JP2016538696A - トリプルモード静電コリメータ - Google Patents

トリプルモード静電コリメータ Download PDF

Info

Publication number
JP2016538696A
JP2016538696A JP2016533711A JP2016533711A JP2016538696A JP 2016538696 A JP2016538696 A JP 2016538696A JP 2016533711 A JP2016533711 A JP 2016533711A JP 2016533711 A JP2016533711 A JP 2016533711A JP 2016538696 A JP2016538696 A JP 2016538696A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
ion beam
electrodes
voltage
electrostatic lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016533711A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016538696A5 (ja
Inventor
シンクレア フランク
シンクレア フランク
エム ベンヴェニスト ヴィクター
エム ベンヴェニスト ヴィクター
Original Assignee
ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド, ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド filed Critical ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
Publication of JP2016538696A publication Critical patent/JP2016538696A/ja
Publication of JP2016538696A5 publication Critical patent/JP2016538696A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/147Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • H01J37/1471Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path for centering, aligning or positioning of ray or beam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/047Changing particle velocity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/248Components associated with the control of the tube
    • H01J2237/2485Electric or electronic means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304Controlling tubes
    • H01J2237/30472Controlling the beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)

Abstract

システムは、イオンビームを受ける第1電極と、第1電極を通過したイオンビームを受ける第2電極であって、第1および第2電極間には第1および第2電極のうちの一方の凸面と第1および第2電極のうちの他方の凹面とによって画定される上流ギャップが形成される、第2電極と、第2電極を通過したイオンビームを受ける第3電極であって、第2および第3電極間には第2および第3電極のうちの一方の凸面と第2および第3電極のうちの他方の凹面とによって画定される下流ギャップが形成され、第2電極は2つの凹面または2つの凸面を有する、第3電極と、第1電極、第2電極、および第3電極に独立して電圧を供給し、イオンビームが第1、第2、および第3電極を通過する際にイオンビームを加速や減速させる電圧源システムとを備える。

Description

本発明は、イオン注入装置に関し、特に、イオン注入機におけるイオンビームのコリメーション制御に関する。
現在のイオン注入機は、広い範囲にわたって平坦基板を照射するために用いられることが多い。大面積照射を促進するために、イオンビームコリメーションにより、イオンビームが基板に当たる前に発散イオンビームをコリメート(平行に)してもよい。コリメータは、基板に時不変幅広リボンビームを向けるリボンビームイオン注入機に用いられると共に、スポットビームやペンシルビームを前後に走査してリボン断面を生成するスポットビームイオン注入機にも用いられる。
イオンビーム伝送効率の向上のために、ビームラインの大部分にわたって、イオン源から取り出された元のエネルギーまたはイオン源から取り出されたものよりも高いエネルギーでイオンビームを伝播することが便利である場合も多い。これは、特に、100keV未満のイオンエネルギーに当てはまる。当該エネルギー範囲は、より浅い注入深さを採用する高度マイクロ電子デバイスにイオン注入を行うために使用されることが増えている。したがって、イオンビームのコリメーションおよび減速や加速は、イオン注入機のビームラインの基板端への下流で行われ得る。
静電コリメータにおいて、静電レンズは、発散イオンビームをコリメートするように整えられた形状の湾曲電極を含む。基本的に、静電レンズは、コリメータとして、および、加速・減速レンズとして、構成され得る。特に、既知の静電レンズシステムでは、イオンビームに与えられる加速や減速が相対的に大きい条件下において、より適切にコリメーションを達成することができる。しかし、このような静電レンズを構成することは、ごく限られたエネルギー変化のみが望ましい場合、困難である。なぜなら、このような静電レンズシステムでは、適切に動作してイオンビームをコリメートするためには、レンズ電極に過度の湾曲が必要であり、実現できない可能性があるからである。これらおよびその他の考察に鑑みて、本改良が求められている。
ある実施態様において、静電レンズシステムは、第1開口部を有し、イオンビームを受ける第1電極と、第2開口部を有し、前記第1電極の第1開口部を通過したイオンビームを受ける第2電極であって、第1および第2電極間には第1および第2電極のうちの一方の凸面と第1および第2電極のうちの他方の凹面とによって画定される上流ギャップが形成される、第2電極と、第3開口部を有し、前記第2電極の第2開口部を通過したイオンビームを受ける第3電極であって、第2および第3電極間には第2および第3電極のうちの一方の凸面と第2および第3電極のうちの他方の凹面とによって画定される下流ギャップが形成され、第2電極は2つの凹面または2つの凸面を有する、第3電極と、前記第1電極、第2電極、および第3電極それぞれに独立して電圧を供給し、イオンビームが前記第1、第2、および第3電極を通過する際にイオンビームを加速や減速するための電圧信号を生成するように構成される電圧源システムとを備える。
他の実施態様において、発散イオンビームを処理する方法は、第1電極および第2電極の間で発散イオンビームを加速および部分的にコリメートして、加速および部分コリメートイオンビームを生成し、第2電極および第3電極の間で前記加速および部分コリメートイオンビームを減速して、完全コリメートイオンビームを生成する。
本発明の種々の実施形態と一致するイオン注入機のブロック図である。 本発明の種々の実施形態と一致するイオン注入機のブロック図である。 種々の実施形態にかかる静電レンズシステムの上面図である。 図3Aの系の静電レンズの等角図である。 図3Aの系の使用のあるシナリオである。 図3Aの系の使用の他のシナリオである。 図3Aの系の使用のさらに他のシナリオである。 さらなる実施形態にかかる他の静電レンズシステムの上面図である。
ここに記載の実施形態は、イオン注入システムにおいてイオンビームを制御する装置および方法を提供する。イオン注入システムの例には、ビームラインイオン注入システムが含まれる。本実施形態の対象となるイオン注入システムには、一般的形状がスポットの断面を持つ「スポットイオンビーム」や細長い断面を持つリボンイオンビームを生成するものが含まれる。本実施形態において提供される新規の静電レンズシステムは、当該レンズ系を通過するイオンビームのビーム特性を調整する。特に、新規の静電レンズシステムは、静電コリメータ、および、イオンビームの減速や加速のための静電レンズとして作用し得る。後述するように、種々の実施形態において、静電レンズシステムは、3つの異なる電圧信号をそれぞれ独立して受信するように構成される3つの異なる電極を含んでもよい。これによって、静電レンズを、入射イオンビームのコリメーションを行いつつ、3つの異なるモードで動作させることができる。3つの異なるモードとは、入射イオンビームを加速する加速モードと、入射イオンビームを減速する減速モードと、入射イオンビームを加速および減速する組み合わせモードとである。こうして、静電レンズは、静電レンズによって処理中のイオンの入力イオンエネルギー対出力イオンエネルギー比の広範囲にわたって、特に当該比が1に近い値において、効果的にイオンをコリメートし得る。
図1は、本発明の種々の実施形態と一致するイオン注入機の上面図のブロック図である。イオン注入機100は、基板ステージ112にイオンビーム120を与えるビームラインイオン注入機であって、基板ステージ112上に位置する基板114に当該イオンビームを注入し得る。イオン注入機100の種々の要素には、イオン源102と、分析マグネット104と、真空チャンバー106と、質量分析スリット108と、基板ステージ112とが含まれる。本実施形態において、イオン注入機100は、リボンビームとしてイオンビーム120を生成し、イオンビーム120を基板114に与えるように構成される。イオン源102と、分析マグネット104と、質量分析スリット108と、基板ステージ112とを含むイオン注入機100の種々の構成要素の動作は、周知であり、これら構成要素のさらなる説明は省略する。図1に示す特定の構成は、イオンエネルギーが500keV未満である中間または低エネルギーおよび高電流イオン注入に特に適し得る。但し、本実施形態は、このように限定されない。
図1に示すように、イオンビーム120は、伝播方向がイオン源102および基板ステージ112の間で変化する経路に沿って導かれる。イオンビーム120を、イオン源102で、質量分析スリット108で集束しその後扇形に広がって基板上に当たるリボンビームとして生成してもよい。イオンビーム120は、幅広リボンビームとしてコリメートされ、図示のデカルト座標系のX方向に沿ったその幅Wは、同じ方向における基板幅Wsに相当する。したがって、基板ステージ112をZ方向に沿って走査する際、イオンビーム120を基板114の全表面に与えることができる。
さらに図1に示すように、静電レンズ110は、質量分析スリット108の下流に配置されて、静電レンズ110に入射する際に発散しているイオンビーム120をコリメートする。静電レンズ110はさらに、トリプルモード静電コリメータとして作用し得る減速・加速レンズとしても構成される。種々の実施形態において、静電レンズ110は、3つの異なる電極を含む。イオン注入機100はまた、電圧源システム116を含む。電圧源システム116は、静電レンズ110に電気的に接続され、3つの異なる電極それぞれに独立して電圧信号を供給するように構成される。電圧源システム116と静電レンズ110とは、異なるイオン注入条件に応じて静電レンズ110の動作を調整するために使用される静電レンズシステム124の一部を形成する。種々の実施形態において、電圧源システム116は、静電レンズ110の各電極毎に個別の電圧源(図示せず)と、異なる電極に送られる電圧信号を調整するコントローラ(図示なし)とを含んでもよい。これによって、電圧源システム116は、3つの異なる電極それぞれに独立して電圧を供給することができる。
静電レンズ110におけるイオンビーム120の入射エネルギーおよび基板114に与えるべき最終イオンビームエネルギーに応じて、静電レンズシステム124を用いて、イオンビーム120のコリメーションと併せて、イオンビーム120を加速、減速、またはエネルギー変化なしに基板まで伝送してもよい。これは、電圧源システム116が静電レンズ110の各電極で適切な電圧を生成する場合に、可能である。
図2は、さらなる実施形態と一致するイオン注入機200の上面図のブロック図である。特に注記がない限り、イオン注入機200は、イオン注入機100と類似または同一の構成要素を有し得る。特に、イオン注入機200は、ビームラインイオン注入機であって、イオンビーム204を走査スポットビームとして基板ステージ112に与え、基板ステージ112上に位置する基板114を処理するために使用される。イオン源202は、イオンビーム204を、XおよびY方向の断面寸法が、例えば20〜30mm等、同等であるスポットビームとして生成するように構成されてもよい。XおよびY方向に沿って300mmの寸法を有し得る基板114上をイオンビーム204で走査するために、イオン注入機200は、静電レンズ110の上流に位置するスキャナ206を含む。スキャナ206は、X方向に沿って前後にイオンビーム204を走査し、静電レンズ110に入射するイオンのための一連の発散軌道を示す走査ビームを生成する。イオン注入機100と同様に、動作において、静電レンズシステム124を用いて、イオンビーム204のコリメーションと併せて、イオンビーム204を加速、減速、またはエネルギー変化なしに基板まで伝送してもよい。これは、電圧源システム116が静電レンズ110の各電極で適切な電圧を生成する場合に、可能である。この場合、コリメーションは、スキャナ206で走査される際にその平均軌道が時間と共に変化するスポットビームに適用される。したがって、これらの異なる軌道は、図示の通り静電レンズ110によってコリメートされる。
図1、2のイオン注入機の実施形態のいずれにおいても、イオンエネルギーを増加させるか、減少させるか、または変化させないかにかかわらず、静電レンズシステム124を用いて、イオンビームのイオンエネルギーを調整しながら、発散イオンビームを適切にコリメートすることができる。特に、本実施形態の静電レンズシステムは、3電極静電レンズを提供する。3電極静電レンズにおいて、電極は、イオンビームがレンズ上流側からレンズ下流側へと伝播する際のビームラインに一列に設けられる。本明細書において、用語「上流」および「下流」は、イオンビームの移動方向に関連して用いられる。
後に詳述するように、静電レンズの3つの電極は、2つのギャップを画定する。第1および第2電極間の上流ギャップと、第2および第3電極間の下流ギャップである。本実施形態において、各ギャップは、一方の電極の凹面と他方の電極の凸面との対によって画定される。ある変形例において、「両凹凸」レンズは、第1および第2電極を含み、上流ギャップは、第1電極の出口(下流)側の凹面と第2電極の入口(上流)側の凸面とによって画定される。下流ギャップは、第2電極の出口側の凸面と第3電極の入口側の凹面とによって画定される。他の変形例において、「両凸凹」レンズは、第1および第2電極を含み、第1(上流)ギャップは、第1電極の出口(下流)側の凸面と第2電極の入口(上流)側の凹面とによって画定される。下流ギャップは、第2電極の出口側の凹面と第3電極の入口側の凸面とによって画定される。
図3Aは、静電レンズシステム124のある実施形態の上面図のブロック図である。本実施形態において、静電レンズシステム300は、「両凹凸」レンズである静電レンズ302を形成するように配置された3つの電極を含む。説明のために、図3Aにおいて、静電レンズ302は上流側である左から下流側である右へとイオンビーム310を輸送するように構成されていると想定してもよい。
図3Bは、静電レンズ302の等角図である。図示の通り、静電レンズ302は、第1電極304と、第2電極306と、第3電極308とを含み、これら電極は、それぞれ開口部330、332、および334を通じてイオンビーム310を輸送するように配置される。図3Bに示唆されるように、いくつかの実施形態において、開口部330、332、および334はそれぞれ、静電レンズ302を通って伝播するイオンビーム310を囲むアパーチャによって形成されてもよい。他の実施形態において、1つ以上の電極は、同一電圧に設定されると共に離間されて開口部を画定する一対の対向平行板から構成されてもよい。分かりやすくするため、図3Bでは、イオンビーム310は狭イオンビームとして図示され、静電レンズ302に入射する際に走査されるスポットビームの瞬時位置または発散リボンビームの中心線軌道を表し得る。尚、いずれの場合でも、静電レンズ302は、発散イオンビームを受けて、当該イオンビームが静電レンズ302から出る前にイオンビームをコリメートするように構成される。
さらに図3Aに示すように、複数の電圧源を含む電圧源システム320が、静電レンズ302に接続される。具体的に、第1電圧源322は、第1電極304に連結され、第2電圧源324は、第2電極306に連結され、第3電圧源326は、第3電極308に連結される。コントローラ328を配置して、第1電圧源322、第2電圧源324、および第3電圧源326によって出力される電圧信号を調整する。特に、第1電圧源322、第2電圧源324、および第3電圧源326は、それぞれお互いに独立して動作してもよい。例えば、コントローラ328は、各電圧源322、324、326に対して、他の電極の電圧と関係なく、それぞれ第1電極304、第2電極306、第3電極308に送るべき電圧を生成するように指示してもよい。これによって、各電極304、306、308上で静電電位(電圧)を独立して制御することができる。後述の通り、この独立電圧制御により、静電レンズを3つの異なるモードで動作させることが可能になる。但し、概して、電圧源システム320は、静電レンズ302を第1モード、第2モード、および第3モードで動作させる電圧信号を生成するように構成される。第1モードでは、第1電極304および第2電極306は、相互動作して、イオンビームを加速およびコリメートする。第2モードでは、第2電極306および第3電極308は、相互動作して、イオンビームを減速およびコリメートする。第3モードでは、第1電極304、第2電極306、および第3電極308は、相互動作して、イオンビームを加速、減速、およびコリメートする。望ましいビーム条件にしたがって、コントローラ328は、上記のモードのうちの1つを選択してもよい。
さらに図3Aに示すように、第1電極304は、第1電極304の出口(下流)側に凹面312を有し、これは、第2電極306の入口(上流)側に位置する凸面314と対向する。本明細書において、用語「凸」および「凹」は、当該電極本体に対する各面の形状を表す。
さらに、第2電極306は、第2電極306の出口側に凸面316を有し、これは、第3電極308の入口側に位置する凹面318と対向する。こうして、静電レンズ302は、両凹凸レンズを構成し、その形状によって、後述するように発散イオンビームをコリメートするためのフレキシビリティが得られる。
図4A、4B、および4Cは、静電レンズシステム300を動作させる3つの異なるシナリオを示す。具体的に、図4A、4B、および4Cは、静電レンズシステム300が加速レンズ、減速レンズ、およびイオンビームを加速および減速するレンズとして動作する3つのそれぞれ異なるモードを示す。図4A、4B、および4Cにおいて、それぞれの発散イオンビーム410、420、および430は、静電レンズ302の上流で生成される。それぞれの場合において、発散イオンビーム410、420、および430は、走査スポットビームまたはリボンビームであってもよい。
図4Aの例において、発散イオンビーム410は、静電レンズ302に入射し、加速およびコリメーションを受け、コリメートビーム412として静電レンズ302から出射する。これを実現するために、第1電圧源322は、第1電極304に電圧VE1を供給し、第2電圧源324は、第2電極306に電圧VE2を供給する。ここで、VE1<VE2である。ある例において、VE1を、発散イオンビーム410が静電レンズ302に入射する際の発散イオンビーム410のイオンビーム電位に設定してもよい。したがって、発散イオンビーム410が第1電極304および第2電極306の間の上流ギャップを通過する時、電圧差VE2−VE1は、異なる初期軌道を有し得る異なるイオンをコリメートしつつ、イオンを加速するように作用する。第1電極304の凹面312の形状および第2電極306の凸面314の形状により、発散イオンビーム410を加速する効果は、イオンが第1電極304および第2電極306の間の電界を通過する際にイオンをコリメートすることになる。結果として得られるイオンは、平行軌道を有するコリメートイオンビーム412として、第2電極306を通過する。同時に、第3電圧源326は、第3電極308に電圧VE3を供給する。ここで、VE3=VE2である。このため、コリメートイオンビーム412のイオンは、第2電極306および第3電極308の間の電界に遭遇しない。したがって、コリメートイオンビーム412のイオンは、第1および第2電極間で生じた加速により決定されたエネルギーを有する平行イオンビームとして伝播する。
尚、図4Aに示すシナリオは、静電レンズを通過した後にビーム速度が2倍以上上がるような、イオンビームを相当加速することが望ましい状況に適し得る。電極304、306、および308の形状は例示であって必ずしも正確な縮尺ではないが、実際の電極304、306、および308に適度な湾曲を取り入れてもよい。
図4Bの例において、発散イオンビーム420は、静電レンズ302に入射し、減速およびコリメーションを受け、コリメートビーム422として静電レンズ302から出射する。これを実現するために、第1電圧源322は、第1電極304に電圧VE1を供給し、第2電圧源324は、第2電極306に電圧VE2を供給する。ここで、VE1=VE2である。ある例において、VE1およびVE2を、発散イオンビーム420の電位に設定してもよい。したがって、発散イオンビーム420が第1電極304および第2電極306の間のギャップを通過する時、発散イオンビーム420は電界に遭遇せず、第1電極304や第2電極306を通過する際にイオン軌道は変化しない。よって、発散イオンビーム420は、発散ビームとして第2電極306を通って伝播し続ける。
同時に、第3電圧源326は、第3電極308に電圧VE3を供給する。ここで、VE3<VE2である。このため、発散イオンビーム420のイオンは、第2電極306および第3電極308の間の電位VE3−VE2によって生成される電界を通じて減速する。第2電極306の凸面316の形状および第3電極308の凹面318の形状により、発散イオンビーム420を減速する効果は、イオンが第2電極306および第3電極308の間の電界を通過する際にイオンをコリメートすることになる。したがって、発散イオンビーム420は、コリメートされて、コリメートイオンビーム422となり、静電レンズ302から出射する。
尚、図4Bに示すシナリオは、静電レンズを通過した後にビーム速度が2倍以上下がるような、イオンビームを相当減速することが望ましい状況に適し得る。
図4Cの例において、発散イオンビーム430は、静電レンズ302に入射し、コリメーションを受け、コリメートビーム432として静電レンズ302から出射する。図4Cのシナリオにおいて、静電レンズ302は、加速・減速組み合わせモードまたは単に「組み合わせモード」で動作するように構成される。組み合わせモードにおいて、静電レンズ302のそれぞれの電極上で電圧を確立し、入射発散イオンビーム430に初期加速を与えた後、加速イオンビームを減速する。
これを実現するために、第1電圧源322は、第1電極304に電圧VE1を供給し、第2電圧源324は、第2電極306に電圧VE2を供給する。ここで、VE1<VE2である。したがって、発散イオンビーム430が第1電極304および第2電極306の間のギャップを通過する時、発散イオンビーム430は加速電界に遭遇し、第2電極306を通過する際にイオン軌道は変化する。さらに図4Cに示すように、電圧差VE2−VE1は、イオン軌道が完全にはコリメートされないように設定され、加速発散イオンビーム434は、第2電極306を通過する。この場合、加速発散イオンビーム434は、部分的にコリメートされ、静電レンズ302に入射する時に、加速発散イオンビーム434の発散角θ2は、発散イオンビーム430の発散角θ1未満である。
同時に、第3電圧源326は、第3電極308に電圧VE3を供給する。ここで、VE3<VE2である。第2電極306の凸面316の形状および第3電極308の凹面318の形状により、加速発散イオンビーム434を減速する効果は、イオンが第2電極306および第3電極308の間の電界を通過する際にイオンをコリメートすることになる。したがって、発散イオンビーム430は、静電レンズ302を通過する際に、2ステップでコリメートされる。
種々の実施形態における図4Cのシナリオについて、電圧VE3およびVE1は、等しくてもよく、または、閾値内で異なっていてもよい。よって、図4Cのシナリオは、静電コリメータによって生成されるイオンビームエネルギーの変化を閾値未満に維持すべき場合に適切な動作モードを示す。いくつかの例において、図4Cの組み合わせモードは、所与の比がある閾値を下回る場合に適用されてもよい。例えば、静電コリメータに入射したイオンの入射イオン速度Vと静電コリメータから出射した後のイオンの最終イオン速度Vとの比を、V/V=kと定義してもよい。いくつかの例において、静電レンズ302は、kの値が0.5〜2の時、特に、kの値が1に等しい時に、組み合わせモードで動作するように設定されてもよい。このように、初期イオンエネルギーが20keVである発散イオンビームを用いる実装において、イオンエネルギーは速度の2乗に比例することから、最終イオンエネルギーが5keV〜80keVの範囲の場合に組み合わせモードを用いてもよい。
このように、静電レンズ302のトリプルモード動作によって、広範囲の入力イオンエネルギー対出力イオンエネルギーの比にわたって、静電コリメータおよび加速・減速レンズとしての動作が促進される。特に、コリメーション後の最終イオン速度がコリメーション前の初期イオン速度から2倍を超えて逸脱しない場合、本実施形態は、既知のコリメータシステムと比べて明らかな利点を有する。とりわけ、本実施形態において、組み合わせモードの動作は、当該特定のイオン速度比の範囲に限定されるわけではなく、他の実施形態においてより広いまたは狭い範囲に採用可能である。したがって、本実施形態によると、特にイオンビームのコリメーション中に適度の加速または減速を行うべきシナリオにおける低エネルギー範囲において、イオンエネルギーの有用動作範囲が広がる。
図5は、さらなる実施形態にかかる他の静電レンズシステム500の上面図である。当該静電レンズシステムは、「両凹凸」レンズの代わりに、「両凸凹」レンズとして構成される静電レンズ502を含む。第1電極504は、イオンビーム510に対して出口側に第1凸面512を有し、これは、第2電極506上の第1凹面514と対向する。また、第2電極506は、出口側に第2凹面516を有し、これは、第3電極508上の第2凸面518と対向する。動作において、第1凸面512および第1凹面514の間の第1ギャップ520を減速場として用いてコリメーションを与え、第2凸面516および第2凹面518の間の第2ギャップ522を加速場として用いて再度コリメーションを与えてもよい。特に、コントローラ528は、静電レンズシステム500を、加速モード、減速モード、または組み合わせモードで動作させてもよい。図3A、3Bの静電レンズシステム300と同様、組み合わせモードにおいて2つの比を設定して、1に近い入射イオンエネルギー対出力イオンエネルギーの全体比であっても、良好な光学系を得ることができる。加速モードでは、第1電極504および第2電極506を第1電位に設定し、第3電極508を第1電位より高い第2電位に設定する。減速モードでは、第1電極504を第1電位に設定し、第2電極506および第3電極508を第1電位より低い第2電位に設定する。組み合わせモードでは、第1電極504を第1電位に設定し、第2電極506を第1電位より低い第2電位に設定し、電極508を第2電位より高い第3電位に設定する。図4Cに示す実施形態と同様、組み合わせモードで動作する時、静電レンズ502は、第1ギャップ520および第2ギャップ522にわたって2ステップでイオンビーム510をコリメートするように動作し、ここで、静電レンズ502は、両ギャップ520、522で収束を加える。但し、この場合、イオンビーム510を、まず減速しその後加速する。
本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態によりその範囲を制限されない。実際、本明細書に記載した実施形態に加えて、本発明の他の様々な実施形態および変更は、先の記載および添付図面から、当業者に明らかであろう。よって、このような他の実施形態および変更は、本発明の範囲に含まれるものである。さらに、本発明は、特定の目的に対する特定の環境における特定の実施の文脈で本明細書に記載されているが、当業者は、その有用性がこれに限定されず、本発明は多くの目的に対して多くの環境において有利に実施できることを認識するであろう。したがって、後述の特許請求の範囲は、本明細書に記載する本発明の全容および精神を考慮して解釈すべきである。

Claims (15)

  1. 第1開口部を有し、イオンビームを受ける第1電極と、
    第2開口部を有し、前記第1電極の第1開口部を通過したイオンビームを受ける第2電極であって、第1および第2電極間には第1および第2電極のうちの一方の凸面と第1および第2電極のうちの他方の凹面とによって画定される上流ギャップが形成される、第2電極と、
    第3開口部を有し、前記第2電極の第2開口部を通過したイオンビームを受ける第3電極であって、第2および第3電極間には第2および第3電極のうちの一方の凸面と第2および第3電極のうちの他方の凹面とによって画定される下流ギャップが形成され、第2電極は2つの凹面または2つの凸面を有する、第3電極と、
    前記第1電極、第2電極、および第3電極それぞれに独立して電圧を供給し、イオンビームが前記第1、第2、および第3電極を通過する際にイオンビームを加速や減速するための電圧信号を生成するように構成される電圧源システムと
    を備える、静電レンズシステム。
  2. 前記電圧源システムは、静電レンズシステムを、
    前記第1および第2電極が相互動作してイオンビームを加速およびコリメートする第1モード、
    前記第2および第3電極が相互動作してイオンビームを減速およびコリメートする第2モード、および
    前記第1、第2、および第3電極が相互動作してイオンビームを加速、減速、およびコリメートする第3モード
    で動作させるための電圧信号を生成するように構成される、請求項1に記載の静電レンズシステム。
  3. 前記第1モードにおいて、前記電圧源システムは、第1電圧を前記第1電極に印加し、第1電圧より大きい第2電圧を前記第2および第3電極それぞれに印加するように構成される、請求項2に記載の静電レンズシステム。
  4. 前記第2モードにおいて、前記電圧源システムは、第1電圧を前記第1電極および第2電極に印加し、第1電圧より大きい第2電圧を前記第3電極に印加するように構成される、請求項2に記載の静電レンズシステム。
  5. 前記第3モードにおいて、前記電圧源システムは、第1電圧を前記第1電極に印加し、第1電圧より大きい第2電圧を前記第2電極に印加し、第2電圧より小さい第3電圧を前記第3電極に印加するように構成される、請求項2に記載の静電レンズシステム。
  6. 前記電圧源システムは、前記第1、第2、および第3電極にそれぞれ連結される第1、第2、および第3電圧源を備える、請求項1に記載の静電レンズシステム。
  7. 前記第3モードにおいて、前記第1、第2、および第3電極は、相互動作して、イオンビームが前記第1および第2電極間を通過する際にイオンビームを部分的にコリメートし、イオンビームが前記第2および第3電極間を通過する際にイオンビームをさらにコリメートする、請求項2に記載の静電レンズシステム。
  8. 前記上流ギャップは、前記第1電極の第1凹面と前記第2電極の第1凸面とによって画定され、前記下流ギャップは、前記第2電極の第2凸面と前記第3電極の第2凹面とによって画定される、請求項1に記載の静電レンズシステム。
  9. 前記上流ギャップは、前記第1電極の第1凸面と前記第2電極の第1凹面とによって画定され、前記下流ギャップは、前記第2電極の第2凹面と前記第3電極の第2凸面とによって画定される、請求項1に記載の静電レンズシステム。
  10. 前記電圧源システムは、静電レンズシステムを、
    前記第1および第2電極が相互動作してイオンビームを減速およびコリメートする第1モード、
    前記第2および第3電極が相互動作してイオンビームを加速レンズおよびコリメートする第2モード、および
    前記第1、第2、および第3電極が相互動作してイオンビームを減速、加速、およびコリメートする第3モード
    で動作させるための電圧信号を生成するように構成される、請求項1に記載の静電レンズシステム。
  11. 発散イオンビームを処理する方法であって、
    第1電極および第2電極の間で発散イオンビームを加速および部分的にコリメートして、加速および部分コリメートイオンビームを生成し、
    第2電極および第3電極の間で前記加速および部分コリメートイオンビームを減速して、完全コリメートイオンビームを生成する、
    方法。
  12. さらに、
    前記第1電極に、第1電極の出口側の第1凹面を設け、
    前記第2電極に、第1電極の出口側と対向する第1凸面と、第2電極の出口側の第2凸面とを設け、
    前記第3電極に、第2電極の出口側と対向する第2凹面を設ける、
    請求項11に記載の方法。
  13. 前記発散イオンビームは、第1発散イオンビームを含み、
    さらに、
    前記第1および第2電極間で第2発散イオンビームを加速して第2コリメートイオンビームを生成し、前記第2コリメートイオンビームのイオン速度に対する前記第2発散イオンビームのイオン速度の比は、0.5未満である、
    請求項11に記載の方法。
  14. 前記発散イオンビームは、第1発散イオンビームを含み、
    さらに、
    前記第2および第3電極間で第3発散イオンビームを減速して第3コリメートイオンビームを生成し、前記第3コリメートイオンビームのイオン速度に対する前記第3発散イオンビームのイオン速度の比は、2を超える、
    請求項11に記載の方法。
  15. さらに、
    第1電圧源から前記第1電極に第1電圧を与え、第2電圧源から前記第2電極に第2電圧を与え、第3電圧源から前記第3電極に第3電圧を与える、
    請求項11に記載の方法。



JP2016533711A 2013-11-27 2014-11-17 トリプルモード静電コリメータ Pending JP2016538696A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/091,528 2013-11-27
US14/091,528 US20150144810A1 (en) 2013-11-27 2013-11-27 Triple mode electrostatic collimator
PCT/US2014/065930 WO2015080894A1 (en) 2013-11-27 2014-11-17 Triple mode electrostatic collimator

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016538696A true JP2016538696A (ja) 2016-12-08
JP2016538696A5 JP2016538696A5 (ja) 2017-11-16

Family

ID=53181826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016533711A Pending JP2016538696A (ja) 2013-11-27 2014-11-17 トリプルモード静電コリメータ

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20150144810A1 (ja)
JP (1) JP2016538696A (ja)
KR (1) KR20160090856A (ja)
CN (1) CN105874557B (ja)
TW (3) TWI634582B (ja)
WO (1) WO2015080894A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9679745B2 (en) * 2015-10-14 2017-06-13 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Controlling an ion beam in a wide beam current operation range
US9978556B2 (en) * 2015-12-11 2018-05-22 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Parallelizing electrostatic acceleration/deceleration optical element
USD956005S1 (en) 2019-09-19 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Shaped electrode
US20210090845A1 (en) * 2019-09-19 2021-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic filter with shaped electrodes
US11818830B2 (en) * 2021-01-29 2023-11-14 Applied Materials, Inc. RF quadrupole particle accelerator

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007220522A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオンビーム照射装置
US20080078951A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Anthony Renau Multi-purpose electrostatic lens for an ion implanter system
JP2009524908A (ja) * 2006-01-27 2009-07-02 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド リボン状イオンビームのイオン注入システムのアーキテクチャ
JP2015046337A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 株式会社Sen イオン注入装置、ビーム平行化装置、及びイオン注入方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5780863A (en) * 1997-04-29 1998-07-14 Eaton Corporation Accelerator-decelerator electrostatic lens for variably focusing and mass resolving an ion beam in an ion implanter
US7087913B2 (en) * 2003-10-17 2006-08-08 Applied Materials, Inc. Ion implanter electrodes
WO2008000836A2 (en) * 2006-06-30 2008-01-03 Nordiko Technical Services Limited Apparatus for accelerating an ion beam
KR101276198B1 (ko) * 2008-05-27 2013-06-18 전자빔기술센터 주식회사 전자 칼럼용 다중극 렌즈
US9443698B2 (en) * 2008-10-06 2016-09-13 Axcelis Technologies, Inc. Hybrid scanning for ion implantation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009524908A (ja) * 2006-01-27 2009-07-02 バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド リボン状イオンビームのイオン注入システムのアーキテクチャ
JP2007220522A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオンビーム照射装置
US20080078951A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-03 Anthony Renau Multi-purpose electrostatic lens for an ion implanter system
JP2015046337A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 株式会社Sen イオン注入装置、ビーム平行化装置、及びイオン注入方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015080894A1 (en) 2015-06-04
TW201521071A (zh) 2015-06-01
CN105874557A (zh) 2016-08-17
TWI634582B (zh) 2018-09-01
US20160379799A1 (en) 2016-12-29
KR20160090856A (ko) 2016-08-01
CN105874557B (zh) 2019-04-05
TW202025204A (zh) 2020-07-01
US20150144810A1 (en) 2015-05-28
TW201841185A (zh) 2018-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20160379799A1 (en) Triple mode electrostatic collimator
KR102342019B1 (ko) 이온주입장치, 최종에너지필터, 및 이온주입방법
JP5341070B2 (ja) 分子イオンから成るイオンビームを抽出する方法およびシステム(クラスタイオンビーム抽出システム)
JP5176903B2 (ja) イオン注入装置
TWI739915B (zh) 離子植入方法及離子植入裝置
TW200416769A (en) Deflecting acceleration/deceleration gap
JP6275575B2 (ja) イオン注入装置及びイオン注入装置の制御方法
JP5133253B2 (ja) イオン注入装置のセグメント化された電界レンズを提供する技術
JP2007220522A (ja) イオンビーム照射装置
WO2008042585A2 (en) Multi-purpose electrostatic lens for an ion implanter system
JP2015130309A5 (ja)
JP6324223B2 (ja) イオン注入装置及びイオン注入方法
JP2009152002A (ja) イオンビーム照射装置
KR102334204B1 (ko) 이온 빔을 제어하기 위한 장치 및 방법, 및 이온 주입기
JP2018530865A (ja) イオンビームを操作するための技術及び装置
JP2016528675A (ja) イオンの角発散を制御する装置及び方法
US9396903B1 (en) Apparatus and method to control ion beam current
KR102489016B1 (ko) 이온 빔 스캐너, 이온 주입기 및 스팟 이온 빔을 제어하는 방법
JP4691347B2 (ja) イオン注入装置
KR20190137675A (ko) 이온 빔 조사 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171006

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171006

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180828

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181116

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190409