JP2016522323A - Cvd被膜を有する工具 - Google Patents
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Abstract
Description
そのTi1−xAlxCyNz層を作製するため、
a)被覆されるべき基体を、実質的に筒形のCVD反応器の中に配置し、ここで、前記反応器は、被覆する基体に、処理ガスの導入流が前記反応器の長手方向軸に対して実質的に径方向に当たるように設計されており、
b)2種類の前駆ガス混合物(VG1)及び(VG2)を供給し、
ここで、第1の前駆ガス混合物(VG1)は、
0.005〜0.2体積%のTiCl4と、
0.025〜0.5体積%のAlCl3と、
キャリアガスとして、水素(H2)或いは水素と窒素の混合物(H2/N2) と、
を含んでおり、かつ
第2の前駆ガス混合物(VG2)は、
アンモニア(NH3)及びヒドラジン(N2H4)から選択される0.1〜3 .0体積%の少なくとも1種類のNドナーと、
キャリアガスとして、水素(H2)或いは水素と窒素の混合物(H2/N2) と、
を含んでおり、
前記第1の前駆ガス混合物(VG1)及び/又は前記第2の前駆ガス混合物(VG2)は、選択的に、アセトニトリル(CH3CN)、エタン(C6H6)、エテン(C2H4)、及びエチン(C2H2)、並びにこれらの混合物から選択されるCドナーを含んでおり、
前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)中のNドナーとCドナーの全体積%の値は0.1〜3.0体積%の範囲であり、
c)前記2種類の前駆ガス混合物(VG1、VG2)を、反応区間に通過させる前は分離した状態に維持し、反応器の長手方向軸に対して実質的に径方向に導入し、前記CVD反応器内の処理温度は600℃〜850℃の範囲、かつ前記CVD反応器内の処理圧力は0.2〜18kPaの範囲であり、
前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)は、1.5未満である。
Ti1−xAlxCyNz層が、1μm〜25μmの厚さであり、結晶学における{111}面と{200}面のX線回折ピークの強度の比が、I{111}/I{200}>1+h(ln h)2(ただしhは、“μm”単位で表わしたTi1−xAlxCyNz層の厚さである)であることによって特徴づけられる結晶学的に好ましい方位を有する、工具も含まれる。
これらの実施例で用いられる基体は、幾何学形状がCNMA120412の刃先交換式切削ビットであり、組成は、86.5重量%のWC、5.5重量%のCo、2重量%のTiC、及び6重量%の(NbC+TaC)であり、混合カーバイドのない刃先区間を有する。
従来技術に従う比較例の刃先交換式カーバイド製切削ビットを、次のように被覆した:
a)TiN/MT−Ti(C,N)/TiN(被膜第9番)の順で厚さ12μmの層系、及び
b)TiN/MT−Ti(C,N)(被膜第9番)の順で厚さ5μmの層系。
その目的で、次の表2に従う堆積条件を用いた。
CuKα放射線を用いて、GE Sensing & Inspection Technologies PTS3003型の回折計でX線回折測定を実施した。θ−2θでの残留応力と極点図の測定に関しては、平行ビーム光学系を使用した。この光学系は、第1の側が、ポリキャピラリー手段と、コリメータとしての2mmのピンホールを有している。第2の側では、開度(ダイバージェンス)が0.4°の平行プレート・コリメータと、ニッケルKβフィルタが用いられている。
六方晶AlNの{101}及び{202}干渉と、面心立方晶Ti1−xAlxCyNzの{111}及び{222}反射は、それぞれの化学組成に応じ、より多く、又はより少なく、互いに重畳させることができる。面心立方晶Ti1−xAlxCyNzの{200}面の干渉だけが、例えば、基体と、その上又は下に配置された層で、さらなる干渉がないことによって重畳され、ランダムな方位で最大の強度を有する。
{111}反射の極点図は、測定点を円形配置にして、0°<α<75°(5°インクレメント)と0°<β<360°(5°インクレメント)の角度範囲にわたり、2θ=38.0°で行った。測定して逆計算したすべての極点図の強度分布は、ほぼ回転対称であった。すなわち、調べた層は、ファイバー組織を示していた。好ましい方位を調べるため、{200}及び{220}反射での{111}極点図に加えて、さまざまな極点図を測定した。LaboSoft社(ポーランド国)のLaboTex3.0というソフトウエアを用いて、結晶方位分布関数(ODF)を計算し、好ましい方位を逆極点図として表わした。本発明の層では、<111>方位、あるいは、<111>から10°以下のずれで、最大強度になった。
sin2Ψ法による残留応力分析のため、面心立方晶Ti1−xAlxCyNz層の{222}干渉を用い、−60°から60°まで(5°インクレメント)、25通りの角度のΨで測定を行なった。バックグラウンドを導出した後、ローレンツ偏光補正とKα2導出(ラッシンガー分離)を行い、測定データにプロファイル関数を適合させることによって、干渉の線位置を求めた。使用した弾性定数は、1/2S2=1.93T/Paとs1=−0.18T/Paであった。カーバイド製基体のWC相における残留応力は、弾性定数1/2S2=1.66T/PaとS1=−0.27T/Paを用い、{201}干渉に基づいて、同様に求めた。
Oxford Instruments社(イギリス国)のINCA型のEDX分光器を用い、Carl Zeiss社の走査電子顕微鏡Supra 40 VPで、加速電圧を15kVにしてEDX測定を行った。
DIN EN ISO 14577−1と−4に従い、Helmut Fischer社(ジンデルフィンゲン、ドイツ国)のFischerscope H100型の汎用硬度計を用い、被覆された基体の研磨した切片で、微小硬さを測定した。
実施例の刃先交換式カーバイド製切削ビットに対し、CVD被覆操作の後、圧縮空気の乾燥ジェット・ブラスト処理を行なった。ブラスト処理の前と後に、Ti1−xAlxCyNz層内と基体(WC)内の残留応力を測定した。使用したジェット・ブラスト・パラメータと測定された残留応力の値を表5に示す。
組成が、86.5重量%のWC、5.5重量%のCo、2重量%のTiC、及び6重量%の(NbC+TaC)であり、混合カーバイドなしの刃先区間を有する、幾何学形状がCNMA120412の刃先交換式カーバイド製切削ビットを、表3に示したCVD被膜第1番及び第8番と、上記の被膜第9番(TiN/MT−Ti1−xAlxCyNz層(C,N)/TiN)で被覆した。すべての工具で、層の全厚さは約12μmであった。これらの切削インサートを用いて、長手方向の旋削加工操作を行った。そのときの条件は、次の通りである:
加工材料: ねずみ鋳鉄GG25
冷却流体: エマルジョン
送り: f=0.32mm
切削深度: ap=2.5mm
切削速度: vc=200m/分
組成が、90.47重量%のWC、8重量%のCo、及び1.53重量%のTaC/NbCである、幾何学形状がSEHW1204AFNの刃先交換式カーバイド製切削ビットを、表3に示したCVD被膜第4番と第8番で被覆した。すべての工具で、層の全厚さは約11μmであった。これらの切削インサートを用いて、フライス加工操作を行った。そのときの条件は、次の通りである:
加工材料: 球状黒鉛鋳鉄GGG70(強度680MPa)
同方向乾燥加工
刃の送り: fz=0.2mm
切削深度: ap=3mm
切削速度: vc=185m/分
取付角: κ=45°
実効加工 ae=98mm
突き出し: ue=5mm
組成が、90.47重量%のWC、8重量%のCo、及び1.53重量%のTaC/NbCである、幾何学形状がSEHW1204AFNの刃先交換式カーバイド製切削ビットを、表3に示したCVD被膜第5番と、上記の被膜第10番(TiN/MT−Ti(C,N))で被覆した。被膜第5番を有する刃先交換式切削ビットを、一方では、非ブラスト条件で使用し、他方では、ブラスト剤として表5のサンプルS8によるZrO2を用いた乾燥ジェット・ブラスト処理をして使用した。これらの切削インサートを用いてフライス加工操作を行った。そのときの切削条件は、次の通りである:
加工材料: ねずみ鋳鉄GG25
同方向乾燥加工
刃の送り: fz=0.2mm
切削深度: ap=3mm
切削速度: vc=283m/分
取付角: κ=45°
実効加工 ae=98mm
突き出し: ue=5mm
組成が、90.47重量%のWC、8重量%のCo、及び1.53重量%のTaC/NbCである、幾何学形状がSEHW1204AFNの刃先交換式カーバイド製切削ビットを、表3に示したCVD被膜第5番と、上記の被膜第10番(TiN/MT−Ti(C,N))で被覆した。異なるそれぞれの被膜に関し、3つの切削インサートを試験した。これらの切削インサートを用いて、フライス加工操作を行った。そのときの切削条件は、次の通りである:
加工材料: 構造鋼ST37(強度約500MPa)
同方向乾燥加工
刃の送り: fz=0.3mm
切削深度: ap=6mm
切削速度: vc=299m/分
取付角: κ=75°
実効加工 ae=50mm
突き出し: ue=350mm
Claims (17)
- カーバイド、サーメット、セラミック、鋼、又は高速度鋼の基体と、それにCVD法で付着させた単層又は多層の摩耗保護被膜を備えていて、その摩耗保護被膜が、0.70≦x<1、0≦y<0.25、及び0.75≦z<1.15の化学量係数と、1μm〜25μmの範囲の厚さを有する少なくとも1つのTi1−xAlxCyNz層を備える工具を製造する方法であって、
前記Ti1−xAlxCyNz層を作製するため、
a)被覆されるべき基体を、実質的に筒形のCVD反応器の中に配置し、ここで、前記反応器は、被覆する基体に、処理ガスの導入流が前記反応器の長手方向軸に対して実質的に径方向に当たるように設計されており、
b)2種類の前駆ガス混合物(VG1)及び(VG2)を供給し、
ここで、第1の前駆ガス混合物(VG1)は、
0.005〜0.2体積%のTiCl4と、
0.025〜0.5体積%のAlCl3と、
キャリアガスとして、水素(H2)或いは水素と窒素の混合物(H2/N2) と、
を含んでおり、かつ
第2の前駆ガス混合物(VG2)は、
アンモニア(NH3)及びヒドラジン(N2H4)から選択される0.1〜3 .0体積%の少なくとも1種類のNドナーと、
キャリアガスとして、水素(H2)或いは水素と窒素の混合物(H2/N2) と、
を含んでおり、
前記第1の前駆ガス混合物(VG1)及び/又は前記第2の前駆ガス混合物(VG2)は、選択的に、アセトニトリル(CH3CN)、エタン(C6H6)、エテン(C2H4)、及びエチン(C2H2)、並びにこれらの混合物から選択されるCドナーを含んでおり、
前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)中のNドナーとCドナーの全体積%の値は0.1〜3.0体積%の範囲であり、
c)前記2種類の前駆ガス混合物(VG1、VG2)を、反応区間に通過させる前は、分離した状態に維持し、前記反応器の長手方向軸に対して実質的に径方向に導入し、前記CVD反応器内の処理温度は600℃〜850℃の範囲、かつ前記CVD反応装置内の処理圧力は0.2〜18kPaの範囲であり、
前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)は、1.5未満である、
方法。 - 前記CVD反応器内の処理温度が600℃〜850℃の範囲、好ましくは657℃〜750℃の範囲であり、かつ/或いは、前記CVD反応器内の処理圧力が0.2〜7kPaの範囲、好ましくは0.4〜1.8kPaの範囲であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記前駆ガス混合物(VG1、VG2)の体積ガス流(V’)の比V’(VG1)/V’(VG2)が1.25未満、好ましくは1.15未満であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第1の前駆ガス混合物(VG1)中のTiCl4の濃度と、前記第2の前駆ガス混合物(VG2)中のNドナーの濃度を、前記反応器に導入する体積ガス流V’(VG1)とV’(VG2)の中のNに対するTiのモル比が0.25以下となるように設定することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2の前駆ガス混合物(VG2)が、1.0体積%以下、好ましくは0.6体積%以下の前記Nドナーを含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記Nドナーがアンモニア(NH3)であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記摩耗保護被膜を、ブラスト処理後のTi1−xAlxCyNz層の残留応力が+300〜−5000MPaの範囲、好ましくは−1〜−3500MPaの範囲になる条件下で、粒子状ブラスト剤、好ましくはコランダムを用いてブラスト処理することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
- カーバイド、サーメット、セラミック、鋼、又は高速度鋼の基体と、それにCVD法で付着させた単層又は多層の耐摩耗被膜を備えていて、その耐摩耗被膜が、0.70≦x<1、0≦y<0.25、及び0.75≦z<1.15の化学量係数を有する少なくとも1つのTi1−xAlxCyNz層を備える工具であって、
前記Ti1−xAlxCyNz層が、1μm〜25μmの厚さであり、結晶学における{111}面と{200}面のX線回折ピークの強度の比が、I{111}/I{200}>1+h(ln h)2(ただしhは、”μm”単位で表わした前記Ti1−xAlxCyNz層の厚さである)で特徴づけられる結晶学的に好ましい方位を有することを特徴とする、工具。 - 前記Ti1−xAlxCyNz層の{111}面のX線回折ピークの半値幅(FWHM)が、1%未満、好ましくは0.6%未満、特に好ましくは0.45%未満であることを特徴とする、請求項8に記載の工具。
- 前記Ti1−xAlxCyNz層が、面心立方(fcc)格子を有する少なくとも90体積%のTi1−xAlxCyNz相、好ましくは面心立方(fcc)格子を有する少なくとも95体積%のTi1−xAlxCyNz相、より好ましくは面心立方(fcc)格子を有する少なくとも98体積%のTi1−xAlxCyNz相を備えることを特徴とする、請求項8又は9に記載の工具。
- 前記Ti1−xAlxCyNz層が、0.70≦x<1、y=0、及び0.95≦z<1の化学量係数を有することを特徴とする、請求項8〜10のいずれか1項に記載の工具。
- 前記Ti1−xAlxCyNz層が、3μm〜20μmの範囲、好ましくは4〜15μmの範囲の厚さであることを特徴とする、請求項8〜11のいずれか1項に記載の工具。
- 前記Ti1−xAlxCyNz層の結晶学における{111}面と{200}面のX線回折ピークの強度の比が1+(h+3)×(ln h)2よりも大きいことを特徴とする、請求項8〜12のいずれか1項に記載の工具。
- 前記Ti1−xAlxCyNz層のビッカース硬さ(HV)が、2300HV超、好ましくは2750HV超、特に好ましくは3000HV超であることを特徴とする、請求項8〜13のいずれか1項に記載の工具。
- 前記基体と前記Ti1−xAlxCyNz層の間に、TiN層と、高温CVD(CVD)又は中間温度CVD(MT−CVD)によって堆積させたTiCN層と、Al2O3層と、これらの組み合わせから選択される少なくとも1つの追加カーバイド層が配置されていて、かつ/或いは
前記Ti1−xAlxCyNz層の上に、少なくとも1つの追加カーバイド層、好ましくは変態γ−Al2O3、κ−Al2O3、α−Al2O3のうちの少なくとも1つのAl2O3層、特に好ましくはα−Al2O3層が配置されていて、前記Al2O3層は、高温CVD又は中間温度CVD(MT−CVD)によって堆積されていることを特徴とする、請求項8〜14のいずれか1項に記載の工具。 - 放射線写真又はEBSDによって測定した前記Ti1−xAlxCyNz層の結晶学における{111}面の回折強度の絶対最大値が、試料表面の法線方向からα=±10°の角度範囲内、好ましくはα=±5°の範囲内、特に好ましくはα=±1°の範囲内であることを特徴とする、請求項8〜15のいずれか1項に記載の工具。
- 請求項1〜7のいずれか1項に従って製造した、請求項8〜16のいずれか1項に記載の工具。
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