TWI611600B

TWI611600B - 發光元件

Info

Publication number: TWI611600B
Application number: TW106101551A
Authority: TW
Inventors: 陳世益; 陳威佑; 陳怡名; 林敬倍; 李宗憲
Original assignee: 晶元光電股份有限公司
Priority date: 2012-03-30
Filing date: 2012-03-30
Publication date: 2018-01-11
Also published as: TW201712894A

Abstract

一發光元件，包括：一發光疊層，具有一長度、一寬度、一第一電性半導體層、一活性層位於上述第一電性半導體層之上、以及一第二電性半導體層位於上述活性層之上，其中上述第一電性半導體層，上述活性層，及上述第二電性半導體層沿著一堆疊方向堆疊；一第一電極和上述第一電性半導體層相連結且向平行於上述堆疊方向之方向延伸；一第二電極和上述第二電性半導體層相連結且向平行於上述堆疊方向之方向延伸；以及一絕緣層位於上述第一電極和上述第二電極之間。

Description

發光元件

本發明係關於發光元件，尤其關於可增加光取出之發光元件。

一般之發光二極體之示意簡圖如圖1A及圖1B所示，圖1A為上視圖，圖1B為側視圖。一般之發光二極體係在基板111上形成一發光疊層101，由下而上依序包括第一電性半導體層101a、活性層101b、及第二電性半導體層101c。第一電性半導體層101a和第二電性半導體層101c電性相異，例如第一電性半導體層101a是n型半導體層，而第二電性半導體層101c是p型半導體層。分別在第一電性半導體層101a上設有一第一電極104，及在第二電性半導體層101c上設有一第二電極105以傳遞電流。此外，在第二電性半導體層101c上亦設有一透明導電層103以為做為歐姆接觸層。目前金屬和透明導電材料都可應用在LED元件作為歐姆接觸材料，只是金屬有良好的電流傳遞的優點卻會有吸光的缺點，而透明導電材料雖具有透光的優點，但電流傳遞則不如金屬。所以目前的解決方式大多是使用透明導電層103來做歐姆接觸，再同時搭配金屬線來做延伸電極105a以傳遞電流。在有金屬線的延伸電極105a設計下，可以達到良好的電流擴散，但是也增加了金屬的遮光，因而導致亮度的損耗。

圖 2為本發明之第一實施例，如圖 2A所示，先在一基板211上形成發光疊層201，發光疊層201由下而上依序包括第一電性半導體層201a、活性層201b、及第二電性半導體層201c。第一電性半導體層201a和第二電性半導體層201c電性相異，例如第一電性半導體層201a是n型半導體層，而第二電性半導體層201c是p型半導體層。然後自發光疊層201取其一部份以供後續步驟使用。其方式例如可以用磊晶掀移(Epitaxy Lift-Off, ELO)之方法，如圖 2A所示，先在欲取用之C部份與鄰近保留之L部份及R部份間以雷射切割或微影及蝕刻之方式形成如分割線213及分割線213’，以便於後續之掀移。接著提供一暫時基板212，例如玻璃，以與欲取用之C部份相接合。接合之方式例如可以為利用形成接合物質(圖未示)於接合面215(如圖 2B所示)間，並對暫時基板212及基板211加溫加壓以接合。接合物質可以是導電物質或非導電物質，導電物質例如包含金屬或合金材質，例如金、銀、或錫或其合金。非導電物質例如包含聚醯亞胺（PI）、苯并環丁烯（BCB）、過氟環丁烷（PFCB）、環氧樹酯(Epoxy)、其他有機黏結材料等。接合之方式為此技術領域所習知，故不多贅述。於形成接合後，可在欲取用之C部份與基板211之介面施以一雷射光照射214，同時藉由暫時基板212之接合將欲取用之C部份向上掀移取出，其情形如圖 2B所示，完成磊晶掀移步驟。如圖 2B所示，此取下之發光疊層201具有一長度為L，而寬度為W，而圖示之x軸平行於長度L，而y軸平行於寬度W。

接著，如圖 2C所示，提供一永久基板206。永久基板206可為導電基板或非導電基板，導電基板可以是例如矽(silicon)之半導體材料、碳化矽、或金屬。非導電基板可以是例如藍寶石(Al2O3)、玻璃、或陶磁材料。本實施例選擇業界常用之矽基板206b，又本實施例為水平結構，故於其上先形成一例如氧化矽之絕緣層206a，以構成本實施例之永久基板206。接著在永久基板206上形成一導電層202，且導電層202之寬度W’大於前述取下之發光疊層201之寬度W。導電層202可以例如是金屬或金屬氧化物或二者之疊層。金屬例如是銦(In)、金(Au)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鋁(Al)與銀(Ag)等或上述金屬之合金，或上述金屬之疊層亦可。金屬氧化物例如是氧化銦錫(ITO)。接著將前述取下之發光疊層201接合至導電層202。此接合例如是先在發光疊層201上形成接合層208，然後接合至導電層202。一實施例如接合層208為氧化銦錫(ITO)，而導電層202為由下而上為鈦(Ti)/金(Au)/銀(Ag)/氧化銦錫(ITO)之疊層。又接合層208亦可包含反射性金屬，以同時做為一反射鏡，此實施例如在發光疊層201上形成依序為銀(Ag)/鈦(Ti)/鉑(Pt)/金(Au)之疊層做為接合層208，而導電層202為由下而上為鈦(Ti)/金(Au)/銦(In)之疊層。同樣地，可以經由加溫加壓完成接合，並可如前述之雷射光照射方法，施以一雷射光照射於發光疊層201與暫時基板212之介面，以將暫時基板212移除。如圖 2D所示，導電層202位於發光疊層201(之第一電性半導體層201a(未示於此圖，請參圖 2A))之下，且由於導電層202之寬度W’大於發光疊層201之寬度W，因此導電層202可視為包括有與第一電性半導體層201a重疊之第一重疊部202a及未與第一電性半導體層201a重疊之第一延伸部202b，且此第一延伸部202b係向平行於寬度之第一方向(+y方向)延伸。接著，利用如化學氣相沈積( Chemical Vapor Deposition, CVD)法或電子束(E-Gun)法搭配如微影及蝕刻或光阻掀移(Lift-Off)法，形成絕緣層207於發光疊層201及導電層202之一側壁，如圖所示。絕緣層207之材質可以如二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氧化鋁(Al2O3)等。

接著，如圖2E所示，在發光疊層201(之第二電性半導體層201c(未示於此圖，請參圖 2A))之上形成透明導電層203，且同樣地，透明導電層203具有一寬度大於第二電性半導體層201c之寬度。所以透明導電層203可視為包括有與第二電性半導體層201c重疊之第二重疊部203a及未與第二電性半導體層201c重疊之第二延伸部203b，且此第二延伸部203b係向平行於寬度之第二方向(-y方向)延伸，第二方向(-y方向)與前述第一方向(+y方向)方向相反。透明導電層203例如為金屬氧化物或厚度小於500埃之薄金屬。金屬氧化物例如為氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)、氧化鋁鋅(Aluminum Zinc Oxide, AZO)、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、及氧化鋅錫(ZTO)等材料或其所構成之群組。薄金屬例如為鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫或上述這些金屬之合金。最後，如圖2F所示，形成第一電極204在第一延伸部202b之上，及第二電極205在第二延伸部203b之上。特別須說明的是，如圖所示，第一電極204大致只與導電層202之第一延伸部202b或其一部份相接，而第二電極205大致只與透明導電層203之第二延伸部203b或其一部份相接，亦即透明導電層203與第二電性半導體層201c重疊之第二重疊部203a上不具有第二電極205或任何先前技術之延伸電極，因此不會有金屬遮光所導致亮度的損耗。故本實施例發光疊層201之平行寬度之方向(y方向)之導電大致僅由透明導電層203之第二重疊部203a完成。以透明導電層203為氧化銦錫為例，其厚度一般介於50nm至1μm，以常用之120nm為例，在此厚度下，其導電(或傳遞電荷)之距離約為30μm至100μm(即0.1mm)。故本實施例發光疊層201之寬度W可設計約為100μm(即0.1mm)，而對於一般商業常見之42mil*42mil(約當1mm*1mm，即1mm2)之面積規格的發光疊層而言，本實施例可拉長發光疊層201之長度L以達提供相同之發光面積，如此即利用第二電極205金屬優良的電流擴散特性傳遞電流，再利用高光穿透性的透明導電層203傳遞電流給發光疊層201，如此一來便可以均勻傳遞電流，又免於發光面積上因電極或延伸電極之金屬遮光。因此發光疊層201之長度L可設計約為10mm，(1mm2/0.1mm=10mm)，故長度L與寬度W之比為10mm:0.1mm，即100:1。一般而言，隨著透明導電層203之氧化銦錫厚度越厚，其導電距離越長，如此寬度W之設計可較上例為寬，又或在各設計參數如發光面積上調整，例如發光面積調整較上例為小，則相對應設計上長度L亦較上例為小。例如寬度W較上例放大為2倍，長度L縮小為上例之1/10，則發光疊層201之長度L與寬度W之比約大於5:1即可達上述之目的。

圖3A至圖3E顯示本發明之第二實施例。此第二實施例為上述第一實施例之變化型。在第一實施例中，如圖2F所示，第一電極204形成在第一延伸部202b之上，且第二電極205形成在第二延伸部203b之上。在本第二實施例中，如圖3E所示，第一電極304形成在第一延伸部302b之下，且第二電極305形成在第二延伸部303b之下。另外，本第二實施例中，將第一實施例中之上方有絕緣層206b之矽基板206a所構成之永久基板206，改為玻璃所構成之永久基板306。除此之外，第二實施例大致與第一實施例相同。因此，參考如前述第一實施例圖 2A至圖2E之方法，將可得到與圖2E相似之圖3A之結構，包括玻璃所構成之永久基板306、導電層302、發光疊層301、絕緣層307、及透明導電層303。接著如圖3B所示，藉由一接合物質361將圖3A之結構接合至暫時基板362以便進行後續電極之形成。接著，如圖 3C所示，藉由形成一例如光阻之防護層(圖未示)於永久基板306上，但曝露出欲形成電極之處306a、306b，並以微影及蝕刻或噴砂或二者混合使用之方法，將欲形成電極之處306a、306b的永久基板306移除，其中絕緣層307與欲形成電極之處306a相接之處307a亦予以移除。如此曝露出部份之導電層302及部份之透明導電層303，用以後續將第一電極304及第二電極305形成於其上，如圖3D所示。在某些應用上，接合物質361及暫時基板362可保留。而在本實施例，則以如前述雷射光照射接合物質361或蝕刻之方式，將接合物質361及暫時基板362移除，完成如圖3E之第二實施例之結構。同樣地，在本實施例中，第一電極304大致只與導電層302之第一延伸部302b或其一部份相接，而第二電極305大致只與透明導電層303之第二延伸部303b或其一部份相接，亦即透明導電層303之第二重疊部303a上不具有第二電極305或延伸電極，因此不會有金屬遮光所導致亮度的損耗。

圖4A至圖4D顯示本發明之第三實施例。此第三實施例亦為上述第一實施例之變化型。在第一實施例中，如圖2F所示，第一電極204形成在第一延伸部202b之上，且第二電極205形成在第二延伸部203b之上。在本第三實施例中，如圖4C所示，第一電極404形成在第一延伸部402b之下，且第二電極405形成在第二延伸部403b之上。另外，本第三實施例中，將第一實施例中之上方有絕緣層206a之矽基板206b所構成之永久基板206，改為一透明材料所構成之永久基板406，透明材料可例如為玻璃等介電材料。除此以外，第三實施例大致與第一實施例之相似。因此，參考如前述第一實施例圖2A至圖2E之方法，將可得到與圖2E相似之圖4A之結構，包括玻璃所構成之永久基板406、導電層402、發光疊層401、絕緣層407、及透明導電層403。須說明的是，本實施例之導電層402採用氧化銦錫(ITO)，故發光疊層401與之接合則如前述第一實施例中已提及，先在發光疊層401上形成例如氧化銦錫(ITO)之接合層408，然後接合至導電層402。另須說明的是，永久基板406上的導電層402是整層覆蓋，因此對照於第一實施例，導電層402可視為包括除了第一重疊部402a及第一延伸部402b外，更包括另一第三延伸部402c。同樣地，透明導電層403可視為包括有第二重疊部403a、第二延伸部403b、及另一第四延伸部403c。且本實施例中，第一延伸部402b與第二延伸部403b係向同一方向(-y方向)延伸。第三延伸部402c及第四延伸部403c向同一方向(+y方向)延伸。

接著，如圖4B所示，將另一透明材料，例如玻璃等介電材料之透明基板462，於其上形成例如氧化銦錫(ITO)之透明導電層403’後，將其與圖4A之結構接合，氧化銦錫(ITO)之透明導電層403’與同為氧化銦錫(ITO)之透明導電層403相結合。接著，如圖4C所示，以微影及蝕刻或噴砂或二者混合使用之方法，將部份永久基板406及部份透明基板462移除，曝露出部份之導電層402及部份之透明導電層403’，並形成第一電極404在第一延伸部402b之下，及形成第二電極405在透明導電層403’之上，完成本第三實施例。

如圖4C所示，在本第三實施例中，第一電極404有一垂直於第一延伸部402b之第一表面(和PP’平面相接觸者)，第二電極405有一垂直於第二延伸部403b之第二表面(和PP’平面相接觸者)，且第一表面與第二表面大致為共平面，即共PP’平面。如此，可藉由此第一表面與第二表面接合至一載板(圖未示)上，載板表面即PP’平面。在應用上，將這樣的裝置旋轉90度，則如圖4D所示，發光疊層401發出之光可往多方向傳出，包括透明材料所構成之永久基板406、透明基板462及絕緣層407等都可透光，具有全週光之優點。

如圖5所示，上述之三個實施例之發光元件更可以進一步地與其他元件組合連接以形成一發光裝置500。發光裝置500包含一具有至少一電路511, 512, 513, 514之次載體(sub-mount)510；至少一發光元件位於次載體510上，於本實施例則設置有3個發光元件501, 502, 503於次載體510上，發光元件501, 502, 503之任一可為上述之三個實施例之發光元件之任一，並可藉由焊料(solder，圖未示)將發光元件501, 502, 503之電極黏結至次載體510之電路511, 512, 513, 514上，例如發光元件501之兩電極501a, 501b分別黏結至電路511, 512；發光元件502之兩電極502a, 502b分別黏結至電路512, 513；發光元件503之兩電極503a, 503b分別黏結至電路513, 514，如此可將發光元件501, 502, 503固定於次載體510上，同時發光元件501, 502, 503經電路511, 512, 513, 514形成串聯(如本實施例)或並聯或串並聯皆有之電路，並經由導電材料結構521, 522，例如是金線或銅線，提供外部電源予此裝置500。次載體510例如是陶瓷、玻璃、玻璃纖維、電木(Bakelite)等。

除上述實施例外，也可藉由製程方式將發光疊層上的電極及延伸電極移到發光疊層以外，只留較小的區域做電性連結，達到遮光面積極小化的效果，來解決金屬的遮光之問題。其實施例如圖6A至圖6I所示之本發明之第四實施例。在圖6A中，在基板611上依序形成包括第一電性半導體層601a、活性層601b、及第二電性半導體層601c之發光疊層601，在形成發光疊層601前可選擇性地先形成中間層結構681，例如緩衝層等。之後，在發光疊層601上形成接觸層604，此接觸層604可以例如是透明導電氧化物或金屬；透明導電氧化物例如為氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)、氧化鋁鋅(Aluminum Zinc Oxide, AZO)、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅(ZnO)、氧化銦鋅(IZO)、及氧化鋅錫(ZTO)等材料或其所構成之群組；金屬例如為鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫、鈹、鉑、銠或上述這些金屬之合金。當金屬選擇高反射性金屬，例如是鋁、銀等則可同時提供反射鏡功能；或者亦可選擇性地再於接觸層604加上反射結構(圖未示)，如分散布拉格反射層(Distributed Bragg Reflector, DBR)或全方位反射層(Omni-Directional Reflector, ODR)等以提供反射功能。接著，以微影及蝕刻之方式，以移除部份之接觸層604，形成接觸層移除區604a。接著，如圖6B所示，形成一保護層659於接觸層604上，並且保護層659填入接觸層移除區604a，其中如圖所示，接觸層604上有兩處未被保護層659所覆蓋，係保留用以當作電極，即第一電極604’及第二電極604”。接著，如圖6C所示，藉由一接合物質683將圖6B之結構接合至暫時基板682以便進行後續製程。接著，以如前述雷射光照射方式施以一雷射光(圖未示)照射於基板611與中間層結構681之介面，以將基板611移除，基板611之移除亦可經由蝕刻製程完成。基板611移除後之結構如圖 6D所示。

接著如圖 6E所示，以微影及蝕刻之方式將部份之中間層結構681及發光疊層601移除，以形成隔絕區684，並曝露出底下之接觸層604及(前述填入接觸層移除區604a之)保護層659。如此，一整片大面積之發光疊層601將被分割成複數個相對較小面績之發光單位，如本實施例所示為分割成兩個相對較小面績之發光單位，此兩個發光單位間以隔絕區684彼此隔絕。接著，如圖 6F所示，在圖 6E之結構上形成一絕緣層685，如二氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)或氧化鋁(Al2O3)等，再以微影及蝕刻之方式將部份之絕緣層685移除，以形成電性連接區685a，並曝露出底下之接觸層604(某些情形下也可能曝露(前述填入接觸層移除區604a之)保護層659)，而中間層結構681之表面也大致完全曝露，以讓發光疊層601所發之光得以出光。如此，絕緣層685電性隔絕各個發光單位，而經由後續填入電性連接區685a之導電層將各個發光單位形成串聯或並聯或串並聯皆有之電性連接。如圖6G所示，在圖 6F之結構上形成一導電層686，如鋁、金、鉑、鋅、銀、鎳、鍺、銦、錫等金屬或上述這些金屬之合金等，再以微影及蝕刻之方式將部份之導電層686移除，以形成前述之電性連接。本實施例係顯示串聯之電性連接情形。此導電層686填入電性連接區685a並與曝露出之接觸層604形成電性連接，而導電層686之另一端(即605)則與中間層結構681之表面的部份相接。此外，如圖6G所示，在導電層686形成前，也可選擇性地先在中間層結構681之上面形成透明導電層603，故於本實施例中導電層686之另一端(605)係與透明導電層603之表面相接。如前所述，由於大面積之發光疊層601經分割成複數個相對較小面績之發光單位，各個發光單位之寬度(W)變小且係於電流有效傳遞之距離範圍內，因此在具有透明導電層603之情形下，不須要在各個發光單位上再設置延伸電極，且導電層686與發光疊層601電性相連之端點(即605)可設計的很小，如此可均勻傳遞電流，又免於發光面積上因電極或延伸電極之金屬遮光。而同樣地，也可如前述適當地決定各發光單位之長寬比(例如前述之發光疊層之長度與寬度之比約大於5:1)以達提供一般適用之發光面積。此外，由於本實施例亦可形成串並聯等不同之實施態樣，故即便不調整各發光單位之長寬比，經由適當數量之發光單位之串連，亦可達提供一般商用規格之發光面積。接著，如圖6H所示，將圖 6F之結構藉由透明接合物質607，如聚醯亞胺(PI)、苯并環丁烯(BCB)、及過氟環丁烷(PFCB)等與透明材料例如玻璃等之透明基板606相接合以做為出光面。接著，以例如蝕刻之方式將暫時基板682及接合物質683移除，如圖6I所示，完成本實施例。其中各發光單位之串連已如前述，而外部電源之提供則可經由前述之第一電極604’及第二電極604”。本實施例為串聯之實施態樣，而經由上述圖6A至圖6I所示之方法，熟悉此技藝者可對製程做簡單之調整，例如對圖6A之接觸層移除區604a調整、對圖6E之形成隔絕區684調整、及對圖6G之導電層686之移除調整，即可得到如圖7所示之並聯態樣之本發明第五實施例，其中圖6I之標號之第一碼由”6”改為”7”，例如標號606為透明基板606，則標號 706亦同樣為透明基板，以此類推，故不再贅言介紹此第五實施例。而較須說明的是中間區塊之接觸層704(即透過導電層786和第一電性半導體層701a電性相連之接觸層704)為串聯之第一電極，兩側區塊之接觸層704(即位於第二電性半導體層701c下且與其電性相連之接觸層704)為串聯之第二電極(可經正面之電極圖案配置相連)，如此構成兩發光單位之並聯。

上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者均可在不違背本發明之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本發明之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。

101‧‧‧發光疊層

101a‧‧‧第一電性半導體層

101b‧‧‧活性層

101c‧‧‧第二電性半導體層

103‧‧‧透明導電層

104‧‧‧第一電極

105‧‧‧第二電極

105a‧‧‧延伸電極

111‧‧‧基板

201‧‧‧發光疊層

201a‧‧‧第一電性半導體層

201b‧‧‧活性層

201c‧‧‧第二電性半導體層

202‧‧‧導電層

202a‧‧‧(導電層202之)第一重疊部

202b‧‧‧(導電層202之)第一延伸部

203‧‧‧透明導電層

203a‧‧‧(透明導電層203之)第二重疊部

203b‧‧‧(透明導電層203之)第二延伸部

204‧‧‧第一電極

205‧‧‧第二電極

206‧‧‧永久基板

206a‧‧‧絕緣層

206b‧‧‧矽基板

207‧‧‧絕緣層

211‧‧‧基板

212‧‧‧暫時基板

213，213’‧‧‧分割線

214‧‧‧雷射光照射

215‧‧‧接合面

301‧‧‧發光疊層

302‧‧‧導電層

302a‧‧‧(導電層302之)第一重疊部

302b‧‧‧(導電層302之)第一延伸部

303‧‧‧透明導電層

302a‧‧‧(透明導電層302之)第一重疊部

303b‧‧‧(透明導電層303之)第二延伸部

304‧‧‧第一電極

305‧‧‧第二電極

306‧‧‧永久基板

306a、306b‧‧‧(永久基板)欲形成電極之處

307‧‧‧絕緣層

307a‧‧‧(絕緣層)欲形成電極之處

361‧‧‧接合物質

362‧‧‧暫時基板

400‧‧‧發光元件

401‧‧‧發光疊層

402‧‧‧導電層

402a‧‧‧(導電層402之)第一重疊部

402b‧‧‧(導電層402之)第一延伸部

402c‧‧‧(導電層402之)第三延伸部

403‧‧‧透明導電層

403a‧‧‧(透明導電層403之)第二重疊部

403b‧‧‧(透明導電層403之)第二延伸部

403c‧‧‧(透明導電層403之)第四延伸部

403’‧‧‧透明導電層

404‧‧‧第一電極

405‧‧‧第二電極

406‧‧‧永久基板

407‧‧‧絕緣層

408‧‧‧接合層

462‧‧‧透明基板

PP’‧‧‧平面

500‧‧‧發光裝置

501,502,503‧‧‧發光元件

501a,501b‧‧‧電極

502a,502b‧‧‧電極

503a,503b‧‧‧電極

510‧‧‧次載體(sub-mount)

511,512,513,514‧‧‧電路

601‧‧‧發光疊層

601a‧‧‧第一電性半導體層

601b‧‧‧活性層

601c‧‧‧第二電性半導體層

603‧‧‧透明導電層

604‧‧‧接觸層

604’‧‧‧第一電極

604”‧‧‧第二電極

604a‧‧‧接觸層移除區

605‧‧‧(導電層686之)一端

606‧‧‧透明基板

607‧‧‧透明接合物質

611‧‧‧基板

659‧‧‧保護層

681‧‧‧中間層結構

682‧‧‧暫時基板

683‧‧‧接合物質

684‧‧‧隔絕區

685‧‧‧絕緣層

685a‧‧‧電性連接區

686‧‧‧導電層

701‧‧‧發光疊層

701a‧‧‧第一電性半導體層

701b‧‧‧活性層

701c‧‧‧第二電性半導體層

703‧‧‧透明導電層

704‧‧‧接觸層

705‧‧‧(導電層686之)一端

706‧‧‧透明基板

707‧‧‧透明接合物質

759‧‧‧保護層

781‧‧‧中間層結構

785‧‧‧絕緣層

786‧‧‧導電層

圖1A：示意先前技術之發光二極體上視圖

圖1B：示意先前技術之發光二極體側視圖

圖2A至2F：示意本發明第一實施例之發光二極體形成方法及結構

圖3A至3E：示意本發明第二實施例之發光二極體形成方法及結構

圖4A至4D：示意本發明第三實施例之發光二極體形成方法及結構

圖5：示意應用本發明實施例之發光二極體所形成之發光裝置

圖6A至6I：示意本發明第四實施例之發光二極體形成方法及結構

圖7：示意本發明第五實施例之發光二極體結構

無