JP2016532339A - 高電圧広帯域幅の増幅器 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 第1のゲート駆動回路によって駆動される第1の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、
第2のゲート駆動回路によって駆動される第2のMOSFETと、
前記第2のゲート駆動回路へ結合される第1の光カプラと
を有し、
前記第1のMOSFET及び前記第2のMOSFETは、第1の出力電圧を駆動する、
高電圧増幅器。 - 前記第1のMOSFET及び前記第2のMOSFETは、前記第1の出力電圧として10キロボルト(kV)まで供給するよう構成されるシリコンカーバイド(SiC)MOSFETである、
請求項1に記載の高電圧増幅器。 - エラー増幅器を更に有し、該エラー増幅器の出力は、前記第1のゲート駆動回路及び前記第1の光カプラへ結合される、
請求項1に記載の高電圧増幅器。 - 前記エラー増幅器の出力は、前記第1のMOSFETがオフであるときに前記第2のMOSFETを駆動するよう、前記第1の光カプラに、前記第2のゲート駆動回路に信号を送らせる、
請求項3に記載の高電圧増幅器。 - 前記エラー増幅器の出力は、前記第2のMOSFETがオフであるときに、前記第1のゲート駆動回路に、前記第1のMOSFETを駆動させる、
請求項3に記載の高電圧増幅器。 - 前記第1の光カプラは、1メガヘルツ(MHz)よりも大きい帯域幅を有する、
請求項1に記載の高電圧増幅器。 - 第3のゲート駆動回路によって駆動される第3のMOSFET及び第4のゲート駆動回路によって駆動される第4のMOSFETと、
前記第4のゲート駆動回路へ結合される第2の光カプラと
を更に有し、
前記第3のMOSFET及び前記第4のMOSFETは、第2の出力電圧を駆動する、
請求項1に記載の高電圧増幅器。 - 第1の側で前記第1の出力電圧を受け、該第1の側と反対にある第2の側で前記第2の出力電圧を受けるよう構成される負荷を更に有する
請求項7に記載の高電圧増幅器。 - 前記第1の出力電圧は、第1のコマンド信号に基づき制御され、前記第2の出力電圧は、第2のコマンド信号に基づき制御される、
請求項8に記載の高電圧増幅器。 - 前記第1の出力電圧及び前記第2の出力電圧は、正及び負の両方の出力電圧極性を前記負荷へ与えるよう制御される、
請求項9に記載の高電圧増幅器。 - 高電圧増幅器を組み立てる方法であって、
第1のゲート駆動回路によって駆動されるよう第1の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を配置するステップと、
第2のゲート駆動回路によって駆動されるよう第2のMOSFETを配置するステップと、
前記第2のゲート駆動回路へ結合されるよう第1の光カプラを配置するステップと
を有し、
前記第1のMOSFET及び前記第2のMOSFETは、第1の出力電圧を駆動する、
方法。 - 前記第1のゲート駆動回路及び前記第1の光カプラへエラー増幅器の出力を出力するよう該エラー増幅器を配置するステップを更に有する
請求項11に記載の方法。 - 前記エラー増幅器の出力が、前記第1のMOSFETがオフであるときに前記第2のMOSFETを駆動するように前記第2のゲート駆動回路に信号を送るよう前記第1の光カプラを制御するステップを更に有する
請求項12に記載の方法。 - 前記エラー増幅器の出力が、前記第2のMOSFETがオフであるときに前記第1のMOSFETを駆動するように前記第1のゲート駆動回路を制御するステップを更に有する
請求項12に記載の方法。 - 第3のゲート駆動回路によって駆動されるよう第3のMOSFETを配置するステップと、
第4のゲート駆動回路によって駆動されるよう第4のMOSFETを配置するステップと、
前記第4のゲート駆動回路へ結合されるよう第2の光カプラを配置するステップと
を有し、
前記第3のMOSFET及び前記第4のMOSFETは、第2の出力電圧を駆動する、
請求項11に記載の方法。 - 第1の側で前記第1の出力電圧を受け、該第1の側と反対にある第2の側で前記第2の出力電圧を受けるよう負荷を配置するステップを更に有する
請求項15に記載の方法。 - 第1のコマンド信号に基づき前記第1のゲート駆動回路及び前記第1の光カプラを制御し、第2のコマンド信号に基づき前記第3のゲート駆動回路及び前記第2の光カプラを制御するステップを更に有する
請求項16に記載の方法。 - 前記第1のゲート駆動回路及び前記第1の光カプラを制御し、前記第3のゲート駆動回路及び前記第2の光カプラを制御するステップは、正及び負の両方の出力電圧極性を前記負荷へ与える、
請求項17に記載の方法。 - 高電圧増幅器の作動方法であって、
第1のゲート駆動回路により第1の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を駆動するステップと、
第2のゲート駆動回路により第2のMOSFETを駆動するステップと、
前記第2のゲート駆動回路へ結合される第1の光カプラを結合するステップと、
前記第1のMOSFET及び前記第2のMOSFETにより第1の出力電圧を駆動するステップと
を有する作動方法。 - 前記第1のMOSFETがオフであるときに前記第2のMOSFETを駆動するように前記第2のゲート駆動回路に信号を送るよう前記第1の光カプラを制御し、前記第2のMOSFETがオフであるときに前記第1のMOSFETを駆動するよう前記第1のゲート駆動回路を制御するステップを更に有する
請求項19に記載の作動方法。
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