JP2017022287A - 有機ラジカル化合物の薄膜 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 92
- -1 radical compound Chemical class 0.000 title claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 32
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 13
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 125000001828 phenalenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 claims description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 5
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- YLFIGGHWWPSIEG-UHFFFAOYSA-N aminoxyl Chemical compound [O]N YLFIGGHWWPSIEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- RINOYHWVBUKAQE-UHFFFAOYSA-N 1-iodo-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1I RINOYHWVBUKAQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dioxosilane;oxygen(2-);hydrate Chemical compound O.[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O GUJOJGAPFQRJSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004773 frontier orbital Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATFCOADKYSRZES-UHFFFAOYSA-N indium;oxotungsten Chemical compound [In].[W]=O ATFCOADKYSRZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052901 montmorillonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
Description
しかしこれらは閉殻分子であり、開殻分子を有する化合物、すなわち有機ラジカル化合物の薄膜については従来、報告例が少なかった。
TOT誘導体の場合、特許文献1の図2にも示されているように、TOT誘導体のπ平面どうしが垂直方向にスタックされた構造となり、キャリアの移動方向は、基本的にはπ平面に垂直となる。
ところが特許文献1には、TOT誘導体を含有する有機薄膜層におけるTOT誘導体の結晶の構造については前述したように記載があるものの、基板の材質が記載されていない。また、TOT誘導体の製膜は実際には塗布プロセスにより実施されるため、基板上でTOTの配向を揃えることが難しく、その点で改善の余地がある。
前記基板の材料は、ガラス、金属、金属酸化物、セラミックス、プラスチック、ゴムまたはカーボンから選ばれるいずれか1つであってもよい。
前記基板において、有機ラジカル化合物が堆積している側の表面は、銀、縮合芳香環化合物、またはカーボンから選ばれるいずれか1つであってもよい。
前記式(1)におけるXが水素またはハロゲンであることが好ましい。
前記ハロゲンの例として臭素(Br)が挙げられる。
X線回折(XRD)分析のOut−of−Plane測定における2θ=25〜30°の範囲にあるπスタックに起因する回折面由来のシグナルの強度が、2θ=8〜12°の範囲にある並列カラム構造に起因する回折面由来のシグナルの強度の5倍以上であることが好ましい。
前記有機ラジカル化合物の薄膜を、有機薄膜半導体素子の、光を取り扱う半導体層として利用することができる。
本発明の有機ラジカル化合物の薄膜の製造方法は、基板上に前記式(1)で示されるフェナレニル骨格を有する有機ラジカル化合物が堆積してなる薄膜を製造する方法であって、前記基板上に真空蒸着法により前記有機ラジカル化合物を堆積させる工程を含むものである。
前記真空蒸着法による製膜の際の、製膜速度が0.001nm/秒〜10nm/秒であることが好ましい。
<有機ラジカル化合物の薄膜>
本発明の実施形態に係る有機ラジカル化合物の薄膜は、基板上に下記式(1)で示されるフェナレニル骨格を有する有機ラジカル化合物が堆積してなる有機ラジカル化合物の薄膜であり、該有機ラジカル化合物のπ平面が基板に平行となる配向で積層されている。
前記式(1)において、Xが1価の有機基である場合、例えばアルキル基、アリール基、アラルキル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アミノ基、ヒドロキシル基、アシル基、ニトロ基、シアノ基などがあげられる。Xの分子量が小さいほうが真空蒸着法による薄膜形成が容易であるので、この観点から、Xとしては水素またはハロゲンが好ましく、分子量の最も小さな水素が最も好ましい。
前記式(1)の有機ラジカル化合物が堆積される基板の例としては、例えばガラス、金属、金属酸化物、セラミックス、プラスチック、ゴム、カーボンをあげることができる。有機薄膜太陽電池やOLEDとしてデバイス化する場合に有用である点で、ガラス、金属、金属酸化物、セラミックス、プラスチックの基板が好ましい。
基板の形状は、前記式(1)の有機ラジカル化合物が堆積される形状であれば特に限定されず、平板状、曲板状、球状、柱状、棒状、フィルム状などを用いることができる。
本発明の実施形態に係る有機ラジカル化合物の薄膜を製造する方法としては、有機ラジカル化合物が自己組織化的に容易に配向して堆積される点で、基板上に真空蒸着法により製膜する方法が好ましい。
真空蒸着法の条件としては抵抗加熱式、電子銃照射式など特に限定されないが、使用する有機ラジカル化合物の分解が抑制できる点で抵抗加熱式が好ましく、得られる有機ラジカル化合物の薄膜の品質が良好で短時間に製膜できる点で以下の範囲がそれぞれより好ましい。
蒸着源温度: 100℃〜400℃
基板温度: 0℃〜100℃
真空度: 1×10−2Pa〜1×10−6Pa
製膜速度(膜厚): 0.001nm/秒〜10nm/秒
なお、製膜速度については0.01nm/秒〜10nm/秒の範囲が特に好ましい。
<堆積された薄膜の測定方法>
本発明の実施形態に係る有機ラジカル化合物の薄膜において、有機ラジカル化合物はそのπ平面が基板面に対して平行となる配向で積層される。これは電子顕微鏡観察やX線回折(XRD)分析によって確認することが可能である。
本発明の実施形態に係る有機ラジカル化合物の薄膜では有機ラジカル化合物のπ平面が基板に平行となる配向で積層されているため、2θ=25〜30°の範囲にあるシグナルの強度が2θ=8〜12°の範囲にあるシグナルの強度の5倍以上となることが好ましい。一方In−Plane測定ではこの状況が逆となり、2θ=8〜12°の範囲にあるシグナルの強度が2θ=25〜30°の範囲にあるシグナルの強度の5倍以上となることが好ましい。
走査型電子顕微鏡(SEM)、具体的には日本電子製JSM−7600Fを用いて形状を観察した。リガク製Smartlab多目的X線回折装置を用いてX線回折(XRD)分析を行った。線源は、Cu Kα線にて実施した。
ガラスに銀を100nmの膜厚で真空蒸着させたものを基板として用い、その上にH3TOTの真空蒸着を実施した。
H3TOT(1.3mg)を直径10mmのアルミナるつぼに入れて真空蒸着機内にセットし、その90mm上方に前記銀を蒸着した基板を、銀面がるつぼ側になるように水平にセットした。真空蒸着機内を2.4×10−4Paに減圧し、抵抗加熱により、るつぼを8℃/分の速度で270℃まで昇温し、その後30分間かけて徐々に280℃まで昇温することにより、前記前記銀面の上に厚さ80nmのH3TOT薄膜を得た。製膜速度は0.02nm/秒であった。得られたH3TOT薄膜の走査型電子顕微鏡(SEM)像を図1A、図1Bに示す(図1A:表面、図1B:断面)。図1B の断面像より、柱状のH3TOT結晶が立った状態で並んでいることがわかる。
基板としてガラス板に銀を100nmの膜厚で真空蒸着させたものを用い、H3TOTの真空蒸着を行った。
H3TOT(1.2mg)を直径10mmのアルミナるつぼに入れて真空蒸着機内にセットし、30mm上方に前記銀を蒸着した基板を、銀面がるつぼ側になるように水平にセットした。真空蒸着機内を1.4×10−4Paに減圧し、るつぼを3℃/分の速度で175℃まで昇温し、さらに175℃で75分間ホールドすることにより、厚さ500nmのH3TOT薄膜を得た。製膜速度は0.08nm/秒である。得られたH3TOT薄膜の走査型電子顕微鏡(SEM)像を図2A、図2Bに示す(図2A:表面、図2B:断面)。図2Bの断面像より、柱状のH3TOT結晶が立った状態で並んでいることがわかる。
厚さ25μmのグラファイトシートをポリイミドテープでガラス板に貼り付けて基板とし、H3TOTの真空蒸着を実施した。H3TOT(1.0mg)を直径10mmのアルミナるつぼに入れて真空蒸着機内にセットし、30mm上方に前記グラファイトシート基板をグラファイト面がるつぼ側を向くように水平にセットした。真空蒸着機内を1.6×10−4Paに減圧し、るつぼを3℃/分の速度で220℃まで昇温し、さらに220℃で30分間ホールドすることにより、厚さ400nmのH3TOT薄膜を得た。製膜速度は0.22nm/秒である。得られたH3TOT薄膜の走査型電子顕微鏡(SEM)像を図3A、図3Bに示す(図3A:表面、図3B:断面)。図3B の断面像より、柱状のH3TOT結晶が立った状態で並んでいることがわかる。
厚さ25μmのグラファイトシートを両面テープでガラス板に貼り付けて基板とし、H3TOTの真空蒸着を実施した。H3TOT(2.0mg)を直径10mmのアルミナるつぼに入れて真空蒸着機内にセットし、30mm上方に前記グラファイトシート基板をグラファイト面がるつぼ側を向くように水平にセットした。真空蒸着機内を2.6×10−4Paに減圧し、るつぼを3℃/分の速度で220℃まで昇温し、さらに80分間かけて徐々に250℃まで昇温することにより、厚さ800nmのH3TOT薄膜を得た。製膜速度は0.13nm/秒である。得られたH3TOT薄膜の走査型電子顕微鏡(SEM)像を図4A、図4Bに示す(図4A:表面、図4B:断面)。図4Bの断面像より、柱状のH3TOT結晶が立った状態で並んでいることがわかる。
図5AのOut−of−Plane測定においてTOTのπ平面の積層に由来する2θ=27.2°のシグナル強度が非常に大きく、9.5°付近のシグナルがほとんど見られない。なお、2θ=26.6°の大きなピークは基板のグラファイトシート(0001)面に由来する。図5BのIn−Plane測定においては、TOTのカラム間に由来する2θ=9.8°、17.0°、19.5°、26.0°が観測される一方で、2θ=27.2°のシグナル強度は極めて小さい。これらよりTOTのπ平面が基板に対して水平な配向をとっていることがわかる。
熱酸化膜が付着したシリコン基板にH3TOTの真空蒸着を行った。H3TOT(1.0mg)を直径10mmのアルミナるつぼに入れて真空蒸着機内にセットし、30mm上方に基板を熱酸化膜面がるつぼを向くように水平にセットした。真空蒸着機内を5×10−5Paに減圧し、るつぼを3℃/分の速度で220℃まで昇温し、さらに220℃で1時間ホールドさせて長さ約2μmの柱状微結晶の集合体としてのH3TOT薄膜を得た。製膜速度は0.05nm/秒である。得られたH3TOT薄膜の走査型電子顕微鏡(SEM)断面像を図6に示す。柱状微結晶が基板に対して立った状態で堆積していることがわかる。
熱酸化膜が付着したシリコン基板に、Br3TOTの真空蒸着を実施した。Br3TOT(1.0mg)を直径10mmのアルミナるつぼに入れて真空蒸着機内にセットし、30mm上方に基板を熱酸化膜面がるつぼを向くように水平にセットした。真空蒸着機内を5×10−4Paに減圧し、るつぼを2℃/分の速度で昇温し、るつぼ内のTOTが消失したところで加熱を停止した。長さ約700nmの針状微結晶の集合体としてのBr3TOT薄膜を得た。製膜速度は0.48nm/秒である。得られたBr3TOT薄膜の走査型電子顕微鏡(SEM)断面像を図7に示す。針状微結晶が基板に対して垂直に近い配向で並んでいることがわかる。
Claims (15)
- 基板上に下記式(1)で示されるフェナレニル骨格を有する有機ラジカル化合物が堆積してなる薄膜であって、該有機ラジカル化合物のπ平面が基板に平行となる配向で堆積されている、有機ラジカル化合物の薄膜。
(式中、Xは水素、ハロゲンまたは1価の有機基から選ばれ、互いに同一でも異なっていても良い) - 前記基板の材料がガラス、金属、金属酸化物、セラミックス、プラスチック、ゴムまたはカーボンから選ばれるいずれか1つである、請求項1に記載の有機ラジカル化合物の薄膜。
- 前記基板において、有機ラジカル化合物が堆積している側の表面が銀、縮合芳香環化合物、またはカーボンから選ばれるいずれか1つである、請求項1または請求項2に記載の有機ラジカル化合物の薄膜。
- 前記堆積された薄膜の厚さが10nm〜10μmの範囲である、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の有機ラジカル化合物の薄膜。
- 前記式(1)におけるXが水素またはハロゲンである、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の有機ラジカル化合物の薄膜。
- 前記ハロゲンが臭素(Br)である、請求項5に記載の有機ラジカル化合物の薄膜。
- X線回折(XRD)分析のOut−of−Plane測定における2θ=25〜30°の範囲にあるπスタックに起因する回折面由来のシグナルの強度が、2θ=8〜12°の範囲にある並列カラム構造に起因する回折面由来のシグナルの強度の5倍以上である、請求項1〜請求項6のいずれか1項に記載の有機ラジカル化合物の薄膜。
- X線回折(XRD)分析のIn−Plane測定における2θ=8〜12°の範囲にある並列カラム構造に起因する回折面由来のシグナルの強度が、2θ=25〜30°の範囲にあるπスタックに起因する回折面由来のシグナルの強度の5倍以上である、請求項1〜請求項7のいずれか1項に記載の有機ラジカル化合物の薄膜。
- 請求項1〜請求項8のいずれか1項に記載の有機ラジカル化合物の薄膜を、光を取り扱う半導体層として利用する、有機薄膜半導体素子。
- 前記光を取り扱う半導体層を含む有機薄膜半導体素子が、太陽電池または発光ダイオードである、請求項9に記載の有機半導体素子。
- 基板上に下記式(1)で示されるフェナレニル骨格を有する有機ラジカル化合物が堆積してなる薄膜を製造する方法であって、
(式中、Xは水素、ハロゲン、1価の有機基であり、互いに同一でも異なっていても良い)
前記基板上に真空蒸着法により前記有機ラジカル化合物を堆積させる工程を含む、有機ラジカル化合物の薄膜の製造方法。 - 前記式(1)におけるXが水素またはハロゲンである、請求項11に記載の有機ラジカル化合物の薄膜の製造方法。
- 前記有機ラジカル化合物を堆積させる基板の表面の材質が銀、縮合芳香環化合物、またはカーボンである、請求項11または請求項12のいずれか1項に記載の有機ラジカル化合物の薄膜の製造方法。
- 蒸着源温度100℃〜400℃の抵抗加熱式真空蒸着法で実施する、請求項11〜請求項13のいずれか1項に記載の有機ラジカル化合物の薄膜の製造方法。
- 前記真空蒸着法による製膜の際の、製膜速度が0.001nm/秒〜10nm/秒である、請求項11〜請求項14のいずれか1項に記載の有機ラジカル化合物の薄膜の製造方法。
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