JP2016533614A - 電圧‐光変換デバイス - Google Patents

Abstract

本発明は、基板２上の構造化された導電層３と、封止部の一部であり、層縁を含む、更なる層６０とを含む、ＯＬＥＤ等の電圧‐光変換デバイス１に関する。導電層は、層縁に近い縁領域７０において構造縁１０を含み、構造縁の少なくとも一部分は、層縁に対して垂直でない。縁領域において、構造縁の少なくとも一部分が層縁に対して垂直でないので、更なる層を作製するための作製工程の間、当初は液体の層材料の構造縁に沿った起こり得る流れは、液体材料が望ましい層縁の比較的近くに留まるように向けられ、すなわち、液体材料は、より良好に局所的に限定され得る。

Description

本発明は、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）又は有機光起電デバイス（ＯＰＶＤ）等の電圧‐光変換デバイスに関する。更に、本発明は、電圧‐光変換デバイスの基板に関する。

ＯＬＥＤは、通常、第１の電極を形成する、ガラス基板上の構造化されたＩＴＯ層を含み、第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に配置される有機発光材料とを更に含む。更に、ＯＬＥＤは、少なくとも有機発光材料を封止するための、様々な層のスタックによって形成される薄膜封止部を含み、薄膜封止部のスタックは、例えばＳｉＮ層といった無機層、及びポリマ層を含み、ＯＬＥＤの製造工程の間、無機層は化学的蒸着（ＣＶＤ）工程において付与され、ポリマ層は、インクジェット印刷等のウェットケミカル工程において無機層の上へと局所的に付与される。ウェットケミカル工程の間、ポリマ層は、ポリマ層の縁が形成されるべき縁領域内に局所的に限定された状態に留まらない恐れがあり、すなわち、ポリマ層が望ましくなく広がる恐れがある。

本発明の目的は、電圧‐光変換デバイスを製造するための製造工程の間に液体である材料で作られる層が、層の縁が形成されるべき縁領域内に、より良好に局所的に限定され得るように製造され得る、電圧‐光変換デバイスを提供することである。本発明の更なる目的は、電圧‐光変換デバイスの基板、電圧‐光変換デバイスを製造するための製造装置及び方法、並びに基板を製造するための製造装置及び方法を提供することである。

本発明の第１の態様では、第１の電極と、第２の電極と、電圧‐光変換を実行し、第１の電極と第２の電極との間に配置される、電圧‐光変換材料と、少なくとも電圧‐光変換材料を封止するための封止部と、を含む電圧‐光変換デバイスであって、封止部は、層縁を有し、電圧‐光変換デバイスを製造するための工程の間に液体である材料で作られている、更なる層を含む、電圧‐光変換デバイスが提示される。電圧‐光変換デバイスは、基板上の構造化された導電層を更に含み、第１の電極及び第２の電極のうちの少なくとも１つは、構造化された導電層によって形成されるか、又は構造化された導電層に電気的に接続される。構造化された導電層は、縁領域において構造縁を含み、縁領域は、封止部内に含まれる更なる層の層縁も含む。縁領域において、構造化された導電層の構造縁の少なくとも一部分は、封止部内に含まれる更なる層の層縁に対して垂直でない。

層縁を有する層を作製するために用いられる液体材料の、層縁が形成されるべき縁領域内への局所的な限定に伴う難点は、全体が直線状で、層縁に対して垂直な、直線状の構造縁に沿った液体材料の流れによって引き起こされることが分かっている。縁領域において、構造縁の少なくとも一部分が層縁に対して垂直でない場合、構造縁に沿った液体材料の流れは、液体材料が望ましい層縁のより近くに留まるように方向転換され得る。この態様で、液体材料は、縁領域内により良好に局所的に限定され得る。

縁領域において、構造縁の全体、又は構造縁の一部分だけが、層縁に対して垂直でない。実施形態では、縁領域は、層によって覆われておらず、層縁に対して平行な境界を有するものと規定され、この境界と層縁との間の距離は、好ましくは４ｍｍ以下、更に好ましくは３ｍｍ以下、更により好ましくは２ｍｍ以下である。層縁に対して垂直でない構造縁の部分は、好ましくは、少なくとも部分的に、層縁と縁領域の平行な境界との間に位置する。

構造縁の位置において、略規則的な層縁は、製造工程の間に構造縁に沿って流れた不要な固化層材料によって依然としてわずかに乱されるが、この悪影響は、構造縁の形状によって強力に低減される。これが当てはまる場合、用語「層縁に対して垂直でない」は、規則的な層縁を指し、構造縁の位置における層縁のわずかな乱れを指すものではないことに留意されたい。

電圧‐光変換材料は、電圧を光へと変換するか、又は光を電圧へと変換する。第１の場合、電圧‐光変換デバイスは例えばＯＬＥＤであり、第２の場合、電圧‐光変換デバイスは例えばＯＰＶＤである。好ましくは、構造化された導電層は、好ましくはガラス基板である基板上の酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層である。

好ましくは、縁領域において、構造縁は、層縁に対して垂直でない第１の部分と、第１の部分と共に４５度〜１３５度の範囲内の角度を囲む、隣接する第２の部分とを含む。構造縁の第１の部分は、好ましくは第２の部分よりも層縁に近い。第１の部分と第２の部分とによって囲まれる角度は、例えば９０度である。斯様な構造縁は、製造工程の間、層を形成するための液体材料を、縁領域内に非常に有効に限定する。

好ましくは、構造縁は、構造縁の少なくとも一部分が層縁に対して垂直でないような蛇行型の縁であり、すなわち、好ましくは、層縁に対して垂直でない少なくとも一部分を含む、蛇行型の縁が構造縁として用いられる。蛇行型の縁は、縁の隣接する２つの部分が９０度の角度を囲む、少なくとも１つの９０度の場所を含むことが好ましい。縁は、蛇行型を形成するために、複数の９０度の場所を含んでもよい。したがって、縁は９０度の角又は９０度の湾曲を含み、液体の流れが縁領域内により良好に限定されるように、液体の流れを非常に有効に方向転換する。しかしながら、蛇行型の縁は、別の態様で成形されてもよい。例えば、蛇行型の縁は、半円の部分によって形成されてもよい。

封止部は、好ましくは、複数の層を含む薄膜封止部である。封止部は、好ましくはポリマ層と無機層とを含む。特に、封止部は、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｓｉ_ｘＯ_ｙ、Ｓｉ_ｘＮ_ｙ、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２等の層である２つの無機層の間にポリマ層を含み、層縁はポリマ層によって形成される。しかしながら、封止部は、例えば別のポリマ層及び／又は電圧‐光変換材料の層により、別の層によって形成されてもよい。電圧‐光変換材料は、好ましくは有機電圧‐光変換材料を含む。電圧‐光変換材料は、様々な層のスタックを含む。例えば、電圧‐光変換デバイスがＯＬＥＤである場合、電圧‐光変換材料は、様々な色を放射する複数の放射層と、オプションで、適切なエネルギ準位の、すなわち光を発生させるために必要とされるエネルギ準位の電子及び正孔を提供するための更なる層とを含む。

構造化された導電層は、好ましくは構造縁を含む溝によって構造化される。溝の幅は、溝の延伸に沿って変化する。特に、溝は、より大きな幅を有する幅広部と、より小さな幅を有する幅狭部とを含む。２つの幅広部の間に、蛇行型の縁を含む一連の幅狭部が配置される。幅広部は３ｍｍの幅を有し、幅狭部は０．２５ｍｍの幅を有する。溝は、一連の、層縁に対して平行である３つの平行幅狭部と、層縁に対して垂直である２つの垂直幅狭部とを、交互に含んでもよい。

本発明の第２の態様では、第１の態様による電圧‐光変換デバイスを製造するための基板であって、基板は構造化された導電層を含み、構造縁は蛇行型の縁である、基板が提示される。

第１の態様による電圧‐光変換デバイス、及び第２の態様による基板は、特に従属請求項に記載の同様の及び／又は同一の好ましい実施形態を有することが理解されるべきである。

本発明の好ましい実施形態は、従属請求項又は上記の実施形態とそれぞれの独立請求項との任意の組合せであってもよいことが理解されるべきである。

本発明のこれらの態様及び他の態様は、以下に説明される実施形態から明らかとなり、これらの実施形態を参照して解明されるであろう。

ＯＬＥＤを概略的且つ例示的に示す。 図１に示されるＯＬＥＤの断面図を概略的且つ例示的に示す。 ＯＬＥＤの一部分を概略的且つ例示的に示す。 図３に示されるＯＬＥＤの一部分の断面図を概略的且つ例示的に示す。 本発明によるＯＬＥＤの実施形態を概略的且つ例示的に示す。 図５に示される実施形態の一部分を概略的且つ例示的に示す。 本発明によるＯＬＥＤの別の実施形態の一部分を概略的且つ例示的に示す。 ＯＬＥＤを製造するための製造装置を概略的且つ例示的に示す。 ＯＬＥＤを製造するための製造方法の実施形態を例示的に示すフローチャートを示す。 様々な蛇行型の縁を概略的且つ例示的に示す。

図１は、ＯＬＥＤの実施形態を概略的且つ例示的に示す。図２は、このＯＬＥＤの、Ａ‐Ａで示される線に沿った断面図を概略的且つ例示的に示す。ＯＬＥＤ１０１は、好ましくはＩＴＯ層である構造化された導電層３を有する基板２を含む。

導電層３は、第１の電極を形成する。ＯＬＥＤ１０１は、金属電極である第２の電極５を更に含み、第１の電極３と第２の電極５との間に、有機発光材料４が配置される。電気的接続７を介して、第１の電極３と第２の電極５とに電圧源８が接続され、有機発光材料４は、第１の電極３と第２の電極５とに電圧が付与される場合に光を放射する。

ＯＬＥＤ１０１は、水蒸気や他の環境の影響に対して有機発光材料４を保護するために、少なくとも有機発光材料４を封止するための薄膜封止部を更に含む。薄膜封止部は、様々な層６、６０、６１のスタックによって形成される。この実施形態では、薄膜封止部は、第１のバリア層６と、中間層６０と、第２のバリア層６１とによって形成される。第１のバリア層６及び第２のバリア層６１は、無機層である。中間層６０はポリマ層である。中間層６０は、カソード層であるとみなされる第２の電極５と、無機層６とを保護する。中間層６０は、有機発光材料４内への水の浸入を回避するための撥水層である。中間層６０は排水層であってもよい。中間層６０は、更に、傷保護を提供し、光入力機能を提供し、及び／又は光出力機能を提供してもよい。

図３は、図１及び図２に示されるＯＬＥＤの一部分を概略的且つ例示的に示す。図３に見られるように、中間層６０の層縁６３を含む縁領域７０内に、層縁６３に対して垂直である、直線状の構造縁１１０を有する直線溝１０９が形成されている。ＯＬＥＤ１０１を製造するための製造工程の間、中間層６０を作製するために液体の中間層材料が用いられ、当該液体の中間層材料が、層縁６３から路を示す方向に直線状の構造縁１１０に沿って流れた。これは、中間層６０の層縁６３において、望ましくない流出した構成要素６９をもたらす。

図４は、第１のバリア層６と中間層６０とが付与された後の、溝１０９を含む構造化された導電層３を有する基板２の断面図を、概略的且つ例示的に示す。図４に示されるように、第１のバリア層６は、溝１０９の輪郭に非常によく従っている。したがって、中間層６０が第１のバリア層６の上へと付与される場合、ＩＴＯ層３の構造は依然としてはっきり分かり、不要な流出をもたらす。

この理由のために、本発明によるＯＬＥＤは、図５及び図６に概略的且つ例示的に示されるように、縁領域７０において、中間層の層縁６３に対して垂直でない部分を有する構造縁を含む。

図５及び図６に概略的且つ例示的に示される本発明によるＯＬＥＤの実施形態１も、構造化された導電材料３を有する基板２と、有機発光材料４と、第２の電極５と、封止部６、６０、６１とを含む。しかしながら、本発明による実施形態１では、導電層３の構造は、中間層６０の層縁６３が配置される縁領域７０において、蛇行型の縁１０を含む。この縁領域において、封止部は構造化された導電層３に達する。

蛇行型の縁１０は、封止部周縁に対して垂直である縁１０の垂直部分と、封止部周縁に対して平行である縁１０の平行部分とが９０度の角度を囲む、少なくとも１つの９０度の場所１１を含む。縁１０は、蛇行型を形成するために、複数の９０度の場所１１を含む。縁１０は溝９の縁であり、この実施形態では、溝９の幅は、溝９の延伸に沿って変化する。特に、溝９は、より大きな幅を有する幅広部１２と、より小さな幅を有する幅狭部１３とを含む。

図７は、導電材料の縁２３によって形成される蛇行型構造の更なる実施形態を、概略的且つ例示的に示す。この実施形態では、蛇行型構造は、溝２０９の２つの幅広部２１２、２１４の間の、蛇行型の縁２１０を含む、溝２０９の一連の幅狭部２１３を含む。更に、幅広部２１４は、一連の幅狭部２１３と、更なる幅狭部２２５との間に配置される。幅広部２１２、２１４は、３ｍｍの幅２４を有し、幅狭部２１３は、０．２５ｍｍの幅１８を有する。幅広部２１２、２１４の間における溝の２つの平行幅狭部の間の距離１５は、１ｍｍである。更に、中間層６０の縁２０と、最も近い平行幅狭部との間の距離１６は、０．３ｍｍである。他の実施形態では、蛇行型構造は、他の寸法を含んでよい。図７は、更に、カソード層５の縁１９、及びバリア層６、６０の縁２１を示す。

図８は、ＯＬＥＤ１を製造するための製造装置を、概略的且つ例示的に示す。製造装置３０は、基板２に、蛇行型の縁を含む構造化された導電層を提供するための、基板提供ユニット３１を含む。この実施形態では、基板提供ユニット３１は、基板２上に、蛇行型の縁を有する溝を含む構造化されたＩＴＯ層を提供する。図８では、結果としてもたらされる構造化された導電層を有する基板が、参照番号４０で示される。基板提供ユニット３１は、ＩＴＯ層における構造を生成するために、全体をＩＴＯで被覆されたガラス又はポリマ基板である基板に対して、サブトラクティブ技術を適用する。サブトラクティブ技術は、例えば、レーザアブレーション、エッジペースト印刷、フォトリソグラフィ等である。別の実施形態では、基板提供ユニット３１は、例えば、シャドウマスクを通して導電材料をスパッタリングすることにより、また、グラビア印刷、フレキソ印刷、インクジェット印刷、スクリーン印刷等の印刷をすることによって、基板上に構造化された態様で導電層を付与することによって、構造化された導電層を有する基板を作り出す。

製造装置３０は、構造化された導電層によって形成される第１の電極と、第２の電極との間の有機発光材料を配置するための、電圧‐光変換材料及び電極提供ユニット３２を更に含む。この実施形態では、電圧‐光変換材料及び電極提供ユニット３２は、有機発光材料が第１の電極と第２の電極との間に配置される構造を提供するために、有機発光材料と、第２の電極を形成するための金属材料とを、構造化された導電層の上に堆積する。結果としてもたらされる、構造化された導電層と、有機発光材料と、第２の電極とを有する基板は、参照番号４１で示される。電圧‐光変換材料及び電極提供ユニット３２は、例えば、真空蒸着によって有機発光材料を堆積し、真空スパッタリングによって、好ましくはカソードを形成する第２の電極を堆積する。しかしながら、有機発光材料及び第２の電極を形成する金属材料は、他の技術を用いて堆積されてもよい。

製造装置は、薄膜封止部を提供するための封止部提供ユニット３３を更に含む。特に、封止部提供ユニット３３は、薄膜封止部の様々な層を提供する。例えば、ＣＶＤ工程又は原子層蒸着（ＡＬＤ）工程によって無機層が付与され、インクジェット印刷等のウェットケミカル工程において、ポリマ層が無機層の上へと局所的に付与される。ＣＶＤ工程は、構造化された導電層の輪郭に従って無機層を生成する。ポリマ層はインクジェット印刷等のウェットケミカル工程を用いて付与されるので、対応して付与される液体材料は、構造化された導電層の直線縁に沿って基板上の望ましくない領域へと流れる恐れがある。しかしながら、構造化された導電層の蛇行型の縁のおかげで、この液体材料の流れは、ポリマ層の望ましい縁が最終的に存在すべきである縁領域に、より良好に限定されるように方向転換される。封止部提供ユニット３３は、縁領域において最終的に層縁を形成するポリマ層を提供するので、封止部提供ユニット３３は、縁領域において層縁が形成されるようなＯＬＥＤの層を提供するための層提供ユニットであるとみなされ得る。

封止部提供ユニット３３は、ＣＶＤ、物理的蒸着（ＰＶＤ）、ＡＬＤ等による無機層と、被覆、又はグラビア印刷、フレキソ印刷、インクジェット印刷、シルクスクリーン印刷等の印刷によるポリマ層とを提供する。封止部提供ユニット３３は、複数の層で作られる封止部を形成するために、一連の化学的蒸着、及び被覆又は印刷を複数回実行する。

製造工程の間、液体材料をより良好に局所的に限定することによって、液体材料の付与の品質、特に、液体材料の付与の空間的な精度が改善され、また、液体材料によって形成される層の上部の更なる層の付与が簡素化され得る。

製造装置３０は、ＯＬＥＤに、更なる層、電圧源への電気的接続を提供するための電線等の、更なる構成要素を提供するための更なるユニットを含んでもよい。基板提供ユニット３１は、構造化された導電層が蛇行型の縁を含むように、基板上に構造化された導電層を提供するための処理装置であるとみなされ得る。

以下において、図９に示されるフローチャートを参照して、ＯＬＥＤを製造するための製造方法の実施形態が例示的に説明される。

ステップ１０１では、蛇行型の縁を含む構造化された導電層を有する基板が提供される。特に、ＩＴＯ層が蛇行型の縁を含むようなガラス基板上のＩＴＯ層が提供される。ステップ１０２では、第１の電極を形成する構造化された導電層と、付与される金属材料によって形成される第２の電極との間に有機発光材料を含む構造を生成するために、有機発光材料と金属材料とが、構造化された導電層に付与される。ステップ１０３では、薄膜封止部が少なくとも有機発光材料を封止するように、薄膜封止部が提供される。ステップ１０４では、第１の電極及び第２の電極を電圧源と接続するために、これら電極は電気的接続を提供される。

ステップ１０１は、基板上に、蛇行型の縁を含む構造化された導電層が提供されるように基板を処理するための、処理方法のステップであるとみなされる。製造方法のステップは、図８を参照して上述された製造装置によって、特に自動的に実行されるか、又はこれらのステップは、少なくとも部分的に手動で実行されてもよい。

構造化された導電材料における溝は、電極の離間、特にアノード‐カソードの離間として用いられ、構造化された導電層の第１の部分によって第１の電極が形成され、第２の電極を電圧源に接続するために第２の部分が用いられる。液体材料の流出は、毛細管力によって引き起こされる恐れもあり、この流出は、溝の蛇行構造、及び対応する溝の縁の蛇行構造によって最小化され得る。

導電層の蛇行型の縁の構造は、ポリマ層の薄膜封止部が付与されるときに、特に有用である。ＯＬＥＤがＩＴＯ／無機／ポリマ／無機構造を含む場合、製造工程の間に望ましい封止部周縁において起こり得るポリマ材料の流出を低減させるために、この構造を含む縁領域に、好ましくは、蛇行型の縁が配置される。蛇行構造が用いられない場合、流出はより広く、すなわちより広い周縁が用いられなければならない。

基板は、直線縁を有するＩＴＯ領域ではなく、好ましくは、約９０度の湾曲を有する蛇行型の縁を有するＩＴＯ領域を含む。斯様な蛇行型の縁を有するＩＴＯ層を有することは、ポリマ層等の液体材料の流出が起こる恐れのある領域を強力に限定する。構造化された導電材料は、１以上の蛇行型の縁と、対応する溝とを含む。特に、基板上に、各縁領域が１以上の蛇行型の縁を含む、複数の縁領域が存在してもよい。

上述の実施形態では、蛇行型の縁を含む構造化された導電層を有する基板は、ＯＬＥＤを製造するために用いられるが、別の実施形態では、蛇行型の縁を含む構造化された導電層を有する基板は、ＯＰＶＤ等の別の電圧‐光変換デバイスを製造するために用いられてもよい。

上述の実施形態では、蛇行型の縁は、液体封止材料の低減された流出をもたらすが、他の実施形態では、蛇行型の縁は、特にポリマ正孔注入層材料等の他の液体ポリマ材料である、他の液体材料の流出を低減させるために用いられてもよい。

上述の実施形態では、構造縁が存在するそれぞれの縁領域に位置する層縁は、略直線状であるが、他の実施形態では、層縁は別の形状を有してもよく、例えば、層縁は湾曲してもよい。

上述の実施形態では、導電層は、ある特定の構造縁を有するある特定の構造を含むが、他の実施形態では、導電層は、別の構造縁を有する別の構造を含んでもよい。例えば、導電層は、図１０に概略的且つ例示的に示される、１以上の蛇行型の構造３０９、４０９、５０９を有する。構造縁は、Ｌ字型の縁であってもよい。

当業者によって、特許請求された発明を実施するにあたり、図面、明細書、及び添付の請求項の研究から、開示された実施形態の他のバリエーションが理解され達成されることができる。

請求項で、「含む」の文言は他の要素又はステップを除外するものではなく、不定冠詞「ａ」又は「ａｎ」は複数を除外するものではない。

単一のユニット又はデバイスは、請求項に記載される複数項目の機能を満たすことができる。特定の手段が、相互に異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組み合わせを有利に使用できないことを意味するわけではない。

１以上のユニット又はデバイスによって実行される、基板上の構造化された導電層の提供、電圧‐光変換材料の提供、電極の提供、封止部の提供等の手順は、任意の他の数のユニット又はデバイスによって実行されてもよい。例えば、ステップ１０１乃至ステップ１０４は、単一のユニットによって実行されるか、又は任意の他の数の様々なユニットによって実行されてもよい。これらの手順、及び／又は電圧‐光変換デバイスを製造するための製造方法により電圧‐光変換デバイスを製造するための製造装置の制御、及び／又は基板を処理するための処理方法により基板を処理するための処理装置の制御は、コンピュータプログラムのプログラムコード手段として、及び／又は専用ハードウェアとして実施されてよい。

コンピュータプログラムは、他のハードウェアと一緒に又はその一部として供給される、光学式記憶媒体又はソリッド・ステート媒体等の適切な媒体に記憶／配布されてよいが、インターネット又は他の有線若しくは無線の遠隔通信システムを介して等、他の形式で配布されてもよい。

請求項中のいかなる参照符号も、範囲を限定するものと解釈されるべきではない。

本発明は、基板上の構造化された導電層と、封止部の層であり、層縁を含む、更なる層とを含む、ＯＬＥＤ等の電圧‐光変換デバイスに関する。導電層は、層縁に近い縁領域において構造縁を含み、構造縁の少なくとも一部分は、層縁に対して垂直でない。縁領域において、構造縁の少なくとも一部分が層縁に対して垂直でないので、更なる層を作製するための作製工程の間、当初は液体の層材料の構造縁に沿った起こり得る流れは、液体材料が望ましい層縁の比較的近くに留まるように向けられ、すなわち、液体材料は、より良好に局所的に限定され得る。

Claims (9)

1. 第１の電極と、
   第２の電極と、
   電圧‐光変換を実行し、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置される、電圧‐光変換材料と、
   少なくとも前記電圧‐光変換材料を封止するための封止部と、
   を含む、電圧‐光変換デバイスであって、
   前記封止部は、層縁を有する更なる層であって、前記電圧‐光変換デバイスを製造するための工程の間に液体である材料で作られる、更なる層を含み、
   前記電圧‐光変換デバイスは、基板上の構造化された導電層を更に含み、前記第１の電極及び前記第２の電極のうちの少なくとも１つは、前記構造化された導電層によって形成されるか、又は前記構造化された導電層に電気的に接続され、
   前記構造化された導電層は、縁領域において構造縁を含み、前記縁領域は、前記更なる層の前記層縁も含み、
   前記縁領域において、前記構造化された導電層の前記構造縁の少なくとも一部分は、前記更なる層の前記層縁に対して垂直でない、
   電圧‐光変換デバイス。
2. 前記構造縁は、前記構造縁の少なくとも一部分が前記層縁に対して垂直でないような蛇行型の縁である、請求項１に記載の電圧‐光変換デバイス。
3. 前記縁領域において、前記構造縁は、前記層縁に対して垂直でない第１の部分と、前記第１の部分とで４５度〜１３５度の範囲内の角度を囲む、隣接する第２の部分と、を含む、請求項１に記載の電圧‐光変換デバイス。
4. 前記電圧‐光変換材料は、有機電圧‐光変換材料を含む、請求項１に記載の電圧‐光変換デバイス。
5. 前記層縁は、ポリマ層の縁である、請求項１に記載の電圧‐光変換デバイス。
6. 前記構造化された導電層は、前記構造縁を含む溝によって構造化され、前記溝の幅は、前記溝の延伸に沿って変化する、請求項１に記載の電圧‐光変換デバイス。
7. 前記溝は、より大きな幅を有する幅広部と、より小さな幅を有する幅狭部とを含み、２つの前記幅広部の間に一連の前記幅狭部が配置され、前記構造縁は、前記幅狭部によって形成される蛇行型の縁である、請求項６に記載の電圧‐光変換デバイス。
8. 前記導電層はＩＴＯ層である、請求項１に記載の電圧‐光変換デバイス。
9. 請求項１に記載の電圧‐光変換デバイスを製造するための基板であって、前記基板は前記構造化された導電層を含み、前記構造縁は蛇行型の縁である、基板。
   

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