JP2016533537A - 簡易製法による光学結像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、露光プロセス中に使用される光学結像装置モジュールに関するものであり、特にマイクロリソグラフィーシステム用の光学結像装置モジュールに関するものである。本発明は、さらに、光学結像装置用の光学モジュールの構成要素を支持する方法に関するものである。本発明は、マイクロエレクトロニクス・デバイス、特に半導体デバイスを製造するためのフォトリソグラフィー・プロセス用の光学結像装置を製造し使用することに関連して、あるいは、こうしたフォトリソグラフィー・プロセス中に使用するマスクまたはレチクルのようなデバイスを製造することに関連して用いることができる。
以下では、本発明による光学結像装置101の好適な実施形態を、図1〜9を参照しながら説明し、この実施形態により本発明による方法の好適な実施形態を実行することができる。以下の説明の理解を促進するために、図面中にxyz座標系を導入し、z方向が振動方向(即ち、重力の方向)を表す。
Claims (20)
- 特にマイクロリソグラフィー用の光学結像装置用の光学結像装置モジュールであって、
光学素子副支持構造と、
補助副支持構造とを具え、
前記光学素子副支持構造は、光学素子を支持するように構成され、第1の一時的支持インタフェース装置を有し、
前記光学素子は、前記光学結像装置の光学素子グループの一部分を形成するように構成され、前記光学結像装置は、露光光を用いた露光プロセス中にマスクのパターンの像を基板上に転写するように構成され、
前記補助副支持構造は、補助構成要素を支持するように構成され、第2の一時的支持インタフェース装置を有し、
前記補助構成要素は、前記露光プロセス中に、前記パターンの前記像を前記基板上に転写すること以外の前記露光プロセスの補助的機能を実行するように構成され、
前記補助構成要素は、前記露光プロセス中に、前記光学素子と空間的に関連し、前記補助副支持構造を含む補助支持構造によって前記光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持されるように構成され、
前記第1の一時的支持インタフェース装置及び前記第2の一時的支持インタフェース装置は、少なくとも1つの一時接続装置と解放可能な様式で協働するように構成され、前記一時接続装置は、少なくとも前記光学結像装置の組み立て中に、前記光学素子副支持構造を介して前記補助副支持構造を一時的に支持するように構成されている、光学結像装置モジュール。 - 前記光学素子副支持構造は、前記光学素子を円周方向に支持するように構成され、これにより、前記光学素子が前記光学素子副支持構造の半径方向内側に配置され、
前記補助構成要素は、前記光学素子副支持構造の前記半径方向内側に配置され、
前記光学素子副支持構造は、当該光学素子副支持構造内に前記半径方向に延びる凹部を有し、
前記補助副支持構造は、前記半径方向において、前記凹部の付近に配置され、かつ/または、前記凹部内に突出し、かつ/または、前記凹部の全体中に突出し、
前記第1の一時的支持インタフェース装置及び/または前記第2の一時的支持インタフェース装置のインタフェース構成要素が、前記凹部の付近に配置され、かつ/または、前記光学素子副支持構造の外側に配置されている、請求項1に記載の光学結像装置モジュール。 - 前記第1の一時的支持インタフェース装置の第1インタフェース構成要素及び前記第2の一時的支持インタフェース装置の第2インタフェース構成要素が、略環形かつ/または略平面形の一時接続装置と協働するように構成され、
前記一時接続装置は、前記光学結像装置の組み立て中に、前記光学素子副支持構造及び前記補助副支持構造に、前記凹部の付近で一時的に接続され、かつ/または、
前記一時接続装置は、前記光学結像装置の組み立て中に、前記略環形の一時接続装置の内周で前記補助副支持構造に一時的に接続される、請求項2に記載の光学結像装置モジュール。 - 前記第1の一時的支持インタフェース装置及び前記第2の一時的支持インタフェース装置が、前記少なくとも1つの一時接続装置と協働するように構成され、これにより、前記光学結像装置の組み立て中に、前記補助副支持構造が前記光学素子副支持構造によって静定様式で一時的に支持され、かつ/または、
前記第1の一時的支持インタフェース装置及び前記第2の一時的支持インタフェース装置が、複数の一時接続装置と協働するように構成され、これにより、前記光学結像装置の組み立て中に、前記一時接続装置のうち少なくとも1つが、前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造との間の運動を少なくとも2つの自由度で制限する、請求項1〜3のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。 - 前記第1の一時的支持インタフェース装置及び/または前記第2の一時的支持インタフェース装置のインタフェース構成要素が、前記少なくとも1つの一時接続装置と確動接続で協働するように構成され、かつ/または、
前記第1の一時的支持インタフェース装置及び/または前記第2の一時的支持インタフェース装置のインタフェース構成要素が、前記少なくとも1つの一時接続装置と摩擦接続で協働するように構成されている、請求項1〜4のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。 - 前記第1の一時的支持インタフェース装置及び/または前記第2の一時的支持インタフェース装置のインタフェース構成要素が、クランプ・インタフェースを形成し、
前記クランプ・インタフェースは、前記少なくとも1つの一時接続装置とクランプ接続の形で係合するように構成されている、請求項5に記載の光学結像装置モジュール。 - 前記光学素子副支持構造が第3インタフェース装置を有し、この第3インタフェース装置は、他の光学素子副支持構造の第4インタフェース装置と協働して、前記少なくとも1つの一時接続装置の解放後に、前記光学素子副支持構造を、前記補助副支持構造から機械的に分離された様式で支持するように構成され、かつ/または、
前記補助副支持構造が第5インタフェース装置を有し、この第5インタフェース装置は、他の補助副支持構造の第6インタフェース装置と協働して、前記少なくとも1つの一時接続装置の解放後に、前記補助副支持構造を、前記光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持するように構成されている、請求項1〜6のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。 - 前記補助構成要素が前記補助副支持構造によって支持され、かつ/または、
前記補助構成要素が、前記露光プロセス中に使用される計測装置の構成要素であり、かつ/または、
前記補助構成要素が、前記光学素子に関連する計測装置の構成要素であり、前記光学素子の状態の変化する表現を捕捉するように構成され、かつ/または、
前記補助構成要素が、特に前記露光プロセス中に、前記光学結像装置の構成要素、特に前記光学素子の温度を調整するために使用される温度調整装置の構成要素である、請求項1〜7のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。 - 前記光学素子が前記光学素子副支持構造によって支持され、かつ/または、
前記光学素子が反射素子であり、かつ/または、
前記露光光が、EUV範囲内の波長、特に5nmから20nmまでの範囲内の波長を有する、請求項1〜8のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。 - 請求項1〜9のいずれかに記載の光学結像装置モジュールを少なくとも1つ具えた光学結像装置。
- 前記光学素子副支持構造が他の光学素子副支持構造に接続されて、当該光学素子副支持構造が、前記補助副支持構造から機械的に分離された様式で支持され、かつ/または、
前記補助副支持構造が他の補助副支持構造に接続されて、当該補助副支持構造が前記光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持される、請求項10に記載の光学結像装置。 - 前記他の光学素子副支持構造及び前記他の補助副支持構造が、別個に振動絶縁された様式で、基礎支持構造上に振動絶縁の共振周波数範囲内で支持され、前記振動絶縁の共振周波数範囲は0.05Hzから30Hzまでの範囲、好適には0.05Hzから8.0Hzまでの範囲、より好適には0.1Hzから1.0Hzまでの範囲、さらに好適には0.2Hzから0.6Hzまでの範囲であり、かつ/または、
前記他の光学素子副支持構造が他の光学素子を支持するように構成され、かつ/または、
前記他の光学素子副支持構造が、前記光学結像装置モジュールを受け入れるように構成された実質的にトレイ形の構成要素であり、かつ/または、
前記他の光学素子副支持構造が、他の、請求項1〜9のいずれかに記載の光学結像装置モジュールの一部分である、請求項11に記載の光学結像装置。 - 特にマイクロリソグラフィー用の光学結像装置用の光学結像装置モジュールを支持する方法であって、
光学素子副支持構造及び補助副支持構造を用意するステップであって、前記光学素子副支持構造は、露光プロセス中に露光光を用いてマスクのパターンを基板上に転写するように構成された前記光学結像装置の光学素子グループの一部を形成する光学素子を支持するように構成され、前記補助副支持構造は、前記露光プロセス中に、前記パターンの前記像を前記基板上に転写すること以外の前記露光プロセスの補助的機能を実行するように構成された補助構成要素を支持するように構成されているステップと、
組み立ての第1段階において、前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造とを、少なくとも1つの一時接続装置を用いて解放可能なように接続して、前記光学素子副支持構造を介して前記補助副支持構造を一時的に支持するステップと、
組み立ての第2段階において、前記光学素子副支持構造を他の光学素子副支持構造に接続して前記光学素子副支持構造を支持し、前記補助副支持構造を他の補助副支持構造に接続して前記補助副支持構造を支持するステップと
組み立ての第3段階において、前記少なくとも1つの一時接続装置を解放して、前記補助構成要素を、前記補助副支持構造を介して、前記光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持するステップと
を含む方法。 - 前記光学素子副支持構造を用意するステップが、前記光学素子副支持構造を、前記光学素子を円周方向に包囲するように構成し、これにより、前記光学素子が前記光学素子副支持構造の半径方向内側に配置されることと、前記光学素子副支持構造内に前記半径方向に延びる凹部を形成することとを含み、
前記補助構成要素を、前記光学素子副支持構造の前記半径方向内側に配置し、これにより、前記補助副支持構造が、前記半径方向において、前記凹部の付近に配置され、かつ/または、前記凹部内に突出し、かつ/または、前記凹部の全体中に突出し、
前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造とを、前記少なくとも1つの一時接続装置を介して、前記凹部の付近で、かつ/または、前記光学素子副支持構造の外側で一時的に接続する、請求項13に記載の方法。 - 前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造とを略環形かつ/または略平面形の一時接続装置を介して接続し、
前記一時接続装置を、前記凹部の付近で、前記光学素子副支持構造及び前記補助副支持構造に一時的に接続し、かつ/または、
前記一時接続装置を、前記略環形の一時接続装置の内周で前記補助副支持構造に接続する、請求項14に記載の方法。 - 前記補助副支持構造を、前記組み立ての第1段階中及び前記組み立ての第2段階中に、前記光学素子副支持構造によって静定様式で一時的に支持し、かつ/または、
複数の一時接続装置を使用し、これにより、前記組み立ての第1段階中及び前記組み立ての第2段階中に、前記一時接続装置のうち少なくとも1つが、前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造との間の運動を少なくとも2つの自由度で制限する、請求項13〜15のいずれかに記載の方法。 - 前記光学素子副支持構造及び/または前記補助副支持構造を、前記少なくとも1つの一時接続装置に確動接続で接続し、かつ/または、
前記光学素子副支持構造及び/または前記補助副支持構造を前記少なくとも1つの一時接続装置に摩擦接続で接続し、かつ/または、
前記光学素子副支持構造及び/または前記補助副支持構造を前記少なくとも1つの一時接続装置にクランプ接続で接続する、請求項13〜16のいずれかに記載の方法。 - 前記補助構成要素が、前記露光プロセス中に使用される計測装置の構成要素であり、かつ/または、
前記補助構成要素が、前記光学素子に関連する計測装置の構成要素であり、前記光学素子の状態の変化する表現を捕捉するように構成され、かつ/または、
前記補助構成要素が、特に前記露光プロセス中に、前記光学結像装置の構成要素、特に前記光学素子の温度を調整するために使用される温度調整装置の構成要素である、請求項13〜17のいずれかに記載の方法。 - 前記光学素子を前記光学素子副支持構造によって支持し、かつ/または、
前記光学素子が反射素子であり、かつ/または、
前記露光光が、EUV範囲内の波長、特に5nmから20nmまでの範囲内の波長を有する、請求項13〜18のいずれかに記載の方法。 - 前記他の光学素子副支持構造及び前記他の補助副支持構造を、別個に振動絶縁された様式で、基礎支持構造上に振動絶縁の共振周波数範囲内で支持し、前記振動絶縁の共振周波数範囲は0.05Hzから30Hzまでの範囲、好適には0.05Hzから8.0Hzまでの範囲、より好適には0.1Hzから1.0Hzまでの範囲、さらに好適には0.2Hzから0.6Hzまでの範囲であり、かつ/または、
前記他の光学素子副支持構造が他の光学素子を支持し、かつ/または、
前記他の光学素子副支持構造が、前記光学結像装置モジュールを受け入れる実質的にトレイ形の構成要素であり、かつ/または、
前記他の光学素子副支持構造が、他の、請求項1〜9のいずれかに記載の光学結像装置モジュールの一部分である、請求項13〜19のいずれかに記載の方法。
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