JP5280206B2 - 差動ポンピングを容易にする装置、プロセッサ可読担体およびその方法 - Google Patents
差動ポンピングを容易にする装置、プロセッサ可読担体およびその方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5280206B2 JP5280206B2 JP2008544443A JP2008544443A JP5280206B2 JP 5280206 B2 JP5280206 B2 JP 5280206B2 JP 2008544443 A JP2008544443 A JP 2008544443A JP 2008544443 A JP2008544443 A JP 2008544443A JP 5280206 B2 JP5280206 B2 JP 5280206B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnet
- variable aperture
- drift tube
- end station
- outgas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 55
- 238000005086 pumping Methods 0.000 title claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 39
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 31
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 26
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 claims description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 13
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 9
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 39
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 238000004980 dosimetry Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/147—Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
- H01J37/15—External mechanical adjustment of electron or ion optical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0455—Diaphragms with variable aperture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/045—Diaphragms
- H01J2237/0456—Supports
- H01J2237/0458—Supports movable, i.e. for changing between differently sized apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/1502—Mechanical adjustments
- H01J2237/1503—Mechanical scanning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/182—Obtaining or maintaining desired pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/188—Differential pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/304—Controlling tubes
- H01J2237/30472—Controlling the beam
- H01J2237/30483—Scanning
- H01J2237/30488—Raster scan
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31705—Impurity or contaminant control
Landscapes
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
Claims (23)
- イオン注入装置におけるフォトレジストのアウトガスによる影響を低減する装置であって、
エンドステーションと上流のビームラインコンポーネントとの間に位置付けられるドリフト管と、
前記ドリフト管と前記エンドステーションとの間の第1の可変アパーチャと、
前記ドリフト管と前記上流のビームラインコンポーネントとの間の第2の可変アパーチャと、
を含み、
前記第1の可変アパーチャ及び前記第2の可変アパーチャを調節可能とすることで、差動ポンピングを容易にする、装置。 - 前記第1の可変アパーチャ及び前記第2の可変アパーチャを、イオンビームの少なくとも1つの寸法に基づいて調節可能とすることで前記イオンビームの少なくとも一部を通過させる、請求項1に記載の装置。
- 前記ドリフト管内に位置付けられる複数の極低温冷却されたパネルのアレイを更に含み、
前記複数の極低温冷却されたパネルは、前記エンドステーションから上流方向に移動する粒子の少なくとも一部を捕捉する、請求項1に記載の装置。 - 前記第1の可変アパーチャを、前記複数の極低温冷却されたパネルの再生時に、完全に閉鎖可能とすることで、前記ドリフト管を前記エンドステーションから隔離し、
前記第2の可変アパーチャを、前記複数の極低温冷却されたパネルの再生時に、完全に閉鎖可能とすることで、前記ドリフト管を前記上流のビームラインコンポーネントから隔離する、請求項3に記載の装置。 - 前記エンドステーション内のアウトガス粒子が凝集する1つ以上の場所の近くに配置される1つ以上の極低温冷却されたパネルを更に含む、請求項1に記載の装置。
- 前記アウトガス粒子を、前記1つ以上の極冷温冷却されたパネルに向けて導く複数のバッフルを更に含む、請求項5に記載の装置。
- 前記上流のビームラインコンポーネントは、補正マグネットを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記補正マグネットの第1の部分と前記補正マグネットの第2の部分との間に位置付けられる中間真空チャンバと、
前記中間真空チャンバに結合されて前記補正マグネットに関連付けられる真空レベルを高める、1つ以上のポンプ素子と、
を更に含む、請求項7に記載の装置。 - 前記補正マグネットの前記第1の部分及び前記補正マグネットの前記第2の部分は、複数のイオン軌道を同じ方向に曲げる、請求項8に記載の装置。
- 前記補正マグネットの前記第1の部分及び前記補正マグネットの前記第2の部分は、複数のイオン軌道を対向する方向に曲げる、請求項8に記載の装置。
- フォトレジストのアウトガスによる影響を低減する方法であって、
ドリフト管を、エンドステーションと上流のビームラインコンポーネントとの間に位置付けることと、
差動ポンピングを容易にするよう、前記ドリフト管と前記エンドステーションとの間の第1の可変アパーチャ、及び、前記ドリフト管と前記上流のビームラインコンポーネントとの間の第2の可変アパーチャを調節することと、
を含む、方法。 - イオンビームの少なくとも一部を通過させるよう前記イオンビームの少なくとも1つの寸法に基づいて前記第1の可変アパーチャ及び前記第2の可変アパーチャを調節することを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記エンドステーションから上流方向に移動する粒子の少なくとも一部を捕捉するよう前記ドリフト管内に複数の極低温冷却されたパネルのアレイを配置することを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記複数の極低温冷却されたパネルの再生時に、前記ドリフト管を前記エンドステーションから隔離するよう前記第1の可変アパーチャを完全に閉鎖することと、
前記複数の極低温冷却されたパネルの再生時に、前記ドリフト管を前記上流のビームコンポーネントから隔離するよう前記第2の可変アパーチャを完全に閉鎖することと、
を更に含む、請求項13に記載の方法。 - 前記エンドステーション内のアウトガス粒子が凝集する1つ以上の場所の近くに1つ以上の極低温冷却されたパネルを配置することを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記アウトガス粒子を、前記1つ以上の極冷温冷却されたパネルに向けて導く複数のバッフルを設けることを更に含む、請求項15に記載の方法。
- 前記上流のビームラインコンポーネントは、補正マグネットを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記補正マグネットの第1の部分と前記補正マグネットの第2の部分との間に中間真空チャンバを挿入することと、
前記補正マグネットに関連付けられる真空レベルを高めるよう前記中間真空チャンバをポンピングすることと、
を更に含む、請求項17に記載の方法。 - 請求項11に記載の方法を行うコンピュータプロセスを実行するよう少なくとも1つのプロセッサに命令するよう前記少なくとも1つのプロセッサによって可読である複数の命令を含むコンピュータプログラムを格納する、少なくとも1つのプロセッサ可読担体。
- イオン注入装置におけるフォトレジストのアウトガスによる影響を低減する装置であって、
マグネットの第1の部分と前記マグネットの第2の部分との間に位置付けられる中間真空チャンバと、
前記中間真空チャンバに結合されて前記マグネットに関連付けられる真空レベルを高める、1つ以上のポンプ素子と、
を含む、装置。 - 前記マグネットの前記第1の部分及び前記マグネットの前記第2の部分は、複数のイオン軌道を同じ方向に曲げる、請求項20に記載の装置。
- 前記マグネットの前記第1の部分及び前記マグネットの前記第2の部分は、複数のイオン軌道を対向する方向に曲げる、請求項20に記載の装置。
- イオン注入装置におけるフォトレジストのアウトガスによる影響を低減する方法であって、
マグネットの第1の部分と前記マグネットの第2の部分を設けることと、
前記第1の部分と前記第2の部分との間に中間真空チャンバを位置付けることと、
前記マグネットに関連付けられる真空レベルを高めるよう前記中間真空チャンバをポンピングすることと、
を含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74806805P | 2005-12-07 | 2005-12-07 | |
US60/748,068 | 2005-12-07 | ||
PCT/US2006/046424 WO2007067551A2 (en) | 2005-12-07 | 2006-12-06 | Techniques for reducing effects of photoresist outgassing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009518865A JP2009518865A (ja) | 2009-05-07 |
JP5280206B2 true JP5280206B2 (ja) | 2013-09-04 |
Family
ID=38123434
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008544444A Expired - Fee Related JP5209489B2 (ja) | 2005-12-07 | 2006-12-06 | 寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ技術 |
JP2008544443A Expired - Fee Related JP5280206B2 (ja) | 2005-12-07 | 2006-12-06 | 差動ポンピングを容易にする装置、プロセッサ可読担体およびその方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008544444A Expired - Fee Related JP5209489B2 (ja) | 2005-12-07 | 2006-12-06 | 寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ技術 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7482598B2 (ja) |
JP (2) | JP5209489B2 (ja) |
KR (2) | KR101088428B1 (ja) |
CN (2) | CN101438368B (ja) |
TW (2) | TW200737272A (ja) |
WO (2) | WO2007067551A2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101438368B (zh) | 2005-12-07 | 2012-07-25 | 瓦里安半导体设备公司 | 防止寄生的子波束影响离子植入的技术 |
KR100734308B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 가변 스크린 어퍼쳐를 갖는 이온 주입 시스템 및 이를이용한 이온 주입 방법 |
US8003498B2 (en) * | 2007-11-13 | 2011-08-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Particle beam assisted modification of thin film materials |
JP6355922B2 (ja) * | 2011-02-04 | 2018-07-11 | ロレアル | 複合顔料及びその調製方法 |
US8884244B1 (en) * | 2013-10-22 | 2014-11-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dual mode ion implanter |
US9029811B1 (en) * | 2013-10-22 | 2015-05-12 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Apparatus to control an ion beam |
US8993980B1 (en) | 2013-10-22 | 2015-03-31 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Dual stage scanner for ion beam control |
US20150228445A1 (en) * | 2014-02-13 | 2015-08-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and apparatus for three dimensional ion implantation |
DE102016122791B3 (de) * | 2016-11-25 | 2018-05-30 | mi2-factory GmbH | Ionenimplantationsanlage, Filterkammer und Implantationsverfahren unter Einsatz eines Energiefilterelements |
KR20220047444A (ko) | 2020-10-08 | 2022-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11749500B1 (en) * | 2022-01-24 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Real time photoresist outgassing control system and method |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4214853A (en) * | 1978-05-15 | 1980-07-29 | Cha Industries | Evacuation apparatus with cryogenic pump and trap assembly |
US4680474A (en) * | 1985-05-22 | 1987-07-14 | Varian Associates, Inc. | Method and apparatus for improved ion dose accuracy |
JPH03159049A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
JPH04262355A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-17 | Nec Yamaguchi Ltd | イオン注入装置 |
US5580429A (en) * | 1992-08-25 | 1996-12-03 | Northeastern University | Method for the deposition and modification of thin films using a combination of vacuum arcs and plasma immersion ion implantation |
US5375451A (en) * | 1992-12-16 | 1994-12-27 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Testing system for dissipative mechanical phenomena |
GB2344213B (en) * | 1995-11-08 | 2000-08-09 | Applied Materials Inc | An ion implanter with improved field control |
GB2343547B (en) * | 1995-11-08 | 2000-06-21 | Applied Materials Inc | An ion implanter with substrate neutralizer |
US5672882A (en) * | 1995-12-29 | 1997-09-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Ion implantation device with a closed-loop process chamber pressure control system |
JPH1027568A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JPH1083785A (ja) * | 1996-09-09 | 1998-03-31 | Nissin Electric Co Ltd | イオン注入装置 |
JP4008080B2 (ja) * | 1997-12-02 | 2007-11-14 | アルバック・クライオ株式会社 | 差動排気型クライオポンプ |
US6075249A (en) * | 1998-06-19 | 2000-06-13 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for scanning and focusing an ion beam |
US6635880B1 (en) * | 1999-10-05 | 2003-10-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High transmission, low energy beamline architecture for ion implanter |
US6331227B1 (en) * | 1999-12-14 | 2001-12-18 | Epion Corporation | Enhanced etching/smoothing of dielectric surfaces |
US6369874B1 (en) * | 2000-04-18 | 2002-04-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Photoresist outgassing mitigation system method and apparatus for in-vacuum lithography |
US6323497B1 (en) * | 2000-06-02 | 2001-11-27 | Varian Semiconductor Equipment Assoc. | Method and apparatus for controlling ion implantation during vacuum fluctuation |
JP3926745B2 (ja) * | 2001-01-18 | 2007-06-06 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入のための開口を制限する,調節可能なコンダクタンス |
JP2005005098A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオン注入装置及びその制御方法 |
US7112809B2 (en) * | 2003-06-26 | 2006-09-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic lens for ion beams |
US6774377B1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-08-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
JP4306444B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2009-08-05 | 株式会社Ihi | イオン質量分離装置 |
CN101438368B (zh) | 2005-12-07 | 2012-07-25 | 瓦里安半导体设备公司 | 防止寄生的子波束影响离子植入的技术 |
-
2006
- 2006-12-06 CN CN2006800479325A patent/CN101438368B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-06 US US11/567,485 patent/US7482598B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-06 US US11/567,522 patent/US7476878B2/en active Active
- 2006-12-06 CN CN2006800491628A patent/CN101346803B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-06 JP JP2008544444A patent/JP5209489B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-06 JP JP2008544443A patent/JP5280206B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-12-06 KR KR1020087016281A patent/KR101088428B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-12-06 WO PCT/US2006/046424 patent/WO2007067551A2/en active Application Filing
- 2006-12-06 KR KR1020087016282A patent/KR101390442B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-12-06 WO PCT/US2006/046425 patent/WO2007067552A2/en active Application Filing
- 2006-12-07 TW TW095145718A patent/TW200737272A/zh unknown
- 2006-12-07 TW TW095145683A patent/TWI328245B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101346803B (zh) | 2010-08-04 |
KR101088428B1 (ko) | 2011-12-01 |
US20070125957A1 (en) | 2007-06-07 |
JP5209489B2 (ja) | 2013-06-12 |
KR20080074211A (ko) | 2008-08-12 |
WO2007067551A2 (en) | 2007-06-14 |
TW200737271A (en) | 2007-10-01 |
US7476878B2 (en) | 2009-01-13 |
CN101346803A (zh) | 2009-01-14 |
WO2007067551A3 (en) | 2007-11-08 |
CN101438368A (zh) | 2009-05-20 |
TWI328245B (en) | 2010-08-01 |
KR20080075543A (ko) | 2008-08-18 |
CN101438368B (zh) | 2012-07-25 |
JP2009518865A (ja) | 2009-05-07 |
US20070125955A1 (en) | 2007-06-07 |
WO2007067552A3 (en) | 2009-04-30 |
TW200737272A (en) | 2007-10-01 |
JP2009518815A (ja) | 2009-05-07 |
WO2007067552A2 (en) | 2007-06-14 |
KR101390442B1 (ko) | 2014-04-30 |
US7482598B2 (en) | 2009-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5280206B2 (ja) | 差動ポンピングを容易にする装置、プロセッサ可読担体およびその方法 | |
JP5320644B2 (ja) | イオン注入システム、イオンを注入する方法、および、イオンビームから所望されない粒子を除去する方法 | |
JP5120598B2 (ja) | 偏向用の加速/減速ギャップ | |
JP5429448B2 (ja) | ビームストップ及びビーム調整方法 | |
KR100788472B1 (ko) | 이온 소스용 증기 소스 | |
TWI404128B (zh) | 離子植入裝置及由碳硼烷聚集物離子衍生之離子植入的半導體製造方法 | |
JPH0936059A (ja) | イオン注入装置、その内側表面からの汚染物質の除去方法とそのための除去装置 | |
US7528391B2 (en) | Techniques for reducing contamination during ion implantation | |
JP2007516578A (ja) | 低エネルギーイオンビーム伝送を改良したイオン注入装置 | |
KR20200021503A (ko) | 드리프트 및 감속 모드들에서 빔 각도 제어를 가지는 이온 주입 시스템 | |
JP2008034384A (ja) | イオンビームガイドチューブ | |
JPH08298247A (ja) | イオン注入方法およびその装置 | |
MATSUDA et al. | Industrial Aspects of Ion-Implantation Equipment and Ion Beam Generation | |
KR20000016398U (ko) | 이온주입장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130325 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |