JP2016527714A - 発光デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
102 発光ダイオードチップ
103v、103h 切断チャンネル
D 切断チャンネルの幅
201 第一基板
202 半導体積層
202a 第一極性半導体層
202b 発光層
202c 第二極性半導体層
211 第一犠牲層
212 仕切りチャンネル
221 第二基板
231、232、233、234及び235 半導体積層ブロック
d 仕切りチャンネルの幅
231e1 第一電極
231e2 第二電極
240 誘電層
241 レーザ光
301 第一基板
302 半導体積層
331、333 半導体積層ブロック
331e1、333e1及び335e1 第一電極
331e2、333e2及び335e2 第二電極
340 誘電層
361 デバイス基板
361TE1、361TE2 穿孔電極
361E1、361E2 パターン化金属層
361S1、361S2、361S3及び361S4 パターン化金属層
602 半導体積層
602a 第一極性半導体層
602b 発光層
602c 第二極性半導体層
611 第一犠牲層
621、621’ 第二基板
621T1、621T1’ 第一穿孔
621T2、621T2’ 第二穿孔
622TE1、622TE1’ 第一穿孔電極
622TE2、622TE2’ 第二穿孔電極
631E1、631E1’ 第一導電接続線
631E2、631E2’ 第二導電接続線
632 半導体積層ブロック
640 絶縁層
641、641’ 透明パッケージ材料
701 第一基板
702 半導体積層
702a 第一極性半導体層
702b 発光層
702c 第二極性半導体層
711 第一犠牲層
721 第二基板
721T 穿孔
721TE 第一穿孔電極
722EE及び722E 電極
731、732、733及び734 半導体積層ブロック
791、792 導電酸化層
793 反射金属層
794 オーム接触金属層
795 絶縁層
Claims (33)
- 発光デバイスの製造方法であって、
第一基板及び前記第一基板の上の複数の半導体積層ブロックを提供するステップであって、前記複数の半導体積層ブロックはそれぞれ第一極性半導体層、前記第一極性半導体層の上に位置する発光層、及び前記発光層の上に位置する第二極性半導体層を含み、前記第一基板の上にさらに、隣接する2つの半導体積層ブロックを仕切る仕切りチャンネルがあり、かつ前記仕切りチャンネルの幅が10μm未満である、ステップと、
前記複数の半導体積層ブロックの中の第一半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させ、かつ第二半導体積層ブロックを前記第一基板に残す第一分離ステップとを含む、発光デバイスの製造方法。 - 前記第一分離ステップは、さらに
第二基板を提供し、
前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを接合させる第一接合ステップを実行し、及び
前記第一半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させることを含む、請求項1に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記第一半導体積層ブロックと前記第一基板との界面にレーザ光を照射して、前記第一半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させる、請求項2に記載の発光デバイスの製造方法。
- 前記第二基板は第一穿孔電極をさらに含み、該第一穿孔電極は第一穿孔及びその中に充填された第一導電物質を有する、請求項2に記載の発光デバイスの製造方法。
- 前記第二基板はさらに第二穿孔電極を含み、
該第二穿孔電極は第二穿孔及びその中に充填された第二導電物質を有する、請求項4に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記第一導電物質と前記第二導電物質とが同一材料である、請求項5に記載の発光デバイスの製造方法。
- 前記第一接合ステップは、前記第一半導体積層ブロックを前記第一穿孔電極と前記第二穿孔電極の間に位置させるように、前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを位置合わせて接合させることを含む、請求項5に記載の発光デバイスの製造方法。
- 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
第一導電接続線と第二導電接続線を形成するステップであって、前記第一導電接続線は前記第一半導体積層ブロックの中の前記第一極性半導体層及び前記第一穿孔電極を電気的に接続させ、前記第二導電接続線は前記第一半導体積層ブロックの中の前記第二極性半導体層及び前記第二穿孔電極を電気的に接続させる、ステップと、
前記第二基板の上に、前記第一半導体積層ブロック、前記第一導電接続線及び前記第二導電接続線を被覆するように透明パッケージ材料を形成するステップとを含む、請求項7に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記第一接合ステップは、前記第一半導体積層ブロックと前記第一穿孔電極とを位置合わせて接続させ、かつ電気的に接続させるように、前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを位置合わせて接合させることを含む、請求項4に記載の発光デバイスの製造方法。
- 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第一半導体積層ブロックを前記第二半導体積層ブロックの上に位置合わせて接合させる第二接合ステップを含む、請求項9に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの前に、前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックの上にそれぞれ導電酸化層を形成することを含む、請求項10に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二基板の上、前記第二半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層に電気的に接続される電極を形成することを含む、請求項10に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの前に、前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックの少なくとも一つの上に金属層を形成することを含む、請求項10に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
第三基板を提供するステップを含み、
前記第三基板はさらに第一穿孔電極を含み、該第一穿孔電極は第一穿孔及びその中に充填された第一導電物質を有する、請求項2に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記第三基板はさらに第二穿孔電極を含み、該第二穿孔電極は第二穿孔及びその中に充填された第二導電物質を有する、請求項14に記載の発光デバイスの製造方法。
- 前記第一導電物質と前記第二導電物質とが同一材料である、請求項15に記載の発光デバイスの製造方法。
- 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二基板又は第一基板と前記第三基板とを位置合わせて接合させ、かつ、前記第一穿孔電極と前記第二穿孔電極との間に位置するように前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロックを前記第三基板に接合させる第二接合ステップと、
前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロックと前記第二基板又は前記第一基板とを分離させるステップとを含む、請求項15に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
第一導電接続線と第二導電接続線を形成するステップであって、前記第一導電接続線は前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロックの中の前記第一極性半導体層及び前記第一穿孔電極を電気的に接続させ、前記第二導電接続線は前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロックの中の前記第二極性半導体層及び前記第二穿孔電極を電気的に接続させる、ステップと、
前記第二基板又は前記第一基板の上に、前記第一半導体積層ブロック又は第二半導体積層ブロック、前記第一導電接続線及び前記第二導電接続線を被覆するように透明パッケージ材料を形成するステップとを含む、請求項17に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックとを位置合わせて接合させる第二接合ステップを含む、請求項14に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの後、前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを分離させるステップを含む、請求項19に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第一半導体積層ブロックと前記第一穿孔電極とを位置合わせて接続させ、かつ電気的に接続させるように、前記第一半導体積層ブロックを前記第三基板に位置合わせて接合させる第三接合ステップと、
前記第二半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させるステップとを含む、請求項20に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの前に、前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックの上にそれぞれ導電酸化層を形成するステップを含む、請求項21に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第三基板の上、前記第二半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層に電気的に接続される電極を形成するステップを含む、請求項21に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの後、前記第二半導体積層ブロックと前記第一基板とを分離させるステップを含む、請求項19に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二半導体積層ブロックと前記第一穿孔電極とを位置合わせて接続させ、かつ電気的に接続させるように、前記第二半導体積層ブロックを前記第三基板に位置合わせて接合させる第三接合ステップと、
前記第一半導体積層ブロックと前記第二基板とを分離させるステップとを含む、請求項24に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二接合ステップの前に、前記第一半導体積層ブロックと前記第二半導体積層ブロックの上に導電酸化層を形成するステップを含む、請求項25に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第三基板の上、前記第一半導体積層ブロックの前記第二極性半導体層に電気的に接続される電極を形成するステップを含む、請求項25に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記第一基板はさらに第三半導体積層ブロック及び第四半導体積層ブロックを含み、
前記第一接合ステップはさらに前記第三半導体積層ブロックと前記第二基板とを接合させることを含み、
前記第一分離ステップはさらに前記第三半導体積層ブロックを分離させ、かつ前記第四半導体積層ブロックを前記第一基板の上に残すことを含む、請求項2に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層及び前記第二極性半導体層を対応させて電気的に接続させるように、前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックの上にそれぞれ第一電極及び第二電極を形成するステップを含む、請求項28に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
パターン化金属層を含む第四基板を提供するステップと、
前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックが直列又は並列接続を構成するように、前記第四基板の前記パターン化金属層と前記第二半導体積層ブロック及び前記第四半導体積層ブロックの前記第一電極及び前記第二電極とを位置合わせて接合させる第二接合ステップとを含む、請求項29に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックの前記第一極性半導体層及び前記第二極性半導体層を対応させて電気的に接続するように、前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックの上にそれぞれ第一電極及び第二電極を形成するステップを含む、請求項28に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記発光デバイスの製造方法は、さらに
パターン化金属層を含む第四基板を提供するステップと、
前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックが直列又は並列接続を構成するように、前記第四基板の前記パターン化金属層と前記第一半導体積層ブロック及び前記第三半導体積層ブロックの前記第一電極及び前記第二電極とを位置合わせて接合させる第二接合ステップとを含む、請求項31に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記複数の半導体積層ブロックはそれぞれ上面形状を有し、かつ該上面形状が菱形、正方形、長方形、三角形又は円形を含む、請求項1に記載の発光デバイスの製造方法。
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