JPH01275784A - エッチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、エツチング装置に関する。

（従来の技術） 近年、半導体素子の複雑な製造工程の簡略化。

工程の自動化を可能とし、しかも微細パターンを高精度
で形成することが可能な各種薄膜のエツチング装置とし
て、ガスプラズマ中の反応成分を利用したプラズマエツ
チング装置が注目されている。

このプラズマエツチング装置は、真空装置に連設した気
密容器内の下方にアルミニウム製の電極が設けられ、こ
のアルミニウム製電極と対向する上方にアモルファスカ
ーボン製電極を備えた例えばアルミニウム製電極体が設
けられ、このアモルファスカーボン製電極と上記アルミ
ニウム製電極にＲＦ電源が接続しており、上記アルミニ
ウム製電極上に被処理基板例えば半導体ウェハを設定し
て上記電源から各電極間に電力を印加する。同時に、所
望の処理ガスを上記電極間に供給する。すると、この処
理ガスが上記電力によりプラズマ化され、このプラズマ
化した処理ガスにより上記半導体ウェハ表面をエツチン
グするものである。

このようなエツチング装置は１例えば特開昭５７−１５
６０３４号、特開昭６１−１７４６３２号公報等に開示
されている。

また、上部電極、下部電極、気密容器を同一温度に温調
することにより、ウェハの汚染の原因となるミストの付
着を防止する技術が例えば特開昭６２−１２１２９号公
報に開示されている。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら上記従来の技術では、上部電極。

下部電極、気密容器を同−温度例えば６０℃に設定して
おり、上記上部電極は下部電極との間で処理ガスをプラ
ズマ化しているため、約２０℃以上に設定すると上記処
理ガスがミストとして上記上部電極表面に付着してしま
い、このミストにより上記ウェハを汚染してしまうとい
う間層があった。また、上記上部電極がアモルファスカ
ーボン製で、これを支持している電極体がアルミニウム
製であり、各々の材質が異なっているため高温に加熱す
ると熱膨張系数の違いから上部電極がひび割れを起こし
、このひび割れによりウェハを汚染してしまうことや、
上記上部電極を都度交換する必要があり装置の稼働効率
が低下するという問題があった。

また、上記下部電極はウェハを設置しており。

このウェハを高温に設定するとバタ、−ンにダメージを
与えてしまう問題があった。更に、この装置で異方性エ
ツチングを行なう場合、上記上部電極と下部電極に電圧
を同時に印加して位相を１８０゜ずらず必要があり、こ
の場合上記上部電極及び下部電極を夫々所望する温度に
変化させなければならなかった。

また、気密容器はエツチング処理におけるミストの付着
を防止する必要があり、この気密容器は常に５０℃以上
となるように設定することが要望されていた。

本発明は上記点に対処してなされたもので、被処理基板
の汚染を抑止し、更に常時所望する温度条件下でエツチ
ング処理することを可能としたエツチング装置を提供し
ようとするものである。

〔発明の構成〕

＜ｍ題を解決するための手段） 本発明は、気密容器内に設けられた被処理基板設置電極
と、この被処理基板設置電極と所定の間隔を設けて配置
した対向電極に電力を印加して処理ガスをプラズマ化し
、このプラズマ化した処理ガスにより上記被処理基板を
エツチングする装置において、上記気密容器と上記被処
理基板設置電極と上記対向電極を温調する夫々別系統の
温調機構を設けたことを特徴とするエツチング装置を得
るものである。

（作　用） 気密容器と、この気密容器内に設けられた被処理基板設
置電極と、この被処理基板設置電極と所定の間隔を設け
て配置した対向電極を温調する、夫々別系統の温調機構
を設けたことにより、常時所望する温度条件下でエツチ
ング処理することを可能とする。即ち、対向電極の温度
を２０”Ｃ以下に設定することによりウェハの汚染の原
因となるミストが対向電極表面に付着することを防止し
、また、熱膨張係数の異なる材質で対向電極及びこれを
支持する電極体を形成しても対向電極のひび割れを抑止
し、また、被処理基板設置電極を冷却することによりウ
アハ表面に形成されたパターンにダメージを与えること
を防止することが容易となる。

また、この装置で異方性エツチングを行なう場合、上記
対向電極と被処理基板設置電極に電圧を同時に印加して
位相を１８０°ずらず必要があるが、この場合、上記対
向電極と被処理基板設置電極温度を所望する温度に容易
に変化させることができ、この時、上記気密容器の温度
を変化させずに所望温度に一定制御しておくことができ
、所望する温度条件に柔軟に対応することが可能となる
。

（実施例） 以下本発明装置を半導体製造工程におけるエツチング装
置に適用した一実施例につき図面を参照して説明する。

被処理基板例えば半導体ウェハωをエツチング処理する
装置例えばプラズマエツチング装置は第１図及び第２図
に示すように上記ウェハ■を収納する収納部■と、この
収納部■から上記ウェハ■を搬出入する為の搬送部■と
この搬送部■からのウェハ■を位置合せするアライメン
ト部■とこの７ライメント部に）で位置合せされたウェ
ハωをエツチング処理する処理部■と、これら各部の動
作設定及びモニタ等を行なう操作部０とから構成されて
いる。

上記収納部■は半導体ウェハ■を板厚方向に所定の間か
くを設けて複数枚例えば２５枚を積載収納可能なウェハ
カセット■を複数個例えば２個収納可能とされている。

このウェハカセット■は、夫々対応するカセット載置台
■に載置され、このカセット載置台（ハ）は夫々独立し
た図示しない昇降機構により上下動可能となっている。

ここで上記昇降機構は、防じん対策の為上記カセット載
置台■より常に下側に位置する事が望ましい。

そして、搬送部■には、上記収納部■とアライメント部
（へ）及び処理部０間で、ウェハ■の搬送を行なう多関
節ロボット■が設けられている。この多関節ロボット■
には保持機構例えば図示しない真空吸着機構を設えたア
ーム（１０）が設けられており、このアーム（１０）は
ウェハ■への重金属汚染を防止する為の材質例えばセラ
ミックや石英により形成されている。そして、この多関
節ロボット■は、−点を軸として回転自在であり、さら
に水平−軸方向へ移動可能となっている。

上記搬送部■より搬送されたウェハ■の位置合せを行な
うアライメント部（イ）にはバキュームチャック（１１
）が設けられている。このバキュームチャック（１１）
は１円板状内チャック及びこの内チャック外周と所定の
間隔を設けた円環状外チャックから構成されている。上
記内チャックは、内チャックの中心を軸とした回転及び
上下動が可能であり、上記外チャックは、水平−軸方向
へ移動可能となっている。また、内チャックの中心方向
に移動可能なウェハ外周端部を検出するセンサー例えば
透過形センサーが設けられている。

そして、上記アライメント部（イ）で位置合せされたウ
ェハ■を処理する処理部■が構成されている。

この処理部■は、エツチング処理する気密容器即ち処理
室（１２）に気密を保ちなからウェハ■搬送可能な複数
例えばイン側のロードロック室（１３）及びアウト側の
ロードロック室（１４）が２系統設けられ、またアウト
側ロードロック室（１３）には処理後のウェハ■をライ
トエッチやアッシング等のトリートメントを行なう多目
的使用が可能な予備室（１５）が接続されている。上記
イン側ロードロック室（１３）には、上記アライメント
部（イ）側の一側面にウェハ■の搬入口を形成する如く
開閉機構（１６ａ）が設けられ、この開閉機構（１６ａ
）の対向面に上記処理室（１２）との遮断を可能とする
開閉機構（１６ｂ）が設けられている。

そして、このイン側ロードロック室（１３）には。

アライメント部（イ）から処理室（１２）ヘウエハ■の
受は渡しを行なうハンドリングアーム（１７ａ）が設け
られている。また、上記アウト側ロードロック室（１４
）には、上記処理室（１２）側の一側面に、この処理室
（１２）との遮断を可能とする開閉機構（１８ａ）が設
けられ、この開閉機構（１８ａ）と隣接する予備室（１
５）側の側面に予備室（１５）との遮断を可能とする開
閉機構（１８ｂ）が設けられている。そして、アウト側
ロードロック室（１４）には反応処理室（１２）から予
備室（１５）ヘウエハ■の受は渡しを行なうハンドリン
グアーム（１７ｂ）が設けられている。尚、上記各ロー
ドロック室（１３）、　（１４）には、図示しない真空
排気機構例えばローターリ−ポンプが接続され。

さらに不活性ガス例えばＮ２ガスを導入可能な図示しな
いパージ機構が設けられている。

そして、上記処理室（１２）は第３図に示す如くＡａ製
で表面アルマイト処理した内部が円筒状に形成されてい
る。この処理室（１２）の下方には、昇降機構（１９）
に連設した被処理基板設置電極例えば下部電極体（２０
）が昇降自在に設けられ、この昇降に対応して材質例え
ばＳＵＳ製のベローズ（１２ａ）により気密が保たれて
いる。この下部電極体（２０）は例えばアルミニウム製
で表面にアルマイト処理を施しである平板状のものであ
り、半導体ウェハ■を設置する下部電極体（２０）の上
面はＲに形成されており、これは、中心部から周縁部に
かけて傾斜している。

また、下部電極体（２０）と半導体ウェハ■載置面間に
は、半導体ウェハ■とこの半導体ウェハ■を保持する電
極、即ち、下部電極体（２０）間のインピーダンスを一
様にする如く、合成高分子フィルム例えば厚さ２０μｓ
〜１００−程度の耐熱性ポリイミド系樹脂（図示せず）
が、下部電極体（２０）の半導体ウェハ■載置面に耐熱
性アクリル樹脂系粘着剤で接着することにより設けられ
ている。

そして、上記下部電極体（２０）には鉛直方向に貫通し
た例えば４箇所の貫通口（図示せず）が形成され、この
貫通口内には昇降自在なリフタービン（２３）が設けら
れている。このリフタービン■は。

例えばＳＵＳで形成され、４本のりフタ−ピン（２１）
が接続した板（２２）を昇降機構（２３）の駆動により
同期して昇降自在となっている。この場合、上記板（２
２）は昇降機構（２３）が駆動していないと、コイルス
プリング（２４）により下方へ付勢されており、上記リ
フタービン（２１）の先端は下部電極体（２０）表面よ
り下降している。また、上記貫通口には冷却ガス流導管
（図示せず）が接続しており、この冷却ガス流導管は上
記半導体ウェハ■周縁部に位置する下部電極体（２０）
表面に設けられた複数個例えば１６個の開口（図示せず
）に連通している。この開口及び上記貫通口から半導体
ウェハ■真面に冷却ガス例えばヘリウリムガスを供給自
在な如く、処理室（１２）下部に冷却ガス感入管（図示
せず）が設けられ、図示しない冷却ガス供給源に連設し
ている。

また、上記下部電極体（２０）に電力を印加する場合、
エツチング処理のユニフォミティーをを向上させるため
冷却機構例えば下部電極体（２０）内に流路（２５）が
設けられ、この流路（２５）に接続した配管（２６）に
連設している温調機構（２７ａ）により冷却液例えば不
凍液と水との混合水の循環による冷却手段が設けられて
いる。

この温調機構（２７ａ）により所望する温度に下部電極
体（２０）を設定する如く温度センサ例えば白金測温抵
抗体（２８ａ）が設けられ、これの出力データに基づい
て温度を加減することが可能となっている。

下部電極体（２０）の側部から上記処理室（１２）の内
面までの隙間に直径例えば５ｍで所定の角度例えば１０
°間隔に均等配された３６個の排気孔を備えた排気リン
グ（図示せず）が処理室（１２）側壁に固定されており
、この排気リング下方の処理室（１２）側壁に接続した
排気管を介して図示しない排気装置例えばターボ分子ポ
ンプとロータリーポンプを連続的に接続したもの等によ
り処理室（１２）内部の排気ガスを排気自在としている
。この様な下部電極体（２０）に半導体ウェハ■を載置
固定する為に、下部電極体（２０）が上昇したとき、ウ
ェハ■を押える様にクランプリング（３５）が設けられ
ている。そして、このクランプリング（３５）にウェハ
■が当接し、さらに電極体（２０）を上昇させたときこ
のクランプリング（３５）は所定の押圧力を保持しなが
ら所定の高さ例えば５ｎａ＋上昇する如く構成されてい
る。即ち、このクランプリング（３５）は、処理室（１
２）の上部にシールを保ちながら貫通した複数のシャフ
ト（３５ａ）例えば材質高能度のＡｆｆｉ、０３を例え
ば４本のエアシリンダー（３６）を介して遊設保持され
ている。

上記クランプリング（３５）は、上記半導体ウェハ■の
周縁部を下部電極体（２０）のＲに形成した表面に当接
させる如く半導体ウェハ■の口径に適応させている。こ
のクランプリング（３５）は例えばアルミニウム製で表
面にアルマイト処理を施し、このアルマイト処理により
表面に絶縁性のアルミナの被覆を設けたものである。

そして、下部電極体（２０）と対向した処理室（１２）
の上部には、対向電極例えば上部電極体（３７）が設け
られている。この上部電極体（３７）は導電性材質例え
ばアルミニウム製で表面にアルマイト処理を施したもの
で、この上部電極体（３７）には冷却手段が備えられて
いる。この冷却手段は、例えば上部電極体（３７）内部
に循環する流路（３８）を形成し、この流路（３８）に
接続した配管（３９）を介して上記処理室（１２）外部
に設けられた温調機構（２７ｂ）に連設し、液体例えば
不凍液と水との混合水を所定温度に制御して循環する構
造となっている。この温調機構（２７ｂ）により所望す
る温度に上部電極体（３７）を設定する如く温度センサ
例えば白金側温抵抗体（２８ｂ）が設けられ、これの出
力データに基づいて温度を加減することが可能となって
いる。このような上部電極体（３７）の下面には例えば
アモルファスカーボン製上部電極（４０）が、上記上部
電極体（３７）と電気的接続状態で設けられている。こ
の上部電極（４０）と上部電極体（３７）との間には多
少の空間（４１）が形成され、この空間（４１）にはガ
ス供給管（４２）が接続しており、このガス供給管（４
２）は上記処理室（１２）外部のガス供給源（図示せず
）から図示しない流量調節器例えばマス・フローコント
ローラを介して処理ガス即ち反応ガス例えばＣＨＦ、や
ＣＦ４等及びキャリアガス例えばＡｒやＨｅ等を上記空
間（４１）に供給自在としている。

また、この空間（４１）には、ガスを均等に拡散する為
に複数の開孔を有するバッフル（４３）が複数枚設けら
れている。

そして、このバッフル（４３）で拡散された反応ガス等
を上記上部電極（４０）を介して処理室（１２）内部へ
流出する如く、上部電極（４０）には複数の孔（４４）
が形成されている。この上部電極（４０）及び上部電極
体（３７）の周囲には図示しない絶縁リングが設けられ
ており、この絶縁リングの下面から上記上部電極（４０
）下面周縁部に伸びたシールドリング（４６）が配設さ
れている。このシールドリング（４６）は、エツチング
処理される被処理基板例えば半導体ウェハ■とほぼ同じ
口径にプラズマを発生可能な如く、絶縁体例えば四弗化
エチレン樹脂製で形成されている。

また、上記上部電極体（３７）と下部電極体（２０）に
高周波電力を印加する如く高周波電源（４７）が設けら
れている。

そして、上記予備室（１５）には、多関節ロボット■）
側に開閉機構（１５ａ）が設けられ、この開閉で大気と
の圧力差によりウェハ■の舞い上り等を防止する為に図
示しない排気機構及び不活性ガス等を導入するパージ機
構が設けられ、またウェハ■を受は渡しする為の図示し
ない載置台が昇降可能に設けられている。そして、上記
構成された各機構の動作設定及びウェハ処理状態を監視
する如く操作部■が設けられている。これら操作部■は
、マイクロコントローラから成る図示しない制御部及び
メモリ一部及び入出力部から構成され、ソフトウェア例
えばＣ言語により構成されている。そして、上記したエ
ツチング装置はスルーザラオールに対応するごとく、メ
ンテナンス用クリーンルームより圧力の高いクリーンル
ーム側からメンテナンス用クリーンルーム側へ空気の流
路が形成されるごとく成っている。

また、上記処理室（１２）の側壁には、この側壁にミス
トが付着することを防止するために側壁内部に処理室（
１２）を巻回する如く流路（４８）が設けられ、この流
路に連設した配管（４９）を介した温調機構（２７ｃ）
により所定温度例えば５０℃以上に設定制御可能となっ
ている。

次に、上述したエツチング装置の動作作用について説明
する。まず、オペレーター又はロボットハンド等により
ロード用カセット載置台０にウェハ２５枚程度を収納し
たウェハカセット■を載置し、アンロード用のカセット
載置台■に空のウェハカセット■を載置する。そして、
昇降機構によりウェハ■を上下動して所定の位置に設置
する。これと同時に多関節ロボット０をロード用つェハ
カセット■側に移動設定する。そして、多関節ロボット
（９）のアーム（１０）を所望のウェハ■の下面に挿入
する。そして、カセット載置台■を所定量下降し。

アーム（１０）でウェハ■を真空吸着する。

次にアーム（１０）を挿出し、プリアライメント部に）
のバキュームチャック（１１）上に融送し、載置する。

ここで、上記ウェハ■の中心合せとオリフラの位置合せ
をする。この時すでに、イン側のロードロック室（１３
）には不活性ガス例えばＮ２ガスを導入し加圧状態とし
ておく、そして、Ｎ２ガスを導入しながらイン側ロード
ロック室（１３）の開閉機構（１６ａ）を開口し、ハン
ドリングアーム（１７ａ）により位置合せされたウェハ
■を上記イン側ロードロック室へ搬送し、その後開閉機
構（１６ａ）を閉鎖する。そしてこのイン側ロードロッ
ク室（１３）内を所定の圧力例えば０．１〜２　Ｔｏｒ
ｒに減圧する。この時すでに処理室（１２）も所定の圧
力例えばｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒに減圧されている。この
状態でイン側ロードロック室（１３）の開閉機構（１６
ｂ）を開口し、ハンドリングアーム（１７ａ）でウェハ
■を処理室（１２）へ搬入する。この搬入動作により、
下部電極体（２０）の貫通口（２２）から昇降機構（２
５）の駆動によりリフターピン（２３）を例えば１２　
ａｍ　／　ｓのスピードで上昇させる、この上昇により
各リフターピン（２３）の上端部でウェハ■を載置し停
止状態とする。この後上記ハンドリングアーム（１７ａ
）をイン側ロードロック室（１３）に収納し、開閉機構
（１６ｂ）を閉鎖する。そして、処理室（１２）内の下
部電極体（２０）を所定量例えば下部電極体（２０）で
ウェハ■を載置するごとく昇降機構（１９）の駆動によ
り上昇する。さらに連続押圧力を保持しながら所定量例
えば５ｎｎ上昇する。

これにより、下部電極（２０）と上部電極（４０）との
ギャップが所定の間隔例えば６〜２０＋ｍ＋＆′−設定
される。

上記動作中排気制御しておき、所望のガス流及び排気圧
に設定されているか確認する。その後処理室（１２）内
を２〜３　Ｔｏｒｒに保つごとく排気制御しながら反応
ガス例えばＣＨＦ、ガス１１００５ＣＣやＣＦ、ガス１
１００５ｅｃ及びキャリアガス例えばｌｉｅガス１１０
００５ＣＣやＡｒガス１１０００５ＣＣ等をガス供給源
よりガス供給管（４２）を介して上部電極体（３７）の
空間（４１）に設けられたバッフル（４３）により均等
整流させ上部電極（４０）に設けられた複数の孔（４４
）から半導体ウェハ■へ流出する。同時に、高周波電源
（４７）により上部電極（４０）と下部電極体（２０）
との間に周波数例えば１３．５６ＭＨ，の高周波電力を
印加して上記反応ガスをプラズマ化し、このプラズマ化
した反応ガスにより上記半導体ウェハ■の例えば異方性
エツチングを行なう。この時、高周波電力の印加により
上部電極（４０）及び下部電極体（２０）が高温となる
。上部電極（４０）が高温となると当然膨極張が発生す
る。

この場合、この上部電極（４０）の材質はアモルファス
カーボン製であり、これと当接している上部電極体（３
７）はアルミニウム製であるため、熱膨張係数が異なり
ひび割れが発生する。このひび割れの発生を防止するた
めに上部電極体（３７）内部に形成された流路（３８）
に配管（３９）を介して連設している温調機構（２７ｂ
）から不凍液と水との混合水を流し、上部電極（４０）
に埋設した白金側温抵抗体（２８ｂ）からの出力データ
に基づいて所定温度例えば２０℃以下に間接的に上部電
極（４０）を冷却している。また、下部電極体（２０）
が高温となっていくと、半導体ウェハωの温度も高温と
なるため、この半導体ウェハ■表面に形成されているレ
ジストパターンを破壊し、不良を発生させてしまう恐れ
がある。そのため下部電極体（２０）も上部電極（４０
）と同様に、下部に形成された流路（２５）に配管（２
６）を介して連設している別系統の温調機構（２７ａ）
から不凍液と水との混合水等を流すことにより冷却して
いる。この冷却水は、上記半導体ウニ・ハ（１３）を一
定温度で処理するために例えば０〜６０℃程度に白金測
温抵抗体（２８ａ）からの出力データに基づいて制御し
ている。また、半導体ウェハ■もプラズマの熱エネルギ
ーにより加熱されるため、下部電極体（２０）に形成さ
れている複数例えば周辺１６箇所の開口（２８）及び中
心付近４箇所の貫通口（２２）から、冷却ガス流導管（
２７）　、冷却ガス導入管（２９）を介して冷却ガス供
給源（図示せず）から冷却ガス例えばヘリウムガスを半
導体ウェハ■裏面へ供給して冷却している。この時、上
記開口（２８）及び貫通口（２２）は半導体ウェハ■の
設定により封止されている。しかし、実際には半導体ウ
ェハ■と下部電極体（２０）表面との間には微小な隙間
があり、この隙間に上記ヘリウムガスを供給して上記半
導体ウェハ（ト）を冷却している。また、処理室（１２
）の側壁にミストが付着しないように５０℃に温調機構
（２７ｃ）で設定制御された温調水を配管（４９）を介
して流路（４８）内に循環させる。この様な状態を維持
しながら所定時間例えば２分間エツチング処理を行なう
。そして、この処理の終了に伴い処理室（１２）内の反
応ガス等を排気しながら、下部電極体（２０）を下降し
、リフターピン（２１）上にウェハ■を載置する。そし
て、アウト側のロードロック室（１４）と処理室（１２
）の圧力を同程度にし、開閉機構（１８ｂ）を開口する
。次にアウト側ロードロック室（１４）に設けられたハ
ンドリングアーム（１７ｂ）を処理室（１２）内に挿入
し、上記リフターピン（２１）を下降しウェハ■をハン
ドリングアーム（１７ｂ）で吸着載置する。そして、ハ
ンドリングアーム（１７ｂ）をアウト側ロードロック室
（１４）に収納し、開閉機構（１８ａ）を閉鎖する。こ
の時すでに予備室（１５）はアウト側ロードロック室（
１４）と同程度に減圧されている。そして、開閉機構（
１８ｂ）を開口し、ハンドリングアーム（１７ｂ）によ
りウェハ■を予備室（１５）内の図示しない載置台へ収
納する。そして開閉機構（１８ｂ）を閉鎖し、載置台を
下降して予備室（１５）の開閉機構（１５ａ）を開口す
る。

次に予め所定の位置に多関節ロボット■を移動しておき
、この多関節ロボット０のアーム（１０）を予備室（１
５）へ挿入し、アーム上にウェハのを吸着載置する。そ
して、アーム（１０）を搬出し、予備室（１５）の開閉
機構（１５ａ）を閉鎖すると同時に、多関節ロボット０
を所定の位置に移動しなから１８０゜回転し、空のカセ
ット■の所定の位置にウェハ■をアーム（１０）により
搬送収納する。上記の様な一連の動作をカセット■に収
納されているウェハ■について行なう。

上記実施例では、上部電極及び下部電極及び処理室側壁
の温調に温調水を使用して説明したが。

これに限定するものではなく１例えばペルチェ効果素子
を用いた温調でも同様な効果を得ることができる。

また、上記実施例では被処理基板として半導体ウェハを
例に上げて説明したが、これに限定するものではなく、
例えばＬＣＤ基板についても同様な効果が得られる。

以上述べたようにこの実施例によれば、気密容器と、こ
の気密容器内に設けられた被処理基板設置電極と、この
被処理基板設置電極と所定の間隔を設けて配置した対向
電極を温調する。夫々別系統の温調機構を設けたことに
より、常時所望する温度条件下でエツチング処理するこ
とを可能とする。即ち、上部電極温度を２０℃以下に設
定することによりウェハの汚染の原因となるミストが上
部電極表面に付着することを防止し、また熱膨張係数の
異なる材質で上部電極及び電極体を形成しても上部電極
のひび割れを抑止し、また、下部電極を冷却することに
よりウェハ表面に形成されたパターンにダメージを与え
ることを防止することが容易となる。

また、この装置で異方性エツチングを行なう場合、上記
上部電極と下部電極に電圧を同時に印加して位相を１８
０°　ずらず必要があるが、この場合、上記上部電極と
下部電極温度を所望する温度に容易に変化させることが
でき、この時、上記気密容器の温度を変化させずに所望
温度に一定制御しておくことができ、所望する温度条件
に柔軟に対応することが可能となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、気密容器と、この
気密容器内に設けられた被処理基板設置電極と、この被
処理基板設置電極と所定の間隔を設けて配置した対向電
極を温調する。夫々別系統の温調機構を設けたことによ
り、所望する温度条件に柔軟に且つ容易に対応すること
ができ、多品種の被処理基板にも容易に対応することが
できる。

更に、被処理基板設置電極及び対向電極及び気密容器を
夫々所望する温度に設定でき、ユニフオミティーを向上
することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明装置の一実施例を説明するためのエツチ
ング装置の説明図、第２図は第１図の処理部構成説明図
、第３図は第１図の処理室の構成説明図である。 １２・・・処理室　　　　　　２０・・・下部電極体２
５．３８．４８・・・流　路　　　２６，３９．４９・
・・配　管２７・・・温調機構　　　　　３７・・・上
部電極体４０・・・上部電極

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　気密容器内に設けられた被処理基板設置電極と、この
   被処理基板設置電極と所定の間隔を設けて配置した対向
   電極に電力を印加して処理ガスをプラズマ化し、このプ
   ラズマ化した処理ガスにより上記被処理基板をエッチン
   グする装置において、上記気密容器と上記被処理基板設
   置電極と上記対向電極を温調する夫々別系統の温調機構
   を設けたことを特徴とするエッチング装置。