JP6965235B2 - 有機電界発光ダイオード基板及びその製造方法、表示装置 - Google Patents

有機電界発光ダイオード基板及びその製造方法、表示装置 Download PDF

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Description

本発明は表示技術分野に属し、具体的には有機電界発光ダイオード基板及びその製造方法、表示装置に関する。
光電表示技術分野において、有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ、略称ＯＬＥＤ）は、自己発光、高輝度、高コントラスト、超薄、低消費電力、広視野角及び広範囲の動作温度など様々な利点を有し、広く応用が可能である先進的な新型フラットパネル表示装置である。
しかし、有機材料固有の特性のため、有機電界発光素子は水を含む酸素を吸収し易く、水を含む酸素が侵食すると極めて消耗、劣化し易く、素子寿命に大きく影響することから、ＯＬＥＤ素子のパッケージに対する要求は高い。
現在、従来のガラスカバー又は金属カバー及び乾燥シートのパッケージ、面パッケージ（Ｆａｃｅ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）、溶接パッケージ（Ｆｒｉｔ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）、フィルムパッケージ（ＴＦＥ，Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）などを含むＯＬＥＤ素子のパッケージ技術も日々成熟している。なかでも、フィルムパッケージ技術は、素子の重量や厚さの減少、パッケージ部品の減少、パッケージコストの低減、パッケージ縁辺幅の減少、表示死角解消及び折り曲げ可能な湾曲性などの方面において際立った利点を有する。
一方、タッチ機能付きＯＬＥＤ基板においては、通常、ＯＬＥＤ素子を形成した基板にタッチ電極と感知電極をさらに設ける必要がある。従来のタッチＯＬＥＤ基板は集積度が低く、厚さが大きく、表示パネルの薄型化及び軽量化の妨げになっている。
本発明は従来技術における問題点の１つを少なくとも一部解決するものであり、統合性が高く、機能が多い有機電界発光ダイオード基板及びその製造方法、表示装置を提供する。
一つの方面において、本発明は、ベースと、前記ベース上に設けられた有機電界発光ユニットと、前記有機電界発光ユニット上に設けられたフィルムパッケージ層と、前記フィルムパッケージ層に設けられた複数の第１の電極と複数の第２の電極と、を有し、前記フィルムパッケージ層は、前記有機電界発光ユニット上に前記ベースから離れるように交互に積層されたＮ個の無機膜層とＮ個の有機膜層とを備え、Ｎは２以上の整数であり、前記Ｎ個の有機膜層は各々が前記Ｎ個の無機膜層のうちの１つに積層され、前記複数の第１の電極は前記Ｎ個の有機膜層のうちの１つの有機膜層に埋め込まれ、前記複数の第２の電極は前記Ｎ個の有機膜層のうちのもう１つの有機膜層に埋め込まれた有機電界発光ダイオード基板を提供する。
任意で、前記１つの有機膜層には複数本の第１の溝が設けられ、前記もう１つの有機膜層には複数本の第２の溝が設けられ、複数本の前記第１の溝と複数本の前記第２の溝は前記ベースでの正投影が交差するように設けられ、前記第１の溝の各々に前記複数の第１の電極の１つが充填され、前記第２の溝の各々に前記複数の第２の電極の１つが充填されてもよい。
任意で、前記有機電界発光ユニットは前記ベース上に設けられ、前記有機電界発光ユニットを限定する画素限定層をさらに有し、前記画素限定層の前記ベースでの正投影が、前記複数の第１の電極と前記複数の第２の電極の前記ベースでの正投影を完全に覆ってもよい。
任意で、前記有機電界発光ユニットは、アノード層、発光層、カソード層をさらに有し、
前記アノード層はベースの上方に設けられ、前記画素限定層は前記アノード層の上方に設けられ、前記アノード層の部分を露出する開口を備え、前記発光層は前記画素限定層の開口内に設けられ、前記開口により露出された前記アノード層の部分に位置し、前記カソード層は前記画素限定層と前記発光層の上方に設けられ、
又は、前記カソード層はベースの上方に設けられ、前記画素限定層は前記カソード層の上方に設けられ、前記カソード層の部分を露出する開口領域を備え、前記発光層は前記画素限定層の開口領域に設けられ、前記開口領域により露出された前記カソード層の部分に位置し、前記アノード層は前記画素限定層と前記発光層の上方に設けられてもよい。
任意で、隣接する２つの前記第２の電極の間の水平方向の距離は１００〜２０００μｍであってもよい。
任意で、前記第１の溝と前記第２の溝の幅はいずれも３〜２０μｍであってもよい。
任意で、前記第１の溝と前記第２の溝の深さはいずれも１〜５μｍであってもよい。
任意で、前記第１の電極と前記第２の電極は、銀、金、銅、アルミニウムのいずれか１種あるいは２種以上を含んでもよい。
任意で、前記有機膜層の厚さは３〜１２μｍであってもよい。
任意で、前記無機膜層の厚さは０．２〜１．０μｍであってもよい。
任意で、前記Ｎは３以上であり、前記Ｎ個の無機膜層とＮ個の有機膜層は、前記ベースから離れるように１からＮの順序で前記有機電界発光ユニット上に交互に積層され、前記第１の電極はＮ−１個目の有機膜層に設けられ、前記第２の電極はＮ個目の有機膜層に設けられてもよい。
任意で、前記Ｎ個の無機膜層とＮ個の有機膜層は、前記ベースから離れるように１からＮの順序で前記有機電界発光ユニット上に交互に積層され、前記有機電界発光ダイオード基板は、Ｎ個目の有機膜層上に設けられた保護層をさらに有してもよい。
任意で、前記保護層は無機膜層又は有機膜層であってもよい。
ある側面において、本発明は、
ベース上に有機電界発光ユニットと画素限定層を形成するステップと、
前記有機電界発光ユニット上にフィルムパッケージ層及び、前記フィルムパッケージ層に位置する複数の第１の電極と複数の第２の電極を形成するステップと、を含み、
フィルムパッケージ層及び複数の第１の電極と複数の第２の電極を形成する前記ステップは、
前記有機電界発光ユニット上に前記ベースから離れて交互に積層するようにＮ個の無機膜層とＮ個の有機膜層を形成することと、
前記Ｎ個の有機膜層のうちの１つを形成した後、かつ前記Ｎ個の無機膜層のうちの前記１つの有機膜層に直接積層される１つの無機膜層を形成する前に、前記１つの有機膜層に複数本の第１の溝を形成し、前記第１の溝の各々に前記複数の第１の電極の１つを形成することと、
前記Ｎ個の有機膜層のうちのもう１つの有機膜層を形成した後、かつ前記Ｎ個の無機膜層のうちの前記もう１つの有機膜層に直接積層されるもう１つの無機膜層を形成する前に、前記もう１つの有機膜層に複数本の第２の溝を形成し、前記ベースでの正投影が交差するように複数本の前記第１の溝と複数本の前記第２の溝を設け、前記第２の溝の各々に第２の電極の１つを形成することと、を含む、有機電界発光ダイオード基板の製造方法を提供する。
任意で、前記有機膜層の形成は、インクジェット記録方式で有機膜層を形成することを含んでもよい。
任意で、有機膜層に複数本の第１の溝を形成する前記ステップは、
前記有機膜層の前記ベースから離れている表面をインプリントすることで有機膜層に前記複数本の第１の溝を形成することを含み、
有機膜層に複数本の第２の溝を形成する前記ステップは、
前記有機膜層の前記ベースから離れている表面をインプリントすることで有機膜層に前記複数本の第２の溝を形成することを含んでもよい。
任意で、前記インプリントはＮ２又は真空環境下で行ってもよい。
任意で、前記第１の溝に第１の電極を形成する前記ステップは、
インクジェット記録方式で第１の溝にナノ金属粒子インクを記録することと、
光子焼結又はレーザパルス焼結方式でナノ金属粒子に対し導電化処理を行って第１の電極を形成することと、を含み、
前記第２の溝に第２の電極を形成する前記ステップは、
インクジェット記録方式で第２の溝にナノ金属粒子インクを記録することと、
光子焼結又はレーザパルス焼結方式でナノ金属粒子に対し導電化処理を行って第２の電極を形成することと、を含んでもよい。
他の側面において、本発明は、上記の有機電界発光ダイオード基板を有する表示装置を提供する。
本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の構造を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の第１の溝を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の第２の溝を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の第１の電極と第２の電極の交差で限定するグリッドパターンを示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の製造方法を示すフロー図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の製造方法におけるステップ一を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の製造方法におけるステップ二を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の製造方法におけるステップ三を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の製造方法におけるステップ四を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の製造方法におけるステップ五を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の製造方法におけるステップ六を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の製造方法におけるステップ七を示す模式図である。 本発明の実施例に係る有機電界発光ダイオード基板の製造方法におけるステップ八を示す模式図である。
本発明の技術案を当業者がより良く理解できるように、以下では、図面及び実施形態を参照しながら本発明について詳細に説明する。
ある側面において、本発明の実施例は有機電界発光ダイオード基板を提供する。図１〜３を参照すると、有機電界発光ダイオード基板は、ベース１と、ベース１上に設けられた有機電界発光ユニット２と、有機電界発光ユニット２上に設けられたフィルムパッケージ層と、フィルムパッケージ層に設けられた複数の第１の電極５と複数の第２の電極６と、を有する。フィルムパッケージ層は、有機電界発光ユニット２上にベース１から離れるように交互に積層されたＮ個の無機膜層３とＮ個の有機膜層４とを備え、Ｎは２以上の整数であり、Ｎ個の有機膜層４の各々がＮ個の無機膜層３のうちの１つに積層される。複数の第１の電極５は１つの有機膜層４に埋め込まれ、複数の第２の電極６はもう１つの有機膜層４に埋め込まれる。ここで、フィルムパッケージ層は有機電界発光ユニット２を覆うことによって、有機電界発光ユニット２をベース１上にパッケージする。任意で、無機膜層３は、水、酸素などによる有機電界発光ユニット２の汚染を遮断する遮断層であり、有機膜層４は平坦面を提供する平坦層であってもよい。特に、多層有機膜層４における任意の２層を選択して、そのうちの一方の層に複数本の第１の溝８を設け、他方の層に複数本の第２の溝９を設け、且つ前記ベース１での正投影が交差するように複数本の第１の溝８と複数本の第２の溝８を設け、第１の溝８の各々に複数の第１の電極５の１つを充填し、第２の溝９の各々に前記複数の第２の電極６の１つを充填する。
第１の電極５と第２の電極６のうち、一方をタッチ電極としてもよく、他方を感知電極としてもよいということが理解できる。言い換えれば、本実施例の有機電界発光ダイオード基板では、従来のタッチ基板におけるタッチ電極と感知電極を従来の有機電界発光ダイオード基板のフィルムパッケージ層に集積することで、有機電界発光ダイオード基板の統合性を向上させ、その機能を多くすると同時に、タッチ電極と感知電極をフィルムパッケージのための有機膜層４の溝に設けることによって、タッチ機能を実現しながらも有機電界発光ダイオード基板の厚さがそれ以上増えていない。
ここで、上記の第１の溝８と第２の溝９はストライプ構造であることが好ましいが、もちろん、パルス、正弦波、鋸波などの他の形状を用いてもよい。
なお、本発明の実施例では、第１の溝８の各々が行方向に延び、第２の溝９の各々が列方向に延びる場合を例に、本発明実施例の有機電界発光ダイオード基板について説明するが、これは本発明を限定するものではなく、ベース１での正投影が交差するように第１の溝８と第２の溝９（言い換えれば、第１の電極５と第２の電極６）を確実に設置できればよい。
ここで、トップエミッション型の有機電界発光ユニット２は、通常、ベース１上に（製造手順により）順に設けられたアノード層、画素限定層２１、発光層（画素限定層２１の開口に設けられ、かつ前記開口により露出されたアノード層上に位置する）、カソード層を有する。これに対し、ボトムエミッション型の有機電界発光ユニット２は、通常、ベース１上に（製造手順により）順に設けられたカソード層、画素限定層２１、発光層（画素限定層２１の開口に設けられ、かつ前記開口により露出されたカソード層上に位置する）、アノード層を有するということが当業者に理解される。本実施例では、画素限定層２１に対応する位置に第１の電極５と第２の電極６を設けることが好ましい。即ち、画素限定層２１のベース１での正投影が、複数の第１の電極５と複数の第２の電極６のベース１での正投影を完全に覆う。
上記のように設置する理由であるが、フェンスでもある画素限定層２１が、各画素における発光層の位置を限定するものであり、発光層もちょうど画層位置を表示するものであるため、画素限定層２１に対応する位置に第１の電極５と第２の電極６を設ければ、発光層が遮断されず、画素の開口率にも影響しないためである。
任意で、図４に示すように、本実施例では複数本の第１の電極５と複数本の第２の電極６は交差するように設け（グリッドパターンを限定する）、ここで、隣接する任意の２つの第２の電極６の間の水平方向における距離Ｐが１００〜２０００μｍであってもよい。任意で、Ｐは３００〜１０００μｍであってもよい。また、この距離値は有機電界発光ユニット２の整数倍であってもよい。第１の電極５の幅が第１の溝８の幅に制限され、第２の電極６の幅が第２の溝９に制限されるということが理解できる。
ここで、有機膜層４の厚さは３μｍより大きく、例えば、３〜１２μｍであり、さらに４〜８μｍである。無機膜層３は有機膜層４より薄いことが求められ、厚さが０．２〜１．０μｍであってもよい。
ここで、第１の溝８と第２の溝９の幅はいずれも３〜２０μｍ、例えば、３〜１０μｍであってもよく、第１の溝８と第２の溝９の深さはいずれも１〜５μｍ、例えば、２〜４μｍであってもよい。
ここで、１の電極５と第２の電極６はそれぞれ銀、金、銅、アルミニウムのいずれか１種あるいは２種以上を含んでもよい。例えば、第１の電極５と第２の電極６は銀で製造される。もちろん、第１の電極５と第２の電極６の材料が確実に導電金属であれさえすればよい。
ここで、本発明の実施例の有機電界発光ダイオード基板では、Ｎ個の無機膜層３とＮ個の有機膜層４は、ベース１から離れるように１からＮの順序で有機電界発光ユニット２上に積層され、有機電界発光ダイオード基板は、Ｎ個目の有機膜層４上に設けられる保護層７をさらに有する。
任意で、保護層７は外部の水、酸素などの汚染物による有機電界発光ユニット２の汚染を遮断する無機膜層３であってもよく、代替的には、この保護層７は平坦面を提供する有機膜層４であってもよい。
一例において、Ｎ個の無機膜層３とＮ個の有機膜層４は、ベース１から離れるように１からＮの順序で前記有機電界発光ユニット上に交互に積層され、Ｎは３以上の整数である。このとき、第１の溝８はＮ−１個目の有機膜層４上に設けられ、第２の溝９はＮ個目の有機膜層４上に設けられる。Ｎ＝３を例にすると、第１の溝８は第２の有機膜層４上に設けられ、第２の溝９は第３個の有機膜層４上に設けられる。
上記のように設置する理由であるが、第１の溝８と第２の溝９に導電金属を充填して第１の電極５と第２の電極６をそれぞれ形成する必要があり、導電金属が有機電界発光ユニット２から近すぎると、導電金属に信号を入力するとき、有機電界発光ユニット２の表示に影響を及ぼしてしまうため、有機電界発光ユニット２から離れた有機膜層４に溝を設けたものである。同時に、Ｎ−１個目の有機膜層４に第１の溝８を設けて、Ｎ個目の有機膜層４に第２の溝９を設ける選択をすることで、さらに第１の電極５と第２の電極６の距離が確実に最も近くなることから両者間で形成される容量値が大きくなり、ひいては有機電界発光ダイオード基板のタッチ感度が高まる。
他の側面において、本発明の実施例では有機電界発光ダイオード基板の製造方法を提供し、有機電界発光ダイオード基板は実施例１の有機電界発光ダイオード基板であってもよい。図５〜１３を参照しながら、Ｎ＝２を例に本発明実施例の製造方法について説明する。この方法は具体的に以下のステップを含む。
ステップ一では、図６に示すように、ベース１上に有機電界発光ユニット２と画素限定層２１を形成する（トップエミッション型の有機電界発光ユニットを例に説明する）。
具体的には、ステップ一は、１）ベース１上に陽極導電性膜をスパッタリングして、アノード層を含むパターンをパターニングにより形成することと、２）アノード層が形成されたベース１上に、画素限定層２１を含むパターンをパターニングにより形成することと、３）画素限定層２１が形成されたベース１上に、真空蒸着法により画素限定層２１の開口に発光層を形成することと、４）発光層が形成されたベース１上に、真空蒸着法によりカソード層を形成することと、を含んでもよい。これをもって、本実施例の有機電界発光ユニット２の製造が完了する。もちろん、有機電界発光ユニット２を製造するにあたり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などの機能膜層を製造するステップをさらに含んでもよいが、ここでは詳述しない。
ステップ二では、図７に示すように、ステップ一を終えたベース１上に第１層の無機膜層３−１を形成する。
具体的には、ステップ二は、反応性スパッタリングにより、真空環境下のアルゴン酸素混合雰囲気中でスパッタリングし、第１層の無機膜層３−１を形成することを含んでよい。この第１層の無機膜層３−１は有機電界発光ユニット２を覆って、水、酸素などが有機電界発光ユニット２に侵入し、有機電界発光ユニット２の使用寿命に影響するのを防ぐ。
ステップ三では、図８に示すように、ステップ二を終えたベース１上に第１層の有機膜層４−１を形成し、第１層の有機膜層４−１の表面に第１の溝８を形成する。
具体的には、ステップ三は、まず、インクジェット記録（ＩＪＰ）により第１層の有機膜層４−１を形成し、次に、ベース１から離れた第１層の有機膜層４−１の表面をインプリントすることで有機膜層４−１に第１の溝８を形成することを含んでもよい。ここで、第１層の有機膜層４−１の表面に対するインプリントは、Ｎ２又は真空環境下で行うことができ、例えば、Ｎ２環境下でインプリントを完成させてもよい。
ステップ四では、図９に示すように、第１の溝８に第１の電極５を形成する。
具体的には、ステップ四は、まず、インクジェット記録により第１の溝８にナノ金属粒子インク（特にナノ銀粒子インクが好ましい）を記録し、その後、光子焼結又はレーザパルス焼結によりナノ金属粒子に対して導電化処理を行い、第１の電極5を形成することを含んでもよい。なお、焼結では第１の溝８の内部に限りナノ金属粒子インクが焼結高温化し、この膜層の下方の有機電界発光ユニット２の製造プロセスに影響しない。
ステップ五では、図１０に示すように、ステップ二と同様、ステップ四を終えたベース１上に第２層の無機膜層３−２を形成する。
ステップ六では、図１１に示すように、ステップ四と同様、ステップ五を終えたベース１に第２層の有機膜層４−２を形成し、第２層の有機膜層４−２に第２の溝９を形成する。ここで、第２の溝９を形成する方法は第１の溝８を形成する方法と同一であって、形成された第２の溝９の延在方向が第１の溝８の延在方向のみにおいて相違し、両者は交差するように設置される。
ステップ七では、図１２に示すように、第２の溝９に第２の電極６を形成する。ここで、このステップにおいて第２の電極６を形成する方法は第１の電極５を形成する方法と同一であり、ここでは繰り返さない。
もちろん、ステップ七の後、図１３に示すように、有機電界発光ダイオード基板の設計需要に応じて、第２の電極６が形成されたベース１上に保護層７を形成することもできる（ステップ八）。ここで、この保護層７は外部の水、酸素などの汚染物による汚染を遮断する第３層の無機膜層３であり、又は、この保護層７はこの基板を平坦化処理する第３層の有機膜層４であってもよい。
これをもって、本実施例における有機電界発光ダイオード基板の製造が完了する。上記は、有機電界発光ダイオード基板に２組のフィルムを含むことを例に説明したものに過ぎない。同様に、Ｎが３以上の整数の場合、即ち、有機電界発光ダイオード基板に３つ以上のフィルムグループを含む場合も製造方法は上記の方法とほぼ同一であって、任意の有機膜層４に第１の溝８を形成し、第１の溝８に第１の電極５を形成することを選択し、もう１つの有機膜層４に第２の溝９を形成し、第２の溝９に第２の電極６を形成することを選択することができる。ここで、第１の溝８が形成される有機膜層４はＮ−１層目の有機膜層であってもよく、第２の溝９が形成される有機膜層４はＮ層目の有機膜層であってもよい。
他の側面において、本発明の実施例では、上記の有機電界発光ダイオード基板を有する表示装置を提供しており、それ故、本実施例の表示装置は集積度が高く、機能が多くなっている上、フレキシブル表示に応用できる。
この表示装置は、電子ペーパ、ＯＬＥＤパネル、携帯電話、タブレットパソコン、テレビ、ディスプレイ、ノートパソコン、デジタルフォトフレーム、カーナビなどの表示機能を有する如何なる製品又は部品であってもよい。
前述した実施形態は、本発明の原理を説明するための例示的な実施形態に過ぎず、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。なお、当業者は、本発明の精神および実質を逸脱せずに種々の変形及び改良を行うことが可能であり、これらの変形や改良も本発明の範囲に含まれる。
１ ベース
２ 有機電界発光ユニット
３ 無機膜層
４ 有機膜層
５ 第１の電極
６ 第２の電極
７ 保護層
８ 第１の溝
９ 第２の溝
２１ 画素限定層
３−１ 第１層の無機膜層
３−２ 第２層の無機膜層
４−１ 第１層の有機膜層
４−２ 第２層の有機膜層
Ｐ グリッドの長さ。

Claims (19)

  1. ベースと、
    前記ベース上に設けられた有機電界発光ユニットと、
    前記有機電界発光ユニット上に設けられたフィルムパッケージ層と、
    前記フィルムパッケージ層に設けられた複数の第１の電極と複数の第２の電極と、を有し、
    前記フィルムパッケージ層は、前記有機電界発光ユニット上に前記ベースから離れるように交互に積層されたＮ個の無機膜層とＮ個の有機膜層とを備え、Ｎは２以上の整数であり、
    前記複数の第１の電極は前記Ｎ個の有機膜層のうちの１つの有機膜層に埋め込まれ、前記複数の第２の電極は前記Ｎ個の有機膜層のうちのもう１つの有機膜層に埋め込まれ、前記無機膜層の少なくとも１つが、前記Ｎ個の有機膜層のうちのもう１つの有機膜層と前記Ｎ個の有機膜層のうちの１つの有機膜層との間に配置される、有機電界発光ダイオード基板。
  2. 前記１つの有機膜層には複数本の第１の溝が設けられ、前記もう１つの有機膜層には複数本の第２の溝が設けられ、複数本の前記第１の溝と複数本の前記第２の溝は前記ベースでの正投影が交差するように設けられ、
    前記第１の溝の各々に前記複数の第１の電極の１つが充填され、前記第２の溝の各々に前記複数の第２の電極の１つが充填された、請求項１に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  3. 前記ベース上に設けられ、前記有機電界発光ユニットを限定する画素限定層をさらに有し、
    前記画素限定層の前記ベースでの正投影が、前記複数の第１の電極の前記ベースでの正投影を完全に覆う、請求項１に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  4. 前記有機電界発光ユニットは、アノード層、発光層、カソード層を備え、
    前記アノード層はベースの上方に設けられ、前記画素限定層は前記アノード層の上方に設けられ、前記アノード層の部分を露出する開口を備え、前記発光層は前記画素限定層の開口内に設けられ、前記開口により露出された前記アノード層の部分に位置し、前記カソード層は前記画素限定層と前記発光層の上方に設けられ、
    又は、前記カソード層はベースの上方に設けられ、前記画素限定層は前記カソード層の上方に設けられ、前記カソード層の部分を露出する開口領域を備え、前記発光層は前記画素限定層の開口領域に設けられ、前記開口領域により露出された前記カソード層の部分に位置し、前記アノード層は前記画素限定層と前記発光層の上方に設けられた、請求項３に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  5. 隣接する２つの前記第２の電極の間の水平方向の距離は１００〜２０００μｍである、請求項１に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  6. 前記第１の溝と前記第２の溝の幅はいずれも３〜２０μｍである、請求項２に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  7. 前記第１の溝と前記第２の溝の深さはいずれも１〜５μｍである、請求項２に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  8. 前記第１の電極と前記第２の電極は、銀、金、銅、アルミニウムのいずれか１種あるいは２種以上を含む、請求項１に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  9. 前記有機膜層の厚さは３〜１２μｍである、請求項１に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  10. 前記無機膜層の厚さは０．２〜１．０μｍである、請求項１に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  11. 前記Ｎは３以上であり、前記Ｎ個の無機膜層とＮ個の有機膜層は、前記ベースから離れるように１からＮの順序で前記有機電界発光ユニット上に交互に積層され、前記第１の電極はＮ−１個目の有機膜層に設けられ、前記第２の電極はＮ個目の有機膜層に設けられた、請求項１に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  12. 前記Ｎ個の無機膜層とＮ個の有機膜層は、前記ベースから離れるように１からＮの順序で前記有機電界発光ユニット上に交互に積層され、前記有機電界発光ダイオード基板は、Ｎ個目の有機膜層上に設けられた保護層をさらに有する、請求項１に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  13. 前記保護層は無機膜層又は有機膜層である、請求項１２に記載の有機電界発光ダイオード基板。
  14. ベース上に有機電界発光ユニットと画素限定層を形成するステップと、
    前記有機電界発光ユニット上にフィルムパッケージ層及び前記フィルムパッケージ層に位置する複数の第１の電極と複数の第２の電極を形成するステップと、を含み
    フィルムパッケージ層及び複数の第１の電極と複数の第２の電極を形成する前記ステップは、
    前記有機電界発光ユニット上に前記ベースから離れて交互に積層するようにＮ個の無機膜層とＮ個の有機膜層を形成することと、
    前記Ｎ個の有機膜層のうちの１つを形成した後、かつ前記Ｎ個の無機膜層のうちの前記１つの有機膜層に直接積層される１つの無機膜層を形成する前に、前記１つの有機膜層に複数本の第１の溝を形成し、前記第１の溝の各々に前記複数の第１の電極の１つを形成することと、
    前記Ｎ個の有機膜層のうちのもう１つの有機膜層を形成した後、かつ前記Ｎ個の無機膜層のうちの前記もう１つの有機膜層に直接積層されるもう１つの無機膜層を形成する前に、前記もう１つの有機膜層に複数本の第２の溝を形成し、前記ベースでの正投影が交差するように複数本の前記第１の溝と複数本の前記第２の溝を設け、前記第２の溝の各々に第２の電極の１つを形成することと、を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の有機電界発光ダイオード基板の製造方法。
  15. 前記有機膜層の形成は、インクジェット記録方式で有機膜層を形成することを含む、請求項１４に記載の方法。
  16. 有機膜層に複数本の第１の溝を形成する前記ステップは、
    前記有機膜層の前記ベースから離れている表面をインプリントすることで有機膜層に前記複数本の第１の溝を形成することを含み、
    有機膜層に複数本の第２の溝を形成する前記ステップは、
    前記有機膜層の前記ベースから離れている表面をインプリントすることで有機膜層に前記複数本の第２の溝を形成することを含む、請求項１４に記載の方法。
  17. 前記インプリントはＮ２又は真空環境下で行う、請求項１６に記載の方法。
  18. 前記第１の溝に第１の電極を形成する前記ステップは、
    インクジェット記録方式で第１の溝にナノ金属粒子インクを記録することと、
    光子焼結又はレーザパルス焼結方式でナノ金属粒子に対し導電化処理を行って第１の電極を形成することと、を含み、
    前記第２の溝に第２の電極を形成する前記ステップは、
    インクジェット記録方式で第２の溝にナノ金属粒子インクを記録することと、
    光子焼結又はレーザパルス焼結方式でナノ金属粒子に対し導電化処理を行って第２の電極を形成することと、を含む、請求項１４に記載の方法。
  19. 請求項１〜１３のいずれか一項に記載の有機電界発光ダイオード基板を有する、表示装置。
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