JP2016506086A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. スクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造であって、
   互いに垂直である第１の孤立線及び第２の孤立線、
   を含み、
   前記検査構造は更に、
   各々が前記第１の孤立線の一方の側に位置して互いに対向する２つの図形を含む第１のフィールド領域パターン、
   を含むことを特徴とする検査構造。
2. 前記２つの図形から前記第１の孤立線までの距離が同じであることを特徴とする請求項１に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
3. 前記第１のフィールド領域パターンの個数が、少なくとも２つであり、異なる第１のフィールド領域パターン内の前記図形から前記第１の孤立線までの距離が等しくないことを特徴とする請求項２に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
4. 前記図形は、矩形であり、該矩形の１対の対向する辺が、前記第１の孤立線と平行であることを特徴とする請求項３に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
5. 前記第１の孤立線と平行であり、かつ該第１の孤立線に近い前記対向する辺の対の一方の辺から該第１の孤立線までの距離が、１μｍから５μｍの範囲であることを特徴とする請求項４に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
6. 前記第１の孤立線及び前記第２の孤立線は、直角折れ線を形成し、
   スクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造が、第２のフィールド領域パターンを更に含み、該第２のフィールド領域パターンは、前記第１の孤立線と前記第２の孤立線とによって形成される直角の内側であり、該第２のフィールド領域パターンは、該第２の孤立線に平行な１対の矩形図形を含む、
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
7. 前記第２のフィールド領域パターンは、前記第２の孤立線に対して垂直である該第２のフィールド領域パターンの矩形図形の辺に平行であるストリップ状図形を更に含むことを特徴とする請求項６に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
8. 前記第２のフィールド領域パターンの個数が、少なくとも２つであり、該第２のフィールド領域パターンの各々において、前記ストリップ状図形の長さが、前記矩形図形の辺に等しく、前記第２の孤立線までの各第２のフィールド領域パターンの距離が同じであることを特徴とする請求項７に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
9. スクライビングスロットのストリップ幅のための検査方法であって、
   請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための検査構造のマスクを提供する段階と、
   フォトリソグラフィ工程を実施することにより、前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための前記検査構造をウェーハ上のスクライビングスロットに転写する段階と、
   前記ウェーハ上の前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための前記検査構造の線幅を検査する段階と、
   を含むことを特徴とする検査方法。
10. 前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための前記検査構造は、フォトリソグラフィによってウェーハの単結晶シリコンソース領域の面に転写されることを特徴とする請求項９に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査方法。