JP2009524908A - リボン状イオンビームのイオン注入システムのアーキテクチャ - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
そして、多くの修正および変更がなされ得ることは明らかである。当業者にとっては明らかなこのような修正および変更は、添付の請求項の範囲により定義される本発明の範囲内に含まれることが意図される。
Claims (15)
- 扇形リボン状イオンビームを生成するリボン状イオンビーム発生器と、
前記リボン状イオンビーム発生器の下流に配置され、前記扇形リボン状イオンビームを少なくとも平行化して実質的に平行なリボン状イオンビームにする加速/減速平行化レンズシステムと、
前記加速/減速平行化レンズシステムの下流であって、前記実質的に平行なリボン状イオンビームが注入されるワークピースの前に配置されるエネルギーフィルタシステムと、
を備えるイオン注入システム。 - 前記加速/減速平行化レンズシステムは、およそ25cm以上30cm以下の長さを有する、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記エネルギーフィルタシステムは、およそ20cmほどの長さを有する、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記加速/減速平行化レンズシステムは、前記扇形リボン状イオンビームを少なくとも平行化して前記実質的に平行なリボン状イオンビームにする一組の湾曲した静電プレートと、前記実質的に平行なリボン状イオンビームを加速または減速する一組の加速/減速レンズとを含む、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記一組の湾曲した静電プレートは、さらに、前記実質的に平行なリボン状イオンビームを加速または減速させる、請求項4に記載のイオン注入システム。
- 前記実質的に平行なリボン状イオンビームは、前記ワークピースの前でおよそ200eVほどの低いエネルギーを有する、請求項1に記載のイオン注入システム。
- 前記実質的に平行なリボン状イオンビームは、エネルギーコンタミネーションを実質的に含まない、請求項1に記載のイオン注入システム。
- ワークピースにイオン注入する方法であって、
扇形リボン状イオンビームを生成することと、
前記扇形リボン状イオンビームを実質的に同時に平行化して、加速または減速させることにより、実質的に平行なリボン状イオンビームにすることと、
前記平行化の直後に前記リボン状イオンビームからエネルギーコンタミネーションを除去することと、
前記実質的に平行なリボン状イオンビームをワークピースに注入することと、
を含む、方法。 - リボン状イオンビームのイオン注入システムのためのアーキテクチャであって、
扇形リボン状イオンビームを受け、前記扇形リボン状イオンビームを少なくとも平行化することにより実質的に平行なリボン状イオンビームにする加速/減速平行化レンズシステムと、
前記加速/減速平行化レンズシステムの下流であって、前記実質的に平行なリボン状イオンビームが注入されるワークピースの前に配置されるエネルギーフィルタシステムと、
を備えるアーキテクチャ。 - 前記加速/減速平行化レンズシステムは、およそ25cm以上30cm以下の長さを有する、請求項9に記載のイオン注入システム。
- 前記エネルギーフィルタシステムは、およそ20cmほどの長さを有する請求項9に記載のイオン注入システム。
- 前記加速/減速平行化レンズシステムは、前記扇形リボン状イオンビームを少なくとも平行化して前記実質的に平行なリボン状イオンビームにする一組の湾曲した静電プレートと、前記実質的に平行なリボン状イオンビームを加速または減速する一組の加速/減速レンズとを含む、請求項9に記載のイオン注入システム。
- 前記一組の湾曲した静電プレートは、さらに、前記実質的に平行なリボン状イオンビームを加速または減速させる、請求項12に記載のイオン注入システム。
- 前記実質的に平行なリボン状イオンビームは、前記ワークピースの前でおよそ200eVほどの低いエネルギーを有する、請求項9に記載のイオン注入システム。
- 前記実質的に平行なリボン状イオンビームはエネルギーコンタミネーションを実質的に含まない、請求項9に記載のイオン注入システム。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150026702A (ko) * | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입장치, 빔평행화장치, 및 이온주입방법 |
JP2016538696A (ja) * | 2013-11-27 | 2016-12-08 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | トリプルモード静電コリメータ |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7858955B2 (en) * | 2008-06-25 | 2010-12-28 | Axcelis Technologies, Inc. | System and method of controlling broad beam uniformity |
US8263941B2 (en) * | 2008-11-13 | 2012-09-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Mass analysis magnet for a ribbon beam |
CN102379005B (zh) | 2009-04-13 | 2016-08-24 | 应用材料公司 | 用离子和中性束注入改变膜的磁性 |
JP5041260B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2012-10-03 | 日新イオン機器株式会社 | イオン注入装置 |
US20120056107A1 (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Uniformity control using ion beam blockers |
JP6324231B2 (ja) * | 2014-06-23 | 2018-05-16 | 住友重機械イオンテクノロジー株式会社 | イオン注入装置 |
US9978556B2 (en) * | 2015-12-11 | 2018-05-22 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Parallelizing electrostatic acceleration/deceleration optical element |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0668837A (ja) * | 1992-03-06 | 1994-03-11 | Eaton Corp | 交差平面集束を行うイオンビーム注入装置および方法 |
JPH06342639A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-12-13 | Diamond Semiconductor Group Inc | 小型の高電流幅広ビームのイオン注入装置 |
JP2000505234A (ja) * | 1996-07-15 | 2000-04-25 | ダイアモンド セミコンダクタ グループ インコーポレイテッド | 大電流リボンビーム注入装置 |
JP2001043825A (ja) * | 1999-05-28 | 2001-02-16 | Applied Materials Inc | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
JP2003511822A (ja) * | 1999-10-05 | 2003-03-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入のための高伝搬で,低エネルギーのビームラインのアーキテクチャー |
JP2003288857A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5091655A (en) | 1991-02-25 | 1992-02-25 | Eaton Corporation | Reduced path ion beam implanter |
US5481116A (en) * | 1994-06-10 | 1996-01-02 | Ibis Technology Corporation | Magnetic system and method for uniformly scanning heavy ion beams |
US5693939A (en) * | 1996-07-03 | 1997-12-02 | Purser; Kenneth H. | MeV neutral beam ion implanter |
US6060715A (en) * | 1997-10-31 | 2000-05-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for ion beam scanning in an ion implanter |
US6403452B1 (en) * | 1999-02-22 | 2002-06-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ion implantation method and ion implantation equipment |
GB2356736B (en) * | 1999-02-22 | 2002-06-05 | Toshiba Kk | Ion implantation method and ion implantation equipment |
US6774377B1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-08-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Electrostatic parallelizing lens for ion beams |
US7102146B2 (en) * | 2004-06-03 | 2006-09-05 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose cup located near bend in final energy filter of serial implanter for closed loop dose control |
US20060017010A1 (en) * | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Magnet for scanning ion beams |
JP5100963B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2012-12-19 | 株式会社Sen | ビーム照射装置 |
US7173260B2 (en) * | 2004-12-22 | 2007-02-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Removing byproducts of physical and chemical reactions in an ion implanter |
-
2006
- 2006-01-27 US US11/275,772 patent/US7394079B2/en active Active
-
2007
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- 2007-01-24 TW TW096102648A patent/TWI395251B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0668837A (ja) * | 1992-03-06 | 1994-03-11 | Eaton Corp | 交差平面集束を行うイオンビーム注入装置および方法 |
JPH06342639A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-12-13 | Diamond Semiconductor Group Inc | 小型の高電流幅広ビームのイオン注入装置 |
JP2000505234A (ja) * | 1996-07-15 | 2000-04-25 | ダイアモンド セミコンダクタ グループ インコーポレイテッド | 大電流リボンビーム注入装置 |
JP2001043825A (ja) * | 1999-05-28 | 2001-02-16 | Applied Materials Inc | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
JP2003511822A (ja) * | 1999-10-05 | 2003-03-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | イオン注入のための高伝搬で,低エネルギーのビームラインのアーキテクチャー |
JP2003288857A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-10 | Sumitomo Eaton Noba Kk | イオンビームの電荷中和装置とその方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150026702A (ko) * | 2013-08-29 | 2015-03-11 | 가부시키가이샤 에스이엔 | 이온주입장치, 빔평행화장치, 및 이온주입방법 |
KR101997934B1 (ko) | 2013-08-29 | 2019-07-08 | 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤 | 이온주입장치, 빔평행화장치, 및 이온주입방법 |
JP2016538696A (ja) * | 2013-11-27 | 2016-12-08 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | トリプルモード静電コリメータ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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