JP2016522323A - Cvd被膜を有する工具 - Google Patents

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Abstract

本発明は、カーバイド、サーメット、セラミック、鋼、又は高速度鋼の基体と、それにCVD法で付着させた単層又は多層の摩耗保護被膜を備えていて、その摩耗保護被膜が、0.70≦x<1、0≦y<0.25、及び0.75≦z<1.15の化学量係数有する少なくとも1つのTi1−xAlxCyNz層を備える工具であって、前記Ti1−xAlxCyNz層が、1μm〜25μmの厚さであり、結晶学における{111}面と{200}面のX線回折ピークの強度の比が、I{111}/I{200}>1+h(ln h)2(ただしhは、“μm”単位で表わしたTi1−xAlxCyNz層の厚さである)で特徴づけられる結晶学的に好ましい方位を有することを特徴とする工具に関する。【選択図】図4

Description

本発明は、カーバイド、サーメット、セラミック、鋼、又は高速度鋼の基体と、それにCVD法で付着させた単層又は多層の摩耗保護被膜を備えていて、その摩耗保護被膜が、結晶学的に好ましい方位を有する少なくとも1つのTi1−xAl層を備える工具に関する。ただし、Ti1−xAl層は、0.70≦x<1、0≦y<0.25、及び0.75≦z<1.15の化学量係数を有する。本発明はさらに、そのような工具を製造する方法に関する。
材料加工、特に金属切削加工のための切削インサートは、カーバイド、サーメット、セラミック、鋼、又は高速度鋼の基体を備えていて、その基体には、たいていの場合、切削特性及び/又は摩耗特性を改善するため単層又は多層のカーバイド被膜が設けられている。カーバイド被膜は、単金属カーバイド相又は混合金属カーバイド相の相互に積み重ねられた層を含んでいる。単金属カーバイド相の例は、TiN、TiC、TiCN、及びAlである。結晶中で1つの金属が部分的に別の金属で置換された混合金属カーバイド相の例は、TiAlNとTiAlCNである。上記のような被膜は、CVD法(化学気相蒸着)、PCVD法(プラズマ支援CVD法)、又はPVD法(物理気相蒸着)によって堆積される。
PVD法又はCVD法による堆積物における結晶成長のある好ましい方位は、特別な利点を有する可能性があることが見出されている。その点に関し、被膜の付与された層の好ましい方位が異なることも、用途の異なる切削インサートで特に有利である可能性がある。成長の好ましい方位は、一般に、結晶格子の平面に対して特定され、ミラー指数によって表わされ、結晶学的組織と称される(例えば、ファイバー組織)。
DE 10 2005 032 860には、面心立方晶Ti1−xAl層(Al含有量は0.75<x<0.93)を有するカーバイド被膜とその製造方法が開示されている。
DE 10 2007 000 512には、基板上に直接堆積されたTiN、TiCN、又はTiCの第1の層の上に堆積されたTiAlNの層と、これら2つの層の間に設けられていて相勾配がある結合層とを有するカーバイド被膜が開示されている。TiAlNの層は、結晶格子の(200)面に対して結晶成長の好ましい方位がある。
WO2009/112115、WO2009/112116、及びWO 2009/112117A1公報には、CVD法によって堆積された、Alの割合が大きく、かつ面心立方格子を有するTiAlN層とTiAlCN層が開示されているが、結晶成長の結晶学的に好ましい方位は記載されていない。
PVD法によって作製され、結晶成長の結晶学的に好ましい様々な方位を有するTiAlN被膜が知られているが、面心立方格子を有するTiAlN被膜であるPVD被膜は、CVD被膜とは異なり、Al含有量が67%未満に制限される。結晶の成長方向に対して{200}面の結晶学的に好ましい方位を有するTiAlN被膜は、金属加工に有利であることが記載されている(例えば、US2009/0274899、US2009/0074521、及びWO2009/127344)。
本発明の目的は、金属加工、特に鋼又は鋳造材料の旋削とフライス加工のための切削インサートであって、先行技術よりも耐摩耗性が改善されている切削インサートを提供することである。
この目的は、カーバイド、サーメット、セラミック、鋼、又は高速度鋼の基体と、それにCVD法で付着させた単層又は多層の摩耗保護被膜を備えていて、その摩耗保護被膜が、0.70≦x<1、0≦y<0.25、及び0.75≦z<1.15の化学量係数と1μm〜25μmの範囲の厚さを有する少なくとも1つのTi1−xAl層を備える工具を製造する方法によって達成され、
そのTi1−xAl層を作製するため、
a)被覆されるべき基体を、実質的に筒形のCVD反応器の中に配置し、ここで、前記反応器は、被覆する基体に、処理ガスの導入流が前記反応器の長手方向軸に対して実質的に径方向に当たるように設計されており、
b)2種類の前駆ガス混合物(VG1)及び(VG2)を供給し、
ここで、第1の前駆ガス混合物(VG1)は、
0.005〜0.2体積%のTiClと、
0.025〜0.5体積%のAlClと、
キャリアガスとして、水素(H)或いは水素と窒素の混合物(H/N) と、
を含んでおり、かつ
第2の前駆ガス混合物(VG2)は、
アンモニア(NH)及びヒドラジン(N)から選択される0.1〜3 .0体積%の少なくとも1種類のNドナーと、
キャリアガスとして、水素(H)或いは水素と窒素の混合物(H/N) と、
を含んでおり、
前記第1の前駆ガス混合物(VG1)及び/又は前記第2の前駆ガス混合物(VG2)は、選択的に、アセトニトリル(CHCN)、エタン(C)、エテン(C)、及びエチン(C)、並びにこれらの混合物から選択されるCドナーを含んでおり、
前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)中のNドナーとCドナーの全体積%の値は0.1〜3.0体積%の範囲であり、
c)前記2種類の前駆ガス混合物(VG1、VG2)を、反応区間に通過させる前は分離した状態に維持し、反応器の長手方向軸に対して実質的に径方向に導入し、前記CVD反応器内の処理温度は600℃〜850℃の範囲、かつ前記CVD反応器内の処理圧力は0.2〜18kPaの範囲であり、
前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)は、1.5未満である。
本発明に従うと、前駆ガス混合物中の体積%の割合は、反応区間に導入するガス混合物の全体積と関係し、第1と第2の前駆ガス混合物を含んでいる。
驚くべきことに、本発明に従ってこの方法を行うと、Ti1−xAl層とTi1−xAl層を作製でき、これらの層は、0.70≦x<1、0≦y<0.25、及び0.75≦z<1.15の化学量係数を有し、結晶格子の{111}面に対して結晶成長の顕著に好ましい方位を有する面心立方格子を備えることが見出された。TiAlCN層とTiAlN層を有する周知の被膜、特に、結晶格子の{200}面に対して結晶成長の好ましい方位を有する被膜と比較すると、本発明の被膜は、金属加工において優れた特性を有する。さらに驚くべきことに、ここに記載した種類の被膜を有する切削インサートの場合には、金属切削加工において、特に、鋼又は鋳造材料の旋削とフライス加工において、既存の切削インサートと比べて改善された耐摩耗性と、より広い範囲の用途を実現できることが見出された。
本発明のCVD法では、2種類の前駆ガス混合物(VG1)と(VG2)を準備する。第1の前駆ガス混合物(VG1)は、塩化物の形態になった金属Ti及びAlと、キャリアガスを含んでおり、第2の前駆ガス混合物(VG2)は、少なくとも1つのNドナーを含んでいる。一般に、純粋なTiAlN層を作製するには、Nドナーであるアンモニア(NH)又はヒドラジン(N)のみが用いられる。TiAlCN層を作製するには、NドナーとCドナーが用いられ、例えば、エテン(C)と混合したアンモニア(NHが用いられる。本発明の方法では、アセトニトリル(CHCN)は、Cドナーとして優勢に作用し、混合物の中でNドナーとともに用いられる。所望の個別の化学量に応じ、別のNドナー及びCドナーを含む混合物を用いることができる。本発明の方法では、Nドナーを、金属Ti及びAlの塩化物とは別に供給する必要があるが、それとは対照的に、Cドナーは、第1の前駆ガス混合物(VG1)として供給することと、第2の前駆ガス混合物(VG2)として供給することの両方が可能である。本発明のさらに別の好ましい一実施態様としては、Nドナーは、アンモニア(NH)である。
本発明で用いるCVD法は、MT−CVD法であり、CVD反応器内の処理温度が600℃〜850℃の範囲であり、CVD反応器内の処理圧力が0.2〜18kPaの範囲である。CVD反応器は、実質的に筒形の反応器であり、反応器は、被覆する基体に、処理ガスの導入流が反応器の長手方向軸に対して実質的に径方向に当たるように設計されている。すなわち、筒形の反応器の中心軸から、反応器の外壁の方向に向かうように設計されており、筒形の反応器は、鋳造製である。このような筒形の反応器は周知であり、かつ市販されており、例えば、Ionbond社(オルテン、スイス国)製のBernex(登録商標)BPXpro型のCVD被覆システムが挙げられる。
本発明の方法で極めて重要な工程は、反応区間に入れる前に、2種類の前駆ガス混合物(VG1)と(VG2)を分離した状態に維持することである。そうしない場合には、前駆ガスが、例えば、供給ラインの中で早期に過剰に反応し、所望の被膜が得られない可能性がある。
本発明の方法で極めて重要な別の工程は、前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)が1.5未満であることである。前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)が1.5よりも大きい場合には、Ti1−xAl層が所望の特性を得られず、特に、結晶格子の{111}面に対して結晶成長の好ましい方位を得られない。ここで、その好ましい方位は、X線回折のピーク強度の比I{111}/I{200}として定義され、本発明では、1+h(ln h)よりも大きい(ただしhは、“μm”単位で表わしたTi1−xAl層の厚さである)。
本発明の好ましい一実施態様では、CVD反応器内の処理温度は、600℃〜850℃の範囲、好ましくは657℃〜750℃の範囲である。
CVD反応器内の処理温度が高すぎる場合には、層内に、六方晶AlNが多くなるため、それによって、特に、その層の硬さが低下する。
逆にCVD反応器内の処理温度が低すぎる場合には、堆積速度が非経済的な範囲へと低下する可能性がある。それに加え、低温では、塩素含有量が1原子%超で、硬さがより小さい層が得られる。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、CVD反応器内の処理圧力は、0.2〜7kPaの範囲、好ましくは0.4〜1.8kPaの範囲である。
CVD反応器内の処理圧力が高すぎる場合には、工具表面の層の厚さが不規則に分布して縁部で層が厚くなる、いわゆるドッグボーン効果が生じることになる。それに加え、六方晶AlNの割合が大きくなることが、しばしば発生する。
それとは逆に、CVD反応器内の処理圧力を0.2kPa未満にすることは、技術的に難しい。それに加え、処理圧力が過度に低いと、工具の一様な被覆が、もはや保証されない。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)は、1.25未満、好ましくは1.15未満である。
前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比が大きすぎると、本発明で好ましい{111}方位とは異なる、好ましい方位が得られることが一般的となる。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、第1の前駆ガス混合物(VG1)中のTiClの濃度と、第2の前駆ガス混合物(VG2)中のNドナーの濃度を、段階c)で反応器に導入する体積ガス流V’(VG1)とV’(VG2)の中のNに対するTiのモル比が0.25以下となるように設定する。
驚くべきことに、反応器に導入する体積ガス流V’(VG1)とV’(VG2)の中のNに対するTiのモル比がより大きいと、特に、Nドナーとしてアンモニア(NH)を用いる場合に、Tiが非常に豊富な層が得られることが見出された。体積ガス流中のNに対するTiの比が過度に大きいと、TiClとNドナーとの間の複合体によって、AlClの反応が抑制されると考えられる。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、第2の前駆ガス混合物(VG2)は、1.0体積%以下、好ましくは0.6体積%以下のNドナーを含んでいる。
第2の前駆ガス混合物(VG2)に含まれるNドナー、任意には、Cドナーと混合されるNドナーの濃度が過度に大きい場合には、所望の組成と、所望の結晶学的に好ましい方位とが、得られない。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、摩耗保護被膜は、ブラスト処理後のTi1−xAl層の残留応力が+300〜−5000MPaの範囲、好ましくは−1〜−3500MPaの範囲になる条件下で、粒子状ブラスト剤、好ましくはコランダムを用いたブラスト処理を受ける。
Ti1−xAl層の残留圧縮強度が大きすぎる場合には、工具の縁部で、被膜がスポーリング(剥離)する可能性がある。
逆に、Ti1−xAl層に残留引張応力があると、交互にかかる熱力学的負荷又は櫛状の割れに対する工具の最適な抵抗が実現されない。
Ti1−xAl層に好ましい残留応力を発生させるには、乾式又は湿式のブラスト処理を用いると有利である可能性がある。ブラスト処理は、ブラスト剤の圧力を1バール〜10バールにして行うことが望ましい。
本発明による残留応力を導入するのに必要なブラスト処理の継続時間と必要なブラスト圧力は、当業者が簡単な実験によって本明細書に規定されている範囲内で確認できるパラメータである。それを一般的に示すことはできない。なぜなら、発生する残留応力は、ブラスト処理の継続時間とブラスト圧力だけでなく、被膜全体の構造と厚さにも依存するからである。しかし、その点に関し、ブラスト圧力は、ブラスト処理の継続時間と比べ、被膜と基体の内部での残留応力の変化に対して、実質的により大きな影響を与えることに注意されたい。適切なブラスト処理の継続時間は、通常は、10〜600秒の範囲である。
ブラスト角、すなわち処理用ジェットと工具表面の間の角度も、残留応力の導入に実質的な影響を有する。ブラスト用ジェットの角度が90°であると、最大の残留圧縮応力が発生する。ブラスト用ジェットの角度がより小さいと、すなわちブラスト剤のジェットを傾斜した角度で当てると、表面がより激しく研磨され、より小さな残留圧縮応力が導入される。
本発明には、カーバイド、サーメット、セラミック、鋼、又は高速度鋼の基体と、それにCVD法で付着させた単層又は多層の摩耗保護被膜を備えていて、その摩耗保護被膜が、0.70≦x<1、0≦y<0.25、及び0.75≦z<1.15の化学量係数を有する少なくとも1つのTi1−xAl層を備える工具であって、
Ti1−xAl層が、1μm〜25μmの厚さであり、結晶学における{111}面と{200}面のX線回折ピークの強度の比が、I{111}/I{200}>1+h(ln h)(ただしhは、“μm”単位で表わしたTi1−xAl層の厚さである)であることによって特徴づけられる結晶学的に好ましい方位を有する、工具も含まれる。
本発明の好ましい一実施態様では、Ti1−xAl層の{111}面のX線回折ピークの半値幅(FWHM)は、1%未満、好ましくは0.6%未満、特に好ましくは0.45%未満である。
Ti1−xAl層の{111}面のX線回折ピークの半値幅が過度に大きいと、面心立方(fcc)相の粒径がより小さくなるか、あるいは、アモルファス相の割合が大きくなることさえある。そうなると、耐摩耗性に関して不利であることが、以前の試験で証明されている。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、Ti1−xAl層は、面心立方(fcc)格子を有する少なくとも90体積%のTi1−xAl相、好ましくは面心立方(fcc)格子を有する少なくとも95体積%のTi1−xAl相、より好ましくは面心立方(fcc)格子を有する少なくとも98体積%のTi1−xAl相を備える。
面心立方(fcc)格子有するTi1−xAl相の割合が小さすぎると、より小さい耐摩耗性が観察される。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、Ti1−xAl層は、0.70≦x<1、y=0、及び0.95≦z<1.15の化学量係数を有する。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、Ti1−xAl層は、厚さが3μm〜20μmの範囲、好ましくは4〜15μmの範囲である。
Ti1−xAl層の厚さが小さすぎる場合には、工具の耐摩耗性が十分でない。
逆に、Ti1−xAl層の厚さが大きすぎる場合には、被覆操作後の熱残留応力が原因で、その層が大きくスポーリング(剥離)する可能性がある。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、Ti1−xAl層の結晶学における{111}面と{200}面のX線回折ピークの強度の比が、1+(h+3)×(ln h)よりも大きい。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、Ti1−xAl層のビッカース硬さ(HV)は、2300HV超、好ましくは2750HV超、特に好ましくは3000HV超である。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、基体とTi1−xAl層との間に、TiN層と、高温CVD(CVD)又は中間温度CVD(MT−CVD)によって堆積させたTiCN層と、Al層と、これらの組み合わせから選択される少なくとも1つの追加カーバイド層が配置されている。冷却時間が経済的に見合わない長さになることを避けるため、追加層をTi1−xAl層と同じ温度範囲で、例えば、中間温度CVD(MT−CVD)によって付着させることが特に好ましい。
本発明のさらに別の好ましい一実施態様では、Ti1−xAl層の上に、少なくとも1つの追加カーバイド層、好ましくは変態γ−Al、κ−Al、又はα−Alのうちの少なくとも1つのAl層が配置されていて、そのAl層は、高温CVD(CVD)又は中間温度CVD(MT−CVD)によって堆積されている。上記の理由により、Ti1−xAl層の可能な相変換を回避するため、Ti1−xAl層と同じ温度範囲で、すなわち中間温度CVD(MT−CVD)により、酸化アルミニウム層を付着させることが特に好ましい。γ−Al層、κ−Al層、又はα−Al層を600〜850℃の範囲で作製する方法は、例えば、EP 1 122 334及びEP 1 464 727により、当業者にとって周知である。
さらに別の好ましい一実施態様では、fcc Ti1−xAl層の{111}面の結晶学的に好ましい方位は非常に際立っており、放射線写真又はEBSDによって測定したTi1−xAl層の結晶学的な{111}面の回折強度の絶対最大値は、試料表面の法線方向からα±10°の角度範囲内、好ましくはα±5°の範囲内、特に好ましくはα±1°の範囲内である。この点に関して極めて重要なのは、方位角β(試料表面に対する法線のまわりの回転角)で強度を積分した後のfcc Ti1−xAlの{111}極点図の断面である。
刃先交換式切削ビットにおける従来の被膜第9番を有する刃先の旋削試験後の状態を示す。 刃先交換式切削ビットにおける従来の被膜第8番を有する刃先の旋削試験後の状態を示す。 刃先交換式切削ビットにおける本発明のTi1−xAl被膜を有する刃先の旋削試験後の状態を示す。 被膜第4番(本発明)のX線回折図を示す。 被膜第8番(従来技術)のX線回折図を示す。 被膜第1番(本発明)の法線方向についての逆極点図を示す。 βで積分した後の被膜第1番(本発明)のX線回折図の極点図の断面を示す。 βで積分した後の被膜第2番(本発明)のX線回折図の極点図の断面を示す。
(被覆された刃先交換式カーバイド製切削ビットの作製)
これらの実施例で用いられる基体は、幾何学形状がCNMA120412の刃先交換式切削ビットであり、組成は、86.5重量%のWC、5.5重量%のCo、2重量%のTiC、及び6重量%の(NbC+TaC)であり、混合カーバイドのない刃先区間を有する。
この刃先交換式カーバイド製切削ビットを被覆するため、反応器の高さが1250mmで直径が325mmであるBernex BPX325S型のCVD被覆設備を使用した。ガス流は、反応器の長手方向軸に対して径方向であった。
本発明のTi1−xAl層と比較層とを接合するため、CVDにより、表1に示した堆積条件下で、最初に厚さ約0.3μmのTiN層又はTiCN層をカーバイド製基体に直接付着させた。
本発明のTi1−xAl層を作製するため、出発化合物がTiClとAlClである第1の前駆ガス混合物(VG1)と、反応性窒素化合物としての出発化合物がNHである第2の前駆ガス混合物(VG2)とを、互いに別々に反応器に導入した。そのようにすることにより、その2つのガス流の混合が、反応区間に入ったときにだけ起こるようにするためである。
前駆ガス混合物(VG1)と(VG2)の体積ガス流は、本発明の被覆を作製するときに、体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)が1.5未満になるように設定した。本発明のTi1−xAl被膜と比較用被膜を作製する際のパラメータを表3に示す。
(比較用被膜の作製)
従来技術に従う比較例の刃先交換式カーバイド製切削ビットを、次のように被覆した:
a)TiN/MT−Ti(C,N)/TiN(被膜第9番)の順で厚さ12μmの層系、及び
b)TiN/MT−Ti(C,N)(被膜第9番)の順で厚さ5μmの層系。
その目的で、次の表2に従う堆積条件を用いた。
被膜の組成、組織、残留応力、及び硬さを調べるため、次の方法を用いた。
結晶学的に好ましい方位を求めるため、X線回折(XRD)法と電子線回折(特にEBSD)法の両方を使用することができる。好ましい方位を信頼性よく求めるには、個々の面{hkl}の反射での回折測定は適切ではなく、結晶方位分布関数(ODF)を求め必要がある。逆極点図の形態でなされるその表現は、存在する可能性のある任意のファイバー組織の位置と鋭さを示す。結晶方位分布関数は、統計的に十分な数の個別の方位測定から構成する(EBSdの場合)か、(XRDにより)さまざまな反射{hkl}での最小数の極点図の測定から計算する必要がある。この点に関しては、L Spiess他、『Moderne Ro(ウムラウト)ntgenbeugung』、第2版、Vieweg & Teubner社、2009年を参照されたい。
本発明によるTi1−xAl層の場合、極点図セットのXRD測定とODF計算を用いて、ファイバー軸が正確に<111>方位であるか、<111>から10°未満の角度で逸脱した結晶学的方位のファイバー構造が含まれることを確認する。θ−2θ測定からの{111}と{200}反射の強度の比を利用して、その組織を定量することができる。ファイバー軸の位置は、{111}反射の逆極点図から、又は放射線写真で測定された極点図から確認することができる。
(X線回折測定)
CuKα放射線を用いて、GE Sensing & Inspection Technologies PTS3003型の回折計でX線回折測定を実施した。θ−2θでの残留応力と極点図の測定に関しては、平行ビーム光学系を使用した。この光学系は、第1の側が、ポリキャピラリー手段と、コリメータとしての2mmのピンホールを有している。第2の側では、開度(ダイバージェンス)が0.4°の平行プレート・コリメータと、ニッケルKβフィルタが用いられている。
θ−2θ測定の結果に基づき、ピークの強度と半値幅を求めた。バックグラウンドを導出した後、偽ヴォイト関数を測定データにフィットさせた。そのときKα2の導出は、Kα1/Kα2二重マッチングによって行った。強度と半値幅に関して表4に示した値は、このようにしてフィットさせたKα1干渉と関係している。格子定数は、PDF−カード38−1420及び46−1200から、TiNとAlNの格子定数を、それぞれ仮定し、ヴェガルドの法則に従って計算する。
(面心立方晶(fcc)Ti1−xAlと六方晶AlNの識別)
六方晶AlNの{101}及び{202}干渉と、面心立方晶Ti1−xAlの{111}及び{222}反射は、それぞれの化学組成に応じ、より多く、又はより少なく、互いに重畳させることができる。面心立方晶Ti1−xAlの{200}面の干渉だけが、例えば、基体と、その上又は下に配置された層で、さらなる干渉がないことによって重畳され、ランダムな方位で最大の強度を有する。
体積測定で六方晶AlNの体積率を判断し、面心立方晶Ti1−xAlの{111}と{200}の強度に関する誤判断を回避するため、異なる2つの傾斜角Ψ(Ψ=0°とΨ=54.74°)で測定(θ−2θスキャン)を実施した。{111}面と{200}面の法線間の角度は約54.74°であるため、強い{111}ファイバー組織の場合には、傾斜角Ψ=54.74°で、{200}反射の最大強度が存在するが、{111}反射の強度がゼロに向かう傾向がある。それとは逆に、強い{200}ファイバー組織の場合には、傾斜角Ψ=54.74°で、{111}反射の強い最大強度が存在するが、{200}反射の強度はゼロに向かう傾向がある。
実施例に従って作製される組織層に関しては、このようにして、2θ=約38.1°で測定された強度が、面心立方Ti1−xAl相に主に関係しているかどうか、あるいは、その層により多くの割合の六方晶AlNが含まれているかどうかを調べることが可能である。X線回折測定とEBSD測定の両方が、本発明による層には、わずかな割合のみの六方晶AlN相を示している。
(極点図)
{111}反射の極点図は、測定点を円形配置にして、0°<α<75°(5°インクレメント)と0°<β<360°(5°インクレメント)の角度範囲にわたり、2θ=38.0°で行った。測定して逆計算したすべての極点図の強度分布は、ほぼ回転対称であった。すなわち、調べた層は、ファイバー組織を示していた。好ましい方位を調べるため、{200}及び{220}反射での{111}極点図に加えて、さまざまな極点図を測定した。LaboSoft社(ポーランド国)のLaboTex3.0というソフトウエアを用いて、結晶方位分布関数(ODF)を計算し、好ましい方位を逆極点図として表わした。本発明の層では、<111>方位、あるいは、<111>から10°以下のずれで、最大強度になった。
(残留応力分析)
sinΨ法による残留応力分析のため、面心立方晶Ti1−xAl層の{222}干渉を用い、−60°から60°まで(5°インクレメント)、25通りの角度のΨで測定を行なった。バックグラウンドを導出した後、ローレンツ偏光補正とKα2導出(ラッシンガー分離)を行い、測定データにプロファイル関数を適合させることによって、干渉の線位置を求めた。使用した弾性定数は、1/2S2=1.93T/Paとs1=−0.18T/Paであった。カーバイド製基体のWC相における残留応力は、弾性定数1/2S=1.66T/PaとS=−0.27T/Paを用い、{201}干渉に基づいて、同様に求めた。
残留応力は、通常は、メガパスカル(MPa)を単位として表わされ、残留引張応力はプラスの記号(+)で、残留圧縮応力はマイナス(−)の記号でそれぞれ特定される。
(EDX測定(エネルギー分散型X線分光))
Oxford Instruments社(イギリス国)のINCA型のEDX分光器を用い、Carl Zeiss社の走査電子顕微鏡Supra 40 VPで、加速電圧を15kVにしてEDX測定を行った。
(微小硬さの測定)
DIN EN ISO 14577−1と−4に従い、Helmut Fischer社(ジンデルフィンゲン、ドイツ国)のFischerscope H100型の汎用硬度計を用い、被覆された基体の研磨した切片で、微小硬さを測定した。
(ブラスト処理)
実施例の刃先交換式カーバイド製切削ビットに対し、CVD被覆操作の後、圧縮空気の乾燥ジェット・ブラスト処理を行なった。ブラスト処理の前と後に、Ti1−xAl層内と基体(WC)内の残留応力を測定した。使用したジェット・ブラスト・パラメータと測定された残留応力の値を表5に示す。
(切削試験−旋削)
組成が、86.5重量%のWC、5.5重量%のCo、2重量%のTiC、及び6重量%の(NbC+TaC)であり、混合カーバイドなしの刃先区間を有する、幾何学形状がCNMA120412の刃先交換式カーバイド製切削ビットを、表3に示したCVD被膜第1番及び第8番と、上記の被膜第9番(TiN/MT−Ti1−xAl層(C,N)/TiN)で被覆した。すべての工具で、層の全厚さは約12μmであった。これらの切削インサートを用いて、長手方向の旋削加工操作を行った。そのときの条件は、次の通りである:
加工材料: ねずみ鋳鉄GG25
冷却流体: エマルジョン
送り: f=0.32mm
切削深度: a=2.5mm
切削速度: v=200m/分
図1〜図3は、加工時間t=9分後における、刃先交換式切削ビットの刃先を示している。従来の2つの刃先交換式切削ビット(図1:被膜第9番;図2:被膜第8番)は、刃先に沿って、面積の大きな、層のスポーリング(剥離)が観察される。本発明のTi1−xAl層を有する刃先交換式切削ビット(図3:被膜第1番)では、スポーリング(剥離)がほとんど観察されない。
(切削試験−フライス加工(1))
組成が、90.47重量%のWC、8重量%のCo、及び1.53重量%のTaC/NbCである、幾何学形状がSEHW1204AFNの刃先交換式カーバイド製切削ビットを、表3に示したCVD被膜第4番と第8番で被覆した。すべての工具で、層の全厚さは約11μmであった。これらの切削インサートを用いて、フライス加工操作を行った。そのときの条件は、次の通りである:
加工材料: 球状黒鉛鋳鉄GGG70(強度680MPa)
同方向乾燥加工
刃の送り: f=0.2mm
切削深度: a=3mm
切削速度: v=185m/分
取付角: κ=45°
実効加工 a=98mm
突き出し: u=5mm
次に、フライス加工の移動距離が3200mになった後に、主要刃先における最大摩耗痕の幅vB.maxを求めた。
(切削試験−フライス加工(2))
組成が、90.47重量%のWC、8重量%のCo、及び1.53重量%のTaC/NbCである、幾何学形状がSEHW1204AFNの刃先交換式カーバイド製切削ビットを、表3に示したCVD被膜第5番と、上記の被膜第10番(TiN/MT−Ti(C,N))で被覆した。被膜第5番を有する刃先交換式切削ビットを、一方では、非ブラスト条件で使用し、他方では、ブラスト剤として表5のサンプルS8によるZrOを用いた乾燥ジェット・ブラスト処理をして使用した。これらの切削インサートを用いてフライス加工操作を行った。そのときの切削条件は、次の通りである:
加工材料: ねずみ鋳鉄GG25
同方向乾燥加工
刃の送り: f=0.2mm
切削深度: a=3mm
切削速度: v=283m/分
取付角: κ=45°
実効加工 a=98mm
突き出し: u=5mm
次に、フライス加工の移動距離が2400mになった後に、主要刃先における平均の摩耗痕の幅vと櫛状割れ目の数を求めた。
(切削試験−フライス加工(3))
組成が、90.47重量%のWC、8重量%のCo、及び1.53重量%のTaC/NbCである、幾何学形状がSEHW1204AFNの刃先交換式カーバイド製切削ビットを、表3に示したCVD被膜第5番と、上記の被膜第10番(TiN/MT−Ti(C,N))で被覆した。異なるそれぞれの被膜に関し、3つの切削インサートを試験した。これらの切削インサートを用いて、フライス加工操作を行った。そのときの切削条件は、次の通りである:
加工材料: 構造鋼ST37(強度約500MPa)
同方向乾燥加工
刃の送り: f=0.3mm
切削深度: a=6mm
切削速度: v=299m/分
取付角: κ=75°
実効加工 a=50mm
突き出し: u=350mm
次に、フライス加工の移動距離が3200mになった後に、主要刃先における櫛状割れの数を求めた。

Claims (17)

  1. カーバイド、サーメット、セラミック、鋼、又は高速度鋼の基体と、それにCVD法で付着させた単層又は多層の摩耗保護被膜を備えていて、その摩耗保護被膜が、0.70≦x<1、0≦y<0.25、及び0.75≦z<1.15の化学量係数と、1μm〜25μmの範囲の厚さを有する少なくとも1つのTi1−xAl層を備える工具を製造する方法であって、
    前記Ti1−xAl層を作製するため、
    a)被覆されるべき基体を、実質的に筒形のCVD反応器の中に配置し、ここで、前記反応器は、被覆する基体に、処理ガスの導入流が前記反応器の長手方向軸に対して実質的に径方向に当たるように設計されており、
    b)2種類の前駆ガス混合物(VG1)及び(VG2)を供給し、
    ここで、第1の前駆ガス混合物(VG1)は、
    0.005〜0.2体積%のTiClと、
    0.025〜0.5体積%のAlClと、
    キャリアガスとして、水素(H)或いは水素と窒素の混合物(H/N) と、
    を含んでおり、かつ
    第2の前駆ガス混合物(VG2)は、
    アンモニア(NH)及びヒドラジン(N)から選択される0.1〜3 .0体積%の少なくとも1種類のNドナーと、
    キャリアガスとして、水素(H)或いは水素と窒素の混合物(H/N) と、
    を含んでおり、
    前記第1の前駆ガス混合物(VG1)及び/又は前記第2の前駆ガス混合物(VG2)は、選択的に、アセトニトリル(CHCN)、エタン(C)、エテン(C)、及びエチン(C)、並びにこれらの混合物から選択されるCドナーを含んでおり、
    前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)中のNドナーとCドナーの全体積%の値は0.1〜3.0体積%の範囲であり、
    c)前記2種類の前駆ガス混合物(VG1、VG2)を、反応区間に通過させる前は、分離した状態に維持し、前記反応器の長手方向軸に対して実質的に径方向に導入し、前記CVD反応器内の処理温度は600℃〜850℃の範囲、かつ前記CVD反応装置内の処理圧力は0.2〜18kPaの範囲であり、
    前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)は、1.5未満である、
    方法。
  2. 前記CVD反応器内の処理温度が600℃〜850℃の範囲、好ましくは657℃〜750℃の範囲であり、かつ/或いは、前記CVD反応器内の処理圧力が0.2〜7kPaの範囲、好ましくは0.4〜1.8kPaの範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
  3. 前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)が1.25未満、好ましくは1.15未満であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 前記第1の前駆ガス混合物(VG1)中のTiClの濃度と、前記第2の前駆ガス混合物(VG2)中のNドナーの濃度を、前記反応器に導入する体積ガス流V’(VG1)とV’(VG2)の中のNに対するTiのモル比が0.25以下となるように設定することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
  5. 前記第2の前駆ガス混合物(VG2)が、1.0体積%以下、好ましくは0.6体積%以下の前記Nドナーを含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
  6. 前記Nドナーがアンモニア(NH)であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
  7. 前記摩耗保護被膜を、ブラスト処理後のTi1−xAl層の残留応力が+300〜−5000MPaの範囲、好ましくは−1〜−3500MPaの範囲になる条件下で、粒子状ブラスト剤、好ましくはコランダムを用いてブラスト処理することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
  8. カーバイド、サーメット、セラミック、鋼、又は高速度鋼の基体と、それにCVD法で付着させた単層又は多層の耐摩耗被膜を備えていて、その耐摩耗被膜が、0.70≦x<1、0≦y<0.25、及び0.75≦z<1.15の化学量係数を有する少なくとも1つのTi1−xAl層を備える工具であって、
    前記Ti1−xAl層が、1μm〜25μmの厚さであり、結晶学における{111}面と{200}面のX線回折ピークの強度の比が、I{111}/I{200}>1+h(ln h)(ただしhは、”μm”単位で表わした前記Ti1−xAl層の厚さである)で特徴づけられる結晶学的に好ましい方位を有することを特徴とする、工具。
  9. 前記Ti1−xAl層の{111}面のX線回折ピークの半値幅(FWHM)が、1%未満、好ましくは0.6%未満、特に好ましくは0.45%未満であることを特徴とする、請求項8に記載の工具。
  10. 前記Ti1−xAl層が、面心立方(fcc)格子を有する少なくとも90体積%のTi1−xAl相、好ましくは面心立方(fcc)格子を有する少なくとも95体積%のTi1−xAl相、より好ましくは面心立方(fcc)格子を有する少なくとも98体積%のTi1−xAl相を備えることを特徴とする、請求項8又は9に記載の工具。
  11. 前記Ti1−xAl層が、0.70≦x<1、y=0、及び0.95≦z<1の化学量係数を有することを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の工具。
  12. 前記Ti1−xAl層が、3μm〜20μmの範囲、好ましくは4〜15μmの範囲の厚さであることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか1項に記載の工具。
  13. 前記Ti1−xAl層の結晶学における{111}面と{200}面のX線回折ピークの強度の比が1+(h+3)×(ln h)よりも大きいことを特徴とする、請求項8〜12のいずれか1項に記載の工具。
  14. 前記Ti1−xAl層のビッカース硬さ(HV)が、2300HV超、好ましくは2750HV超、特に好ましくは3000HV超であることを特徴とする、請求項8〜13のいずれか1項に記載の工具。
  15. 前記基体と前記Ti1−xAl層の間に、TiN層と、高温CVD(CVD)又は中間温度CVD(MT−CVD)によって堆積させたTiCN層と、Al層と、これらの組み合わせから選択される少なくとも1つの追加カーバイド層が配置されていて、かつ/或いは
    前記Ti1−xAl層の上に、少なくとも1つの追加カーバイド層、好ましくは変態γ−Al、κ−Al、α−Alのうちの少なくとも1つのAl層、特に好ましくはα−Al層が配置されていて、前記Al層は、高温CVD又は中間温度CVD(MT−CVD)によって堆積されていることを特徴とする、請求項8〜14のいずれか1項に記載の工具。
  16. 放射線写真又はEBSDによって測定した前記Ti1−xAl層の結晶学における{111}面の回折強度の絶対最大値が、試料表面の法線方向からα=±10°の角度範囲内、好ましくはα=±5°の範囲内、特に好ましくはα=±1°の範囲内であることを特徴とする、請求項8〜15のいずれか1項に記載の工具。
  17. 請求項1〜7のいずれか1項に従って製造した、請求項8〜16のいずれか1項に記載の工具。
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