JP2016532318A - 機械的に変形された金属粒子 - Google Patents

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Abstract

太陽電池は基板、及び基板内又はその上方に配置される半導体領域を含み得る。太陽電池はまた、半導体領域上に配置された導電性コンタクトを含み、導電性コンタクトは、機械的に変形された導電性粒子を含み得る。太陽電池を製造する方法は、金属粒子を堆積させる工程と、金属粒子を機械的に変形させる工程とを含み得る。方法はまた、太陽電池のために、機械的に変形された金属粒子を含む、導電性コンタクトを形成する工程を含み得る。

Description

太陽電池として公知の光起電力電池は、太陽放射を電気エネルギーに直接変換させるための周知の装置である。一般に、太陽電池は、半導体処理技術を使用して半導体ウエハ上又は基板上に作製され、基板の表面近くにｐ−ｎ接合が形成される。基板の表面に衝突し、これに入射する太陽放射は、基板のバルク内に電子−正孔対を生じる。電子−正孔対は、基板内のｐドープ領域及びｎドープ領域に移動し、これによって、ドープ領域の間に電位差を発生させる。ドープ領域は、太陽電池の導電性領域に接続され、電流を太陽電池からそれと連結された外部回路へと方向付ける。
効率性は、太陽電池の発電能力に直接関係するために、太陽電池の重要な特性である。同様に、太陽電池を生産する上での効率は、このような太陽電池の費用効果に直接関係する。したがって、太陽電池の効率を向上させるための技術、又は太陽電池の製造における効率を向上させるための技術が、一般的に望ましい。本開示のいくつかの実施形態は、太陽電池構造体を製造するための新規なプロセスを提供することによって、太陽電池の製造効率の向上を可能にする。本開示のいくつかの実施形態は、新規な太陽電池構造体を提供することによって、太陽電池の効率向上を可能にしている。
いくつかの実施形態により、基板の上に形成されたエミッタ領域上に形成される、導電性コンタクトを有する代表的な太陽電池の一部の断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、基板内に形成されたエミッタ領域上に形成される、導電性コンタクトを有する代表的な太陽電池の一部の断面図を例示する。
いくつかの実施形態により、基板の上に形成されたエミッタ領域上に形成される、導電性コンタクトを有する代表的な太陽電池の一部の断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、基板内に形成されたエミッタ領域上に形成される、導電性コンタクトを有する代表的な太陽電池の一部の断面図を例示する。
いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。 いくつかの実施形態により、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図を例示する。
いくつかの実施形態による、導電性コンタクトの断面図の顕微鏡図を例示する。 いくつかの実施形態による、導電性コンタクトの断面図の顕微鏡図を例示する。 いくつかの実施形態による、導電性コンタクトの断面図の顕微鏡図を例示する。 いくつかの実施形態による、導電性コンタクトの断面図の顕微鏡図を例示する。 いくつかの実施形態による、導電性コンタクトの断面図の顕微鏡図を例示する。
一実施形態による、導電性コンタクトを形成する代表的な方法を例示するフローチャートである。
いくつかの実施形態による、導電性コンタクトの線抵抗を例示する代表的なチャートを例示する。
様々な実施形態による、金属粒子のひっかき試験の結果を例示する。
以下の発明を実施するための形態は、本質的には、単なる例示に過ぎず、本出願の主題の実施形態、あるいは、そのような実施形態の使用を限定することを意図するものではない。本明細書で使用するとき、「例示的」という語は、「実施例、実例、又は例示としての役割を果たすこと」を意味する。本明細書で例示的として説明される任意の実装は、必ずしも、他の実装よりも好ましいか又は有利であるとして解釈されるべきではない。更には、前述の技術分野、背景技術、概要、又は以下の発明を実施するための形態で提示される、明示又は暗示されるいずれの理論によっても、拘束されることを意図するものではない。
本明細書は、「一実施形態」又は「実施形態」への言及を含む。「一実施形態では」又は「実施形態では」という語句の出現は、必ずしも、同じ実施形態を指すものではない。特定の機構、構造、又は特性を、本開示と矛盾しない任意の好適な方式で組み合わせることができる。
用語法−以下のパラグラフは、本開示（添付の特許請求の範囲を含む）で見出される用語に関する、定義及び／又はコンテキストを提供する。
「備える」−この用語は、オープンエンド型である。添付の特許請求の範囲で使用されるとき、この用語は、更なる構造又は工程を排除するものではない。
「〜ように構成された」−様々なユニット又は構成要素は、１つ又は複数のタスクを実行する「ように構成された」として、説明又は特許請求される場合がある。そのようなコンテキストでは、「〜ように構成された」は、それらのユニット／構成要素が、動作中にそれらの１つ又は複数のタスクを実行する構造を含むことを示すことによって、その構造を含意するために使用される。それゆえ、それらのユニット／構成要素は、指定のユニット／構成要素が現時点で動作可能ではない（例えば、オン／アクティブではない）場合であっても、そのタスクを実行するように構成されていると言うことができる。ユニット／回路／構成要素が、１または複数のタスクを実行する「ように構成された」と記載することは、そのユニット／構成要素に関して、米国特許法第１１２条第６項が適用されないことを、明示的に意図するものである。
「第１の」、「第２の」など−本明細書で使用するとき、これらの用語は、それらが前に置かれる名詞に関する指標として使用されるものであり、いずれのタイプの（例えば、空間的、時間的、論理的などの）順序付けも暗示するものではない。例えば、太陽電池の「第１」導電性部分への言及は、必ずしも、この導電性部分が順序において第１導電性部分であることを意味するわけではなく、用語「第１」は、この導電性部分を別の導電性部分（例えば、「第２」導電性部分）から区別するために使用される。
「基づく」−本明細書で使用するとき、この用語は、決定に影響を及ぼす、１または複数の因子を説明するために使用される。この用語は、決定に影響を及ぼし得る、更なる因子を排除するものではない。すなわち、決定は、単にそれらの因子のみに基づく場合もあり、又は、それらの因子に少なくとも部分的に基づく場合もある。「Ｂに基づいてＡを決定する」という語句を考察する。Ｂは、Ａの決定に影響を及ぼす因子とすることができるが、そのような語句は、Ａの決定がＣにもまた基づくものであることを排除するものではない。他の場合には、単にＢのみに基づいて、Ａを決定することができる。
「連結された」−以下の説明は、素子又はノード又は機構が一体に「連結された」ことについて言及する。本明細書で使用するとき、明示的に別段の定めがある場合を除き、「連結された」とは、１つの素子／ノード／機構が、別の素子／ノード／機構に、直接的又は間接的に連結される（又は、直接的若しくは間接的に連通する）ことを意味するものであり、これは、必ずしも機械的なものではない。
更には、特定の用語法もまた、参照のみを目的として、以下の説明で使用される場合があり、それゆえ、それらの用語法は、限定的であることを意図するものではない。例えば、「上側」、「下側」、「上方」、及び「下方」などの用語は、参照される図面内での方向を指す。「前部」、「後方」、「後部」、「側部」、「外側」、及び「内側」などの用語は、論考中の構成要素を説明するテキスト及び関連図面を参照することによって明確にされる、一貫性はあるが任意の基準系の範囲内での、構成要素の諸部分の向き及び／又は位置を説明するものである。そのような用語法は、具体的に上述された語、それらの派生語、及び類似の意味の語を含み得る。
本明細書において記載される実施例の多くは、バックコンタクト型太陽電池であるが、技術及び構造は、他の（例えば、フロントコンタクト）太陽電池にも同等に適用される。更に、本開示の大部分は、理解を容易にするために太陽電池に関して記載されるが、開示される技術及び構造は、他の半導体構造（例えば、一般的に、シリコンウエハ）にも同等に適用される。
太陽電池導電性コンタクト、及び太陽電池導電性コンタクトの形成方法が本明細書において記載される。以下の説明では、本開示の実施形態の完全な理解を提供するために、特定のプロセスフロー操作などの多数の具体的詳細が記載される。これらの具体的な詳細なしに、本開示の実施形態を実践することができる点が、当業者には明らかとなるであろう。他の場合には、本開示の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、リソグラフィ及びパターニング技術などの、周知の製造技術は詳細に説明されない。更に、図に示された様々な実施形態は、例示的な表示であって、必ずしも原寸に比例して描写されたものではないことを理解されたい。
本明細書はまず、開示される導電性コンタクトを含み得る、代表的な太陽電池を記載し、その後導電性コンタクト構造の様々な実施形態のより詳細な説明が行われる。本明細書は次に、開示される導電性コンタクトを形成する代表的な方法の記載を含む。様々な実施例が、全体を通じて提示される。
第１の代表的な太陽電池において、金属粒子（例えば、金属ペースト、金属粉末などからの）が、太陽電池の基板の上方に形成されるエミッタ領域を有する太陽電池のための、裏面コンタクトなどのコンタクトを作製するために、使用される。例えば、図１Ａは、本開示の実施形態により、基板の上方に形成されるエミッタ領域上に形成される導電性コンタクトを有する太陽電池の一部の断面図を例示する。
図１Ａを参照し、太陽電池１００Ａの一部は、複数のｎ型ドープポリシリコン領域２２０、複数のｐ型ドープポリシリコン領域２２２の上方、及びトレンチ２１６により露出される基板２００の複数の部分上に配置されたパターン化された誘電体層２２４を含む。導電性コンタクト２２８は、誘電体層２２４内に配置された複数のコンタクト開口部内に配置され、複数のｎ型ドープポリシリコン領域２２０、及び複数のｐ型ドープポリシリコン領域２２２に連結される。
一実施形態において、複数のｎ型ドープポリシリコン領域２２０、及び複数のｐ型ドープポリシリコン領域２２２は、太陽電池１００Ａのエミッタ領域をもたらし得る。したがって、一実施形態において、導電性コンタクト２２８は、エミッタ領域上に配置される。一実施形態において、導電性コンタクト２２８は、バックコンタクト型太陽電池のためのバックコンタクトであり、太陽電池１００Ａの、受光面と反対側（図１Ａにおいて２０１として提示される方向）の、太陽電池の表面上に位置する。更に、一実施形態において、エミッタ領域は、薄い、又はトンネル誘電体層２０２上に形成される。
いくつかの実施形態において、図１Ａに示されるように、バックコンタクト型太陽電池を製造する工程は、基板上に薄い誘電体層を形成する工程を含み得る。一実施形態において、薄い誘電体層は、二酸化ケイ素からなり、およそ５〜５０オングストロームの範囲の厚さを有する。一実施形態では、薄い誘電体層は、トンネル酸化物層として機能する。一実施形態において、基板は、ｎ型ドープ単結晶シリコン基板など、バルク単結晶シリコン基板である。しかしながら、別の実施形態では、基板は、太陽電池基板全体に配置されたポリ結晶シリコン層を含む。
トレンチ２１６は、ｎ型ドープポリシリコン領域２２０と、ｐ型ドープポリシリコン領域２２２との間に形成され得る。トレンチ２１６の複数の部分が粗面化の特徴を有するべく、粗面化されてもよい。誘電体層２２４は、複数のｎ型ドープポリシリコン領域２２０、複数のｐ型ドープポリシリコン領域２２２、及びトレンチ２１６により露出される基板２００の複数の部分の上方に形成され得る。一実施形態では、誘電体層２２４の下部表面は、複数のｎ型ドープポリシリコン領域２２０、複数のｐ型ドープポリシリコン領域２２２、及び基板２００の複数の露出部分と共形して形成され得るが、一方誘電体層２２４の上部表面は、実質的に平坦である。１つの特定の実施形態では、誘電体層２２４は、反射防止コーティング（ＡＲＣ）層である。
複数のコンタクト開口部が、誘電体層２２４に形成され得る。複数のコンタクト開口部は、複数のｎ型ドープポリシリコン領域２２０、及び複数のｐ型ドープポリシリコン領域２２２への露出をもたらし得る。一実施形態において、複数のコンタクト開口部は、レーザーアブレーションで形成される。一実施形態では、ｎ型ドープポリシリコン領域２２０に達するコンタクト開口部は、ｐ型ドープポリシリコン領域２２２に達するコンタクト開口部と実質的に同じ高さを有する。
バックコンタクト型太陽電池のコンタクトの形成は、複数のコンタクト開口部２２６内にあり、複数のｎ型ドープポリシリコン領域２２０に連結され、複数のｐ型ドープポリシリコン領域２２２に連結された、導電性コンタクト２２８を形成することを含み得る。したがって、一実施形態において、導電性コンタクト２２８は、バルクＮ型シリコン基板２００の受光面２０１と反対側の、バルクＮ型シリコン基板２００の表面上、又は表面の上方に形成される。特定の実施形態において、導電性コンタクトは、基板２００の表面の上方の領域（２２２／２２０）上に形成される。
更に図１Ａを参照し、導電性コンタクト２２８は、機械的に変形された金属粒子１３０の導電性層を含み得る。一実施形態において、本明細書において「変形された」とは、金属粒子が、塑性変形する点まで互いに機械的に押圧されたことを記載するために、使用され得る。いくつかの実施形態において、図１Ａに示されるように、導電性コンタクト２２８はまた、例えば、ニッケル（Ｎｉ）層１３２、及び銅（Ｃｕ）層１３４などの、追加的な金属層を含み得る。いくつかの実施形態において、変形された金属粒子１３０は、太陽電池１００Ａのエミッタ領域と接触していることがある。いくつかの実施形態において、金属層（例えば、アルミニウム）は、第１層として太陽電池上にスパッタリング又は蒸着により堆積され、その後金属粒子が、既存の金属層へと押圧される。
いくつかの実施形態において、変形された金属粒子１３０は、純粋なＡｌ粒子としてか、又は合金粒子（例えば、Ａｌ／シリコン（Ａｌ／Ｓｉ）合金粒子）としてかを問わず、アルミニウム（Ａｌ）粒子を含み得る。一実施形態において、変形された金属粒子１３０はまた、非Ａｌ金属粒子を含んでもよい。このような非Ａｌ粒子は、Ａｌ粒子と組み合わせて、又はこれに替えて使用することができる。例えば、一実施形態において、変形された金属粒子１３０は、変形されたＡｌ粒子のみを含み、別の実施形態においては、変形された金属粒子１３０は、変形されたＡｌ粒子及び変形されたＣｕ粒子（例えば、はんだ付適性のため）を含む。本開示の大部分は金属粒子を記載するが、いくつかの実施形態においては、非金属導電性粒子（例えば、導電性カーボン）が、金属粒子に加えて、又はこれに替えて同様に使用され得ることに留意されたい。本明細書において記載されるように、金属粒子はとりわけ、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ合金、すず、銅、及び／又は銀を含み得る。
様々な実施形態において、変形された金属粒子１３０は、金属ペースト（例えば、金属粒子、並びにペーストを印刷可能とするための結合剤を含む、ペースト）、金属粉末（例えば、結合剤を含まない金属粒子、Ａｌ粒子の粉末、Ａｌ粒子の層、及びＣｕ粒子の層）、又は金属ペースト及び金属粉末の組み合わせから変形される粒子であり得る。金属ペーストを使用する一実施形態において、ペーストは、ペーストを基板上に印刷する（例えば、スクリーン印刷、インクジェット印刷など）ことによって塗布され得る。ペーストは、ペーストの供給を容易にするために溶媒を含んでもよく、また結合剤又はガラスフリットなどの他の要素を含んでもよい。
変形される前の金属粒子の実施例は、金属ペーストの形態で、図５Ａに示されている。図示されるように、粒子の間に空隙が存在する。図５Ｂは、変形された金属粒子を例示する。変形された粒子は、接触抵抗を低減し、導電性コンタクトの導電性を改善し、結果として太陽電池の性能を改善することができる。更に、変形された粒子は、粒子の凝集、及び粒子の太陽電池への接着を向上させることができる。更に、Ａｌ粒子が使用される実施形態において、Ａｌ粒子の変形は、Ａｌ粒子の周囲の酸化物シェルを破壊し、変形されたＡｌ粒子の導電性を更に向上させることができる。粒子が変形されるとき、粒子間の接触面積が増加し、したがって、焼結中に原子の相互拡散を補助し、これは最終的に、粒子の導電性及び凝集を改善する。図５Ｃ〜５Ｅは、変形された金属粒子を備える金属コンタクトの断面の様々な例を例示する。図５Ｃ〜５Ｅの実施例内の変形された粒子の結合はしたがって、導電性コンタクトの性能を改善させることに留意されたい。
様々な実施形態において、金属粒子は、およそ１〜５００マイクロメートルの厚さを有し得る。例えば、金属粒子が印刷される実施形態において、印刷された金属粒子は、およそ１〜１０マイクロメートルの厚さを有し得る。金属粒子が金属粉末として堆積される実施形態において、金属粒子層は、およそ１〜５００マイクロメートル（例えば、８０マイクロメートルなど）の厚さを有し得る。金属粉末の実施形態において、変形された金属粒子層は、追加の金属（例えば、図１Ａに示されるようなＮｉ層１３２、及び／又はＣｕ層１３４）のめっきが必要とされ得ないように十分な厚さを有し得る。変形された金属粒子１３０上に追加的なめっきされた金属を含まない、代表的な導電性コンタクトが、図１Ｃ及び１Ｄに示される。
コンテキストを提示するため、太陽電池金属化のための、以降の金属めっき工程のため、低費用のシードとして、印刷されたペースト又は堆積された粉末が使用され得るか、又は以降の金属めっき工程を必要としないように十分な導電性がもたらされる。例えば、金属粒子が後にパターンを形成するためにマスクされエッチングされなくてもよいように、金属粒子（例えば、ペースト又は粉末）は、あるパターン（例えば、太陽電池のフィンガー又はコンタクト領域と一致する既定のパターン）で適用される。したがって、印刷されたシードペースト、又は堆積された粉末は、スパッタリングした金属よりもスループットが高く、低費用な技術をもたらし得る。
様々な実施形態において、金属粒子は（金属粒子が変形される前、及び／又は後に）、焼成（焼結とも称される）されて、金属粒子を一緒に結合してもよく、これは導電性を向上させ得て、かつ線抵抗を低減させることにより、太陽電池の性能を改善する。一定量の粒子の結合がまた、粒子の変形プロセスにおいて生じ得ることに留意されたい。本明細書において記載されるように、開示される構造及び技術は、太陽電池の導電性コンタクトの電気特性を改善し、及び／又はコストを低減することができる。
様々な実施形態において、Ｎｉ層１３２及びＣｕ層１３４は、無電解めっき又は電解めっき技術に従ってめっきされ得る。他の実施形態において、他の堆積技術を使用して、ニッケル及び／又は銅をそれぞれ堆積してもよい。
ここで図１Ｂを参照し、一実施形態により、基板内に形成されたエミッタ領域上に形成される、導電性コンタクトを有する代表的な太陽電池の一部の断面図を例示する。例えば、この第２の代表的な電池において、金属粒子は、太陽電池の基板内に形成されたエミッタ領域を有する太陽電池のための、裏面コンタクトなどのコンタクトを作製するために使用され得る。
図１Ｂに示されるように、太陽電池１００Ｂの一部は、複数のｎ型ドープ拡散領域１２０、複数のｐ型ドープ拡散領域１２２の上方、及びバルク結晶シリコン基板などの基板１００の複数の部分上に配置されたパターン化された誘電体層１２４を含む。導電性コンタクト１２８は、誘電体層１２４内に配置される複数のコンタクト開口部内に配置され、複数のｎ型ドープ拡散領域１２０、及び複数のｐ型ドープ拡散領域１２２に連結されている。一実施形態において、拡散領域１２０及び１２２は、ｎ型ドーパント及びｐ型ドーパントをそれぞれ備えるシリコン基板のドープ領域により形成される。更に、複数のｎ型ドープ拡散領域１２０、及び複数のｐ型ドープ拡散領域１２２は、一実施形態において、太陽電池１００Ｂのエミッタ領域をもたらす。したがって、一実施形態において、導電性コンタクト１２８は、エミッタ領域上に配置される。一実施形態において、導電性コンタクト１２８は、バックコンタクト型太陽電池のためのバックコンタクトであり、図１Ｂにおいて示されるような、粗面化受光面１０１の反対側などの、受光面の反対側の、太陽電池の表面上に位置する。
一実施形態において、図１Ｂを再び参照し、図１Ａのものと同様に、導電性コンタクト１２８は、変形された金属粒子１３０の導電性層を含む場合があり、いくつかの実施形態において、ニッケル（Ｎｉ）層１３２、及び銅（Ｃｕ）層１３４を含む場合もある。本明細書において記載されるように、金属粒子１３０は、金属ペースト又は金属粉末の形態でシリコン基板上に堆積され、変形され得る。
ここで図１Ｃを参照し、例示される太陽電池は、図１Ａの太陽電池と同じ特徴を含むが、ただし、図１Ｃの代表的な太陽電池は、追加的なめっきされた金属（例えば、Ｎｉ及びＣｕ層）を含まない。代わりに、変形された金属粒子１３０は、電池に十分な導電性を提供するのに十分な厚さ（例えば、およそ８０マイクロメートル）であり、追加的なめっきされた金属なしに、導電性コンタクト２２８として動作し得る。変形された金属粒子は、追加的なめっきされた金属を含み得ないが、変形された金属粒子１３０は、変形された金属粒子の複数の層を含み得ることに留意されたい。例えば、本明細書において記載されるように、変形された金属粒子１３０は、基板に最も近い変形された金属粒子（例えば、Ａｌ粒子）の第１層、及び変形された金属粒子（例えば、Ｃｕ粒子、すず粒子など）の第２層を含むことがある。２つの異なる種類の変形された金属粒子の使用は、基板に対して接着し伝導するのにより適した第１の金属種類、及び（例えば、複数の太陽電池を相互接続させるべく）はんだ付けするのにより適した第２金属種の使用を可能にし得る。
ここで図１Ｄを参照し、例示される太陽電池は、図１Ｂの太陽電池と同じ特徴を含むがただし、図１Ｄの代表的な太陽電池は、追加的なめっきされた金属（例えば、Ｎｉ及びＣｕ層）を含まない。また図１Ｃの代表的な太陽電池と同様に、図１Ｄの太陽電池は、追加的なめっきされた金属を必要とせずに、導電性コンタクト２２８として十分な厚さの変形された金属粒子１３０を含む場合がある。
特定の材料が本明細書において記載されるが、いくつかの材料は他のものと容易に置換することができ、そのような実施形態は、依然として本開示の実施形態の趣旨及び範囲内にある。例えば、一実施形態では、グループＩＩＩ−Ｖ材料基板などの異なる材料基板がシリコン基板の代わりに使用され得る。別の実施例として、一実施形態において、銀（Ａｇ）粒子、導電性カーボン、すずなどが、Ａｌ粒子に加えて、又はこれに替えて、金属粒子として使用され得る。別の実施形態において、めっきされた、又は同様に堆積されたコバルト（Ｃｏ）、又はタングステン（Ｗ）を、上記のＮｉ層の代わりに、又はこれに加えて使用することができる。Ｎｉ層を備える場合におけるように、Ｃｏ又はＷが焼成されて、第１導電性部分を生じてもよい。
様々な実施形態において、形成されたコンタクトは、図１Ｂ及び１Ｄに記載されたように、バルク基板上に直接形成される必要はないことに留意されたい。例えば、一実施形態において、図１Ａ及び１Ｃに記載されたように、上記に記載されるもののような導電性コンタクトが、バルク基板の上方に（例えば、裏面に）形成された半導体領域上に形成される。
ここで図２Ａ〜２Ｄを参照して、導電性コンタクトを形成する代表的なシーケンスの断面図が示される。図２Ａに示されるように、金属粒子１３０が、基板２５０上に堆積され得る。例示される実施例において、金属粒子１３０は、Ａｌ粒子を含むペーストなどの金属ペーストである。他の実施例において、ペーストは、Ａｌ粒子の代わりに、又はこれに加えて他の導電性粒子（非金属導電性粒子を含む）、並びに結合剤などの他の物質を含む場合がある。ペーストは、太陽電池のフィンガーのパターンなどの、既定のパターンで印刷され得る（又は別の方法で堆積される）。
図２Ａにも示されるように、金属粒子の堆積及び圧縮のために、基板２５０の支持をもたらすために、基板はプラテン２７０（例えば、鋼製支持体）上に配置されてもよい。例示される実施形態において、フィルム２６０は、太陽電池の前面の角錐を保護するために、基板２５０とプラテン２７０との間に配置されてもよい。フィルム２６０は、圧縮中にウエハの屈曲を防ぐべく十分に薄いが、角錐を支持するのに十分な密度であり得る。代表的なフィルムは、ポリエチレン及び同様のフィルムを含む。フィルム２６０の小さい部分は、角錐のいくつかの中に埋め込まれてもよいが、太陽電池の光学に有意に影響を与えないことがあることに留意されたい。
図２Ｂにおいて矢印で示されるように、金属粒子１３０は、プラテン２７０とプラテン２７２との間で金属粒子を圧縮することによって変形され得て、変形された金属粒子を生じる。様々な実施形態において、上部、底部、又は両方から、圧力が加えられ得ることに留意されたい。図２Ｂの実施例において、プラテンの間の圧縮によって変形が生じるが、金属粒子を変形させるための他の技術が適用されてもよい。例えば、基板、フィルム、及び金属粒子をローラーの下に通して粒子を圧縮することによって金属粒子が変形されてもよい。別の実施例において、金属粒子は例えば、硬質表面を金属粒子の表面へと押し付け、金属粒子の表面を横断して引きずることによって、金属粒子をバニシングすることによって変形させることができる。
一実施形態において、プラテン、ローラー、又はバニシングツールの１または複数を、例えば、およそ３００〜４００℃で加熱してもよく、これによって粒子は機械的に変形させる際に加熱及び軟化させられ得る。
図２Ｃに示されるように、上部プラテンが取り除かれてもよく、結果的に金属粒子が変形されて、印刷されたパターンとして残る。粒子の変形により、粒子を互いに、かつ基板により良好に接着させ、線抵抗を低減し、これにより、導電性及び太陽電池の性能を向上させることがある。上記のように、金属ペーストが印刷される際に、変形された金属粒子はフィンガーパターンで残り、よって以降のパターン化及びエッチングが不必要となる。
図２Ｄは、例えば、５００℃の温度で粒子を焼成することによる、金属粒子の更なる結合（矩形の金属粒子１３０により示される）を例示している。焼成の温度、圧力、及び／又は持続時間は、下部にある金属粒子の種類に依存し得ることに留意されたい。例えば、Ａｌ粒子に関して、温度は、Ａｌと基板のシリコンの合金化を防ぐために、共晶温度（５７７℃）未満であってもよい。例えば、Ａｌのアニール／焼成温度は、Ｃｕのアニール／焼成温度とは異なる温度であってもよい。
図２Ａ〜２Ｄの実施例は、圧縮後の金属粒子の焼成を例示しているが、他の実施例において、金属粒子は粒子の圧縮前に焼成されてもよい。更にいくつかの実施形態において、金属粒子を更に結合させるために、複数の焼成及び複数の圧縮が行われてもよい。
図３Ａ〜３Ｄは、導電性コンタクトを形成する別の代表的なシーケンスの断面図を例示している。図３Ａに示されるように、金属粒子１３０は、金属粉末の層の形態で基板２５０に付着される。図２Ａ〜２Ｄと対照的に、図３Ａにおける上部プラテンは、パターン付きダイ３１０に示されるように、パターン化される。例えば、パターン付きダイ３１０は、フィンガーパターンでパターン化されてもよい。パターン付きダイ、下方プラテン、又はその両方によって、図３Ｂの矢印に示されるように圧力が加えられると、パターン付きダイのパターン付き部分は、パターン付き部分と基板との間に位置付けられた、金属粉末を変形させることができ、よって生じる変形された粒子は、パターン付きダイのパターンになる。変形された金属粉末粒子は、圧縮の結果として互いに、又は基板に接着し得る。パターン付きダイによって変形されない金属粉末は、互いに、又は基板に十分に接着しないことがあり、それによってパターン化され変形された金属粒子を基板上に残して、非変形粉末が基板から容易に除去され得る（例えば、振り落とされる、吹き飛ばされる）。
図３Ｃは、変形されなかった金属粉末が基板から除去されている、基板２５０に接着された変形された金属粒子１３０を例示している。図２Ｄと同様に、図３Ｄは、変形された金属粒子を焼成／アニールすることによって更に結合された、変形された金属粒子を例示している。上記のように、図２Ｄ及び３Ｄは、金属粒子を変形させた後に、これらを焼成した結果を例示しているが、金属粒子は変形される前に焼成されてもよい。更に、焼成及び変形、又は変形及び焼成は、反復的に行われ得る（例えば、金属粒子が焼成され、変形され、再び焼成され、再び変形され得るなど）。
図４Ａ〜４Ｃは、導電性コンタクトを形成する別の代表的なシーケンスの断面図を例示している。図４Ａに示されるように、金属粒子１３０は、金属粉末の層の形態で基板２５０に付着される。図３Ａ〜３Ｄとは対照的に、図４Ａにおける金属粉末は、成形型４１０などの、パターン付き成形型またはステンシルによって付着される。例えば、成形型のパターンは、フィンガーパターンであり得、これにより、金属粉末が成形型内、フィルム２６２（フィルム２６０と同じタイプのフィルムであり得る）上へとフィンガーパターンで充填される。粒子を成形型に充填する間、粒子は、これらが成形型を通過する際に、少なくとも部分的に変形され得ることに留意されたい。
図４Ｂに示されるように、基板２５０及びフィルム２６０は、成形型４１０及び金属粒子１３０上に、上下逆（図３Ａ〜３Ｄに示される構成に対して）で配置され得る。プラテン２７０及び２７２は、金属粒子１３０が変形され基板２５０へと接着するように圧力を加えることができる。
図４Ｃに例示されるように、変形された金属粒子１３０が接着した基板２５０が、図４Ａ及び図４Ｂの構成に対して上下逆に反転され得、成形型４１０及びフィルム２６２が取り外され得る。図中に例示されていないが、変形された金属粒子を更に結合させるために、図４Ｃの変形された金属粒子１３０が焼成されてもよい（図３Ｃにおけるように）。更に、粉末がウエハに移された後、追加的な粒子変形プロセスが行われてもよく、例えば粉末は、プラテンを任意により加熱することによって更に変形されてもよい。本明細書において記載されるように、様々な実施形態において、金属粒子の焼成は、金属粒子の変形前、後、又は前及び後に行われてもよく、一実施形態においては全く行われなくてもよい。
例示されないが、一実施形態において、金属粒子の複数の層が使用されてもよい。例えば、変形された金属粒子は、基板に最も近い変形された金属粒子の層（例えば、Ａｌ粒子）、及び第１層上の変形された金属粒子の第２層（例えば、Ｃｕ粒子）を含むことがある。一実施形態において、成形型の下部へと第２層が充填された後、太陽電池の最も近くに第１層が堆積されてもよい。その後、図４Ｂにおけるように、両層が一緒に変形されてもよい。又は別の実施形態において、金属粒子の第１層が成形型によって堆積され、変形され、その後第２層が、変形された第１層上に堆積され得る。このような実施形態において、第２層の堆積は成形型によって行われる必要はなく、これは、第１層がステンシルのパターンで既に形成されており、追加的な層は、既にパターン化された層のトポロジーへと自己整合するためである。したがって、粒子の第２層は、実質的に均一な層として堆積され得、それから、プラテン（例えば、図２Ｂに示されるような）の間の圧縮が続く。パターン化され、変形された粒子の第１層上に位置付けられた、粒子の第２層の一部は、変形され、第１層に、かつ互いに接着する。他方で、パターン化された第１層のフィンガーの間に位置付けられた粒子の第２層の一部は変形されず、その後取り除かれてもよい。
例示されない追加的な実施形態もまた存在する。例えば、図２Ａ〜２Ｄ、３Ａ〜３Ｄ、及び４Ａ〜４Ｃの実施例は、互いに組み合わせて使用してもよい。例えば、金属ペーストは、金属粉末と併せて、導電性部に使用されてもよい。例えば、変形された金属粒子は、図２Ａ〜２Ｃにおけるように形成されてもよい。金属ペーストの金属粒子の変形後、金属粉末（同じ種類の金属か、又は異なる種類かを問わない）が、ペーストの変形された金属粒子上に堆積され得る。金属ペーストの粒子は既に、所望のパターンで変形されている場合があるため、ステンシル又はパターン付きダイは、使用する必要がない場合がある。代わりに、金属粉末の層は堆積され、既にパターン化された圧縮された粒子へと自己整合し得る。
別の実施例として、金属粉末は、ローラー上にコーティングされてもよく、ローラーがウエハに対して押圧されると、金属粉末は、これらの領域の隆起したトポロジーにより、既にパターン化された層へと押圧され得る。第１のパターン化された金属層を有さないウエハの領域は、ウエハとローラーとの間の距離が、緩い金属粉末粒子の直径よりも大きくなるように、硬質のローラー表面からより遠く離間している。したがって、ウエハのこれらの領域に対応する緩い粒子は、ウエハ（又は第１のパターン化された金属層）へと押圧されない。
ここで図６を参照し、いくつかの実施形態による、導電性コンタクトを形成するための方法を例示するフローチャートが示されている。様々な実施形態において、図６の方法は、例示されるよりも多くの（又はより少ない）ブロックを含む場合がある。例えば、いくつかの実施形態において、ブロック６０６において金属粒子の加熱は、行われなくてもよく、又は（代わりに）、ブロック６０４の前に行われてもよい。
６０２に示されるように、金属（又は非金属導電性）粒子が堆積されてもよい。様々な実施形態において、粒子は、他の例の中でもとりわけ、Ａｌ粒子、Ｃｕ粒子、Ａｇ粒子、及び／又は導電性カーボン粒子であり得る。
金属粒子の堆積は、金属ペーストを印刷する工程（例えば、太陽電池の各ｐ及びｎ領域との接続に好適なパターン（例えば、櫛状フィンガーパターンなどの、既定のフィンガーパターン）で）、又は金属粉末を堆積させる工程（例えば、粉末がフィンガーパターンで堆積されるように、実質的に均一な層で、又は成形型によって）を含み得る。金属粒子を堆積させるためのいくつかの技術はまた、粒子を少なくとも部分的に変形させることができることに留意されたい。例えば、金属粉末の堆積は、ブロック６０４における変形が、粒子の第２の変形であるように、金属粉末粒子の変形を生じ得る。
金属粒子の堆積の様々な実施例が、図２Ａ〜２Ｄ、３Ａ〜３Ｄ、及び４Ａ〜４Ｃに示され、明細書全体を通じて記載される。これらの実施例は、バックコンタクト型太陽電池のための金属粒子の堆積を例示するが、金属粒子はフロントコンタクト型太陽電池のために、太陽電池の前面へと同様に堆積させることができることに留意されたい。
６０４において例示されるように、金属粒子は、様々な実施形態に従って機械的に変形させることができる。例えば、本明細書において記載されるように、金属粒子は、バニシング、圧縮（例えば、ローラーなどによってプレートの間で）などのような、機械的な力によって変形させることができる。様々な実施例が、図２Ａ〜２Ｄ、３Ａ〜３Ｄ、及び４Ａ〜４Ｃに示される。図面に例示されない他の実施例としては、ローラー及び／又はバニシングツールを使用して、金属粒子を変形させることを含む。
様々な実施形態において、粒子の変形は、変形された粒子の基板への、及び互いの接着を生じ得る。例えば、金属粒子の変形により、粒子は結合し、及び／又は金属粒子の周囲の酸化物シェルを破壊し得る。結果として、変形された粒子は、基板に、及び互いに電気的に結合し得る。
６０６において、一実施形態において、金属粒子が焼成され得る（例えば、加熱、レーザーアニールなど）。例えば、焼成は、金属粒子の組成に基づく温度及び／又は雰囲気に従って加熱することによって行われ得る。例えば、Ａｌ／Ｓｉ合金粒子を含む金属ペーストの粒子に関して、焼成温度は、焼成温度がＡｌ及びＳｉの共晶温度を下回るように、およそ５５０℃であり得る。純粋なＡｌ粒子について、焼成温度は、およそ５００℃であり得る。本明細書において記載されるように、金属粒子の焼成の結果として、粒子が更に結合し得る。
更に、金属粒子の加熱は、金属粒子の軟化を生じる場合があり、これは、粒子の変形の前に金属粒子が加熱される実施形態において、より容易な変形をもたらし得る。本明細書において記載されるとき、ブロック６０４及び６０６は、複数回行われてもよく、反復的に行われてもよく、同時に行われてもよく（例えば、加熱されたプレートが粒子を圧縮する、炉内で粒子を圧縮する）、及び／又は順序が入れ替えられてもよい。例えば、一実施形態において、金属粒子は、ブロック６０４において粒子が変形される前に加熱されてもよい。一実施形態において、金属粒子は、ブロック６０４における初期の変形の後であるが、金属粒子を再度変形させる前に、加熱されてもよい。
これらのラインに沿って、図７は複数のバニシング工程（複数の変形工程）、並びに第１バニシング工程における焼成、及び８、１１、１４、１８、及び２１回目のバニシングにおける、５００℃ベルト炉におけるアニールの後の、金属粒子の線抵抗（オーム）を例示するグラフを示す。グラフは概して、ブロック６０４における変形、及びブロック６０６における加熱の、後続の複数のラウンドは、線抵抗を更に低減させ、変形された金属粒子の導電性を改善することができることを図示する。
図８は、バニシングの様々なラウンドの後の、ひっかき抵抗試験の結果を例示している。一番右の４つのＡｌ粒子の垂直ストリップはバニシングされておらず、左から２つ目の垂直ストリップは一度バニシングされ、一番左のＡｌ粒子の垂直ストリップは１６回バニシングされた。図８に示されるように、バニシングされなかったＡｌのほとんどが剥がされ、バニシングされたＡｌはそれほど剥がされなかった。１６回バニシングされたストリップは、剥がされたＡｌが比較的少ないことを示し、よって複数の変形工程がＡｌのウエハへの接着の改善をもたらし得ることを示す。
６０８において示されるように、変形された金属粒子を含む導電性コンタクトが形成されてもよい。例えば、一実施形態において、ニッケル層及び／又は銅層などの、１または複数の金属層は、変形された金属粒子上に堆積させてもよい。例えば、一実施形態において、ニッケル及び／又は銅は、無電解めっき技術に従って、金属粒子上に堆積させることができる。いくつかの実施形態において、追加的な金属は、変形された金属粒子にめっきされなくてもよいことに留意されたい。
開示される構造及び技術は、導電性コンタクトの電気的特性を改善させることができる。例えば、開示される構造及び技術に従って金属粒子を変形させることにより、接触抵抗が低減し、接着及び導電性が改善され得る。加えて、金属粒子の変形は、多孔性を低減することができ、したがって、粒子に銅がめっきされる実施形態において、銅拡散に対するバリア層としても機能する。
更に、金属粒子を変形させ、接触抵抗を低減させることにより、焼成はより低い温度で行われ、それにより、より高い温度で行われ得るときよりも、ウエハへの損傷を低減させることができる。
具体的な実施形態が上述されてきたが、これらの実施形態は、特定の特徴に関して単一の実施形態のみが説明される場合であっても、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。本開示で提供される特徴の実施例は、別段の定めがある場合を除き、制約的であることよりも、むしろ例示的であることを意図するものである。上記の説明は、本開示の利益を有する当業者には明らかとなるような、代替、修正、及び等価物を包含することを意図するものである。
本開示の範囲は、本明細書で対処される問題のいずれか又は全てを軽減するか否かにかかわらず、本明細書で（明示的又は暗示的に）開示される、あらゆる特徴又は特徴の組み合わせ、若しくはそれらのあらゆる一般化を含む。したがって、本出願（又は、本出願に対する優先権を主張する出願）の実施の間に、任意のそのような機構の組み合わせに対して、新たな請求項を形式化することができる。具体的には、添付の特許請求の範囲を参照して、従属請求項からの特徴を、独立請求項の特徴と組み合わせることができ、それぞれの独立請求項からの特徴を、任意の適切な方式で、単に添付の特許請求の範囲で列挙される具体的な組み合わせのみではなく、組み合わせることができる。
一実施形態において、太陽電池は基板、及び基板内又は基板の上方に配置される半導体領域を含む。導電性コンタクトは半導体領域上に配置され、導電性コンタクトは、機械的に変形された金属粒子を含む。
一実施形態において、導電性コンタクトは、機械的に変形された金属粒子上にめっきされた金属を更に含む。
一実施形態において、機械的に変形された金属粒子は、結合剤を含まない機械的に変形された金属粉末粒子を含む。
一実施形態において、機械的に変形された金属粉末粒子は、機械的に変形された金属粉末粒子の第１層及び第２層を含む。
一実施形態において、機械的に変形された金属粉末粒子の第１層は、機械的に変形された金属粉末粒子の第２層とは異なる金属を含む。
一実施形態において、機械的に変形された金属粒子は、追加的な結合剤を含む機械的に変形された金属粒子を含む。
一実施形態において、太陽電池の製造方法は、金属粒子を堆積させる工程を含む。方法はまた、金属粒子を機械的に変形させる工程を含む。方法はまた、太陽電池のために、機械的に変形された金属粒子を含む、導電性コンタクトを形成する工程を含む。
一実施形態において、上記金属粒子を堆積させる工程は、シリコン基板上に金属粉末を堆積させる工程を含む。
一実施形態において、上記金属粉末を堆積させる工程は、成形型によって金属粉末を堆積させる工程を含む。
一実施形態において、上記成形型によって金属粉末を堆積させる工程は、少なくとも部分的に変形可能な成形型によって金属粉末を堆積させる工程を含む。
一実施形態において、上記金属粒子を機械的に変形させる工程は、パターン付き圧縮装置を使用して金属粉末を機械的に変形させる工程を含む。
一実施形態において、上記金属粉末を堆積させる工程は、少なくとも２つの異なる種類の金属粉末を堆積させる工程を含む。
一実施形態において、方法は、機械的に変形された金属粒子を加熱する工程を更に含む。
一実施形態において、上記金属粒子を堆積させる工程は、シリコンを既定のパターンでシリコン基板上に堆積させる工程を含む。
一実施形態において、上記金属粒子を堆積させる工程は、シリコン基板上に金属ペーストを堆積させる工程を含む。
一実施形態において、上記金属粒子を機械的に変形させる工程は、金属粒子をバニシング又は圧縮する工程を含む。
一実施形態において、方法は、金属粒子を機械的に変形させた後に、金属粒子を加熱する工程を更に含む。
一実施形態において、方法は、金属粒子を機械的に変形させた後に、追加的な金属粒子を堆積させる工程と、追加的な金属粒子を機械的に変形させる工程とを更に含み、導電性コンタクトはまた、追加的な機械的に変形された金属粒子を含む。
一実施形態において、方法は、金属を機械的に変形された粒子にめっきする工程を更に含み、導電性コンタクトはまた、めっきされた金属を含む。
一実施形態において、太陽電池は基板、及び基板内又はその上方に配置される半導体領域を含む。太陽電池はまた、半導体領域上に配置された導電性コンタクトを含み、導電性コンタクトは、機械的に変形された導電性粒子を含む。
一実施形態において、太陽電池は基板、及び基板内又はその上方に配置される半導体領域を含む。太陽電池はまた、半導体領域上に配置された導電性コンタクトを含み、導電性コンタクトは、機械的に変形された導電性粒子を含む。
［項目１］
基板と、
上記基板内、又は上記基板の上方に配置された半導体領域と、
上記半導体領域上に配置され、機械的に変形された金属粒子を含む導電性コンタクトとを含む、太陽電池。
［項目２］
上記導電性コンタクトは、上記機械的に変形された金属粒子上にめっきされた金属を更に含む、項目１に記載の太陽電池。
［項目３］
上記機械的に変形された金属粒子は、結合剤を含まない機械的に変形された金属粉末粒子を含む、項目１に記載の太陽電池。
［項目４］
上記機械的に変形された金属粉末粒子は、機械的に変形された金属粉末粒子の第１層及び第２層を含む、項目３に記載の太陽電池。
［項目５］
上記機械的に変形された金属粉末粒子の上記第１層は、上記機械的に変形された金属粉末粒子の上記第２層とは異なる金属を含む、項目４に記載の太陽電池。
［項目６］
上記機械的に変形された金属粒子は、追加的な結合剤を含む機械的に変形された金属粒子を含む、項目１に記載の太陽電池。
［項目７］
太陽電池の製造方法であって、
金属粒子を堆積させる工程と、
上記金属粒子を機械的に変形させる工程と、
上記太陽電池のために、上記機械的に変形された金属粒子を含む導電性コンタクトを形成する工程とを含む、方法。
［項目８］
上記金属粒子を堆積させる工程は、シリコン基板上に金属粉末を堆積させる工程を含む、項目７に記載の方法。
［項目９］
上記金属粉末を堆積させる工程は、成形型によって上記金属粉末を堆積させる工程を含む、項目８に記載の方法。
［項目１０］
上記成形型によって上記金属粉末を堆積させる工程は、少なくとも部分的に変形可能な成形型によって上記金属粉末を堆積させる工程を含む、項目９に記載の方法。
［項目１１］
上記金属粒子を機械的に変形させる工程は、パターン付き圧縮装置を使用して上記金属粉末を機械的に変形させる工程を含む、項目８に記載の方法。
［項目１２］
上記金属粉末を堆積させる工程は、少なくとも２つの異なる種類の金属粉末を堆積させる工程を含む、項目８に記載の方法。
［項目１３］
上記機械的に変形された金属粒子を加熱する工程を更に含む、項目８に記載の方法。
［項目１４］
上記金属粒子を堆積させる工程は、上記シリコンを既定のパターンで上記シリコン基板上に堆積させる工程を含む、項目７に記載の方法。
［項目１５］
上記金属粒子を堆積させる工程は、上記シリコン基板上に金属ペーストを堆積させる工程を含む、項目７に記載の方法。
［項目１６］
上記金属粒子を機械的に変形させる工程は、上記金属粒子をバニシング又は圧縮する工程を含む、項目７に記載の方法。
［項目１７］
上記金属粒子を機械的に変形させた後に、上記金属粒子を加熱する工程を更に含む、項目７に記載の方法。
［項目１８］
上記金属粒子を機械的に変形させた後に、
追加的な金属粒子を堆積させる工程と、
上記追加的な金属粒子を機械的に変形させる工程とを更に含み、上記導電性コンタクトはまた、上記追加的な、機械的に変形された金属粒子を含む、項目７に記載の方法。
［項目１９］
金属を上記機械的に変形された粒子にめっきする工程を更に含み、上記導電性コンタクトはまた、上記めっきされた金属を含む、項目７に記載の方法。
［項目２０］
基板と、
上記基板内、又は上記基板の上方に配置された半導体領域と、
上記半導体領域上に配置され、機械的に変形された導電性粒子を含む導電性コンタクトとを含む、太陽電池。

Claims (20)

  1. 基板と、
    前記基板内、又は前記基板の上方に配置された半導体領域と、
    前記半導体領域上に配置され、機械的に変形された金属粒子を含む導電性コンタクトとを含む、太陽電池。
  2. 前記導電性コンタクトは、前記機械的に変形された金属粒子上にめっきされた金属を更に含む、請求項１に記載の太陽電池。
  3. 前記機械的に変形された金属粒子は、結合剤を含まない機械的に変形された金属粉末粒子を含む、請求項１に記載の太陽電池。
  4. 前記機械的に変形された金属粉末粒子は、機械的に変形された金属粉末粒子の第１層及び第２層を含む、請求項３に記載の太陽電池。
  5. 前記機械的に変形された金属粉末粒子の前記第１層は、前記機械的に変形された金属粉末粒子の前記第２層とは異なる金属を含む、請求項４に記載の太陽電池。
  6. 前記機械的に変形された金属粒子は、追加的な結合剤を含む機械的に変形された金属粒子を含む、請求項１に記載の太陽電池。
  7. 太陽電池の製造方法であって、
    金属粒子を堆積させる工程と、
    前記金属粒子を機械的に変形させる工程と、
    前記太陽電池のために、前記機械的に変形された金属粒子を含む導電性コンタクトを形成する工程とを含む、方法。
  8. 前記金属粒子を堆積させる工程は、シリコン基板上に金属粉末を堆積させる工程を含む、請求項７に記載の方法。
  9. 前記金属粉末を堆積させる工程は、成形型によって前記金属粉末を堆積させる工程を含む、請求項８に記載の方法。
  10. 前記成形型によって前記金属粉末を堆積させる工程は、少なくとも部分的に変形可能な成形型によって前記金属粉末を堆積させる工程を含む、請求項９に記載の方法。
  11. 前記金属粒子を機械的に変形させる工程は、パターン付き圧縮装置を使用して前記金属粉末を機械的に変形させる工程を含む、請求項８に記載の方法。
  12. 前記金属粉末を堆積させる工程は、少なくとも２つの異なる種類の金属粉末を堆積させる工程を含む、請求項８に記載の方法。
  13. 前記機械的に変形された金属粒子を加熱する工程を更に含む、請求項８に記載の方法。
  14. 前記金属粒子を堆積させる工程は、前記シリコンを既定のパターンで前記シリコン基板上に堆積させる工程を含む、請求項７に記載の方法。
  15. 前記金属粒子を堆積させる工程は、前記シリコン基板上に金属ペーストを堆積させる工程を含む、請求項７に記載の方法。
  16. 前記金属粒子を機械的に変形させる工程は、前記金属粒子をバニシング又は圧縮する工程を含む、請求項７に記載の方法。
  17. 前記金属粒子を機械的に変形させた後に、前記金属粒子を加熱する工程を更に含む、請求項７に記載の方法。
  18. 前記金属粒子を機械的に変形させた後に、
    追加的な金属粒子を堆積させる工程と、
    前記追加的な金属粒子を機械的に変形させる工程とを更に含み、前記導電性コンタクトはまた、前記追加的な、機械的に変形された金属粒子を含む、請求項７に記載の方法。
  19. 金属を前記機械的に変形された粒子にめっきする工程を更に含み、前記導電性コンタクトはまた、前記めっきされた金属を含む、請求項７に記載の方法。
  20. 基板と、
    前記基板内、又は前記基板の上方に配置された半導体領域と、
    前記半導体領域上に配置され、機械的に変形された導電性粒子を含む導電性コンタクトとを含む、太陽電池。
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