JP2016512393A5

JP2016512393A5 -

Info

Publication number: JP2016512393A5
Application number: JP2016500279A
Authority: JP
Filing date: 2014-02-17
Publication date: 2017-03-23
Anticipated expiration: 2034-02-17

Description

基板を処理するための方法および装置が本明細書で開示される。いくつかの実施形態では、処理チャンバ内で基板を支持するための基板支持体は、誘電絶縁体プレートと、誘電絶縁体プレートの上に支持され、上面および底面を含み、上面と底面の間に厚さが画定される導電性プレートであって、導電性プレートのエッジ部が、半径方向外側に向かうテーパ付きである導電性プレートと、導電性プレートの上面に配置された、基板支持面を含む誘電体プレートとを備える。
いくつかの実施形態では、基板処理装置が、内部処理容積を有する処理チャンバと、ＲＦエネルギーを処理容積の中に結合するために処理チャンバに近接して配置された高周波（ＲＦ）コイルと、バイアスＲＦ源と、処理容積内に配置された、本明細書に開示の実施形態のいずれかで説明される基板支持体とを含み、導電性プレートは、バイアスＲＦ源に結合される。
いくつかの実施形態では、処理チャンバ内で基板を支持するための基板支持体は、石英誘電絶縁体プレートと、石英誘電絶縁体プレートの上に支持され、上面および底面を含み、この上面と底面の間に厚さが画定されるチタン導電性プレートであって、その厚さが、導電性プレートのエッジ部に沿って半径方向外側に向かうテーパ付きである導電性プレートと、基板支持面に対応する内壁がある隆起リップを備える導電性プレートの上面に配置された、石英またはセラミックの誘電体プレートとを含み、この石英誘電絶縁体プレートは、その上面に形成された凹部を含み、この凹部は、導電性プレートを受け入れるように、ならびに少なくとも底面の一部および側壁の一部との接触を維持するように構成される。

誘電体プレート１２０は、導電性プレート１０８を少なくとも部分的に貫通して形成された第２の位置決め孔１３２と同軸に位置合わせされた、第１の位置決め孔１３０を含むことができる。第１の位置決めデバイス（たとえば第１の位置決めピン１３６）が誘電体プレート１２０を、このピンが誘電体プレートの中に、基板支持面１２８に、またはその下に置かれるように貫通することができ、また第１の位置決めピン１３６は、部分的に導電性プレート１０８を貫通して、誘電体プレート１２０を導電性プレート１０８に対して少なくとも角を成して配置する。第３の位置決め孔１３４が、誘電絶縁体１０２を少なくとも部分的に貫通して、第１の位置決め孔１３０と同軸に位置合わせされて形成され得る。第２の位置決めデバイス、たとえば第２の位置決めピン１３７が誘電絶縁体１０２を貫通し、第２の位置決め孔１３２の中に部分的に延びて、導電性プレート１０８を誘電絶縁体１０２に対して少なくとも角を成して配置することができる。

処理キット２２８は、処理チャンバ２０２の壁２３０に置くように構成された外側エッジ２４０を有する、フランジなどのリング２３８を含むことができる。たとえば、図２に示されるように、リング２３８は壁２３０の上に置かれ、リング２３８の上に誘電体蓋２３６および上部２３４を置くことができる。しかし、図２に示された実施形態は例示的なものにすぎず、他の実施形態も実現可能である。たとえば、リング２３８は、壁２３０から内側に延びるリップなどの、チャンバの内部フィーチャ（図示せず）の上に置かれるように構成することができる。リング２３８はさらに、内側エッジ２４２を含むことができる。

ガス入り口２０６は、処理ガス供給源２１８につながれ、処理時に処理ガスを基板処理システム２００の中に導入する。図示のように、ガス入り口２０６は、誘電体蓋２３６を介して第１の容積２０３に結合される。しかし、ガス入り口２０６は、第１の容積２０３の中に適切な任意の位置で結合することができる。ガス排気口２０８は、サーボ制御絞り弁２５２および真空ポンプ２５４を備えることができる。真空ポンプ２５４は、処理の前に基板処理システム２００を排気する。処理時、真空ポンプ２５４およびサーボ制御絞り弁２５２は、基板処理システム２００の内部を所望の圧力に維持する。ヒータ１５０が、基板２１６を所望の温度まで加熱するために設けられる。ヒータ１５０は、電力をヒータ１５０に供給してヒータ１５０を操作しやすくするように構成された、電源２６４に結合される。

イオン化分子を所望の方向に、たとえば基板２１６の方に向けるために、いくつかの実施形態では、バイアス（または高バイアス）ＲＦ電力１０９が、基板支持体１００に結合される。本発明では、ＲＦは導電性プレート１０８に加えられる。本発明者らは、少なくとも図１に示されるように半径方向外側に向かって導電性プレート１０８の厚さにテーパが付いていると、基板エッジにおけるエッジ効果が有利に最小限になり、基板全体にわたってより均一なエッチングがもたらされることを観察した。