JP2016533537A - 簡易製法による光学結像装置 - Google Patents

Abstract

光学素子副支持構造(118.1)及び補助副支持構造(119.1)を具えた、特にマイクロリソグラフィー用の光学結像装置用の光学結像装置モジュール(117.1)を提供する。光学素子副支持構造は、光学素子(106.2)を支持するように構成され、第１の一時的支持インタフェース装置を有する。光学素子は、露光光を用いた露光プロセス中にマスクのパターンを基板上に転写するように構成された光学結像装置の光学素子グループの一部分を形成するように構成されている。補助副支持構造(119.1)は、補助構成要素(115)を支持するように構成され、第２の一時的支持インタフェース装置を有し、補助構成要素は、露光プロセス中に、上記パターンの像を基板上に転写すること以外の露光プロセスの補助的機能を実行するように構成されている。補助構成要素(115)は、露光プロセス中に、光学素子と空間的に関連して、補助副支持構造(119.1)を含む補助支持構造によって、光学素子副支持構造(118.1)から機械的に分離された様式で支持されるように構成されている。第１の一時的支持インタフェース装置及び第２の一時的支持インタフェース装置は、少なくとも１つの一時接続装置(121)と解放可能な様式で協働するように構成され、この一時接続装置は、少なくとも光学結像装置の組み立て中に、光学素子副支持構造(118.1)を介して補助副支持構造(119.1)を一時的に支持するように構成されている。

Description

発明の背景
本発明は、露光プロセス中に使用される光学結像装置モジュールに関するものであり、特にマイクロリソグラフィーシステム用の光学結像装置モジュールに関するものである。本発明は、さらに、光学結像装置用の光学モジュールの構成要素を支持する方法に関するものである。本発明は、マイクロエレクトロニクス・デバイス、特に半導体デバイスを製造するためのフォトリソグラフィー・プロセス用の光学結像装置を製造し使用することに関連して、あるいは、こうしたフォトリソグラフィー・プロセス中に使用するマスクまたはレチクルのようなデバイスを製造することに関連して用いることができる。

一般に、半導体デバイスのようなマイクロエレクトロニクス・デバイスを製造することに関連して使用される光学系は複数の光学モジュールを具え、これらの光学モジュールは、光学系の光路中に配置されたレンズ及びミラー等のような光学素子を具えている。これらの光学素子は、露光プロセスの主要機能として協働して、マスク上、レチクル上、等に形成されたパターンの像をウェハーのような基板上に転写する。こうした光学素子は、通常、１つ以上の機能的に別個の光学素子グループの形に組み合わせられる。これら別個の光学素子グループは、別個の光学露光部によって保持することができる。特に、屈折が主体の系では、こうした光学露光部は、１つ以上の光学素子を保持する光学素子モジュールの積層から構築されることが多い。これらの光学素子モジュールは、通常、略環形の外部支持装置を具え、この外部支持装置は１つ以上の光学素子ホルダを支持し、光学素子ホルダの各々が１つの光学素子を保持する。

半導体デバイスの継続的な小型化により、これらの半導体デバイスを製造するために使用する光学系の分解能を向上させる永続的な必要性が存在する。こうした分解能を向上させる必要性は、明らかに、光学系の開口数（ＮＡ：numerical aperture）を増加させ、結像精度を増加させる必要性を後押しする。

分解能を向上させる１つのやり方は、露光プロセス中に使用する光の波長を低減することである。近年、５nmから２０nmまでの範囲、代表的には約１３nmの波長を用いる極紫外（ＥＵＶ：extreme ultraviolet）範囲の光を使用する取り組みが行われてきた。ＥＵＶ範囲では、通常の屈折光学装置はもはや使用することができない。

このことは、こうしたＥＵＶ範囲では、屈折光学素子用に通常用いられる材料が、市場で受け入れられる規模の高品質の露光結果を得るには高過ぎる度合いの吸光性を示すからである。従って、ＥＵＶ範囲では、ミラー等のような反射素子を具えた反射系を露光プロセス中に用いて、マスク上に形成されたパターンの像を基板、例えばウェハー上に転写する。

高い開口数（例えばＮＡ＞０．４〜０．５）の反射系をＥＵＶ範囲内で使用することへの移行は、光学結像装置の設計に関して多大な挑戦をもたらす。

極めて重要な精度要件の１つは、基板上の像の位置の精度であり、これは視程（ＬｏＳ：line of sight）精度とも称される。視程精度は、一般に、およそ開口数の逆数の尺度である。従って、開口数ＮＡ＝０．４５を有する光学結像装置の視程精度は、開口数ＮＡ＝０．３３を有する光学結像装置の視程精度よりも１．４分の１だけ小さい。一般に、視程精度は、開口数ＮＡ＝０．４５については０．５nm未満の範囲である。露光プロセス中にダブル・パターニング（二重パターン化）が可能であれば、精度は一般に、さらに１．４分の１だけ低減されなければならない。従って、この場合、視程精度は０．３nm未満の範囲にもなる。

とりわけ、上述したことは、露光プロセスに関与する構成要素間の相対位置に関して非常に厳しい要求をもたらす。さらに、高品質の半導体デバイスを容易に得るためには、高度な結像精度を示す光学系を提供する必要があるだけではない。露光プロセス全体を通して、かつシステムの寿命全体にわたって、こうした高度な精度を維持することも必要である。結果として、高品質の露光プロセスを提供するために必要なこれらの光学結像装置の構成要素間の所定の空間的関係を維持するためには、光学結像装置の構成要素、即ち、露光プロセス中に協働する例えばマスク、光学素子及びウェハーを所定の方法で支持しなければならない。

（とりわけ、装置を支持する基盤構造、及び／または加速される質量、例えば運動する構成要素、流体の乱流、等のような内部振動源の外乱によって誘発される）振動の影響下でも、並びに熱的に誘導される位置変化の影響下でも、露光プロセス全体を通して、こうした所定の空間的関係を維持するためには、光学結像装置の特定構成要素間の空間的関係を補助的なプロセスで少なくとも間欠的に捕捉して、光学結像装置の構成要素の少なくとも１つの位置を、こうした補助的な捕捉プロセスの結果の関数として調整する必要がある。

一般に、こうした補助的な捕捉プロセスは、結像装置の能動的に調整される部分の動きを容易に同期させることができるために、光学投影システムの中心支持構造を共通基準として用いて、計測システムの補助的な構成要素を介して行われる。

他方では、開口数の増加は、一般に、光学素子の光学的フットプリント（占有面積、実装面積）とも称される、使用する光学素子のサイズの増加をもたらす。使用する光学素子の光学的フットプリントの増加は、これらの光学素子の動力学的特性、及び上述した調整を実現するための制御系に悪影響を与える。さらに、光学的フットプリントの増加は、一般に、より大きな光線の入射角をもたらす。しかし、このように増加した光線の入射角では、光学素子の反射面を生成するために一般に使用される多層コーティングの透過率が大幅に低下して、光パワーの不所望な損失及び吸収に起因する光学素子の加熱を明らかにもたらす。その結果、こうした結像を市場で受け入れられる規模で可能にするためには、さらに大きな光学素子を用いなければならない。これらの環境は、１m×１mまでの光学的フットプリントを有し、６０nmを下回る範囲の相互距離範囲で互いに非常に近接して配置される比較的大型の光学素子を有する光学結像装置をもたらす。

こうした状況から、いくつかの問題が生じる。まず、光学素子のいわゆるアスペクト比（即ち、厚さ対直径の比率）にかかわらず、大型の光学素子は、一般に低い共振周波数を呈して、こうした光学結像装置の環境内で一般に生じる振動外乱の影響を受けやすくなる。例えば、（直径）１５０mmの光学的フットプリント及び２５mmの厚さを有するミラーは、一般に約４０００Hzの共振周波数を有するのに対し、７００mmのフットプリントを有するミラーは、２００mmの厚さでも、一般に約１５００Hzの共振周波数にほとんど達しない。

さらに、（光エネルギーの吸収に起因する）使用する光学素子に対する熱負荷の増加、及びこうしたシステムに望まれる性能の増加によって、冷却器のような追加的な補助構成要素による、そして特に使用する冷却流体のより高い流量による冷却力の増加が必要になる。こうした冷却流量の増加は、冷却媒体の乱流によりシステム内に導入される振動外乱の増加をもたらしやすく、精度の低下をもたらす。

従って、露光プロセス中に使用する光学素子の支持体と、計測システム及び冷却システムの補助的な構成要素の支持体とを、互いにできる限り遠くに機械的に分離すると共に、他の内部及び外部の振動源からできる限り遠くに機械的に分離する必要性が存在する。

光学結像装置のサイズ及び補助的な構成要素の数の増加は、非常に複雑に入り組んでいるが互いに機械的に分離された支持構造をもたらす。このように入り組んでいるが分離された支持構造は、光学結像装置の組み立て中に大きな問題を生じさせる、というのは、個別の、最終的に機械的に分離される構成要素は、所定の互いの位置及び向きに保持されなければならないが、入り組んだ配置に起因して、この目的でアクセスすることがほとんどできないからである。

従って、本発明の目的は、上述した欠点を少なくともある程度克服して、露光装置内で使用される光学結像装置の構成要素の簡易な製造及び組み立てを可能にしつつ、光学結像装置の、良好かつ長期にわたって信頼性のある結像特性を提供することにある。

本発明の他の目的は、露光装置内で使用される光学結像装置の結像精度を少なくとも維持しつつ、光学結像装置の組み立てに必要な労力を低減することにある。

これらの目的は本発明により達成され、１つの態様によれば、本発明は、光学結像装置の結像精度を少なくとも維持しながらの光学結像装置の構成要素の製造及び組み立てに必要な労力の全体的な低減は、（露光プロセスの主要機能を実行する）光学素子の主要光学素子支持構造と（露光プロセスの主要機能以外の補助的機能を実行する）補助構成要素の補助支持構造とを別個の副支持構造に分割すれば達成することができる、という技術的教示に基づく。その結果、個別の構成要素へのアクセス（接近）性が向上するおかげで、空間的に（そして最終的には機能的にも）１つ以上の個別の光学素子に関連する主要副支持構造及び補助副支持構造は、別個の個別光学モジュールとして簡易な方法で組み立てることができる。こうした個別の光学モジュールの組み立て後に、露光プロセス中には機械的に分離された様式で保持される主要副支持構造及び補助副支持構造は、１つ以上の一時接続装置を用いて、一時的に結合されて互いの相対位置及び向きに固定される。

このようにして、個別の光学モジュールの主要副支持構造及び補助副支持構造を、それぞれ他の主要副支持構造及び他の補助副支持構造に接続して、（互いに機械的に分離されるように構成される）主要支持構造及び補助支持構造のそれぞれを形成することによって、これら個別の（事前に実装され、最終的には事前検査もされる）光学モジュールのうち１つ以上から光学結像装置を組み立てることができる。一旦、このことを行うと、一時接続装置を介した主要副支持構造と補助副支持構造との一時的接続を単に解放して、主要支持構造及び補助支持構造による互いに機械的に分離された支持体を実現する。

こうした一時接続装置は、光学結像装置の組み立て後でも容易にアクセス可能な位置に配置することができることは明らかである。従って、光学結像装置の組み立て直後に、一時接続装置の解放を行うことができる。特定の場合、これらの一時接続装置のうち１つ以上は、長期間にわたって、例えば組み立て済みまたは準備組み立て済みの光学結像装置の最終目的地への発送中に、動作可能なままにすることができる。

本発明によれば、光学結像装置の製造及び組み立てを大いに促進することができることは明らかである。このことは、光学結像装置全体の、任意の複雑かつ／または入り組んだ設計を、１つ上の容易にアクセス可能な一時接続装置を介して一時的に互いに固定された主要支持構造及び補助支持構造を含む、別個の、複雑性が大幅に小さくより容易に管理可能なモジュールに分割することができる、ということに起因する。その結果、これらのモジュールは、簡易に組み立てて、一時的固定を解放する前に、主要支持構造及び補助支持構造のそれぞれを最終的に形成することができる。

追加的な副支持構造のいずれかが、追加的な個別の光学モジュールの一部分を形成することができる。従って、一部の場合には、光学結像装置を、専ら複数のこうした個別の光学モジュールによって形成することができる。しかし、本発明の特定の好適例によれば、こうした追加的な主要支持構造及び／または補助支持構造を、基礎構造に（一般に、構造的に生じる振動の基礎構造を介した伝達を回避するために、適切な振動絶縁体を介して）実装された別個の個別支持構造とすることができる。

本発明の意味では、個別の光学結像装置モジュールは、光学素子及び／または補助構成要素を必ずしも含む必要はない。むしろ、使用する光学結像装置モジュールの少なくとも１つは、それぞれの主要副支持構造及び／または補助副支持構造を含むだけでよく、本発明によれば、それぞれの光学素子及び／または補助構成要素は、光学結像装置の組み立て中の後の時点で、例えば他の光学結像装置モジュールの一部分として実装する。しかし、本発明の特定の好適例によれば、光学結像装置モジュールが、光学素子及び／または補助構成要素を既に具えている。

さらに、上記（主要）光学素子支持構造が１つ以上の光学素子を支持することができることも明らかである。さらに、上記補助支持構造が１つ以上の補助構成要素を支持することができる。さらに、上記光学結像装置モジュールは複数の異なる補助支持構造を具えることができ、これらの補助支持構造も、光学結像装置の組み立て後に、特に露光プロセス中に互いに機械的に分離することができる。

従って、本発明の第１の態様によれば、特にマイクロリソグラフィー用の光学結像装置用の光学結像装置モジュールが提供され、この光学結像装置モジュールは、光学素子副支持構造及び補助副支持構造を具えている。この光学素子副支持構造は、光学素子を支持するように構成され、第１の一時的支持インタフェース装置を有する。光学素子は、露光光を用いた露光プロセス中にマスクのパターンの像を基板上に転写するように構成された光学結像装置の光学素子グループの一部分を形成するように構成されている。補助副支持構造は、補助構成要素を支持するように構成され、第２の一時的支持インタフェース装置を有し、補助構成要素は、露光プロセス中に、上記パターンの像を基板上に転写すること以外の露光プロセスの補助的機能を実行するように構成されている。補助構成要素は、露光プロセス中に、光学素子と空間的に関連し、補助副支持構造を含む補助支持構造によって光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持されるように構成されている。第１の一時的支持インタフェース装置及び第２の一時的支持インタフェース装置は、少なくとも１つの一時接続装置と解放可能な様式で協働するように構成され、この一時接続装置は、少なくとも光学結像装置の組み立て中に、光学素子副支持構造を介して補助副支持構造を一時的に支持するように構成されている。

本発明の第２の態様によれば、特にマイクロリソグラフィー用の光学結像装置用の光学結像装置モジュールの構成要素を支持する方法が提供される。この方法は、光学素子副支持構造及び補助副支持構造を用意するステップを含み、光学素子副支持構造は、露光プロセス中に露光光を用いてマスクのパターンを基板上に転写するように構成された光学結像装置の光学素子グループの一部を形成する光学素子を支持するように構成され、補助副支持構造は、露光プロセス中に上記パターンの像を基板上に転写すること以外の露光プロセスの補助的機能を実行するように構成された補助構成要素を支持するように構成されている。この方法は、組み立ての第１段階において、補助副支持構造と光学素子副支持構造とを、少なくとも１つの一時接続装置を用いて解放可能なように接続して、光学素子副支持構造を介して補助副支持構造を一時的に支持するステップをさらに含む。この方法は、組み立ての第２段階において、光学素子副支持構造を他の光学素子副支持構造に接続して光学素子副支持構造を支持するステップと、補助副支持構造を他の補助副支持構造に接続して補助副支持構造を支持するステップとをさらに含む。この方法は、組み立ての第３段階において、上記少なくとも１つの一時接続装置を解放して、補助構成要素を、補助副支持構造を介して、光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持するステップをさらに含む。

光学素子支持構造及び補助支持構造は、任意の複雑に入り組んだ設計にすることができることは明らかである。一般に、光学素子副支持構造は、光学素子を円周方向に包囲するように構成され、これにより、光学素子は、光学素子副支持構造の半径方向内側に配置される。補助構成要素は、光学素子副支持構造の半径方向内側に配置される。光学素子副支持構造は、当該光学素子副支持構造内に半径方向に延びる凹部を有する。補助副支持構造は、半径方向において、この凹部の付近に配置され、かつ／または、この凹部内に突出し、かつ／または、この凹部の全体中に突出することが好ましい。さらに、上記第１の一時的支持インタフェース装置及び／または上記第２の一時的支持インタフェース装置のインタフェース構成要素は、上記凹部の付近に配置され、かつ／または、光学素子副支持構造の外側に配置される。これらすべての場合に、上記一時接続装置は、後に当該一時接続装置を解放するために容易にアクセス可能である。

上記一時接続装置は、あらゆる状況下で、特に通常の取り扱い中及びそれぞれの光学結像装置モジュールの組み立て中に想定されるあらゆる加速度下で十分に安定な接続を提供するためのあらゆる適切な設計にすることができる。上記第１の一時的支持インタフェース装置の第１インタフェース構成要素及び上記第２の一時的支持インタフェース装置の第２インタフェース構成要素は、略環形かつ／または略平面形の一時接続装置と協働するように構成され、この一時接続装置は、光学結像装置の組み立て中に、光学素子副支持構造及び補助副支持構造に上記凹部の付近で一時的に接続される。これに加えて、あるいは代案として、上記一時接続装置は、光学結像装置の組み立て中に、当該略環形の一時接続装置の内周で補助副支持構造に一時的に接続することができる。

光学素子副支持構造と補助副支持構造との接続は、あらゆる適切な種類のものとすることができる。上記第１の一時的支持インタフェース装置及び上記第２の一時的支持インタフェース装置が、上記少なくとも１つの一時接続装置と協働するように構成され、これにより、光学結像装置の組み立て中に、補助副支持構造が光学素子副支持構造によって静定様式（均衡様式とも称する）で一時的に支持されることが好ましい。このようにして、寄生変形の導入を開始する特に有利な支持が実現される。

これに加えて、あるいは代案として、上記第１の一時的支持インタフェース装置及び上記第２の一時的支持インタフェース装置が、複数の一時接続装置と協働するように構成され、これにより、光学結像装置の組み立て中に、これらの一時接続装置のうち少なくとも１つが、補助副支持構造と光学素子副支持構造との間の運動を少なくとも２つの自由度で制限する。こうした構成により、均衡した一時的装着を可能にする特に単純な設計を実現することができる。

基本的に、あらゆる所望の接続技術を（単独または任意の組合せで）上記の一時的接続に用いることができる。いずれの場合にも、光学系を汚染しがちな粒子または破片の発生を回避するために、協働する構成要素間に必要な相対運動の摩擦ができる限り小さい接続系を用いることが好ましい。

本発明の特定の好適例によれば、上記第１の一時的支持インタフェース装置及び／または上記第２の一時的支持インタフェース装置のあるインタフェース構成要素は、上記少なくとも１つの一時接続装置と確動接続で協働するように構成されている。これに加えて、あるいは代案として、上記第１の一時的支持インタフェース装置及び／または上記第２の一時的支持インタフェース装置のあるインタフェース構成要素は、上記少なくとも１つの一時接続装置と摩擦接続で協働するように構成することができる。本発明の特定の好適例によれば、上記第１の一時的支持インタフェース及び／または上記第２の一時的支持インタフェースがクランプ（締め付け）インタフェースを形成し、このクランプ・インタフェースは、上記少なくとも１つの一時接続装置とクランプ接続の形で係合するように構成されている。

光学素子副支持構造及び補助副支持構造の互いに機械的に分離された支持は、あらゆる適切な方法で行うことができる。光学素子副支持構造が第３インタフェース装置を有し、第３インタフェース装置は、他の光学素子副支持構造の第４インタフェース装置と協働して、上記少なくとも１つの一時接続装置の解放後に、当該光学素子副支持構造を、補助副支持構造から機械的に分離された様式で支持するように構成されていることが好ましい。これに加えて、あるいは代案として、補助副支持構造が第５インタフェース装置を有し、第５インタフェース装置は、他の補助副支持構造の第６インタフェース装置と協働して、上記少なくとも１つの一時接続装置の解放後に、当該補助副支持構造を、光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持するように構成されている。

上記の光学素子及び／または補助構成要素は、それぞれの接続を容易に確立することができる任意の時点でそれぞれの副支持構造に接続することができることは明らかである。

上述したように、本発明の好適例によれば、上記一時接続装置による一時的接続を確立する前または後に、上記補助構成要素が既に補助副支持構造によって支持されている。露光プロセスのための補助的機能を任意の時点で実行するあらゆる種類の補助構成要素を選定することができる。こうした補助的機能は、必ずしも露光プロセス中に実行する必要はないことは明らかである。例えば、特定の補助的機能は、露光プロセスに後続するプロセス中に間欠的に実行することもできる。

本発明の特定の好適例によれば、上記補助構成要素が露光プロセス中に使用される計測装置の構成要素である。こうした計測構成要素は、必ずしも光学素子に機能的に関連する必要がないことは明らかである。むしろ、光学素子に空間的に関連すれば十分であり得る。特に、それぞれの計測構成要素は、光学結像装置の空間的に関連する光学素子以外の構成要素に機能的に関連することができる。

しかし、上記補助構成要素は、光学素子に関連する計測装置の構成要素であり、光学素子の状態の変化する表現を捕捉するように構成されている。この場合、特に光学結像装置の組み立て前の総合的な事前検査を可能にする、非常に小型で機能的に高度に集積されたモジュールを形成することができる。

本発明の他の好適例によれば、上記補助構成要素が、特に露光プロセス中に、光学結像装置の構成要素の、特に光学素子の温度を調整するために使用される温度調整装置の構成要素である。一般に、こうした温度調整装置は冷却装置を含む。しかし、本発明の他の好適例によれば、こうした温度調整装置は能動加熱素子を含むこともできる。

上述したように、上記光学素子は、一時接続装置による一時的接続を確立する前または後に、光学素子副支持構造によって既に支持されている。一般に、露光プロセス中に使用する光の波長に応じて、あらゆる所望の種類の（屈折、反射または回折）光学素子を、それぞれの光学結像装置モジュール内で、単独または任意の組合せで使用することができる。

さらに、本発明は、露光プロセス中に使用する光に任意の波長を用いるあらゆる種類の光学結像プロセスに用いることができる。しかし、露光光は、ＥＵＶ範囲内の波長、特に５nmから２０nmまでの範囲の波長を有することが好ましい、というのは、この場合、本発明の利点が特に顕著であるからである。

本発明は、さらに光学結像装置に関するものであり、この光学結像装置は、本発明による光学結像装置モジュールを少なくとも１つ具えている。この場合、光学素子副支持構造を他の光学素子副支持構造に接続して、当該光学素子副支持構造を補助副支持構造から機械的に分離された様式で支持することができる。これに加えて、あるいは代案として、補助副支持構造を他の補助副支持構造に接続して、当該補助副支持構造を光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持することができる。

機械的に分離された支持はあらゆる適切な方法で行うことができることは明らかである。上記他の光学素子副支持構造及び上記他の補助副支持構造は、別個に振動絶縁された様式で、基礎支持構造上に振動絶縁の共振周波数範囲内で支持されることが好ましく、この絶縁共振周波数範囲は０．８Hzから３０Hzまでの範囲であることが好ましい。本発明の特定の好適例によれば、上記絶縁共振周波数が０．０５Hzから８．０Hzまでの範囲であることが好ましく、０．１Hzから１．０Hzまでであることが好ましく、０．２Hzから０．６Hzであることがより好ましい。さらに、本発明の特定の好適例によれば、上記絶縁共振周波数が８Hzから１５Hzまでの、あるいは２２Hzから３０Hzまでの範囲であることが好ましい。このようにして、特に効果的な機械的分離を、個々の別個な支持構造間で実現することができる。

本発明の特定の好適例によれば、上記他の光学素子副支持構造が他の光学素子を支持するようにも構成されている。この目的で、上記他の光学素子副支持構造は、本発明による他の光学結像装置モジュールの一部分を形成することができる。このようにして、製造し、取り扱い、組み立てるに当たり、非常に小型の構成を実現することができる。

上記他の光学素子副支持構造が、光学結像装置モジュールを受け入れるように構成された実質的にトレイ形の構成要素であれば、特に有利で、構造的に安定で比較的軽量な設計を実現することができる。

本発明のさらなる態様及び好適例は、従属請求項、及び以下の添付した図面を参照した好適な実施形態の説明より明らかになる。開示する特徴のすべての組合せは、特許請求の範囲中に明示的に記載されていてもいなくても、本発明の範囲内である。

本発明による光学結像装置の好適な実施形態の概略表現図であり、この装置により、本発明による方法の好適な実施形態を実行することができる。 図１の光学結像装置の他の概略表現図である。 光学結像装置モジュールの構成要素を支持する方法の好適な実施形態のブロック図であり、この方法は図１の光学結像装置で実行することができる。 本発明による光学結像装置モジュールの第１実施形態の概略表現図であり、このモジュールは図１の光学結像装置内で用いることができる。 図４の光学結像装置モジュールの（図４の線IV−IVに沿った）概略断面図である。 本発明による光学結像装置モジュールの第２実施形態の概略表現図であり、このモジュールは図１の光学結像装置内で用いることができる。 図４と図６の光学結像装置モジュールを組み合わせて第１状態に組み立てた概略表現図である。 図４と図６の光学結像装置モジュールを組み合わせて第２状態に組み立てた概略表現図である。 図４と図６の光学結像装置モジュールを組み合わせて第３状態に組み立てた概略表現図である。

発明の詳細な説明
以下では、本発明による光学結像装置１０１の好適な実施形態を、図１〜９を参照しながら説明し、この実施形態により本発明による方法の好適な実施形態を実行することができる。以下の説明の理解を促進するために、図面中にｘｙｚ座標系を導入し、ｚ方向が振動方向（即ち、重力の方向）を表す。

図１は、ＥＵＶ範囲内の１３nmの波長で動作する光学露光装置１０１の形態の光学結像装置の、非常に概略的で現寸に比例しない表現である。光学結像装置１０１は投影部１０２を具え、投影部１０２は、光学結像装置１０１の主要機能として、（マスク部１０３のマスクテーブル１０３．２上に配置された）マスク１０３．１上に形成されたパターンの像を（基板部１０４の基板テーブル１０４．２上に配置された）基板１０４．１上に転写する。この目的で、光学露光装置１０１は照射系１０５を具え、照射系１０５は適切な導光系（図示せず）を通して反射マスク１０３．１を照射する。光学投影部１０２は、マスク１０３．１から反射した光（その主光線１０５．１で表す）を受けて、マスク１０３．１上に形成されたパターンの像を基板１０４．１、例えばウェハー等の上に投影する。

この目的のために、光学投影部１０２は、光学素子部１０６．１〜１０６．６の光学素子部グループ１０６を保持する。こうした光学素子部グループ１０６は、光学素子支持構造１０２．１内に保持される。光学素子支持構造１０２．１は光学投影部１０２の筐体構造の形をとることができ、以下では、こうした筐体構造を投影光学装置ボックス構造（ＰＯＢ：projection optics box structure）１０２．１とも称する。しかし、こうした光学素子支持構造は、必ずしも光学素子部グループ１０６の完結した包囲体、さらには密閉した包囲体を形成する必要がないことは明らかである。むしろ、本例の場合のように、一部分を開放構造として形成することもできる。

投影光学装置ボックス構造１０２．１は、振動絶縁様式で基礎構造１０７上に支持され、基礎構造１０７は、マスクテーブル１０３．２もマスクテーブル支持装置１０３．３を介して支持し、基板テーブル１０４．２も基板テーブル支持装置１０４．３を介して支持する。

投影光学装置ボックス構造１０２．１は、複数の振動絶縁装置及び少なくとも１つの中間支持構造部を介してカスケード様式で支持されて、良好な振動絶縁を実現する。一般に、これらの振動絶縁装置は異なる絶縁周波数を有して、広い周波数範囲にわたって良好な振動絶縁を実現し、これについては以下でさらに詳細に説明する。

光学素子部グループ１０６は、合計６つの光学素子部、即ち、第１光学素子部１０６．１、第２光学素子部１０６．２、第３光学素子部１０６．３、第４光学素子部１０６．４、第５光学素子部１０６．５、及び第６光学素子部１０６．６を具えている。本実施形態では、光学素子部１０６．１〜１０６．６の各々がミラーの形態の光学素子から成る。

しかし、本発明の他の実施形態によれば、それぞれの光学素子部は、（光学素子自体に加えて）例えば開口止め具、光学素子を保持するホルダ（保持具）またはリテーナ（固定具）のような追加的構成要素を具えることもできることは明らかであり、これらは最終的に、当該光学素子部を支持構造に接続する支持部用のインタフェースを形成する。

さらに、本発明の他の実施形態によれば、他の数の光学素子部を用いることができることは明らかである。４つ〜８つの光学素子部を設けることが好ましい。

ミラー１０６．１〜１０６．６の各々は、関連する支持装置１０８．１〜１０８．６によって、投影光学装置ボックス構造１０２．１によって形成される支持構造上に支持される。支持装置１０８．１〜１０８．６の各々は能動装置として形成され、これにより、ミラー１０６．１〜１０６．６の各々は所定の制御帯域幅で能動的に支持される。

しかし、本発明の他の実施形態によれば、他の種類の支持装置をそれぞれのミラー１０６．１〜１０６．６用に選択することができることは明らかである。特に、受動型支持要素、半能動（セミアクティブ）型（または間欠能動型）支持要素、並びに能動型支持要素を、単独または任意の組合せで用いることができる。

本例では、光学素子部１０６．６が光学素子部グループ１０６の大型で重い第１光学素子部を形成するのに対し、他の光学素子部１０６．１〜１０６．５は光学素子部グループ１０６の第２光学素子部を形成する。第１光学素子部１０６．６は低域の第１制御帯域幅で能動的に支持されるのに対し、第２光学素子部１０６．１〜１０６．５は第２制御帯域幅で能動的に支持されて、第２光学素子部１０６．１〜１０６．５の各々の第１光学素子部１０６．６に対する所定の空間的関係を実質的に維持する。

本例では、同様な能動支持の概念を、マスクテーブル支持装置１０３．３及び基板テーブル支持装置１０４．３についても選定し、これらも共に、それぞれ第３及び第４制御帯域幅で支持されて、マスクテーブル１０３．２及び基板テーブル１０４．２のそれぞれの、第１光学素子部１０６．６に対する所定の空間的関係を実質的に維持する。

しかし、本発明の他の実施形態によれば、他の支持の概念または空間調整の概念のそれぞれを、光学素子部１０８．１〜１０６．６及び／またはマスクテーブル１０３．２及び／または基板テーブル１０４．２用に選定することができることは明らかである。

マスク１０３．１上に形成されたパターンの像は、通常、サイズが縮小されて、基板１０４．１のいくつかの目標領域に転写される。マスク１０３．１上に形成されたパターンの像は、光学露光装置１０１の設計に応じた２つの異なる方法で、基板１０４．１上のそれぞれの目標領域に転写することができる。光学露光装置１０１がいわゆるウェハーステッパ装置として設計されている場合、マスク１０３．１上に形成されたパターン全体を照射することによって、パターンの像全体が基板１０４．１上のそれぞれの目標領域に単一のステップで転写される。光学露光装置１０１がいわゆるステップ・アンド・スキャン装置として設計されている場合、上記パターンの像は、マスクテーブル１０３．２、従ってマスク１０３．１上に形成されたパターンを漸進的に走査しつつ、同時に基板テーブル１０４．２、従って基板１０４．１の上記走査に対応した走査的移動を実行することによって、基板１０４．１のそれぞれの目標領域上に転写される。

両者の場合に、高品質の結像結果を得るためには、露光プロセスに関与する構成要素（即ち、光学素子部グループ１０６の光学素子、即ちミラー１０６．１〜１０６．６）の、互いに対する所定の空間的関係、並びにマスク１０３．１に対する所定の空間的関係及び基板１０４．１に対する所定の空間的関係を、所定限界内に維持しなければならない。

光学露光装置１０１の動作中には、システム内に導入される固有及び外因性の外乱に共に起因する、ミラー１０６．１〜１０６．６の、互いに対する相対位置、並びにマスク１０３．１及び基板１０４．１に対する相対位置に変化が生じる。こうした外乱は、例えば、システム自体の内部に発生する力だけでなく、システムの周囲環境、例えば基礎支持構造１０７（それ自体は基盤構造１１１によって支持される）を介して導入される力にも起因する振動の形態の機械的外乱であり得る。これらの外乱は、熱的に導入される外乱、例えばシステムの部品の熱膨張に起因する位置変化でもあり得る。

ミラー１０６．１〜１０６．６の、互いに対する空間的関係、並びにマスク１０３．１及び基板１０４．１に対する空間的関係の上記所定限界を保つために、ミラー１０６．１〜１０６．６の各々を、それぞれの支持装置１０８．１〜１０８．６を介して空間内に能動的に位置決めする。同様に、マスクテーブル１０３．２及び基板テーブル１０４．２は、それぞれの支持装置１０３．３及び１０４．３を介して空間内に位置決めする。

以下では、結像プロセスに関与する構成要素１０６．１〜１０６．６、１０３．１及び１０４．１の空間的調整のための制御概念を、図１及び２を参照しながら説明する。上述したように、構成要素１０６．１〜１０６．６、１０３．１及び１０４．４の、全６つの自由度での制御は、（図１に、制御部１０９及びそれぞれの支持装置の所に実線及び点線で示すように）支持装置１０８．１〜１０８．６、１０３．３及び１０４．３の各々に接続され、それぞれに対応する制御信号を供給する制御部１０９を用いて、特定の調整制御帯域幅で行う。

制御部１０９は、その制御信号を、計測装置１１０の計測信号の関数として発生し、計測装置１１０は、露光プロセスの補助的機能として、構成要素１０６．１〜１０６．６、１０３．１及び１０４．１の各々の位置及び向きを全６つの自由度で捕捉する。上述したように、計測装置１１０は、大きな光学的フットプリントの第６ミラー１０６．６を慣性基準として（即ち、基準光学素子部として）使用し、結像プロセスに関与する他のすべての構成要素１０６．１〜１０６．５、１０３．１及び１０４．１は、第６ミラー１０６．６を基準とする。図１からわかるように、第６ミラー１０６．６は、マスク１０３．１上に形成されたパターンの像を転写する際に、光路中で露光光１０５．１が最後に当たる最終のミラー部である。

この目的で、上記計測装置は、図１（非常に概略的に）及び図２に示すように、投影系計測支持構造１１２．１の形態の補助支持構造に機械的に接続された複数の計測装置１１０．２、１１０．３及び１１０．４、並びに基板系計測支持構造１１２．２に機械的に接続された計測装置１１０．５を具えた計測部１１０．１を使用し、計測部１１０．１は、投影光学装置ボックス構造１０２．１によって支持される。本実施形態では、各計測装置１１０．２、１１０．３、１１０．４及び１１０．５がセンサヘッド１１０．７の形態の補助構成要素を具え、それぞれの補助構成要素が、投影系計測支持構造１１２．１または基板系計測支持構造１１２．２に接続され、それぞれのミラー１０６．１〜１０６．６に機械的に接続された基準素子１１０．６、マスクテーブル支持装置１０３．３、基板系計測支持構造１１２．２、及び基板テーブル支持装置１０４．３のそれぞれと協働する。

「機械的に直接接続される」とは、本発明の意味では、２つの部分間の直接的な接続として理解すべきであり、これら２つの部分は、当該部分間に短い距離（があればそれ）を含んで、他方の部分の位置を測定することによって一方の部分の位置を測定することを可能にする。特に、この用語は、例えば熱効果または振動効果による位置測定における不確実性を導入する追加的な部分がないことを意味し得る。本発明の特定実施形態によれば、上記基準素子は、ミラーに接続された別個の構成要素でなくすることができ、例えばミラーの製造時に別個のプロセスで形成される格子等として、ミラーの基板上に直接または一体的に形成することができることは明らかである。

本実施形態では、計測装置１１０．２、１１０．３、１１０．４及び１１０．５がエンコーダの原理により動作し、即ち、上記センサヘッドがセンサ光ビームを構造化された表面に向けて放出して、この構造化された表面から反射された読取り光ビームを検出する。この構造化された表面は、例えば、一連の平行線（一次元格子）または互いに対して傾斜した線（二次元格子）を含む格子とすることができる。位置変化は、基本的に、センサビームが通過した線の本数を数えることから捕捉され、この本数は、上記読取りビームにより得られる信号から導出することができる。

しかし、本発明の他の実施形態によれば、エンコーダの原理とは別に、（例えば干渉計測法の原理、容量測定の原理、誘導測定の原理、等のような）他のあらゆる非接触測定原理を、単独または任意の組合せで用いることができることは明らかである。しかし、本発明の他の実施形態によれば、あらゆる適切な接触系の計測装置を用いることもできることも明らかである。接触系の動作原理として、例えば磁歪または電歪の動作原理を用いることができる。特に、動作原理の選定は、要求精度の関数として行うことができる。

第６ミラー１０６．６に関連する計測装置１１０．２は、投影系計測支持構造１１２と慣性基準を形成する第６ミラー１０６．６との間の第１の空間的関係を（全６つの自由度で）捕捉する。さらに、結像プロセスに関与する他の構成要素１０６．１〜１０６．５、１０３．１及び１０４．１に関連する計測装置１１０．２、１１０．３、１１０．４及び１１０．５は、投影系計測支持構造１１２．１とこれに関連する構成要素１０６．１〜１０６．５、１０３．１及び１０４．１との間の空間的関係を（全６つの自由度で）捕捉する。

基板１０４．１の場合、このことは、投影系計測支持構造１１２．１に機械的に接続された計測装置１１０．４を（基板系計測支持構造１１２．２に直接接続された基準素子１１０．６と組み合わせて）用い、かつ基板系計測支持構造１１２．２に機械的に接続された基板系計測装置１１０．５を（基板テーブル支持装置１０４．３に機械的に直接接続された基準素子１１０．６と組み合わせて）用いたカスケード様式（図２参照）で行われる。

最後に、計測装置１１０は、第６ミラー１０６．６と他のそれぞれの構成要素１０６．１〜１０６．５、１０３．１及び１０４．１との間の空間的関係を、上記第１の空間的関係及び第２の空間的関係を用いて測定する。その結果、対応する計測信号が制御部１０９に供給されて、制御部１０９は、これらの計測信号の関数として、それぞれの支持装置１０８．１〜１０８．６、１０３．３及び１０４．３用の対応する制御信号を発生する。

本発明の他の実施形態によれば、上記基準光学素子（例えば第６ミラー）と、結像プロセスに関与する他のそれぞれの構成要素（例えばミラー１０６．１〜１０６．５、マスク１０３．１及び基板１０４．１）との間の空間的関係の直接測定も行うことができることは明らかである。空間的な境界条件に応じて、こうした直接測定と間接測定との任意の組合せを用いることもできる。

上述したように、投影光学装置ボックス構造１０２．１（従って、投影系）内に導入される振動外乱エネルギーの量を低減し、最終的に、こうした振動外乱エネルギーの悪影響を低減するために、投影光学装置ボックス構造１０２．１を、第１振動絶縁装置１１３を介して基礎支持構造１０７上に支持する。投影系計測支持構造１１２．１にも同様のことが当てはまり、投影系計測支持構造１１２．１は、第２振動絶縁装置１１４を介して投影光学装置ボックス構造１０２．１（結果的に、基礎支持構造１０７）上に支持され、これにより、投影系計測支持構造１１２．１は投影光学装置ボックス構造１０２．１から機械的に分離される。

しかし、本発明の他の実施形態によれば、投影系計測支持構造１１２．１によって形成される上記補助支持構造は、（投影光学装置ボックス構造１０２．１上に支持される代わりに）、（図２に破線で示すように）第２振動絶縁装置１１４を介して基礎支持構造１０７上に直接支持することもできることは明らかであり、これにより、投影光学装置ボックス構造１０２．１からのさらなる機械的分離を実現する。

基板系計測支持構造１１２．２は、第２振動絶縁装置１１４を介して基礎支持構造１０７上に支持される。こうした投影光学装置ボックス構造１０２．１及び投影系計測支持構造１１２．１の、基板系計測支持構造１１２．２から分離された支持によって、光学素子１０．１〜１０６．６並びに計測部１１０．１は、（冷却媒体上の乱流に起因して、それぞれが第２の振動外乱を発生し、第２の振動外乱エネルギーを放出する）基板系計測支持構造１１２．２の冷却回路（さらに詳細には図示せず）のような二次的な内部振動外乱の発生源の支持体１１２．２から機械的に分離される。

同様なやり方を、基板テーブル支持装置１０４．３及びマスクテーブル支持装置１０３．３のような振動外乱の一次的発生源の支持用に選択することが好ましいことは明らかであり、その結果、これらの発生源も、対応する振動絶縁装置（さらに詳細には図示せず）を介して基礎支持構造１０７上に支持される。

第１振動絶縁装置１１３は、約０．５Hzの第１振動絶縁共振周波数を有し、これにより、有益な低域通過の振動絶縁をこの箇所で実現する。本発明の他の好適な実施形態によれば、第１振動絶縁共振周波数は、０．０５Hzから８．０Hzまでの範囲内、０．１Hz〜１．０Hzの範囲内、あるいは０．２Hzから０．６Hzまでの範囲内に位置するように選択することができることは明らかである。これらのいずれの場合にも、有益な低域通過の振動絶縁が実現される。本発明の好適な実施形態によれば、第１振動絶縁共振周波数は、０．０５Hzから３０Hzまでの範囲内に位置するように選択することができることは明らかである。さらに、本発明の特定実施形態によれば、第１振動絶縁共振周波数は、８Hzから１５Hzまで、あるいは２２Hzから３０Hzまでの範囲内であることが好ましい。

第２振動絶縁装置１１４は、約３Hzの第２振動絶縁共振周波数を有する。さらに、基礎構造１０７上の（振動絶縁装置１１４及び１１３を介した）投影系計測支持構造１１２．１の２段階振動絶縁支持によれば、少なくとも２段階、多くの場合、さらには３段階の、（基板テーブル支持装置１０４．３、及びマスクテーブル支持装置１０３．３の支持体のような）振動外乱の一次的発生源からの、及び（基板系計測支持構造１１２．２、及び光学投影部１０２の内部冷却装置１１５のような）振動外乱の二次的発生源からの振動絶縁が実現されることは明らかである。

換言すれば、一方では、構造的に生じる一次的及び二次的な振動外乱エネルギーを、（仮に）投影系計測支持構造１１２．１に達する（としてもその）前に、有益な方法で、基礎支持構造１０７及び投影光学装置ボックス構造１０２．１を介して迂回させ、これにより、一次的及び二次的な振動外乱が投影系計測支持構造１１２．１に達するために進まなければならない構造的経路の長さを有益に増加させ、その結果、一次的及び二次的な振動外乱を有益に増加させる。

このことは最終的に、投影系計測支持構造１１２．１の特に高い振動安定性をもたらし、こうした振動安定性はシステムの制御性能にとって非常に有益である。

図２及び４からわかるように、同様な支持方策を、光学投影部１０２の内部冷却装置１１５の形態の他の補助構成要素用にも選定し、こうした補助構成要素も内部的な二次振動外乱の発生源を形成する。内部冷却装置１１５はスリーブ形の補助支持構造を具え、この補助支持構造は、対応する冷却ダクト（さらに詳細には図示せず）を担持し、光学素子１０６．１〜１０６．６、及び計測装置１１０．２のいくつかの部分を包囲する（図４参照）。内部冷却装置１１５は、光学素子１０６．１〜１０６．６、それらに関連する支持装置１０８．１〜１０８．６、及び投影光学装置ボックス構造１０２．１との直接の物理的または構造的接触がないように設計されている。投影系計測支持構造１１２．１の構成要素に関しても、同様のことが当てはまる。

内部冷却装置１１５は、内部冷却装置支持構造１１５．１を介した基礎構造１０７との直接の物理的または構造的接触しか有しない。本例では、内部冷却装置支持構造１１５．１が、追加的な振動絶縁装置１１５．３を介して基礎支持構造１０７上に支持される。しかし、こうした追加的な振動絶縁装置は省略することもできる。

図２に破線輪郭１１６で示すように、１つ以上の追加的な冷却装置、特に投影光学装置ボックス構造１０２．１を包囲する外部冷却装置を設けて、基礎支持構造１０７上に内部冷却装置１１５と同様な様式で（即ち、光学素子１０６．１〜１０６．６、それらに関連する支持装置１０８．１〜１０８．６、及び投影光学装置ボックス構造１０２．１との直接の物理的または構造的接触なしに）支持することができることは明らかである。

特に、図２及び４からわかるように、こうした直接の物理的または構造的接触を回避するために、内部冷却装置１１５は対応する開口または凹部１１５．２を有し、これらを通して、支持装置１０８．１〜１０８．６のそれぞれが内部冷却装置１１５と接触せずに（支持すべき光学素子に）達することができる。さらに、内部冷却装支持構造１１５．１は、投影光学装置ボックス構造１０２．１内に設けた対応する開口または凹部１０２．２を通って、投影光学装置ボックス構造１０２．１に物理的に接触せずに（内部冷却装置１１５に）達する。

従って、投影光学装置ボックス構造１０２，１によって形成される主要支持構造、並びに投影系計測支持構造１１２．１及び冷却装置支持構造１１５．１によって形成される補助支持構造が、互いに機械的に分離された構造が非常に複雑に入り組んで互いに貫通するシステムを形成することは明らかであり、こうしたシステムは、光学結像装置１０１の製造及び組み立て中に大きな挑戦をもたらす。

光学結像装置１０１の製造及び組み立てを促進するために、本発明によれば、投影光学装置ボックス構造１０２．１、投影系計測支持構造１１２．１、及び冷却装置支持構造１１５．１を別個の主要副支持構造及び補助副支持構造に分割する。光学結像装置１０１の組み立ての前に、主要副支持構造及び補助副支持構造における空間的に、最終的には機能的にも互いに（特に１つ以上のミラー１０６．１〜１０６．６に）関連する部分を組み合わせて、別個の、最終的には事前検査される個別の光学結像装置モジュール１１７．１〜１１７．４の形に組み立て、このことは以下で図４〜９を参照しながらさらに詳細に説明する。

第１の光学撮像装置モジュール１１７．１をこのように組み立て済みの状態で示す図４からわかるように、第１の光学結像装置モジュール１１７．１はミラー１０６．２を具え、ミラー１０６．２は、投影光学装置ボックス構造１０２．１の、ミラー１０６．２の円周を包囲する略環形の加圧フレーム要素１１８．１によって、３つの支持装置１０８．１を介して支持される。

３つの支持装置１０８．１は、各々が二脚（バイポッド）の様式に形成され、ミラー１０６．２の円周にほぼ均等に分布し、これにより、均衡した支持が六脚の様式で実現される。しかし、本発明の他の実施形態によれば、ミラー１０６．２の他のあらゆる所望の種類の支持を実現することができることは明らかである。

図４からさらにわかるように、ミラー１０６．２は、略環形の冷却フレーム要素１１９．１の形態の補助副支持構造によって支持され、冷却フレーム要素１１９．１は、補助冷却装置支持構造１１５．１の一部分を形成し、冷却装置１１５（さらに詳細には図示せず）の冷却ダクトを担持する。（ミラー１０６．２及び／または環形の加圧フレーム要素１１８．１によって定義される）半径方向Ｒに、冷却フレーム要素１１９．１がミラー１０６．２と加圧フレーム要素１１８．１との間に、即ち加圧フレーム要素１１８．１の半径方向内側に配置されている。

さらに、ミラー１０６．２は補助副支持構造によって略環形の計測フレーム要素１２０．１の形態で包囲され、計測フレーム要素１２０．１は、補助投影系計測支持構造１１２．１の一部分を形成し、計測装置１１０の１つ以上のセンサヘッド１１０．７を担持する。半径方向Ｒにおいて、計測フレーム要素１２０．１が、加圧フレーム要素１１８．１の内側に、ミラー１０６．２と、加圧フレーム要素１１８．１及び冷却フレーム要素１１９．１の各々との間に配置されている。

冷却フレーム要素１１９．１及び計測フレーム要素１２０．１は、一時接続装置１２１を介して加圧フレーム要素１１８．１に一時的に装着される。この目的のために、冷却フレーム要素１１９．１は複数の半径方向の突起１１９．２を具え、突起１１９．２は、加圧フレーム要素１１８．１内の（当該突起に）関連する凹部１０２．２の全体中に横方向（半径方向Ｒ）の外向きに突出する。

同様に、計測フレーム要素１２０．１は複数の半径方向の突起１２０．２を具え、突起１２０．２は、冷却フレーム要素１１９．１内の（当該突起に）関連する凹部１１５．２、並びに加圧フレーム要素１１８．１内の（当該突起に）関連する凹部１０２．２の全体中に横方向（半径方向Ｒ）の外向きに突出する。

本例では、３つの半径方向の突起１１９．２及び３つの半径方向の突起１２０．２が、冷却フレーム要素１１９．１及び計測フレーム要素１２０．１のそれぞれの円周に沿ってほぼ均等に分布する。しかし、本発明の他の実施形態によれば、他の数の半径方向の突起、及び／またはこれらの半径方向の突起の他の分布を選択することができることは明らかである。特に、一般に補助支持構造のサイズ及び重量次第では、いずれの場合にも単一の半径方向の突起で十分なことがある。

加圧フレーム要素１１８．１と冷却フレーム要素１１９．２とを一時接続装置１２１を介して一時的に接続するために、加圧フレーム要素１１８．１は、その外側に第１の一時的支持インタフェース装置１２２を有し、第１の一時的支持インタフェース装置１２２は、冷却フレーム要素１１９．１の各々の突起１１９．２に関連するそれぞれの凹部１０２．２の領域内に配置された第１の一時的支持インタフェース構成要素１２２．１を具えている。

同様に、第１の一時的支持インタフェース構成要素１２２．１に隣接した位置にある突起１１９．２の領域内では、各突起１１９．２が、冷却フレーム要素１１９．１の第２の一時的支持インタフェース装置１２３の第２の一時的支持インタフェース構成要素１２３．１を形成する。

図４及び５からわかるように、一時接続装置１２１は略環形かつ略平面形の接続要素１２１．１を具え、接続要素１２１．１は、第１の一時的支持インタフェース構成要素１２２．１の領域内で加圧フレーム要素１１９．１に接続され、第２の一時的支持インタフェース構成要素１２３．１の領域内で冷却フレーム要素１２０．１に接続されている。従って、一時的に、冷却フレーム要素１１９．１は加圧フレーム要素１１８．１によって支持される。

これらの接続のいずれも、（確動接続、摩擦接続、及び接着接続、モノリシック接続、あるいはそれらの任意の組合せを含む）あらゆる接続技術によって形成することができることは明らかである。しかし、これらの接続の少なくとも１つは解放可能な接続である。

本例では、図５からわかるように、一時接続装置１２１は略球形の第１インタフェース要素１２１．２を具え、第１インタフェース要素１２１．２は、コネクタ要素１２１．１の内周に形成された略Ｖ字形の凹部１２１．３、及び第２の一時的支持インタフェース構成要素１２３．１の１つの面（上面）上に形成された略Ｖ字形の凹部１２３．２と係合する。第２の一時的支持インタフェース構成要素１２３．１の反対側の面（下面）には、クランプねじ要素１２１．４の略半球形のクランプヘッドが接触し、このクランプヘッドはコネクタ要素１２１．１内の対応するねじ山と係合する。

加圧フレーム要素１１８．１と冷却フレーム要素１１９．１とを接続するために、球形要素１２１．２をＶ字形凹部１２１．３及び１２３．２内に挿入する。その後に、（基本的には、球形要素１２１．２と凹部１２１．３及び１２３．２との適切な接触を保証するだけのために）クランプねじ要素１２１．４を非常に軽く締め、これにより、軽いクランプ接続（即ち、摩擦接続）と確動接続との組合せを加圧フレーム要素１１８．１と冷却フレーム要素１１９．１との間に形成して、動きを実質的に２つの自由度（ＤＯＦ：degree of freedom）のみに制限するする。従って、上記３つの一時接続装置１２１によって実質的に均衡した装着が実現される。

同一の接続を用いて、加圧フレーム要素１１８．１と計測フレーム要素１２０．１とを、３つの一時接続装置１２１を介して接続し、これにより、計測フレーム要素１２０．１も加圧フレーム要素１１８．１によって一時的に支持される。従って、ここでは、これに関連して上述した説明のみを参照する。

一時接続装置１２１を介したそれぞれの接続を後の時点で解放するために、クランプねじ要素１２１．４を解放して球形要素１２１．２を除去し、これにより、加圧フレーム要素１１８．１と、冷却フレーム要素１１９．１及び計測フレーム要素１２０．１のそれぞれとの間に十分なクリアランス（隙間）が形成され、これらは最終的に、それぞれ投影光学装置ボックス構造１０２．１、冷却装置支持構造１１５．１及び投影系計測支持構造１１２．１により、分離された様式で支持される。

一時的接続の解放後に、一時接続要素１２１．１は定位置に留まることができることは明らかである。従って、なお本発明の特定実施形態によれば、一時接続要素１２１．１は、加圧フレーム要素１１８．１と一体に形成することもできる。しかし、本発明の特定実施形態によれば、一時接続要素１２１．１を加圧フレーム要素１１８．１から除去することもできる。

さらに、このように一時接続装置１２１を介した一時的接続によって、光学結像装置モジュール１１７．１の製造、取り扱い、及び組み立てが、個別の副支持構造１１８．１、１１９．１及び１２０．１の複雑に入り組んだ設計にもかかわらず、大いに促進される。特に、単に加圧フレーム要素１１８．１に対応する取り扱い力を働かせることによって、光学結像装置モジュール１１７．１全体の取り扱いを行うことができる。

さらに、それぞれの副支持構造１１８．１、１１９．１及び１２０．１は、露光プロセス中に実現されるべきそれらの最終的な位置及び向きに対して、（それら相互の相対的な位置及び向きに関して）事前に定めた特定の許容誤差内で一時的に固定することができるので、光学結像装置１０１の組み立て前に光学結像装置１１７．１を事前検査することができる。

本発明の他の実施形態によれば、一時接続装置１２１による他の適切な種類の接続を選定することができる。特に、回避しなければ光学系を汚染させる粒子または破片の発生を回避するために、装置の構成要素間に必要な摩擦運動ができる限り小さい接続を実現することが好ましい。特に、例えば、アクチュエータ要素（例えば圧電アクチュエータ等）が、一時接続装置の構成要素間に働く保持力（一般にクランプ力）を発生または解除する能動的な解決策を実現することができる。

図６に、本発明による、第２光学結像装置モジュール１１７．２の形態の、他の光学結像装置モジュールの概略断面表現を示す。この光学結像装置モジュール１１７．２は、組み立て済みの状態で示し、投影光学装置ボックス構造１０２．１の上部を形成する概ねトレイ形の加圧フレーム要素１２４．１を具えている。

略環形の冷却フレーム要素１２５．１の形態の補助副支持構造は、加圧フレーム要素１２４の半径方向（トレイ形加圧フレーム要素１２４．１によって定義される半径方向Ｒ）内側に配置されて、冷却ダクト（さらに詳細には図示せず）を担持する補助冷却装置支持構造１１５．１の一部分を形成する。

さらに、加圧フレーム要素１２４．１は、略環形の計測フレーム要素１２６．１の形態の補助副支持構造を受け入れ、計測フレーム要素１２６．１は補助投影系計測支持構造１１２．１の一部分を形成する。半径方向Ｒにおいて、計測フレーム要素１２６．１も加圧フレーム要素１２４．１の半径方向内側に配置されている。

冷却フレーム要素１２５．１及び計測フレーム要素１２６．１は共に、第１の光学結像装置モジュール１１７．１の対応する構成要素（１１９．１及び１２０．１）に関連して上述したのと同じ様式で、一時接続装置１２１を介して加圧フレーム要素１２４．１に装着される。従って、上述した説明を明示的に参照する。

ここでも、冷却フレーム要素１２５．１は、加圧フレーム要素１２４．１内の関連する凹部１０２．２の全体中に横方向外向き（半径方向Ｒ）に突出する複数の半径方向の突起１２５．２を具えている。同様に、計測フレーム要素１２６．１は、加圧フレーム要素１２４．１内の関連する凹部の全体中に横方向外向き（半径方向Ｒ）に突出する複数の半径方向の突起１２６．２を具えている。

ここでも、本例では、３つの半径方向の突起１２５．２及び３つの半径方向の突起１２６．２が、それぞれ冷却フレーム要素１２５．１及び計測フレーム要素１２６．１の円周に沿ってほぼ均等に分布する。しかし、本発明の他の実施形態によれば、他の数の半径方向の突起及び／またはこれらの半径方向の突起の分布を選択することができる。一般に補助副支持構造のサイズ及び重量次第では、いずれの場合にも単一の半径方向の突起で十分なことがある。

加圧フレーム要素１２４．１と冷却フレーム要素１２５．２とを、一時接続装置１２１を介して解放可能なように一時的に接続するために、加圧フレーム要素１２４．１は、その外側に第１の一時的支持インタフェース装置１２７を有し、第１の一時的支持インタフェース装置１２７は、冷却フレーム要素１２５．１のそれぞれの突起１２５．２に関連する凹部１０２．２の各々の領域内に配置された第１の一時的支持インタフェース構成要素１２７．１を具えている。同様に、第１の一時的支持インタフェース構成要素１２７．１に隣接した位置にある突起１２５．２の領域内では、各突起１２５．２が、冷却フレーム要素１２５．１の第２の一時的支持インタフェース装置１２８の第２の一時的支持インタフェース構成要素１２８．１を形成する。

一時接続装置１２１は、図５に関連して説明したのと同じ様式に設計されている。従って、上述した説明を明示的に参照する。

同一の解放可能な接続を用いて、加圧フレーム要素１２４．１と計測フレーム要素１２６．１とを３つの一時接続装置１２１を介して接続し、これにより、計測フレーム要素１２６．１も加圧フレーム要素１２４．１によって一時的に支持される。従って、ここでは、これに関連して上述した説明のみを参照する。

ここでも、一時接続装置１２１による一時的接続により、光学結像装置モジュール１１７．２の製造、取り扱い、及び組み立てが、個別の副支持構造１２４．１、１２５．１及び１２６．１の複雑に入り組んだ設計にもかかわらず、大いに促進される。特に、単に加圧フレーム要素１２４．１に対応する取り扱い力を働かせることによって、光学結像装置モジュール１１７．２全体の取り扱いを行うことができる。

さらに、それぞれの副支持構造１２４．１、１２５．１及び１２６．１は、露光プロセス中に実現されるべきそれらの最終的な位置及び向きに対して、（それら相互の相対的な位置及び向きに関して）事前に定めた特定の許容誤差内で一時的に固定することができるので、例えば、計測フレーム要素１２６．１が計測装置自体の構成要素を支持する場合に、光学結像装置１０１の組み立て前に光学結像装置１１７．２を事前検査することができる。

図６に組み立て済みの状態で示す光学結像装置モジュール１１７．２は、光学素子１０６．１〜１０６．６のいずれも保持せず、むしろ、投影光学装置ボックス構造１０２．１、投影系計測支持構造１１２．１、及び冷却装置支持構造１１５．１の副構造を具えて、第１の光学結像装置モジュール１１７．１用のインタフェースを提供する組み立て済みのモジュールであることは明らかである。

従って、図７からわかるように、光学結像装置１０１の特定の組み立て状態では、第１の光学結像装置モジュール１１７．１が第２の結像装置モジュール１１７．２内に挿入されている。一旦、このことが行われると、加圧フレーム要素１１８．１と加圧フレーム要素１２４．１とが（任意の接続技術、特に摩擦接続、確動接続、または接着接続を単独または任意の組合せで用いて）、加圧フレーム要素１１８．１の第３インタフェース装置１２９及び加圧フレーム要素１２４．１の第４インタフェース装置１３０の所で接続され、これにより、この状態で第１の光学結像装置モジュール１１７．１が、第２の光学結像装置モジュール１１７．２の加圧フレーム要素１２４．１によって支持される。

一旦、加圧フレーム要素１１８．１と加圧フレーム要素１２４．１とのこうした接続が完了すると、計測フレーム要素１２０．１の突起１２０．２のそれぞれの自由端１２０．３に形成された第５インタフェース装置１３１が、計測フレーム要素１２６．１の対応する隣接した第６インタフェース装置１３２に機械的に強固に接続される。

こうした接続は、接続される構成要素に対するプレストレス（予め加わる応力）ができる限り存在しない方法で行うことは明らかである。この目的のために、例えば（スペーサ等のような）適切な手段を用いて、接続される計測フレーム要素１２０．１及び１２６．１内の許容誤差を補償することができる。

同様のことが、冷却フレーム要素１１９．１及び１２５．１にも当てはまり、これらも、それぞれの互いに隣接するインタフェースの所で機械的に接続される。

一旦、十分に強固な機械的接続が、計測フレーム要素１２０．１と１２６．１の間、及び冷却フレーム要素１１９．１と１２５．１の間に得られると、（図８に示すように）容易にアクセス可能な一時接続装置１２１を解放し、これにより、計測フレーム要素１２０．１は、この状態で第２の光学結像装置モジュール１１７．２の計測フレーム要素１２６．１によって支持され、冷却フレーム要素１１９．１は、この状態で第２の光学結像装置モジュール１１７．２の冷却フレーム要素１２５．１によって支持され、両者はもはや加圧フレーム要素１１８．１との中間的な機械的接続を有しない。

最後に、第２の光学結像装置モジュール１１７．１の加圧フレーム要素１２４．１が、第３の光学結像装置モジュール１１７．３の追加的な加圧フレーム要素１３３．１に接続される。図９に概略的に示すように、追加的な加圧フレーム要素１３３．１は、当該追加的な光学結像装置モジュールを上述したのと同じ方法で追加した後に最終的に、振動絶縁装置１１３を介して基礎構造１０７上に支持される。

同様に、図９に概略的に示すように、冷却フレーム要素１１９．１及び１２５．１の突起１１９．２及び１２５．２は、それぞれの自由端にある対応するインタフェースを介して、冷却装置支持構造１１５．１の（それぞれの突起に対応する開口１０２．２及び１２６．３を通って延びる）追加的な冷却フレーム要素１３４に接続され、冷却フレーム要素１３４は、最終的に、第３振動絶縁装置１１５．３を介した振動絶縁の様式で基礎構造１０７上に支持される。

さらに、同様に、図９に概略的に示すように、計測フレーム要素１２６．１の突起１２６．２は、それらの自由端にある対応するインタフェースを介して、投影系計測支持構造１２２．１の追加的な計測フレーム要素１３５に接続され、投影系計測支持構造１２２．１は、最終的に、第１及び第２振動絶縁装置１１３、１１４を介して（カスケードまたは非カスケード型の）振動絶縁様式で基礎構造１０７上に支持される。

一旦、十分に強固な機械的接続が、冷却フレーム要素１１９．１、１２５．１と１３４、並びに計測フレーム要素１２６．１と１３５の間に得られると、（図９に示すように）容易にアクセス可能な一時接続装置１２１を解放し、これにより、計測フレーム要素１２０．１及び１２６．１は、この状態で計測フレーム要素１３５によって支持され、冷却フレーム要素１１９．１、１２５．１は、この状態で冷却フレーム要素１３４によって、加圧フレーム要素１１８．１、１２４．１、１３３．１から機械的に分離された様式で支持される。

複雑に入り組んで互いに貫通するが互いに機械的に分離された支持構造１０２．１、１１２．１及び１１５．１にもかかわらず、光学投影系１０２は、以上に概説した比較的単純な方法で組み立てることができることは明らかである。このことは、光学投影系１０２の構成要素の製造、取り扱い、及び組み立てを大いに促進する。特に、以上に概説したように、主要光学系の構成要素、及び主要光学系のそれぞれの構成要素に空間的に、最終的には機能的に関連する１つ以上の補助光学系の構成要素を具えた別個の光学結像装置モジュール１１７．１〜１１７．４内に設けられた光学投影系の構成要素を、光学投影系１０２の組み立て前に容易に事前検査することができ、このことは光学投影系１０２の組み立てを大いに促進し加速する。

あらゆる所望の適切な材料を、それぞれの支持構造用に選択することができることは明らかである。例えば、アルミニウムのような金属を、それぞれの支持構造用に、特に比較的軽量で比較的高い剛性を必要とする支持構造用に用いることができる。支持構造用の材料は、当該支持構造の種類及び機能に応じて選択することが好ましい。

特に、投影光学装置ボックス構造１０２．１用には、鋼鉄、アルミニウム（Al）、チタニウム（Ti）、いわゆるインバー合金（即ち、３３％〜３６％のNiを有する鉄−ニッケル合金、例えばFe64Ni36）及び（例えば、DENSIMET（登録商標）複合材料及びINERMET（登録商標）複合材料、即ち９０％を超えるタングステン含有量及びNiFeまたはNiCuバインダ（結合剤）相を有する重金属のような）適切なタングステン合金を用いることが好ましい。

さらに、投影系計測支持構造１１２．１用には、シリコン注入炭化シリコン（SiSiC）、炭化シリコン（SiC）、シリコン（Si）、炭素繊維強化炭化シリコン（C/CSiC）、酸化アルミニウム（Al₂O₃）、Zerodur（登録商標）（アルミノケイ酸ガラスセラミック）、ULE（登録商標）ガラス（チタニアケイ酸塩ガラス）、石英、コージライト（マグネシウム−鉄−アルミニウムのシクロケイ酸塩）、または低い熱膨張係数及び高い弾性係数を有する他のセラミック材料も有益に用いることができる。

本実施形態のマイクロリソグラフィー装置１０１によれば、１００pm未満の視程精度を、関連する全自由度で、一般にｘ方向及びｙ方向に得ることができることは明らかである。

図１、２、及び４〜９の光学結像装置１０１によれば、本発明による光学結像装置モジュールの構成要素を支持する方法を実行することができ、これについては以下に図１〜９を参照しながら説明する。

まず、ステップ１３６．１では、上述したような光学結像装置１０１の構成要素を用意する。

さらに、組み立ての第１ステップ１３６．２では、図４に関連して以上で概説したように、冷却フレーム要素１１９．１及び計測フレーム要素１２０．１の各々を、一時接続装置１２１を用いて第１の光学結像装置モジュール１１７．１の加圧フレーム要素１１８．１に接続して、冷却フレーム要素１１９．１及び計測フレーム要素１２０．１のそれぞれを、加圧フレーム要素１１８．１を介して一時的に支持する。同様の組み立ての第１ステップを、他のすべての光学結像装置モジュール１１７．２〜１１７．４についても実行する。

組み立ての第２ステップ１３６．３では、図７に関連して以上で概説したように、モジュール１１７，１の加圧フレーム要素１１８．１をモジュール１１７．２の加圧フレーム要素１２４．１に接続すると共に、モジュール１１７．１の冷却フレーム要素１１９．１をモジュール１１７．２の冷却フレーム要素１２５．１に接続し、モジュール１１７．１の計測フレーム要素１２０．１をモジュール１１７．２の計測フレーム要素１２６．１に接続する。

組み立ての第３ステップ１３６．４では、図８に関連して以上で概説したように、モジュール１１７．１の加圧フレーム要素１１８．１と、モジュール１１７．１の冷却フレーム要素１１９．１並びに計測フレーム要素１２０．１との間の、一時接続装置１２１による一時的接続を解放する。

最後に、ステップ１３６．５では、上述したように、組み立ての第１〜第３ステップ１３６．２〜１３６．４を、追加すべき他のすべての光学結像装置モジュール１１７．２〜１１７．４について、光学投影系１０２が完全に組み立てられ、投影光学装置ボックス構造１０２．１、投影系計測支持構造１１２．１、及び冷却装置支持構造１１５．１が完全に形成されて互いに機械的に分離された様式で支持されるまで反復する。

以上では、光学素子が専ら反射素子である本発明の実施形態を説明してきたが、本発明の他の実施形態によれば、反射、屈折または回折素子、あるいはそれらの任意の組合せを、光学素子部の光学素子に用いることができることは明らかである。

Claims (20)

1. 特にマイクロリソグラフィー用の光学結像装置用の光学結像装置モジュールであって、
   光学素子副支持構造と、
   補助副支持構造とを具え、
   前記光学素子副支持構造は、光学素子を支持するように構成され、第１の一時的支持インタフェース装置を有し、
   前記光学素子は、前記光学結像装置の光学素子グループの一部分を形成するように構成され、前記光学結像装置は、露光光を用いた露光プロセス中にマスクのパターンの像を基板上に転写するように構成され、
   前記補助副支持構造は、補助構成要素を支持するように構成され、第２の一時的支持インタフェース装置を有し、
   前記補助構成要素は、前記露光プロセス中に、前記パターンの前記像を前記基板上に転写すること以外の前記露光プロセスの補助的機能を実行するように構成され、
   前記補助構成要素は、前記露光プロセス中に、前記光学素子と空間的に関連し、前記補助副支持構造を含む補助支持構造によって前記光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持されるように構成され、
   前記第１の一時的支持インタフェース装置及び前記第２の一時的支持インタフェース装置は、少なくとも１つの一時接続装置と解放可能な様式で協働するように構成され、前記一時接続装置は、少なくとも前記光学結像装置の組み立て中に、前記光学素子副支持構造を介して前記補助副支持構造を一時的に支持するように構成されている、光学結像装置モジュール。
2. 前記光学素子副支持構造は、前記光学素子を円周方向に支持するように構成され、これにより、前記光学素子が前記光学素子副支持構造の半径方向内側に配置され、
   前記補助構成要素は、前記光学素子副支持構造の前記半径方向内側に配置され、
   前記光学素子副支持構造は、当該光学素子副支持構造内に前記半径方向に延びる凹部を有し、
   前記補助副支持構造は、前記半径方向において、前記凹部の付近に配置され、かつ／または、前記凹部内に突出し、かつ／または、前記凹部の全体中に突出し、
   前記第１の一時的支持インタフェース装置及び／または前記第２の一時的支持インタフェース装置のインタフェース構成要素が、前記凹部の付近に配置され、かつ／または、前記光学素子副支持構造の外側に配置されている、請求項１に記載の光学結像装置モジュール。
3. 前記第１の一時的支持インタフェース装置の第１インタフェース構成要素及び前記第２の一時的支持インタフェース装置の第２インタフェース構成要素が、略環形かつ／または略平面形の一時接続装置と協働するように構成され、
   前記一時接続装置は、前記光学結像装置の組み立て中に、前記光学素子副支持構造及び前記補助副支持構造に、前記凹部の付近で一時的に接続され、かつ／または、
   前記一時接続装置は、前記光学結像装置の組み立て中に、前記略環形の一時接続装置の内周で前記補助副支持構造に一時的に接続される、請求項２に記載の光学結像装置モジュール。
4. 前記第１の一時的支持インタフェース装置及び前記第２の一時的支持インタフェース装置が、前記少なくとも１つの一時接続装置と協働するように構成され、これにより、前記光学結像装置の組み立て中に、前記補助副支持構造が前記光学素子副支持構造によって静定様式で一時的に支持され、かつ／または、
   前記第１の一時的支持インタフェース装置及び前記第２の一時的支持インタフェース装置が、複数の一時接続装置と協働するように構成され、これにより、前記光学結像装置の組み立て中に、前記一時接続装置のうち少なくとも１つが、前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造との間の運動を少なくとも２つの自由度で制限する、請求項１〜３のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。
5. 前記第１の一時的支持インタフェース装置及び／または前記第２の一時的支持インタフェース装置のインタフェース構成要素が、前記少なくとも１つの一時接続装置と確動接続で協働するように構成され、かつ／または、
   前記第１の一時的支持インタフェース装置及び／または前記第２の一時的支持インタフェース装置のインタフェース構成要素が、前記少なくとも１つの一時接続装置と摩擦接続で協働するように構成されている、請求項１〜４のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。
6. 前記第１の一時的支持インタフェース装置及び／または前記第２の一時的支持インタフェース装置のインタフェース構成要素が、クランプ・インタフェースを形成し、
   前記クランプ・インタフェースは、前記少なくとも１つの一時接続装置とクランプ接続の形で係合するように構成されている、請求項５に記載の光学結像装置モジュール。
7. 前記光学素子副支持構造が第３インタフェース装置を有し、この第３インタフェース装置は、他の光学素子副支持構造の第４インタフェース装置と協働して、前記少なくとも１つの一時接続装置の解放後に、前記光学素子副支持構造を、前記補助副支持構造から機械的に分離された様式で支持するように構成され、かつ／または、
   前記補助副支持構造が第５インタフェース装置を有し、この第５インタフェース装置は、他の補助副支持構造の第６インタフェース装置と協働して、前記少なくとも１つの一時接続装置の解放後に、前記補助副支持構造を、前記光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持するように構成されている、請求項１〜６のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。
8. 前記補助構成要素が前記補助副支持構造によって支持され、かつ／または、
   前記補助構成要素が、前記露光プロセス中に使用される計測装置の構成要素であり、かつ／または、
   前記補助構成要素が、前記光学素子に関連する計測装置の構成要素であり、前記光学素子の状態の変化する表現を捕捉するように構成され、かつ／または、
   前記補助構成要素が、特に前記露光プロセス中に、前記光学結像装置の構成要素、特に前記光学素子の温度を調整するために使用される温度調整装置の構成要素である、請求項１〜７のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。
9. 前記光学素子が前記光学素子副支持構造によって支持され、かつ／または、
   前記光学素子が反射素子であり、かつ／または、
   前記露光光が、ＥＵＶ範囲内の波長、特に５nmから２０nmまでの範囲内の波長を有する、請求項１〜８のいずれかに記載の光学結像装置モジュール。
10. 請求項１〜９のいずれかに記載の光学結像装置モジュールを少なくとも１つ具えた光学結像装置。
11. 前記光学素子副支持構造が他の光学素子副支持構造に接続されて、当該光学素子副支持構造が、前記補助副支持構造から機械的に分離された様式で支持され、かつ／または、
    前記補助副支持構造が他の補助副支持構造に接続されて、当該補助副支持構造が前記光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持される、請求項１０に記載の光学結像装置。
12. 前記他の光学素子副支持構造及び前記他の補助副支持構造が、別個に振動絶縁された様式で、基礎支持構造上に振動絶縁の共振周波数範囲内で支持され、前記振動絶縁の共振周波数範囲は０．０５Hzから３０Hzまでの範囲、好適には０．０５Hzから８．０Hzまでの範囲、より好適には０．１Hzから１．０Hzまでの範囲、さらに好適には０．２Hzから０．６Hzまでの範囲であり、かつ／または、
    前記他の光学素子副支持構造が他の光学素子を支持するように構成され、かつ／または、
    前記他の光学素子副支持構造が、前記光学結像装置モジュールを受け入れるように構成された実質的にトレイ形の構成要素であり、かつ／または、
    前記他の光学素子副支持構造が、他の、請求項１〜９のいずれかに記載の光学結像装置モジュールの一部分である、請求項１１に記載の光学結像装置。
13. 特にマイクロリソグラフィー用の光学結像装置用の光学結像装置モジュールを支持する方法であって、
    光学素子副支持構造及び補助副支持構造を用意するステップであって、前記光学素子副支持構造は、露光プロセス中に露光光を用いてマスクのパターンを基板上に転写するように構成された前記光学結像装置の光学素子グループの一部を形成する光学素子を支持するように構成され、前記補助副支持構造は、前記露光プロセス中に、前記パターンの前記像を前記基板上に転写すること以外の前記露光プロセスの補助的機能を実行するように構成された補助構成要素を支持するように構成されているステップと、
    組み立ての第１段階において、前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造とを、少なくとも１つの一時接続装置を用いて解放可能なように接続して、前記光学素子副支持構造を介して前記補助副支持構造を一時的に支持するステップと、
    組み立ての第２段階において、前記光学素子副支持構造を他の光学素子副支持構造に接続して前記光学素子副支持構造を支持し、前記補助副支持構造を他の補助副支持構造に接続して前記補助副支持構造を支持するステップと
    組み立ての第３段階において、前記少なくとも１つの一時接続装置を解放して、前記補助構成要素を、前記補助副支持構造を介して、前記光学素子副支持構造から機械的に分離された様式で支持するステップと
    を含む方法。
14. 前記光学素子副支持構造を用意するステップが、前記光学素子副支持構造を、前記光学素子を円周方向に包囲するように構成し、これにより、前記光学素子が前記光学素子副支持構造の半径方向内側に配置されることと、前記光学素子副支持構造内に前記半径方向に延びる凹部を形成することとを含み、
    前記補助構成要素を、前記光学素子副支持構造の前記半径方向内側に配置し、これにより、前記補助副支持構造が、前記半径方向において、前記凹部の付近に配置され、かつ／または、前記凹部内に突出し、かつ／または、前記凹部の全体中に突出し、
    前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造とを、前記少なくとも１つの一時接続装置を介して、前記凹部の付近で、かつ／または、前記光学素子副支持構造の外側で一時的に接続する、請求項１３に記載の方法。
15. 前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造とを略環形かつ／または略平面形の一時接続装置を介して接続し、
    前記一時接続装置を、前記凹部の付近で、前記光学素子副支持構造及び前記補助副支持構造に一時的に接続し、かつ／または、
    前記一時接続装置を、前記略環形の一時接続装置の内周で前記補助副支持構造に接続する、請求項１４に記載の方法。
16. 前記補助副支持構造を、前記組み立ての第１段階中及び前記組み立ての第２段階中に、前記光学素子副支持構造によって静定様式で一時的に支持し、かつ／または、
    複数の一時接続装置を使用し、これにより、前記組み立ての第１段階中及び前記組み立ての第２段階中に、前記一時接続装置のうち少なくとも１つが、前記補助副支持構造と前記光学素子副支持構造との間の運動を少なくとも２つの自由度で制限する、請求項１３〜１５のいずれかに記載の方法。
17. 前記光学素子副支持構造及び／または前記補助副支持構造を、前記少なくとも１つの一時接続装置に確動接続で接続し、かつ／または、
    前記光学素子副支持構造及び／または前記補助副支持構造を前記少なくとも１つの一時接続装置に摩擦接続で接続し、かつ／または、
    前記光学素子副支持構造及び／または前記補助副支持構造を前記少なくとも１つの一時接続装置にクランプ接続で接続する、請求項１３〜１６のいずれかに記載の方法。
18. 前記補助構成要素が、前記露光プロセス中に使用される計測装置の構成要素であり、かつ／または、
    前記補助構成要素が、前記光学素子に関連する計測装置の構成要素であり、前記光学素子の状態の変化する表現を捕捉するように構成され、かつ／または、
    前記補助構成要素が、特に前記露光プロセス中に、前記光学結像装置の構成要素、特に前記光学素子の温度を調整するために使用される温度調整装置の構成要素である、請求項１３〜１７のいずれかに記載の方法。
19. 前記光学素子を前記光学素子副支持構造によって支持し、かつ／または、
    前記光学素子が反射素子であり、かつ／または、
    前記露光光が、ＥＵＶ範囲内の波長、特に５nmから２０nmまでの範囲内の波長を有する、請求項１３〜１８のいずれかに記載の方法。
20. 前記他の光学素子副支持構造及び前記他の補助副支持構造を、別個に振動絶縁された様式で、基礎支持構造上に振動絶縁の共振周波数範囲内で支持し、前記振動絶縁の共振周波数範囲は０．０５Hzから３０Hzまでの範囲、好適には０．０５Hzから８．０Hzまでの範囲、より好適には０．１Hzから１．０Hzまでの範囲、さらに好適には０．２Hzから０．６Hzまでの範囲であり、かつ／または、
    前記他の光学素子副支持構造が他の光学素子を支持し、かつ／または、
    前記他の光学素子副支持構造が、前記光学結像装置モジュールを受け入れる実質的にトレイ形の構成要素であり、かつ／または、
    前記他の光学素子副支持構造が、他の、請求項１〜９のいずれかに記載の光学結像装置モジュールの一部分である、請求項１３〜１９のいずれかに記載の方法。

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