JP2017010967A - 成膜方法 - Google Patents

成膜方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017010967A
JP2017010967A JP2015121584A JP2015121584A JP2017010967A JP 2017010967 A JP2017010967 A JP 2017010967A JP 2015121584 A JP2015121584 A JP 2015121584A JP 2015121584 A JP2015121584 A JP 2015121584A JP 2017010967 A JP2017010967 A JP 2017010967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
film
semiconductor
raw material
film forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP2015121584A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2017010967A5 (enExample
Inventor
真也 織田
Shinya Oda
真也 織田
梨絵 徳田
Rie Tokuta
梨絵 徳田
谷川　幸登
Yukito Tanigawa
幸登 谷川
俊実 人羅
Toshimi Hitora
俊実 人羅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Flosfia Inc
Original Assignee
Flosfia Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Flosfia Inc filed Critical Flosfia Inc
Priority to JP2015121584A priority Critical patent/JP2017010967A/ja
Publication of JP2017010967A publication Critical patent/JP2017010967A/ja
Publication of JP2017010967A5 publication Critical patent/JP2017010967A5/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
JP2015121584A 2015-06-16 2015-06-16 成膜方法 Ceased JP2017010967A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015121584A JP2017010967A (ja) 2015-06-16 2015-06-16 成膜方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015121584A JP2017010967A (ja) 2015-06-16 2015-06-16 成膜方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017010967A true JP2017010967A (ja) 2017-01-12
JP2017010967A5 JP2017010967A5 (enExample) 2018-08-02

Family

ID=57764050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015121584A Ceased JP2017010967A (ja) 2015-06-16 2015-06-16 成膜方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2017010967A (enExample)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021002545A (ja) * 2019-06-20 2021-01-07 信越化学工業株式会社 酸化物半導体膜、酸化物半導体膜の電気抵抗率調整方法及び酸化物半導体膜の製造方法
CN114836833A (zh) * 2017-08-21 2022-08-02 株式会社Flosfia 用于制造结晶膜的方法
JP7622195B2 (ja) 2020-12-15 2025-01-27 信越化学工業株式会社 結晶性酸化物薄膜、積層体及び結晶性酸化物薄膜の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0239053A (ja) * 1988-07-28 1990-02-08 Canon Inc 電子写真感光体
JPH0724841A (ja) * 1991-10-31 1995-01-27 Inoac Corp ポリウレタン成形用の型とその製造方法
JP2005512928A (ja) * 2001-12-14 2005-05-12 エレメント シックス リミテッド ホウ素ドーピングされたダイヤモンド
JP2008530782A (ja) * 2005-02-04 2008-08-07 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド シリコン含有膜の選択的堆積
JP2012233072A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Mitsubishi Chemicals Corp 新規コポリマー、有機半導体材料、及びこれを用いた有機電子デバイス並びに太陽電池モジュール
JP2013515011A (ja) * 2009-12-21 2013-05-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用の重水素化ジルコニウム化合物
JP2014508817A (ja) * 2010-12-23 2014-04-10 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2014533233A (ja) * 2011-11-09 2014-12-11 コーニング インコーポレイテッド ナノ粒子をガラスに結合する方法
JP2015070248A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 株式会社Flosfia 酸化物薄膜及びその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0239053A (ja) * 1988-07-28 1990-02-08 Canon Inc 電子写真感光体
JPH0724841A (ja) * 1991-10-31 1995-01-27 Inoac Corp ポリウレタン成形用の型とその製造方法
JP2005512928A (ja) * 2001-12-14 2005-05-12 エレメント シックス リミテッド ホウ素ドーピングされたダイヤモンド
JP2008530782A (ja) * 2005-02-04 2008-08-07 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド シリコン含有膜の選択的堆積
JP2013515011A (ja) * 2009-12-21 2013-05-02 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子用途用の重水素化ジルコニウム化合物
JP2014508817A (ja) * 2010-12-23 2014-04-10 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012233072A (ja) * 2011-04-28 2012-11-29 Mitsubishi Chemicals Corp 新規コポリマー、有機半導体材料、及びこれを用いた有機電子デバイス並びに太陽電池モジュール
JP2014533233A (ja) * 2011-11-09 2014-12-11 コーニング インコーポレイテッド ナノ粒子をガラスに結合する方法
JP2015070248A (ja) * 2013-10-01 2015-04-13 株式会社Flosfia 酸化物薄膜及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114836833A (zh) * 2017-08-21 2022-08-02 株式会社Flosfia 用于制造结晶膜的方法
JP2021002545A (ja) * 2019-06-20 2021-01-07 信越化学工業株式会社 酸化物半導体膜、酸化物半導体膜の電気抵抗率調整方法及び酸化物半導体膜の製造方法
JP2023052378A (ja) * 2019-06-20 2023-04-11 信越化学工業株式会社 酸化物半導体膜の電気抵抗率調整方法、酸化ガリウム半導体膜、酸化ガリウム半導体膜の製造方法、酸化ガリウム半導体膜の電気抵抗率の変動抑制方法及び半導体装置の製造方法
JP7615184B2 (ja) 2019-06-20 2025-01-16 信越化学工業株式会社 酸化物半導体膜の電気抵抗率調整方法
JP7622195B2 (ja) 2020-12-15 2025-01-27 信越化学工業株式会社 結晶性酸化物薄膜、積層体及び結晶性酸化物薄膜の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7048864B2 (ja) 半導体装置
JP6661124B2 (ja) 半導体膜、積層構造体および半導体装置
CN110620145B (zh) 结晶性层叠结构体、半导体装置
TWI625413B (zh) 結晶性氧化物半導體薄膜
JP6967213B2 (ja) 結晶性酸化物半導体膜および半導体装置
JP2015070248A (ja) 酸化物薄膜及びその製造方法
US12100760B2 (en) Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device
JP6586768B2 (ja) 成膜方法
JP6945121B2 (ja) 結晶性半導体膜および半導体装置
JP2018082144A (ja) 結晶性酸化物半導体膜および半導体装置
WO2018084304A1 (ja) 結晶性酸化物半導体膜および半導体装置
JP2017118090A (ja) 積層構造体および半導体装置
JP6651685B2 (ja) 結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置
JP2017010967A (ja) 成膜方法
JP2017010966A (ja) 結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置
JP2017005146A (ja) 結晶性半導体膜、積層構造体および半導体装置
JP2017022188A (ja) 剥離方法
JP2016156073A (ja) 量子井戸構造、積層構造体および半導体装置
JP6770674B2 (ja) 積層構造体および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180611

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180611

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190308

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190314

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20190510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190612

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190625

A045 Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20191023