭載されている領域において基板が反り変形す
ることを一層確実に防止することが可能となる。
【0014】本願発明の第2の側面によって提供される
赤外線データ通信モジュールは、本願発明の第1の側面
によって提供される赤外線データ通信モジュールの製造
方法により製造されたことを特徴としている。
【0015】本願発明に係る赤外線データ通信モジュー
ルにおいては、本願発明の第1の側面によって得られる
のと同様な効果が期待できる。
【0016】本願発明のその他の特徴および利点につい
ては、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明
らかになるであろう。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【0018】図1〜図8は、本願発明に係る赤外線デー
タ通信モジュールの製造方法の一例を示している。赤外
線データ通信モジュールを製造するには、まず図1に示
すような基板1を用いる。この基板1は、たとえばガラ
スエポキシ樹脂製であり、一定方向に延びる帯状または
長矩形状を有している。基板1には、その長手方向に一
定の間隔を隔てて複数のスリット18が設けられてい
る。これら複数のスリット18は、基板1の短手方向
(幅方向)に延びた細幅状のものである。基板1の表面
10aのうち、複数のスリット18の各間の一定領域
は、後述する一群の部品を搭載するための部品搭載領域
Sとされている。
【0019】各部品搭載領域Sには、1つの赤外線デー
タ通信モジュールを製造するのに必要とされる配線パタ
ーン(詳細な図示は省略)が形成されている複数の個別
エリア19が設けられている。これら複数の個別エリア
19は、それぞれ長矩形状であり、縦横となる基板1の
長手方向および短手方向に適当な間隔で複数列に並んで
いる。各個別エリア19には、図2によく表れているよ
うに、1組の(1つずつの)発光素子2、受光素子3お
よびLSIチップ6が搭載されている。発光素子2は、
たとえば赤外線発光ダイオードからなる。受光素子3
は、たとえば赤外線を感知可能なPINフォトダイオー
ドからなる。LSIチップ6は、発光素子2および受光
素子3による赤外線の送受信動作を制御するものであ
る。1組の発光素子2、受光素子3およびLSIチップ
6は、基板1の短手方向に1列に配列されている。
【0020】各個別エリア19に設けられている配線パ
ターンは、発光素子2、受光素子3およびLSIチップ
6の各電極との電気的な導通を図るための複数のパッド
部70や、発光素子2および受光素子3をLSIチップ
6の電極に導通させるための導通部(図示略)を有して
いる。また、上記配線パターンは、図3によく表れてい
るように、基板1の短手方向に並んだ複数のスルーホー
ル7も有している。これら複数のスルーホール7は、基
板1の厚み方向に貫通しており、それらの各内周壁の導
体部72は、基板1の裏面10bに形成された複数の端
子71と繋がっている。このような構造により、発光素
子2、受光素子3およびLSIチップ6の各電極は、複
数のスルーホール7を介して複数の端子71と電気的に
導通している。
【0021】上記した所定の部品を搭載した基板1を準
備した後には、上記部品を樹脂封止する。この作業は、
図4によく表れているように、基板1の表面10aの各
部品搭載領域Sに、互いに分離した複数の樹脂パッケー
ジ4を形成して行う。各樹脂パッケージ4は、たとえば
顔料を含んだエポキシ樹脂からなり、可視光に対しては
透光性を有しない反面、赤外線については十分に良好な
透光性を有するものである。各樹脂パッケージ4を形成
する場合、基板1の長手方向においては、互いに隣り合
う2つの個別エリア19上に搭載されている2組の(2
つずつの)発光素子2、受光素子3およびLSIチップ
6を一括して封止する。したがって、1つの部品搭載領
域Sにおいて、発光素子2、受光素子3およびLSIチ
ップ6の組み合わせが、基板1の長手方向において計8
組設けられている場合には、その方向に計4つの樹脂パ
ッケージ4が並んで形成されることとなる。また、それ
ら計4つの樹脂パッケージ4の各間には,適当な幅の隙
間92が計3箇所形成される。
【0022】一方、基板1の幅方向においては、発光素
子2、受光素子3およびLSIチップ6の1組分に相当
する領域を1つの樹脂パッケージ4によって封止するよ
うに、複数の樹脂パッケージ4を形成する。この場合、
それら複数の樹脂パッケージ4の間には、適当な幅の隙
間93が形成される。
【0023】上記した複数の樹脂パッケージ4の形成工
程によれば、複数の樹脂パッケージを1つの個別エリア
19ごとに独立させて形成する場合と比較すると、基板
1の長手方向における隙間92の総数を少なくすること
ができる。このため、本実施形態においては、隙間92
の総数が少なくなる分だけ基板1上の無駄なスペースを
少なくし、基板1の長手方向における赤外線データ通信
モジュールの取り数を増加させることが可能となる。ま
た、基板1の長手方向および短手方向において、隙間9
2,93が適当数設けられていれば、基板1の表面10
aに各樹脂パッケージ4が密着して設けられたことに起
因して基板1がその長手方向や短手方向に大きく反り変
形しないようにすることができる。
【0024】上記した樹脂封止作業は、実際には、基板
1の長手方向に設けられている複数の部品搭載領域Sの
それぞれに対して順次行う。その一方、本実施形態にお
いては、それら複数の部品搭載領域Sどうしは、スリッ
ト18によって仕切られた構成となっており、スリット
18が設けられている箇所において基板1が部分的に曲
げ変形を生じ易くなっている。このため、1つの部品搭
載領域Sに仮に基板1を曲げる力が発生したとしても、
この力はスリット18が設けられいる領域の基板の曲げ
変形によって吸収緩和される。したがって、1つの部品
搭載領域Sに発生した基板に対する曲げ力が、その隣の
部品搭載領域Sに直接大きく影響しないようにすること
ができ、各部品搭載領域Sにおいて基板1が反り変形す
ることを一層確実に防止することができる。
【0025】なお、各樹脂パッケージ4は、トランスフ
ァモールド法により成形することができ、たとえば次の
ような形態に形成する。すなわち、図5および図6によ
く表れているように、各樹脂パッケージ4は、基板1の
表面10aから上方に起立した複数の側面40と、これ
ら複数の側面40の上端42に繋がった天井面41とを
有している。複数の側面40は、樹脂パッケージ4を成
形するための金型に抜き勾配が設けられていることに起
因してそれらのいずれもが傾斜面となっている。天井面
41は、発光素子2および受光素子3の上方に位置して
おり、この天井面41には、その一部分を上向きの半球
状に膨出させた一対のレンズ43a,43bが設けられ
ている。これら一対のレンズ43a,43bは、発光素
子2の発光特性および受光素子3の受光特性に指向性を
付与するためのものである。なお、図5によく表れてい
るように、各スルーホール7内には、樹脂パッケージ4
の一部が進入していない。これは、たとえば各スルーホ
ール7の開口部を適当なレジスト膜(図示略)によって
塞ぐことにより達成することができる。
【0026】上記樹脂封止作業を終了した後には、基板
1および複数の樹脂パッケージ4をそれらの厚み方向に
切断し、基板1や基板1上の搭載部品を複数の赤外線デ
ータ通信モジュールとして分割するための作業を行う。
切断作業は、基板1の長手方向と短手方向とのそれぞれ
の方向において行う。基板1の長手方向においては、た
とえば図7の仮想線La〜Ldで示す箇所を、駆動回転
自在な円板状のブレード5を用いて切断する。仮想線L
a〜Ldは、いずれも樹脂パッケージ4の天井面41を
通過しており、天井面41の幅方向両端部を通過する仮
想線La,Ldは、側面40の上端42よりも適当な寸
法Saだけ樹脂パッケージ4の幅方向内方寄りである。
したがって、これらの仮想線La,Ldの位置において
樹脂パッケージ4および基板1を切断すれば、各樹脂パ
ッケージ4から傾斜した側面40が除去されることとな
る。複数のスルーホール7は、仮想線La上に位置して
おり、基板1が切断されるときにそれら複数のスルーホ
ール7は分割される。
【0027】仮想線Lb,Lcは、各樹脂パッケージ4
の幅方向の略中央部を通過している。これら仮想線L
b,Lcの位置を切断すれば、各樹脂パッケージ4によ
って封止された2組の発光素子2、受光素子3およびL
SIチップ6が1組ずつの組み合わせに分断されること
となる。仮想線Lc上にも複数のスルーホール7が位置
しており、これら複数のスルーホール7も基板1が切断
されることによって分割される。なお、切断用のブレー
ド5の厚みtを、仮想線Lb,Lcの幅と同一の寸法に
しておけば、1回の切断作業により、2つの仮想線L
b,Lcの位置の切断を同時に行うことができ、切断作
業工程数を少なくすることができる。
【0028】基板1の短手方向においては、たとえば図
8の仮想線Leの位置で樹脂パッケージ4および基板1
を切断する。この切断作業は、たとえば図7に示した仮
想線La,Ldの位置を切断する場合と同様に、樹脂パ
ッケージ4から傾斜した側面40を除去するように、樹
脂パッケージ4をその天井面41を通過する位置で切断
する作業である。
【0029】上述した一連の作業工程によれば、図9〜
図11に示す構成の赤外線データ通信モジュールAが複
数個製造されることとなる。この赤外線データ通信モジ
ュールAは、矩形状に切断された基板1a上に、発光素
子2、受光素子3およびLSIチップ6のそれぞれが1
つずつ搭載され、かつこれらがその四方を切断された樹
脂パッケージ4aによって封止された構造となってい
る。樹脂パッケージ4aからは、基板1aの表面から傾
斜して起立していた複数の側面40がいずれも除去され
ている。樹脂パッケージ4aの複数の側面40aは、い
ずれも滑らかな平面状の切断面であり、基板1aの切断
面11と面一となっている。したがって、赤外線データ
通信モジュールAの複数の外面としては、切断面11と
側面40aとが面一状に繋がった2つずつの平面8A,
8Bがある。各平面8Aは、この赤外線データ通信モジ
ュールAの長手方向に延びており、各平面8Bはそれと
直交する面である。1つの平面8Aには、複数のスルー
ホール7が分割されることによって形成された複数の凹
部7Aが設けられており、複数の端子71に繋がったそ
れらの導体部72が外部に露出した構造となっている。
【0030】上記構成の赤外線データ通信モジュールA
は、既述したとおり、基板1aの原型品とされていた基
板1に大きな反り変形が生じないようにして製造された
ものである。したがって、この赤外線データ通信モジュ
ールAは、基板1a上に搭載されている発光素子2、受
光素子3およびLSIチップ6のそれぞれのボンディン
グ部分や、それらに繋がった金線などのワイヤのボンデ
ィング部分に大きな歪みなどが生じていないものとな
り、その品質は良好である。
【0031】赤外線データ通信モジュールAの使用態様
としては、たとえば次の2通りの使用態様がある。第1
の使用態様は、図9に示すように、赤外線データ通信モ
ジュールAをその基板1aの裏面10bが下向きになる
ようにして、マザーボード9上に実装する態様である。
この実装は、たとえばハンダリフローの手法を用いて行
うことができ、基板1aの裏面10bの端子71をマザ
ーボード9の端子94にハンダを介して接合すればよ
い。ハンダは、端子71のみならず、各凹部7Aの導体
部72にも接触させることができる。したがって、マザ
ーボード9に対する赤外線データ通信モジュールAの実
装強度を十分なものにできる。この第1の使用態様にお
いては、マザーボード9の表面に直交する方向(図面で
は上下方向)に赤外線の送受信を行うことができる。
【0032】図12は、赤外線データ通信モジュールA
の第2の使用態様を示している。この態様においては、
赤外線データ通信モジュールAをその1つの平面8Aが
下向きとなる姿勢とし、各凹部7Aの導体部72がマザ
ーボード9上の端子94に対面するようにして実装され
る。平面8Aは、基板1aの厚みの幅と、樹脂パッケー
ジ4aのレンズ43a,43bを除く部分の厚みの幅と
を合計した幅広な面であるから、赤外線データ通信モジ
ュールAをマザーボード9上において安定的に載置して
おくことができる。したがって、ハンダリフローの手法
を用いて赤外線データ通信モジュールAをマザーボード
9に実装するのに都合がよいものとなる。なお、導体部
72を端子94にハンダを用いて接合する際には、その
ハンダを端子71に対しても接触させることができる。
したがって、この場合においても赤外線データ通信モジ
ュールAの実装強度を充分に高めることができる。
【0033】本願発明は、上述の実施形態に限定される
ものではない。
【0034】本願発明においては、発光素子2や受光素
子3を樹脂封止する場合には、それらの2組を一括して
封止するのに代えて、3組を一括して、あるいはそれ以
上の組数を一括して封止してもかまわない。本願発明に
おいては、1つの樹脂パッケージによって封止される発
光素子および受光素子の組み合わせ数を増やすほど、複
数の樹脂パッケージの相互間に形成される隙間の数を減
らすことができ、赤外線データ通信モジュールの取り数
を増加させることが可能である。ただし、上記隙間の数
を少なくすると、基板に反り変形が発生し易くなる。し
たがって、赤外線データ通信モジュールの品質を高める
観点からすれば、発光素子や受光素子を2組あるいは3
組などの比較的少数組数ずつ樹脂パッケージによって一
括封止することが望ましい。
【0035】また、上記実施形態においては、樹脂パッ
ケージ4の複数の側面40のすべてを除去するように樹
脂パッケージ4を切断したために、最終的に製造された
赤外線データ通信モジュールAの側面には傾斜面がな
く、さらには赤外線データ通信モジュールAの全体の幅
が小さくなり、その取り扱いが便利なものとなるが、や
はり本願発明はこれに限定されない。本願発明において
は、樹脂パッケージ4の複数の傾斜した側面40の全部
または一部をそのまま残すように基板1を切断してもか
まわない。たとえば、図8において、仮想線Leの位置
で樹脂パッケージ4と基板1とを切断するのに代えて、
仮想線Lgで示す位置において基板1のみを切断しても
かまわない。要は、本願発明でいう分割工程は、基板上
に搭載され、かつ樹脂封止がなされた一群の部品を、発
光素子と受光素子とが1組ずつの組み合わせとされた複
数の赤外線データ通信モジュールに分割する工程であれ
ばよい。
【0036】その他、本願発明に係る赤外線データ通信
モジュールの製造方法の各作業工程は、種々に変更自在
である。また同様に、本願発明に係る赤外線データ通信
モジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自
在である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明に係る赤外線データ通信モジュールの
製造方法に用いられる基板の一例を示す斜視図である。
【図2】図1のII−II断面図である。
【図3】図1のIII−III断面図である。
【図4】図1に示す基板上に樹脂パッケージを形成した
状態を示す斜視図である。
【図5】図4のV−V断面図である。
【図6】図4のVI−VI断面図である。
【図7】樹脂パッケージおよび基板の切断作業を示す要
部断面図である。
【図8】樹脂パッケージおよび基板の切断作業を示す要
部断面図である。
【図9】本願発明にかかる赤外線データ通信モジュール
の一例を示す断面図である。
【図10】図9のX−X断面図である。
【図11】図9の左側面図である。
【図12】図9ないし図11に示す赤外線データ通信モ
ジュールの一使用態様を示す要部断面図である。
【図13】従来の赤外線データ通信モジュールの製造方
法の一例を示す要部断面図である。
【図14】図13のXIV−XIV断面図である。
【符号の説明】
A 赤外線データ通信モジュール 1 基板 1a 基板 2 発光素子 3 受光素子 4 樹脂パッケージ 4a 樹脂パッケージ 6 LSIチップ 40 側面 92,93 隙間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04B 10/105 10/10 10/22

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の片面上に搭載された複数組の発光
    素子と受光素子とを含む一群の部品を、樹脂封止する封
    止工程と、 上記樹脂封止がなされた一群の部品を、上記発光素子と
    上記受光素子とが1組ずつの組み合わせとされた複数の
    赤外線データ通信モジュールとして分割する分割工程
    と、 を有している、赤外線データ通信モジュールの製造方法
    であって、 上記封止工程においては、上記一群の部品を封止する樹
    脂を、互いに分離した複数の樹脂パッケージとして形成
    し、かつこれら複数の樹脂パッケージのそれぞれによ
    り、上記発光素子と上記受光素子とを2組以上一括して
    封止することを特徴とする、赤外線データ通信モジュー
    ルの製造方法。
  2. 【請求項2】 上記複数組の発光素子と受光素子とは、
    上記基板の片面上において縦横のそれぞれの方向に複数
    列ずつ配列されており、かつ、 上記封止工程においては、上記縦横のいずれの方向にお
    いても上記樹脂パッケージが複数ずつ並ぶように形成す
    る、請求項1に記載の赤外線データ通信モジュールの製
    造方法。
  3. 【請求項3】 上記基板は、一定方向に延びる帯状また
    は長矩形状であるとともに、上記基板には、その短手方
    向に延びる複数のスリットが上記基板の長手方向に間隔
    を隔てて設けられており、かつ上記基板の片面のうち、
    上記複数のスリットの各間の領域に、上記一群の部品が
    搭載されている、請求項1または2に記載の赤外線デー
    タ通信モジュールの製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の赤
    外線データ通信モジュールの製造方法により製造された
    ことを特徴とする、赤外線データ通信モジュール。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007258203A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Rohm Co Ltd 受光モジュールの製造方法
JP2008258414A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体パッケージ
JP2017033961A (ja) * 2015-07-28 2017-02-09 株式会社東芝 光結合装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007258203A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Rohm Co Ltd 受光モジュールの製造方法
JP2008258414A (ja) * 2007-04-05 2008-10-23 Rohm Co Ltd 半導体パッケージ
JP2017033961A (ja) * 2015-07-28 2017-02-09 株式会社東芝 光結合装置

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