CN110473761B - 等离子体处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具备腔室。腔室提供有内部空间。一个以上的第1构件以其各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第1构件包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第2构件与一个以上的第1构件分别相接触。一个以上的第2构件各自的至少一部分配置于大气压环境下。一个以上的供给器分别向设置于一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给制冷剂。
Description
技术领域
本公开的实施方式涉及一种等离子体处理装置。
背景技术
在电子器件的制造中使用了等离子体处理装置。等离子体处理装置通过使供给到腔室中的气体激发，而生成等离子体。基板被来自所生成的等离子体的化学种态(日语：化学種)处理。
作为等离子体处理装置，公知有专利文献1所记载的等离子体处理装置。专利文献1所记载的等离子体处理装置具备腔室、载置台、上部电极、第1高频电源以及第2高频电源。载置台设置于腔室的内部空间中。载置台支承载置于该载置台之上的基板。载置台提供有下部电极。上部电极设置于载置台的上方。第1高频电源向下部电极供给高频电力，以便生成等离子体。第2高频电源向下部电极供给高频电力(偏压用的高频电力)，以便吸引离子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第5759718号说明书
发明内容
发明要解决的问题
为了提高在等离子体处理装置中所执行的等离子体蚀刻的蚀刻速度，有时采用增大偏压用的高频电力的电力水平的对策。在利用具有较高的电力水平的高频电力的情况下，需要对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却。
用于解决问题的方案
在一技术方案中，提供一种在能够减压的内部空间中进行等离子体处理的等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、支承台、一个以上的第1构件、一个以上的第2构件以及一个以上的供给器。腔室在其中提供内部空间。支承台设置于内部空间中。支承台构成为，对载置于该支承台之上的基板进行支承。一个以上的第1构件分别包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第1构件以它们各自的至少一部分暴露于包括内部空间在内的减压环境的方式设置。一个以上的第2构件分别包含于腔室，或相对于腔室独立设置。一个以上的第2构件分别与一个以上的第1构件中的所对应的第1构件相接触。一个以上的第2构件各自的至少一部分配置于大气压环境下。一个以上的供给器分别构成为，向设置于一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给制冷剂。
减压环境下的等离子体处理的结果，一个以上的第1构件的温度可以为高温。在一技术方案的等离子体处理装置中，通过向配置于大气压环境下的一个以上的第2构件供给制冷剂，而间接地冷却一个以上的第1构件。即、根据一技术方案的等离子体处理装置，通过向一个以上的第2构件供给制冷剂，而不向一个以上的第1构件直接供给制冷剂，就能够冷却一个以上的第1构件。
在一实施方式中，等离子体处理装置还具备设置于支承台的上方的上部电极。支承台包括下部电极。一个以上的第1构件中的一个第1构件以包围上部电极的方式延伸。一个第2构件以包围一个第1构件的方式延伸。
在一实施方式中，一个以上的供给器中的一个供给器构成为，向设置于一个第2构件中的空腔供给冷却水作为制冷剂。
在一实施方式中，等离子体处理装置还具备提供上述空腔的配管。配管设置于在一个第2构件中形成的槽中。利用配管利用，抑制第1构件的腐蚀。
在一实施方式中，等离子体处理装置还具备屏蔽件。屏蔽件具有筒形状。屏蔽件设置于腔室的侧壁与支承台之间，以包围支承台的方式延伸。在腔室的侧壁形成有第1开口。在屏蔽件形成有与第1开口面对的第2开口。基板在内部空间与腔室的外部之间输送时穿过第1开口和第2开口。等离子体处理装置还具备开闭器机构。开闭器机构构成为，对第2开口进行开闭。一个以上的第1构件为多个第1构件。多个第1构件中的另一个第1构件是开闭器机构的用于使第2开口关闭的阀芯。一个以上的第2构件为多个第2构件。多个第2构件中的另一个第2构件是与阀芯连结起来的轴体。在另一个第2构件中形成有上述空腔。开闭器机构的阀芯配置于减压环境下。在该实施方式中，通过向开闭器机构的轴体供给制冷剂，间接地冷却开闭器机构的阀芯。即、在该实施方式中，不向阀芯直接供给制冷剂，就能够间接地冷却阀芯。
在一实施方式中，一个以上的供给器为多个供给器。多个供给器中的另一个供给器构成为，向在另一个第2构件中形成的空腔供给空气作为制冷剂。
在一实施方式中，等离子体处理装置还具备屏蔽件。屏蔽件具有筒形状。屏蔽件设置于腔室的侧壁与支承台之间，以包围支承台的方式延伸。在腔室的侧壁形成有第1开口。在屏蔽件形成有与第1开口面对的第2开口。基板在内部空间与腔室的外部之间输送时穿过第1开口和第2开口。等离子体处理装置还具备开闭器机构。开闭器机构构成为，对第2开口进行开闭。一个以上的第1构件中的一个第1构件是开闭器机构的用于使第2开口关闭的阀芯。一个以上的第2构件中的一个第2构件是与阀芯连结起来的轴体。在一个第2构件中形成有上述空腔。开闭器机构的阀芯配置于减压环境下。在该实施方式中，通过向开闭器机构的轴体供给制冷剂，间接地冷却开闭器机构的阀芯。即、在该实施方式中，不向阀芯直接供给制冷剂，就能够间接地冷却阀芯。
在一实施方式中，一个以上的供给器中的一个供给器构成为，向在一个第2构件中形成的空腔供给空气作为制冷剂。
在一实施方式中，等离子体处理装置还具备用于对一个以上的第1构件分别进行加热的一个以上的加热器。
发明的效果
如以上说明那样，通过向配置到大气压环境下的构件供给制冷剂，能够间接地对在腔室内的减压环境下成为高温的构件进行冷却。
附图说明
图1是概略地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。
图2是图1所示的等离子体处理装置的局部放大剖视图。
图3是图1所示的等离子体处理装置的局部放大剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图而详细地说明各种实施方式。此外，对各附图中相同或相当的部分标注相同的附图标记。
图1是概略地表示一实施方式的等离子体处理装置的图。图2和图3是图1所示的等离子体处理装置的局部放大剖视图。在图2中示出利用一个例子的开闭器机构的阀芯使所对应的开口关闭着的状态。在图3中示出利用一个例子的开闭器机构的阀芯使所对应的开口打开着的状态。图1～图3所示的等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10在其中提供有内部空间10s。内部空间10s能够减压。腔室10包括腔室主体12和顶部14。
腔室主体12提供有侧壁12s。侧壁12s具有大致圆筒形状。内部空间10s设置于侧壁12s的内侧。侧壁12s沿着铅垂方向延伸。侧壁12s的中心轴线与沿着铅垂方向延伸的轴线AX大致一致。腔室主体12被电接地。腔室主体12由例如铝形成。在腔室主体12的表面形成有耐腐蚀性的膜。耐腐蚀性的膜由例如氧化铝或氧化钇这样的材料形成。侧壁12s提供有开口12p(第1开口)。开口12p能够由闸阀12g开闭。基板W在内部空间10s与腔室10的外部之间输送时穿过开口12p。
在内部空间10s中设置有支承台16。支承台16构成为，对载置于支承台16之上的基板W进行支承。在支承台16的下方设置有底板17。支承体18从底板17向上方延伸。支承体18具有大致圆筒形状。支承体18由例如石英这样的绝缘体形成。支承台16搭载于支承体18之上，由支承体18支承。
支承台16包括下部电极20和静电卡盘22。也可以是，支承台16还包括电极板24。电极板24具有大致圆盘形状。电极板24的中心轴线与轴线AX大致一致。电极板24由铝这样的导体形成。
下部电极20设置于电极板24之上。下部电极20与电极板24电连接。下部电极20具有大致圆盘形状。下部电极20的中心轴线与轴线AX大致一致。下部电极20由铝这样的导体形成。在下部电极20中形成有流路20f。流路20f呈例如涡旋状延伸。制冷剂从冷机单元26向流路20f供给。冷机单元26设置于腔室10的外部。冷机单元26向流路20f供给例如液状的制冷剂。供给到流路20f的制冷剂返回冷机单元26。
静电卡盘22设置于下部电极20之上。静电卡盘22包括主体和电极22a。静电卡盘22的主体具有大致圆盘形状。静电卡盘22的中心轴线与轴线AX大致一致。静电卡盘22的主体由陶瓷形成。电极22a是由导体形成的膜。电极22a设置于静电卡盘22的主体内。在电极22a经由开关22s连接有直流电源22d。在使基板W保持于静电卡盘22的情况下，来自直流电源22d的电压被施加于电极22a。若电压被施加于电极22a，则在静电卡盘22与基板W之间产生静电引力。基板W被所产生的静电引力吸附于静电卡盘22，而被静电卡盘22保持。等离子体处理装置1也可以提供向静电卡盘22与基板W的背面之间供给传热气体(例如氦气)的气体管线。
在静电卡盘22的周缘部之上，聚焦环FR以包围基板W的方式配置。聚焦环FR是为了改善对基板W进行的等离子体处理的面内均匀性而被利用的。聚焦环FR由例如硅、石英、或碳化硅形成。在聚焦环FR与下部电极20之间设置有环27。环27由绝缘体形成。
也可以是，等离子体处理装置1还具备筒状部28和筒状部29。筒状部228沿着支承台16和支承体18的外周延伸。筒状部28设置于筒状部29之上。筒状部28由具有耐腐蚀性的绝缘体形成。筒状部28由例如石英形成。筒状部29沿着支承体18的外周延伸。筒状部29由具有耐腐蚀性的绝缘体形成。筒状部29由例如石英形成。
顶部14以封闭腔室10的上端开口的方式设置。顶部14包括上部电极30。顶部14还可以包括构件32和构件34。构件32是大致环状的板，由铝这样的金属形成。构件32隔着随后论述的间隔件60设置于侧壁12s之上。构件34设置于上部电极30与构件32之间。构件34相对于轴线AX沿着周向延伸。构件34由石英这样的绝缘体形成。此外，O形密封圈这样的密封构件35a介于上部电极30与构件34之间。O形密封圈这样的密封构件35b介于构件34与构件32之间。
上部电极30包括顶板36和支承体38。顶板36具有大致圆盘形状。顶板36与内部空间10s相接触。顶板36形成有多个气体喷出孔36h。多个气体喷出孔36h沿着板厚方向(铅垂方向)贯穿顶板36。顶板36由硅、氧化铝、或石英形成。或者，顶板36也可以通过在铝这样的导体制的构件的表面上形成耐腐蚀性的膜而构成。耐腐蚀性的膜由例如氧化铝或氧化钇这样的材料形成。
支承体38设置于顶板36之上。支承体38拆装自由地支承顶板36。支承体38由例如铝形成。在支承体38形成有流路38f。流路38f在支承体38内呈例如涡旋状延伸。制冷剂从冷机单元40向供给流路38f。冷机单元40设置于腔室10的外部。冷机单元40向流路38f供给液状的制冷剂(例如冷却水)。供给到流路38f的制冷剂返回冷机单元40。该冷机单元40可以以例如4L/min以上的流量向流路38f供给制冷剂。
在支承体38的内部形成有气体扩散室38d。在支承体38形成有多个孔38h。多个孔38h从气体扩散室38d向下方延伸而与多个气体喷出孔36h分别连接。在支承体38设置有端口38p。端口38p与气体扩散室38d连接。在端口38p经由阀组42、流量控制器组43、以及阀组44连接有气体源组41。
气体源组41包括多个气体源。阀组42和阀组44分别包括多个阀。流量控制器组43包括多个流量控制器。多个流量控制器分别是质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。在等离子体处理装置1中，使分别来自从气体源组41的多个气体源中所选择的一个以上的气体源的气体向气体扩散室38d供给。供给到气体扩散室38d的气体从多个气体喷出孔36h向内部空间10s供给。
等离子体处理装置1还具备第1高频电源51和第2高频电源52。第1高频电源51是产生等离子体生成用的第1高频电力的电源。第1高频电力的频率是例如27MHz以上。第1高频电源51经由匹配器53与下部电极20电连接。匹配器53具有用于使第1负荷侧(下部电极20侧)的阻抗与第1高频电源51的输出阻抗匹配的匹配电路。此外，第1高频电源51也可以不与下部电极20连接，而是经由匹配器53与上部电极30连接。
第2高频电源52是产生用于向基板W吸引离子的第2高频电力的电源。第2高频电力的频率是例如13.56MHz以下。第2高频电源52经由匹配器54与下部电极20电连接。匹配器54具有用于使负荷侧(下部电极20侧)的阻抗与第2高频电源52的输出阻抗匹配的匹配电路。
顶部14还包括构件56。构件56是大致环状的板。构件56在顶板36的径向外侧的区域中沿着周向延伸。径向是相对于轴线AX放射的方向。在构件56与构件32之间、且是在构件34与间隔件60之间设置有加热器单元62。加热器单元62包括主体62m和加热器62h。
主体62m是一实施方式的第1构件。主体62m以包围上部电极30的方式沿着周向延伸。主体62m是大致环状的板。主体62m由铝这样的导体形成。加热器62h对主体62m进行加热。加热器62h设置于主体62m中。加热器62h可以是电阻加热元件。
在主体62m与其周围的构件之间设置有O形密封圈这样的密封构件，以便使包括内部空间10s在内的减压环境与大气压环境分离。具体而言，在主体62m与构件32之间设置有密封构件63a。另外，在主体62m与随后论述的屏蔽件70的上端之间设置有密封构件63b。主体62m局部地暴露于减压环境。主体62m的表面中的、比密封构件63a和密封构件63b靠内侧的区域与内部空间10s连通。主体62m的表面的该区域暴露于减压环境。
间隔件60是一实施方式的第2构件。间隔件60配置于加热器单元62的主体62m的径向外侧的区域。间隔件60以包围加热器单元62的主体62m的方式沿着周向延伸。间隔件60相对于密封构件63a和密封构件63b设置于径向外侧的区域。因而，间隔件60配置于大气压环境下。间隔件60由例如铝形成。
间隔件60与加热器单元62的主体62m相接触。具体而言，主体62m的外缘区域与间隔件60的内缘区域在铅垂方向上重叠。主体62m的外缘区域和间隔件60的内缘区域相互相接触。主体62m和间隔件60在主体62m的外缘区域和间隔件60的内缘区域相接触的状态下使用例如螺钉而相互固定。
间隔件60在其中提供有空腔60c。空腔60c在间隔件60中沿着周向延伸。制冷剂从供给器64向空腔60c供给。供给器64形成于腔室10的外部。制冷剂可以是液状的制冷剂。制冷剂是例如冷却水或盐水。供给到空腔60c的制冷剂返回供给器64。通过向间隔件60供给制冷剂，从而间接地冷却加热器单元62的主体62m。即、不向加热器单元62的主体62m直接供给制冷剂，就能够冷却主体62m。
在一实施方式中，等离子体处理装置1具备配管60p。配管60p由例如不锈钢形成。配管60p提供有空腔60c。利用配管60p，抑制间隔件60的腐蚀。配管60p设置于在间隔件60内形成的槽中。
在一实施方式中，间隔件60包括间隔件零部件60d～60f。间隔件零部件60d～60f由例如铝形成。间隔件零部件60d～60f分别是大致环状的板，具有大致筒形状。间隔件零部件60d～60f沿着铅垂方向叠置。在其中配置有配管60p的槽由间隔件零部件60e的表面和间隔件零部件60f的表面提供。此外，间隔件60所具有的间隔件零部件的个数并不被限定三个。
也可以是，等离子体处理装置1还具备屏蔽件70。屏蔽件70是为了防止因等离子体处理产生的副生成物附着于腔室10的内壁面而设置的。屏蔽件70具有大致筒形状。屏蔽件70在侧壁12s与支承台16之间沿着侧壁12s的内壁面设置。屏蔽件70从加热器单元62的主体62m向下方延伸。屏蔽件70由铝这样的导体形成。在屏蔽件70的表面形成有耐腐蚀性的膜。耐腐蚀性的膜由例如氧化铝或氧化钇这样的材料形成。
在屏蔽件70与支承体18之间设置有挡板构件72。挡板构件72的外缘与屏蔽件70的下端结合。挡板构件72的内缘被夹持在筒状部29与底板17之间。挡板构件72由铝这样的导体制的板形成。在挡板构件72的表面形成有耐腐蚀性的膜。耐腐蚀性的膜由例如氧化铝或氧化钇这样的材料形成。在挡板构件72形成有多个贯通孔。
内部空间10s包括延伸到挡板构件72的下方的排气区域。在排气区域连接有排气装置74。排气装置74包括自动压力控制阀这样的压力调整器和涡轮分子泵这样的减压泵。
在屏蔽件70形成有开口70p(第2开口)。开口70p以与开口12p面对的方式形成于屏蔽件70。基板W在内部空间10s与腔室10的外部之间输送时穿过开口12p和开口70p。
也可以是，等离子体处理装置1还具备开闭器机构76。开闭器机构76构成为，对开口70p进行开闭。开闭器机构76具有阀芯76v和轴体76s。开闭器机构76还可以具有筒体76a、密封部76b、壁部76w以及驱动部76d。
阀芯76v在配置于开口70p内的状态下使开口70p关闭。阀芯76v是一实施方式的第1构件。阀芯76v由轴体76s支承。即、轴体76s与阀芯76v连结。轴体76s从阀芯76v向下方延伸。轴体76s包括主部76m和凸缘76f。主部76m形成为大致筒状。即、轴体76s在其内部提供有空腔76c。凸缘76f设置于主部76m的上端之上。阀芯76v设置于凸缘76f之上。轴体76s的空腔76c也形成于凸缘76f中。该轴体76s是一实施方式的第2构件。在凸缘76f中设置有加热器76h。加热器76h是例如电阻加热元件。加热器76h构成为，隔着凸缘76f对阀芯76v进行加热。
筒体76a呈筒形状。筒体76a直接地或间接地固定于腔室主体12。轴体76s的主部76m能够在筒体76a中穿过而上下移动。驱动部76d产生用于使轴体76s的主部76m沿着上下移动的动力。驱动部76d包括例如马达。
密封部76b设置于筒体76a中。密封部76b封闭筒体76a与轴体76s的主部76m之间的间隙，确保了内部空间10s的气密。密封部76b使包括内部空间10s在内的大气压环境和大气压环境分离。密封部76b并不被限定，但可以是O形密封圈或磁性流体密封。壁部76w在筒体76a与腔室主体12之间延伸。壁部76w封闭筒体76a与腔室主体12之间的间隙，确保了内部空间10s的气密。
也可以是，等离子体处理装置1还具备供给器78。供给器78构成为，向空腔76c供给制冷剂。制冷剂是例如空气、冷却空气、或非活性气体。通过向开闭器机构76的轴体76s供给制冷剂，间接地冷却阀芯76v。因而，不向阀芯76v直接供给制冷剂，就能够间接地冷却阀芯76v。
在一实施方式中，等离子体处理装置1还能具备控制部80。控制部80构成为，对等离子体处理装置1的各部进行控制。控制部80是例如计算机装置。控制部80具有处理器、存储部、键盘这样的输入装置、显示装置、以及信号的输入输出接口。在存储部存储有控制程序和制程数据。处理器执行控制程序，按照制程数据经由输入输出接口向等离子体处理装置1的各部送出控制信号。
如以上说明那样，在等离子体处理装置1中，通过向配置到大气环境下的第2构件供给制冷剂，能够间接地冷却在减压环境下的等离子体处理中能成为高温的第1构件。即、不向第1构件直接供给制冷剂，就能够冷却第1构件。
以上，对各种实施方式进行了说明，但并不限定于上述的实施方式，能够构成各种变形形态。例如，等离子体处理装置1作为借助第2构件冷却第1构件的结构、包括两个结构，即、包括加热器单元62的主体62m和间隔件60的结构、以及开闭器机构76的阀芯76v和轴体76s的结构。然而，借助第2构件冷却第1构件的结构的个数能是一个以上的任意的个数。即、本公开中的等离子体处理装置能具备一个以上的第1构件、一个以上的第2构件、以及一个以上的供给器。
另外，借助第2构件冷却第1构件的结构并不被限定于包括加热器单元62的主体62m和间隔件60的结构、以及开闭器机构76的阀芯76v和轴体76s的结构。借助第2构件冷却第1构件的结构也可以适用于等离子体处理装置1的任意的部分。例如，借助第2构件冷却第1构件的结构适用于腔室10的壁部等。即、第1构件和第2构件也可以包含于腔室10。或者，第1构件和第2构件也可以相对于腔室10独立设置。
另外，借助第2构件冷却第1构件的结构也可以适用于除了电容耦合型的等离子体处理装置以外的任意的等离子体处理装置。借助第2构件冷却第1构件的结构也可以适用于例如感应耦合型的等离子体处理装置或使用微波这样的表面波而生成等离子体的等离子体处理装置。
Claims (9)
1.一种等离子体处理装置，其在能够减压的内部空间中进行等离子体处理，
该等离子体处理装置具备：
腔室，在其中提供所述内部空间；
支承台，其设置于所述内部空间中，该支承台构成为支承载置于该支承台之上的基板；
上部电极，其设置于所述支承台的上方；
一个以上的第1构件，其分别包含于所述腔室，或相对于所述腔室独立设置，以各自的至少一部分暴露于包括所述内部空间在内的减压环境的方式设置，且不被制冷剂直接冷却；
一个以上的第2构件，其分别包含于所述腔室，或相对于所述腔室独立设置，该一个以上的第2构件分别与所述一个以上的第1构件中的所对应的第1构件相接触，各自的至少一部分配置于大气压环境下；以及
一个以上的供给器，其构成为，分别向设置于所述一个以上的第2构件的所对应的第2构件中的空腔供给所述制冷剂，
其中，所述一个以上的第1构件至少包括以下构件之一：(a)开闭器机构的阀芯；以及(b)所述腔室的加热器主体，
所述一个以上的第2构件至少包括以下构件之一：(a)与所述阀芯连结的轴体，所述空腔在该轴体的内部延伸；以及(b)与所述加热器主体接触的间隔件，所述空腔在该间隔件的内部延伸，
在所述一个以上的第1构件与所述上部电极之间设置有绝缘构件。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述支承台包括下部电极，
所述一个以上的第1构件中的一个第1构件以包围所述上部电极的方式延伸，
所述一个以上的第2构件中的一个第2构件以包围所述一个第1构件的方式延伸。
3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其中，
所述一个以上的供给器中的一个供给器构成为，向设置于所述一个第2构件中的所述空腔供给冷却水作为所述制冷剂。
4.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置还具备提供所述空腔的配管，
所述配管设置于在所述一个第2构件中形成的槽中。
5.根据权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置还具备筒状的屏蔽件，该筒状的屏蔽件设置于所述腔室的侧壁与所述支承台之间，以包围所述支承台的方式延伸，
在所述腔室的侧壁形成有第1开口，
在所述屏蔽件形成有与所述第1开口面对的第2开口，
该等离子体处理装置还具备开闭器机构，该开闭器机构构成为，对所述第2开口进行开闭，
所述一个以上的第1构件为多个第1构件，该多个第1构件中的另一个第1构件是所述开闭器机构的用于使所述第2开口关闭的阀芯，
所述一个以上的第2构件为多个第2构件，该多个第2构件中的另一个第2构件是与所述阀芯连结起来的轴体，在该另一个第2构件的中形成有所述空腔。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其中，
所述一个以上的供给器为多个供给器，该多个供给器中的另一个供给器构成为，向在该另一个第2构件中形成的所述空腔供给空气作为所述制冷剂。
7.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置还具备筒状的屏蔽件，该筒状的屏蔽件设置于所述腔室的侧壁与所述支承台之间，以包围所述支承台的方式延伸，
在所述腔室的侧壁形成有第1开口，
在所述屏蔽件形成有与所述第1开口面对的第2开口，
该等离子体处理装置还具备开闭器机构，该开闭器机构构成为，对所述第2开口进行开闭，
所述一个以上的第1构件中的一个第1构件是所述开闭器机构的用于使所述第2开口关闭的阀芯，
所述一个以上的第2构件中的一个第2构件是与所述阀芯连结起来的轴体，在该一个第2构件中形成有所述空腔。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，其中，
所述一个以上的供给器中的一个供给器构成为，向在该一个第2构件中形成的所述空腔供给空气作为所述制冷剂。
9.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置还具备用于对所述一个以上的第1构件分别进行加热的一个以上的加热器。
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