JP2008236515A - 高周波増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波増幅器は、電界効果型トランジスタからなる増幅素子および上記電界効果型トランジスタに定電圧を供給するカレントミラー形バイアス回路を有する高周波増幅器において、上記増幅素子と並列に接続され電界効果型トランジスタからなる入力電力検波素子と、上記入力電力検波素子のドレイン電流を基準電流とするカレントミラー回路と、を有し、上記カレントミラー回路の出力電流を上記カレントミラー形バイアス回路の基準電流とする。
【選択図】図1
Description
ベースバイアス回路の電源供給端子より電圧VPCが印加された場合のカレントミラー回路の基準電流Irefは、PNPバイポーラトランジスタのコレクタ−エミッタ間電圧をVCE_pnpとすると式(1)で与えられる。この基準電流に対して高周波増幅器のコレクタ電流ICEは式(2)で表される。但し、Nは高周波増幅器のサイズ、βは高周波増幅器の電流増幅率である。その際、ベースバイアス電圧Vbとベース電流Ibeはそれぞれ式(3)、式(4)で表される。但し、Rrefはカレントミラー回路の基準抵抗である。
このようにして、ベースバイアス回路の出力としてベースバイアス電圧Vbとベース電流Ibeを供給する。
図1は、この発明に係る実施の形態1による高周波増幅器の回路図である。
この発明に係る実施の形態1による高周波増幅器は、高周波入力端子1、直列電流阻止容量2、4、高周波増幅素子としての第1のFET3、高周波出力端子5、第1のFET3と並列接続される入力電力検波素子としての第2のFET12、第1のFET3とカレントミラーを構成する第3のFET7、p型カレントミラー回路8を構成する第4のFET9および第5のFET10、直流電源11を有する。
p型カレントミラー回路8は、第2のFET12のドレイン電流を基準電流とする。
p型カレントミラー回路8および第1のFET3とカレントミラーを構成する第3のFET7により、第1のFET3および第2のFET12のバイアス回路6を構成する。
この発明に係る実施の形態1による高周波増幅器において、高周波入力端子1から入力された高周波信号は第1のFET3に入力され増幅された後、高周波出力端子5から出力される。第1のFET3および第2のFET12のゲート電圧は、バイアス回路6から供給され、ドレイン電圧は直流電源11から供給される。バイアス回路6の基準電流は、p型カレントミラー回路8の出力電流である。
なお、効率を劣化させることなく動作させるために、第2のFET12は第1のFET3と比べて十分小さくすることが望ましい。
図2は、この発明に係る実施の形態2による高周波増幅器の回路図である。
この発明に係る実施の形態2による高周波増幅器は、高周波入力端子1、直列電流阻止容量2、4、高周波増幅素子としての第1のFET3、高周波出力端子5、第1のFET3と並列接続される入力電力検波素子としての第2のFET12、第1のFET3とカレントミラーを構成する第3のFET7、p型カレントミラー回路8を構成する第4のFET9および第5のFET10、直流電源11、第3のFET7にドレイン電流を供給する電流源22を有する。
p型カレントミラー回路8、第1のFET3とカレントミラーを構成する第3のFET7および電流源22により、第1のFET3および第2のFET12のバイアス回路21を構成する。
この発明に係る実施の形態2による高周波増幅器においては、高周波入力端子1から入力された高周波信号は第1のFET3に入力され増幅された後、高周波出力端子5から出力される。第1のFET3および第2のFET12のゲート電圧は、バイアス回路21から供給され、ドレイン電圧は直流電源11から供給される。バイアス回路21の基準電流は、p型カレントミラー回路8の出力電流と電流源22から供給される。
図3は、この発明に係る実施の形態3による高周波増幅器の回路図である。
この発明に係る実施の形態3による高周波増幅器は、多段に接続された複数の増幅器から構成されている。図3には、この発明に係る実施の形態3による高周波増幅器の最前段の増幅器と最終段の増幅器とを図示している。
p型カレントミラー回路70、第1のFET63とカレントミラーを構成する第2のFET69および電流源73により、第1のFET63のバイアス回路68を構成する。
p型カレントミラー回路77、第5のFET65とカレントミラーを構成する第7のFET76および電流源80により、第5のFET65および第6のFET82のバイアス回路75を構成する。
この発明に係る実施の形態3による高周波増幅器において、高周波入力端子61から入力された高周波信号は第1のFET63に入力され増幅された後、第5のFET65に入力され増幅され、高周波出力端子67から出力される。第5のFET65および第6のFET82のゲート電圧は、バイアス回路75から供給され、ドレイン電圧は直流電源81から供給される。第1のFET63のゲート電圧は、バイアス回路68から供給され、ドレイン電圧は直流電源74から供給される。バイアス回路68の基準電流は、p型カレントミラー回路70の出力電流と電流源73から供給される。バイアス回路75の基準電流は、p型カレントミラー回路77の出力電流と電流源80から供給される。
なお、電流源80を省略してもよい。また、電流源80を設けた場合、抵抗と直流電源から構成しても良いし、定電流バイアス回路を用いても良い。
図4は、この発明に係る実施の形態4による高周波増幅器の回路図である。
この発明に係る実施の形態4による高周波増幅器は、高周波入力端子1、直列電流阻止容量2、4、1段カスコード接続された2つの高周波増幅素子としての第1のFET3および第6のFET31、高周波出力端子5、第1のFET3と並列接続される入力電力検波素子としての第2のFET12、第1のFET3および第6のFET31とそれぞれカレントミラーを構成する第3のFET7および第7のFET32、p型カレントミラー回路8を構成する第4のFET9および第5のFET10、直流電源11を有する。
p型カレントミラー回路8、第1のFET3とカレントミラーを構成する第3のFET7および第6のFET31とカレントミラーを構成する第7のFET32により、第1のFET3および第6のFET31のバイアス回路33が構成される。
この発明に係る実施の形態4による高周波増幅器において、高周波入力端子1から入力された高周波信号は、カスコード接続された第1のFET3および第6のFET31に入力され増幅された後、高周波出力端子5から出力される。第1のFET3、第2のFET12および第6のFET31のゲート電圧はバイアス回路33から供給され、ドレイン電圧は直流電源11から供給される。バイアス回路33の基準電流は、p型カレントミラー回路8の出力電流から供給される。
図5は、この発明に係る実施の形態5による高周波増幅器の回路図である。
この発明に係る実施の形態5による高周波増幅器は、高周波入力端子1、直列電流阻止容量2、4、2段カスコード接続された3つの高周波増幅素子としての第1のFET3、第6のFET31および第8のFET51、高周波出力端子5、第1のFET3と並列接続される入力電力検波素子としての第2のFET12、第1のFET3および第6のFET31とそれぞれカレントミラーを構成する第3のFET7および第7のFET32、p型カレントミラー回路8を構成する第4のFET9および第5のFET10、直流電源11、第8のFET51のバイアス回路52を有する。
p型カレントミラー回路8、第1のFET3とカレントミラーを構成する第3のFET7および第6のFET31とカレントミラーを構成する第7のFET32により、第1のFET3、第2のFET12および第6のFET31のバイアス回路53が構成される。
この発明に係る実施の形態5による高周波増幅器において、高周波入力端子1から入力された高周波信号はカスコード接続された第8のFET51、第1のFET3および第6のFET31に入力され増幅された後、高周波出力端子5から出力される。第1のFET3、第2のFET12および第6のFET31のゲート電圧は、バイアス回路53から供給され、ドレイン電圧は直流電源11から供給される。バイアス回路53の基準電流は、p型カレントミラー回路8の出力電流から供給される。
Claims (4)
- 電界効果型トランジスタからなる増幅素子および上記電界効果型トランジスタに定電圧を供給するカレントミラー形バイアス回路を有する高周波増幅器において、
上記増幅素子と並列に接続され電界効果型トランジスタからなる入力電力検波素子と、 上記入力電力検波素子のドレイン電流を基準電流とするカレントミラー回路と、
を有し、
上記カレントミラー回路の出力電流を上記カレントミラー形バイアス回路の基準電流とすることを特徴とする高周波増幅器。 - 電流源を有し、
上記カレントミラー回路の出力電流と上記電流源からの電流とを上記カレントミラー形バイアス回路の基準電流とすることを特徴とする請求項1に記載の高周波増幅器。 - 電界効果型トランジスタからなる増幅素子および上記電界効果型トランジスタに定電圧を供給するカレントミラー形バイアス回路を有する複数の増幅器が多段に接続される高周波増幅器において、
最終段の上記増幅器の増幅素子と並列に接続され電界効果型トランジスタからなる入力電力検波素子と、
上記入力電力検波素子のドレイン電流を基準電流とするカレントミラー回路と、
を有し、
上記カレントミラー回路の出力電流を上記最終段の増幅器を含む複数の増幅器のカレントミラー形バイアス回路の基準電流とすることを特徴とする高周波増幅器。 - 上記増幅素子は、カスコード接続される電界効果型トランジスタであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の高周波増幅器。
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