JP2016538685A5 - イオンビームを制御するための装置及び方法並びにイオン注入装置 - Google Patents

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本実施形態では、イオン注入装置100はスキャナを活性状態とし得る第2の状態に設定することによってスポットビームモードで動作させることもできる。第2の状態では、スキャナ108は活性状態であるため、真空室から出たスポットビームはXsc軸に沿う方向の偏向磁場によって走査され、よってイオン軌道はコリメータに入射する前にある角度範囲に亘って扇形に広がる。本実施形態によれば、以下で詳述するように、コリメーションコントローラ116は、コリメータ110に入射するイオンの軌道を調整するために、信号を発生しビーム調整要素118に送信することができる。これにより、追加の光学要素を必要とすることなくイオン注入装置100をスポットビームモードで動作させることが可能になる。さもなければ、リボンビームモード及びスポットビームモードに対してそれぞれ異なるイオンビームエンベロープを発生するスキャナ及び質量分解スリットのコリメータに対して異なる位置を調整するためにこのような追加の要素が必要になる。
図2は様々な実施形態と一致する模範的なコリメーションアーキテクチャ200の上平面図を示す。図2に示す例では、イオン注入装置の一部分が示されている。図2に示すように、質量分解スリット(MRS)はスキャナ108の上流に配置されている。このアーキテクチャでは、スキャナ108は、質量分解スリット204から出たリボンビーム又はスポットビームがスキャナ108を通過し得るようにビームライン内に配置される。一実施形態では、コリメーションコントローラ116は、リボンビームがスキャナ108を通過するのかスポットビームがスキャナ108を通過するのかに応じてスキャナ108を活性化又は非活性化するための信号を発生する。しかしながら、他のシナリオでは、他のビームライン装置(図示せず)がスキャナ108を活性化又は非活性化するようにしてもよい。
図2に示すように、ビーム調整要素206がコリメータ110に隣接して設けられる。いくつかの実施形態では、2つ以上のビーム調整要素をコリメータ110に対して上流及び下流の両位置に設けてもよい。図3及び図4にも簡潔に示されるように、ビーム調整要素206は発散イオンビームを受けるように構成されたコリメータの側面208に隣接してXsc軸に沿って延在する。様々な実施形態では、ビーム調整要素206はリボンビームのイオンビーム均一性を制御するように構成してもよい。これは、リボンビームの一つ又は複数の領域内のイオンを部分的に又は選択的に偏向する一つ又は複数の磁場をビーム調整要素206から発生させることによって調整し得る。一つのこのような例では、ビーム調整要素は、それぞれの軸に沿って複数の電流コイルで巻かれた1対のスチールバーを含み、それらのコイルは変化する量の電流がビーム調整要素206の長さ(Xsc軸)に沿って位置するループに供給されるように個別に制御され、ループを流れる電流の方向が図2に示すようにZsc及びY軸にほぼ平行になるように構成される。このようにすると、イオンビームがコリメータ110に入射するとき、局所的な磁場変化がXsc軸に沿った異なる点に誘起され、イオンを選択的に局所的に偏向してイオンビームの均一性を調整することができる。
図4は、コリメーションアーキテクチャ200がスポットビームモードで動作する別のシナリオを示す。この例では、スポットビーム402は質量分解スリット204を通過し、スキャナ108に入射する。スキャナ108はコリメーションコントローラ116により活性化されるため、スポットビーム402はスキャナ通過時に走査される。異なる実施形態では、スキャナ108は静電スキャナ又は磁気スキャナとし得る。これらの実施形態のいずれでも、スキャナ108は、スポットビーム402がZsc軸に平行な初期伝搬方向でスキャナ108中を移動するとき、振動偏向場を発生しスポットビームに印加することができる。スポットビーム402を偏向するために、偏向場(図示せず)はZsc軸に垂直に、Xsc軸に平行な方向に沿って往復振動するように印加することができる。
その結果、スポットビーム402が走査されるにつれて、スキャナ108内に位置する第2のソース位置408からコリメータ110に向けられた発散軌道のイオンビーム群が発生する。時間とともに、スポットビーム402は図に示すようなイオンビームエンベロープ404を有する発散イオンビームを形成する。このシナリオでは、スポットビーム402のイオンはスキャナ108内に位置する第2のソース位置408から扇形に広がる。この第2のソース位置408は第1のソース位置407を含む質量分解スリット204の平面406の下流にある。この理由のために、コリメータ110に入射するイオンビームエンベロープ440内のイオンの軌道は質量分解スリット204から射出するリボンビーム302のイオンの軌道と相違する。このシナリオでは、コリメーションコントローラ116は、イオンビームエンベロープ404内のイオンの軌道のコリメータ110入射時の角度を調整するようにビーム調整要素206に信号を送信する。

Claims (15)

  1. 第1の状態においてイオンビームを走査し、前記イオンビームを発散イオンビームとして出力するように構成されたスキャナと、
    コリメータの一側面に沿って前記発散イオンビームを受け、前記発散イオンビームをコリメートされたイオンビームとして出力するように構成されたコリメータと、
    前記コリメータの前記側面に隣接して延在するビーム調整要素と、
    前記スキャナが前記第1の状態にあるとき、第1の信号を前記ビーム調整要素に送信して前記発散イオンビームのイオン軌道を第1セットの軌道から第2セットの軌道へ調整するように構成されたコントローラと、
    を含むイオンビームを制御するための装置。
  2. 前記コントローラは、前記スキャナを前記第1の状態から第2の状態に切り替えるように構成され、前記第2の状態において前記スキャナは前記イオンビームを走査することなく送出するように構成されている、請求項1記載の装置。
  3. 前記ビーム調整要素は、前記スキャナが前記第1の状態にあるとき、前記発散イオンビームに隣接した複数のそれぞれの場所において複数の磁場を調整するように構成されている、請求項1記載の装置。
  4. 前記第1の状態において、前記スキャナは、スポットビームを受け取り、前記発散イオンビームを第1のソース位置に第1のソースを規定する第1の発散イオンビームとして生成するように構成され、且つ前記第1の状態において、前記スキャナは、前記第1のソース位置の上流の第2のソース位置に第2のソースを規定する第2の発散イオンビームを形成するリボンビームを出力するように構成されている、請求項1記載の装置。
  5. 前記コリメータは磁気コリメータである、請求項1記載の装置。
  6. 前記ビーム調整要素は、前記スキャナが前記第2の状態にあるとき、前記発散イオンビームに隣接した場所において少なくとも一つの磁場を調整することによって、リボンビームモードにおいてビーム均一性を調整するように動作する、請求項2記載の装置。
  7. イオンビームを発生するイオン源と、
    前記イオンビームの動作モードをリボンビームモードとスポットビームモードとの間で切り替えるビームライン要素と、
    前記イオンビームを発散イオンビームとして送出するスキャナと、
    前記発散イオンビームをコリメータの一側面で受け取り、前記発散イオンビームをコリメートされたイオンビームとして出力するコリメータと、
    前記コリメータの前記側面に隣接して延在するビーム調整要素と、
    前記動作モードが前記スポットビームモードであるとき、前記ビーム調整要素に信号を送信して前記発散イオンビームのイオン軌道を第1セットの軌道から第2セットの軌道へ調整するように構成されたコントローラと、
    を含むイオン注入装置。
  8. 前記コントローラは前記スキャナを前記ビームスポットモードに活性化し、前記スキャナを前記リボンビームモードに非活性化するように構成されている、請求項7記載のイオン注入装置。
  9. 前記スキャナは前記イオンビームをスポットビームとして受け取り、前記イオンビームを前記スポットビームモードにおける第1の発散ビームとして前記コリメータへ出力するように構成されている、請求項7記載のイオン注入装置。
  10. 前記スキャナは、前記リボンビームモードにおいて前記イオンビームを偏向することなく送出するように構成され、前記イオンビームは前記スキャナから前記コリメータへ第2の発散ビームとして出力されるように構成されている、請求項9記載のイオン注入装置。
  11. 前記ビームライン要素は質量分解スリットを含み、前記スポットビームモードにおいて前記第1の発散ビームが前記スキャナ内に第1のソース位置を規定し、前記リボンビームモードにおいて前記第2の発散ビームが前記質量分解スリットに第2のソース位置を規定する、請求項10記載のイオン注入装置。
  12. 前記第2セットの軌道は前記第1セットの軌道より強い収束性である、請求項7記載のイオン注入装置。
  13. イオンビームを走査して第1の発散角を有する発散イオンビームを形成するように構成されたスキャナを活性化するために第1の信号を送信するステップと、
    前記発散イオンビームを前記第1の発散角より小さい発散角の第2の発散角を成すように調整するためにビーム調整要素に第2の信号を送信するステップと、
    を備えるイオンビームを制御する方法。
  14. 前記第1の信号を送信するステップは、前記ビーム調整要素に沿って複数の磁場を調整するために信号を送信するステップを備える、請求項13記載の方法。
  15. 前記スキャナを非活性化するために第3の信号を送信するステップと、
    前記ビーム調整要素に隣接する前記イオンビームのビーム均一性を測定するステップと、
    前記ビーム均一性を向上させるために前記ビーム調整要素に沿う少なくとも一つの磁場を調整するために前記ビーム調整要素に第4の信号を送信するステップと、
    を更に備える、請求項13記載の方法。
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