JP2016505213A - 保護用組成物 - Google Patents

保護用組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP2016505213A
JP2016505213A JP2015548826A JP2015548826A JP2016505213A JP 2016505213 A JP2016505213 A JP 2016505213A JP 2015548826 A JP2015548826 A JP 2015548826A JP 2015548826 A JP2015548826 A JP 2015548826A JP 2016505213 A JP2016505213 A JP 2016505213A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
organometallic
protective composition
getter
protective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015548826A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6422882B2 (ja
JP2016505213A5 (ja
Inventor
リファット アタ ムスタファ ヒクメット
リファット アタ ムスタファ ヒクメット
ボメル ティエス バン
ボメル ティエス バン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Koninklijke Philips NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips NV filed Critical Koninklijke Philips NV
Publication of JP2016505213A publication Critical patent/JP2016505213A/ja
Publication of JP2016505213A5 publication Critical patent/JP2016505213A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6422882B2 publication Critical patent/JP6422882B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C53/00Saturated compounds having only one carboxyl group bound to an acyclic carbon atom or hydrogen
    • C07C53/08Acetic acid
    • C07C53/10Salts thereof
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/04Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements made of organic materials, e.g. plastics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/24Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296Organo-silicon compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

光電子デバイスに用いるための保護用組成物であって、金属と硫黄及び/又はセレンとを含む結晶を形成するために硫黄及び/又はセレンと反応することが可能な有機金属ゲッタを有する保護用組成物である。保護用組成物は、層又は光学部品を形成する。有利なことに、この保護用組成物は、硫化物ガスを効果的に除くことができ、安定な結晶の形成をもたらし、ガスの透過速度を全く低下させない。結果として得られる結晶は、典型的には、高い透明性及び低い光吸収を有する。

Description

本発明は、有害物質に対する保護のために光電子デバイスに用いる材料及び部品と、そのような材料及び部品を有する発光装置に関する。
Sのような腐食性ガスの存在又は形成は、多くの例において問題である。例えば、銀の反射体を有する照明装置では、銀と周囲の空気中に存在する硫化物ガスとの反応が銀の黒ずみ及び従って反射体の機能障害を引き起こす。
蛍光体変換型光源に基づく幾つかの発光装置では、硫化物ガスは、硫黄を含有する蛍光体材料、典型的には、硫化カルシウム(CaS)、硫化ストロンチウム(SrS)、硫化亜鉛(ZnS)又は(Ca,Sr)Sのようなそれらの混合物などの硫化物材料に基づく蛍光体から放出される。硫化物を使用した蛍光体は、水に特に敏感であり、反応して水酸化カルシウム又はストロンチウム及び硫化物ガスを形成する。銀反射体の黒ずみに加えて、HSは有毒、可燃性で、悪臭のガスであるために、HSの放出も問題である。更に、Ca又はSrのセレン化物又は硫化物に基づく蛍光体は、水と反応すると、非常に有毒である少量のセレン化物ガスも放出する。
腐食性及び/又は有毒ガスが銀層に達することを防止するだけではなく、デバイスから漏れ出ることも防止することが望ましい。
銀反射体が黒ずむことを防止するために、保護層が提案されている。しかしながら、そのような保護層は、通常、低い引っかき抵抗性を有しており、銀は電気伝導体として用いられることが多く、ワイヤ状でなければならないので、銀層の上に直接絶縁性の保護層を塗布することもまた望ましくない。更に、ガスがリークするピンホールのないそのような層を作製することはほぼ不可能である。
米国特許出願公開US2009/0121180公報は、光電子デバイスを封入するために用いられ得るシリカを負荷したシリコーン組成物を有する保護用組成物を提案している。この組成物は、シロキサンがグラフトされたシリカ粒子を有しており、非常に透明であり、腐食性ガスに対して低い透過性を有する硬化シリコーン組成物をもたらす。しかしながら、低い透過性は、問題を解決するのではなく、単にそれを遅らせるだけである。
従って、当該技術分野では、照明装置の有毒及び/又は腐食性ガスの有害作用の防止又は低減に関する改善が必要である。
本発明の目的は、この問題を克服し、光電子デバイスに用いて好適な硫黄を捕獲する手段を提供することにある。
本発明の一観点によれば、この目的及び他の目的は、光電子デバイスに用いるための保護用組成物であって、金属と硫黄及び/又はセレンとを含む結晶、典型的にはナノ結晶を形成するために硫黄及び/又はセレンと反応することが可能な有機金属ゲッタを有する当該保護用組成物により達成される。
一般に、「ゲッタ」という用語は、標的物質を固定化するために標的物質と相互作用する反応物質を意味している。本発明において用いられるゲッタは、主として標的物質を化学結合することにより機能する。本発明では、標的物質は、典型的には、硫黄/硫化物又はセレン/セレン化物である。ゲッタと標的物質との化学的相互作用は、典型的には、イオン結合である。
ゲッタとの反応による硫化物ガスの除去は、反応が安定な結晶の形成をもたらし、ガスの透過速度を全く低下させないので有利である。結果として得られる結晶は、典型的には、高い透明性及び低い光吸収を有している。本発明の実施形態では、(硫化物ガスと反応する前の)ゲッタを有する組成物もまた低い光吸収を有しており、これは、ゲッタを含む組成物を光電子デバイスに用いて特に好適にする。更に、上記組成物は、通常の技術を用いて生成するのが容易である。
本発明の実施形態では、有機金属ゲッタは、銅、鉄、カドミウム、鉛及び亜鉛よりなる群から選択される金属を有している。これらの金属は、硫化物及び/又はセレン化物と好適な結晶錯体を形成することができる。特に、有機金属ゲッタは、亜鉛を有している。硫化亜鉛又は硫化亜鉛の結晶は高い透明性を有している。有利なことに、亜鉛は非有毒材料である。
本発明の実施形態では、有機金属ゲッタは、有機アニオンを有している。有機アニオンは、典型的には、金属、典型的には金属イオン(例えば、亜鉛イオン)に対して錯体化される。
本発明の実施形態では、保護用組成物は、ポリマを有するマトリクスを更に有していてもよい。マトリクスは、有機金属ゲッタについてのキャリアとしての機能を果たす。有機金属ゲッタは、例えば、側鎖としてポリマに結合される有機部分(有機アニオン)によりポリマに化学結合する。例えば、ポリマはシリコーン若しくはシリコーン誘導体又はアクリレートをベースとするポリマを有している。
本発明の実施形態では、保護用組成物は、波長変換材料を更に有していてもよい。従って、この組成物は、硫化物又はセレン化物ガスに対する保護を波長変換特性と結び付ける。そのような実施形態は、波長変換材料自体が硫黄又はセレンを有する場合に特に有用である。
本発明の実施形態では、保護用組成物は、層の形であってもよい。
従って、他の観点では、本発明は、本明細書において説明される保護用組成物を有する保護層を提供する。
更なる観点では、本発明は、本明細書において説明される保護用組成物又は保護層と、波長変換材料を有する波長変換層とを有する層アセンブリを提供する。波長変換材料は、分離した層として与えられても保護用組成物又は保護層内に含まれていてもよく、硫黄及び/又はセレンを有している。
他の観点では、本発明は、本明細書において説明される保護用組成物を有する光学部品を提供する。従って、この光学部品は、光機能性を硫化物又はセレン化物ガスに対する保護と結び付けることができる。
更に他の観点では、本発明は、少なくとも1つの固体光源と、本明細書において説明される保護用組成物、保護層又は層アセンブリとを有する発光装置を提供する。発光装置に上記保護用組成物を含むことにより、硫化物ガスは、装置内の敏感な構造を傷付けること及び外部にリークすることの両方を効果的に防止される。
本発明の実施形態では、上記発光装置は、上記保護用組成物又は保護層により少なくとも部分的に覆われた銀層を更に有している。この銀層は、銀反射体であってもよい。更に、本発明の実施形態では、波長変換材料が上記固体光源により発せられる光を受け取るために配されていてもよく、この波長変換材料は、前記保護層により少なくとも部分的に覆われている。
最後に、本発明は、波長変換材料から放出される腐食性又は有毒ガス、特に、硫化物又はセレン化物ガスを捕獲する有機金属ゲッタの使用を提供する。
本発明は、特許請求の範囲に列挙されている特徴の全ての考えられる組み合わせに関連することに注意されたい。
本発明のこれらの観点及び他の観点が、本発明の実施形態を示す添付の図面を参照してより詳細に説明される。
Sガスとポリママトリクスに結合される有機金属ゲッタとの反応スキームを示している。 保護用組成物の薄い層を有する本発明の実施形態に係る発光装置の側断面図である。 封止材料としての機能を果たす保護用組成物を有する本発明の実施形態に係る発光装置の側断面図である。 光源、波長変換層及び保護層を有する本発明の実施形態に係る発光装置の模式的な側面図である。 反射チャンバに配された複数の光源及び保護層を有する本発明の実施形態に係る発光装置の側断面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置を有するバルブ交換ランプの側面図である。 本発明の実施形態に係る発光装置を有する照明器具の斜視図である。
図に示されているように、層及び領域のサイズは、説明の目的のために誇張されており、従って、本発明の実施形態の一般的な構造を示すために与えられている。同様の参照符号は、終始同様の要素を指している。
これから、現時点で好ましい本発明の実施形態が示されている添付の図面を参照して、本発明が以下により十分に説明される。しかしながら、本発明は、多くの異なる形態で具現化されることが可能であって、本明細書において説明される実施形態に限定されるように解釈されるべきではなく、むしろ、これらの実施形態は、徹底及び完全を期して与えられ、当業者に本発明の範囲を完全に伝えるものである。
本発明は、硫黄と結晶錯体を形成することができる有機金属ゲッタがHSガスを捕獲するために用いられ得るという認識に基づいている。それにより、このガスの悪影響が、特に発光装置において低減される。有利なことに、有機金属ゲッタは、セレン化物とも結晶錯体を形成し、それによりHSeガスも捕獲する。幾つかの金属は、光を吸収しない又はわずかに低い光の吸収作用を持つ硫黄及び/又はセレンとの結晶錯体、更にはナノ結を形成することができる。
上記有機金属ゲッタの好適な金属の例は、銅、鉄、カドミウム、鉛及び亜鉛を含んでいる。硫化亜鉛のナノ粒子は光をほとんど吸収せず、亜鉛は有毒ではないので、亜鉛は特に有利である。
上記有機金属ゲッタの有機部分は、有機アニオンであり、典型的には、有機塩のアニオンである。好適なアニオンの例は、金属錯体(典型的には、塩)を形成するアセトナート(acetonate)アニオン、カルボン酸アニオン、フタル酸アニオン及びスルホン酸アニオンを含んでいる。そのような塩の例は、酢酸亜鉛、酢酸カドミウム、安息香酸亜鉛、ナフタレート鉛、酢酸鉄(II)、アセトナート鉄及びトリフルオロメタンスルホン酸亜鉛を含んでいる。
一般に、金属イオンを含む有機金属ゲッタと硫化物ガスとの反応は、以下(式I)の通りである。
S+MX→MS+XH 式I
式中、Mは有機金属ゲッタの金属原子を表し、Xは有機金属ゲッタの有機アニオンを表している。有機アニオン及び金属の酸化状態に依存して、式IはM、X及びHSの相対量に関して適していなければならない。有機金属ゲッタとセレン化物ガスとの反応についての対応する式は、以下(式II)の通りである。
Se+MX→MSe+XH 式II
式中、Mは有機金属ゲッタの金属原子を表し、Xは有機金属ゲッタの有機アニオンを表している。有機アニオン及び金属の酸化状態に依存して、式IIはM、X及びHSeの相対量に関して適していなければならない。
一例として、亜鉛(II)を有する有機金属ゲッタとHSとの反応は、以下(式Ia)の通りである。
S+ZnX→ZnS+XH 式Ia
式中、Xは有機金属ゲッタの有機アニオンを表している。対応する亜鉛とセレン化物ガスとの反応は、以下(式IIa)の通りである。
Se+ZnX→ZnSe+XH 式IIa
式中、Xは有機金属ゲッタの有機アニオンを表している。
例えば、有機金属ゲッタとしての酢酸亜鉛とHSとの反応は、以下(式Ib)の通りである。
S+Zn(CH)CO→ZnS+(CHCHO 式Ib
上記有機金属ゲッタと硫化物ガス又はセレン化物ガスとの反応により形成される金属硫化物又は金属セレン化物の反応生成物は、それぞれ、結晶、例えばナノ結晶の形で存在する。有利なことに、そのような結晶、特にナノ結晶は、高い透明性を有し、光の吸収作用が低いか又は光を吸収しない。吸収帯は粒子サイズが減少するにつれてより低い波長にシフトするので、ナノ結晶は特に有利である。
本発明の実施形態によれば、カドミウムを有する有機金属ゲッタとHSとの反応は、図1に概説されている通りである。HSとの反応の前に、有機金属ゲッタはアクリレートポリマネットワークに結合された安息香酸カドミウムを有している。HSと反応すると、硫化カドミウム(CdS)のナノ結晶が形成され、アクリレートポリマネットワークに連結された安息香酸を含有するポリママトリクスにより囲まれる。
上記有機金属ゲッタは、典型的には、ポリママトリクス又はシロキサンをベースとするマトリクスであるキャリアマトリクスに取り込まれる。好適には、上記マトリクス材料は、有機金属ゲッタの金属イオンと錯体を形成することができる。本発明の実施形態において用いられると考えられるマトリクス材料の例は、ポリ(ジメチルシロキサン)及びその誘導体のようなポリシロキサン系材料を含んでいる。ポリシロキサン系材料は、架橋され得る。例えば、以下の材料、すなわち、カルボキシデシルジメチル末端ポリ(ジメチルシロキサン)、カルボキシプロピル末端ポリ(ジメチルシロキサン)、トリメチルシリルプロピオン酸、1,3−ビス(3−カルボキシプロピル)テトラメチルジシロキサン及び2−(トリメチルシリル)酢酸は、亜鉛と錯体を形成することができ、従って、亜鉛を有する有機金属ゲッタと組み合わせて有利に用いられる。
典型的には、上記マトリクス材料は、層に形成され得る材料であり、オプションで自己支持形のシートである。有機金属ゲッタを含むマトリクス材料の組成物は、通常の表面コーティング技術を用いる被覆層を形成するようにLEDの表面又は波長変換素子若しくは層の表面に塗布される。代替として、組成物は、押出し成形、射出成形又は圧縮成形される。上記組成物は、オプションでLEDと直接接するコリメータ、ドーム又はレンズのような機能的光学部品を形成し得る。オプションで、典型的には層の形態の上記組成物は、波長変換層又は反射層のような1つ以上の他の機能層と組み合わされ、従って、層アセンブリを形成する。例えば、上記有機金属ゲッタ及びマトリクスを有する組成物は、例えば、スクリーン印刷又は他の通常のコーティング技術により波長変換層又は反射層の上面に塗布される。パッケージ化LEDの場合には、有機金属ゲッタを運ぶマトリクスは、(典型的には、完全には重合されていない)液体の形でLEDを含むカップにもたらされ、その後に、重合及び/又は架橋によるマトリクスの硬化が続く。
オプションでキャリアマトリクスに取り込まれた有機金属ゲッタは、発光装置の少なくとも一部又は部品を被覆又は封止する保護層として与えられる。図2は、本発明の実施形態に係る保護層を有する発光装置を模式的に示している。側断面図である図2では、反射カップ202内に配されたLED201を有する発光ダイオード(LED)パッケージ200が示されている。LEDが実装される上記反射カップの底面は、反射銀層203を有している。反射銀層203及びLED201は、典型的には上述したようなキャリアマトリクスに分散された有機金属ゲッタを有するほぼ均一の厚さの薄い保護層204で覆われている。保護層は、透明又は半透明である。保護層204の有機金属ゲッタは、発光装置内の波長変換材料又は他の存在物から放出されるHSガス及び/又はHSeガスを捕獲することができる。
図3は、図2に示されている実施形態と類似しているが、薄い保護層204の代わりに、反射カップ202の内部を満たし、従って、封止材料としての機能を果たす上記組成物のより厚い層205を有する発光装置の他の実施形態を示している。
所謂チップオンボードパッケージでは、反射層に実装されるプリント回路基板上に配される(図1及び図2に示されている単一のLED201に代わる)複数のLEDが、均一又は不均一な好適な厚さの保護層で被覆され得ると考えられる。
典型的にはマトリクスに取り込まれた上記有機金属ゲッタを有する組成物は、更に、一般に蛍光体として知られる少なくとも1つの波長変換材料を有している。従って、そのような組成物は、波長変換特性も有する保護層を形成する。追加又は代替として、有機金属ゲッタを有する組成物は、散乱要素、例えば、Al又はTiOの粒子のような散乱粒子を有している。
一般に、本発明の実施形態に用いられる波長変換材料は、無機波長変換材料又は有機波長変換材料である。無機波長変換材料の例は、セリウム(Ce)がドープされたイットリウムアルミニウムガーネット(YAl12:Ce3+、YAG:Ce又はセリウムがドープされたYAGとも呼ばれる。)又はルテニウムアルミニウムガーネット(LuAG、LuAl12)、α−SiAlON:Eu2+(黄色)及びMSi:Eu2+(赤色)を含んでいるが、これらに限定されるものではなく、上記Mは、カルシウムCa、Sr及びBaから選択される少なくとも1つの元素である。更に、YAG:Ceのアルミニウムの一部がガドリニウム(Gd)又はガリウム(Ga)と置換されていてもよく、より多量のGdは、黄色の放射の赤色へのシフトをもたらす。他の好適な波長変換材料は、赤色範囲において光を発するSrSi:Eu2+のような(Sr1−x−yBaCa2−ZSi5−aAl8−a:Eu2+(0≦a<5、0≦x≦1、0≦y≦1、0<z≦1及び(x+y)≦1)を含んでいる。
無機波長変換材料の例は、量子ドット又は量子ロッドを含んでいる。量子ドットは、一般にわずか数ナノメートルの幅又は径を有する半導体材料の微小結晶である。入射光により励起されると、量子ドットは、結晶のサイズ及び材料により決定される色の光を発する。従って、ドットのサイズを適合させることにより特定の色の光が生成される。可視範囲において発光する最も知られている量子ドットは、硫化カドミウム(CdS)及び硫化亜鉛(ZnS)のような殻を伴うセレン化カドミウム(CdSe)に基づくものである。リン化インジウム(InP)並びに硫化銅インジウム(CuInS)及び/又は硫化銀インジウム(AgInS)のようなカドミウムを含有していない量子ドットも用いられ得る。量子ドットは、非常に狭い発光帯を示し、従って、飽和色を示す。更に、発光色は、量子ドットのサイズを適合させることにより容易に変更され得る。
当業者に知られている任意のタイプの量子ドットが本発明に用いられ得る。しかしながら、環境の安全及び関心の理由のために、カルシウムを含有していない量子ドット又は少なくとも非常に低いカルシウム含有量を有する量子ドットを使用することが好ましい。
好適な有機蛍光体材料の例は、ペリレン誘導体、例えば、BASF社によりルモゲン(登録商標)の名前の下で販売されている化合物に基づく有機ルミネセンス材料である。好適な化合物の例は、ルモゲン(登録商標)レッドF305、ルモゲン(登録商標)オレンジF240、ルモゲン(登録商標)イエローF083及びルモゲン(登録商標)F170を含んでいるが、これらに限定されない。
本発明の実施形態では、オプションでユーロピウムがドープされた硫化物をベースとする波長変換材料を含む狭帯域発光材料が大いに有利に用いられる。
実際には、有機金属ゲッタを有する組成物に波長変換材料を取り入れることは、波長変換材料が硫黄及び/又はセレン化を含む場合、及び従って、硫化物及び/又はセレン化物ガスを引き起こす場合に特に有利である。そのような波長変換材料の例は、例えば、硫化カルシウム、硫化ストロンチウム、硫化カルシウムストロンチウム、セレン化硫化カルシウム及びセレン化硫化カルシウムストロンチウムに基づく蛍光体を含んでいる。
本発明の他の実施形態が、図4に模式的に示されている。この図は、固体光源401及び波長変換層403と保護層404とを有する層アセンブリ402を含む発光装置400の一般的な層構造の側面図を示している。光源401は、波長変換層403の方向に一次光を発する。波長変換層403は、光源401により発せられた光を受け取り、この光を二次変換光に変換する。
保護層404は、典型的には上述したようなマトリクスに分散された有機金属ゲッタ406を有している。波長変換層は、硫黄及び/又はセレンを有する波長変換材料を含んでおり、光源401と保護層404との間に配されている。従って、保護層は、波長変換層の光出力側に、すなわち、発光装置400の受け手(viewer)に面するよう意図された側に配されている。オプションで、上記波長変換層は、上記保護用組成物により部分的に若しくは完全に被覆されて又は更には埋め込まれている。
保護層404の有機金属ゲッタは、波長変換層又は保護層に隣接する別の存在する層から放出されるHSガス407及びオプションでHSeガスを捕獲することができる。
図4には示されていないが、発光装置は、図2及び図3に示されているような反射カップを有し、オプションで保護層404により封止されている。本発明の実施形態では、図5に模式的に示されているように、発光装置500は、少なくとも1つの反射壁506により規定される光混合チャンバとも呼ばれる反射チャンバ505内に配された複数の固体光源501を有している。上述したような有機金属ゲッタ508を有する保護層502は、光混合チャンバ505の光出口窓507の一部を形成する。図5の実施形態では、波長変換層503が各光源501の上に直接的に設けられているが、代替又は追加として、波長変換材料は保護層の内部に含まれていてもよいし、保護層502に隣接する波長変換層として配されていてもよい。実際には、本発明の実施形態では、層アセンブリ402、波長変換層403、503及び/又は保護層402、502は、光が光混合チャンバを出射する上記光出口窓の一部を形成する。
再び図4を参照すると、層アセンブリ402は、少なくとも上述したような保護層を有している。典型的には、層アセンブリ402は、波長変換層403である少なくとも1つの追加の層を有している。代替として、保護層もまた上述したような波長変換材料を有している実施形態では、追加の層は、散乱層のような他のオプションの機能層である。本発明の幾つかの実施形態では、少なくとも1つの追加の層は、例えばいかなる有機金属ゲッタも伴わないマトリクス材料を有する支持層を有している。この少なくとも1つの追加の層は、保護層404の任意の好適な側に位置し得る。
本発明の実施形態では、層アセンブリは、保護層と、互いに直接接して配され、従ってマルチレイヤ構造を形成する少なくとも1つの追加の層とを有している。しかしながら、他の実施形態では、層アセンブリは、互いに離間して配された少なくとも2つの層を有している。例えば、図4に示されているように、保護層404及び波長変換層403は、互いから或る距離で配され、間隙により分離されていてもよい。代替として、2つ以上の層、例えば、保護層、波長変換層及び更なる層を有する実施形態では、これらの層の任意の2つが互いに直接して配される一方で、第3の層はそれらの2つの層から離間して配される。
更に、本発明の実施形態では、上述したような保護層及び少なくとも1つの追加の層を有する層アセンブリが、LEDのような光源の上に直接配されている。代替として、層アセンブリの1つ以上の層及びオプションで層アセンブリ全体は、光源から或る距離で配され得る。
同様に、保護層が有機金属ゲッタに加えて波長変換材料を有する本発明の実施形態では、保護層は光源、典型的にはLED上に直接配されていてもよいし、光源から或る距離で配されていてもよい。
本発明の実施形態に係る発光装置は、典型的には、固体光源を有している。固体光源は、発光ダイオード(LED)又はレーザダイオードである。代替として、光源は、有機発光ダイオード(OLED)であってもよい。幾つかの実施形態では、上記固体光源は、例えば、440から460nmまでの波長範囲の一次光を発するGaN又はInGaNをベースとするLEDのような青色発光LEDである。代替として、固体光源は、UV又は紫色光を発する。青色、紫色又はUVLEDは、光源光が波長変換材料によってより長い波長の光に変換されるように1つ以上の波長変換材料と組み合わせられ得る。
本明細書において説明される本発明の実施形態に係る保護層及び発光装置は、種々の照明アプリケーション及びデバイスに使用され得る。例えば、本発明の実施形態に係る発光装置は、従来の白熱電球と交換するためのLEDを使用したバルブ交換ランプに使用され得る。バルブ交換ランプは、典型的には、上述したような発光装置である発光装置を有している。図6は、光源への電気的接続を可能にするベース部材601を有し、通常のソケットに合うことを含むバルブ交換ランプ600の側面図を示している。ベース部材の上面に、発光装置が取り付けられている(図示せず)。典型的には、発光装置は複数の光源、通常はLEDを有している。透明又は半透明のカバー602は、オプションで従来のバルブのような形状をしており、発光装置を覆うようにベース部材601に結合されている。本発明の実施形態に係る保護層又は層アセンブリは、光源とカバー602との間の任意の好適な位置に配されている。本発明の実施形態に係る保護層又は層アセンブリは、透明又は半透明のカバー602の内表面に配され得ることが考えられる。
更に、本発明の実施形態に係る保護層又は発光装置は、通常、TL交換ランプ又は管とも呼ばれるルミネセンス管交換ランプに使用され得る。TL交換ランプは、本明細書において説明されるような発光装置である発光装置を入れる細長い、例えば管状の、少なくとも部分的に透明又は半透明な筐体を有している。細長い筐体は、典型的には、光源への電気的接続を可能にする電気的接続部を備えている。典型的には、上記発光装置は複数の光源、通常はLEDを有している。本発明の実施形態に係る保護層又は層アセンブリは、光源と筐体との間の任意の好適な場所に配され得る。本発明の実施形態に係る保護層又は層アセンブリは、筐体の内表面に配され得ることが考えられる。
更に、本発明の実施形態に係る保護層又は発光装置は、LEDを使用した照明器具のような固体光源を有する照明器具にも用いられる。そのような照明器具は、任意の好適なデザインを有しており、上(例えば、図7においての天井)から吊り下げられるのに適している。図7は、フレーム701及び光出力窓702を有する吊り下げ式の照明器具700の斜視図を示している。矢印は、照明器具700からの光の放出の方向を示している。少なくとも1つの光源、典型的には複数のLEDを含む発光装置(図示せず)は、光出口窓702の方向に光を発するために光出口窓の後ろに、フレーム内に取り付けられ得る。本発明の実施形態に係る保護層又は層アセンブリは、光源と光出口窓702との間の任意の好適な場所に配され得る。本発明の実施形態に係る保護層又は層アセンブリは、光出口窓の内表面に配されるか又は光出口窓の一部を形成する。
本発明の実施形態に係る発光装置は、任意のタイプの照明アプリケーション向きのLEDモジュールに使用され得る。
当業者は、本発明が決して上述した好ましい実施形態に限定されるものではないことを理解している。それどころか、多くの修正形態及び変形形態が添付の特許請求の範囲内において可能である。例えば、本発明に係る発光装置のいかなる実施形態もが、複数の固体光源を有し得る。更に、有機金属ゲッタを有する保護層は、例えば、専ら発光装置の保護層である必要はない。実際は、上記保護層は、典型的には光源、反射体、波長変換材料等のような他の構成要素とともに密閉又は疑似密閉封止された区画に含まれていてもよい。封止は、当該技術分野において既知の1つ以上の追加の封止材料又は封止層によって達成される。
更に、開示された実施形態に対する変形形態が、図面、この開示及び添付の特許請求の範囲の研究から請求項に係る発明を実行する際に当業者により理解され、もたらされ得る。特許請求の範囲において、「有する」という用語は、他の構成要素又はステップを排除するものではなく、不定冠詞「a」又は「an」は複数を排除するものではない。或る方策が互いに異なる従属請求項に列挙されているという単なる事実は、これらの方策の組み合わせが有利に用いられないことを示してはいない。

Claims (15)

  1. 光電子デバイスに用いるための保護用組成物であって、金属と硫黄及び/又はセレンとを含む結晶を形成するために硫黄及び/又はセレンと反応することが可能な有機金属ゲッタを有する、当該保護用組成物。
  2. 前記有機金属ゲッタが、銅、鉄、カドミウム、鉛及び亜鉛よりなる群から選択される金属を有する、請求項1記載の保護用組成物。
  3. 前記有機金属ゲッタが亜鉛を有する、請求項1記載の保護用組成物。
  4. 前記有機金属ゲッタが有機アニオンを有する、請求項1記載の保護用組成物。
  5. ポリマを有するマトリクスを更に有する、請求項1記載の保護用組成物。
  6. 前記有機金属ゲッタが前記ポリマに化学結合された、請求項5記載の保護用組成物。
  7. 波長変換材料を更に有する、請求項1記載の保護用組成物。
  8. 請求項1記載の保護用組成物を有する、保護層。
  9. 請求項8記載の保護層と、波長変換材料を有する波長変換層とを有する、層アセンブリ。
  10. 前記波長変換材料が硫黄及び/又はセレンを有する、請求項7記載の保護用組成物又は請求項9記載の層アセンブリ。
  11. 請求項1記載の保護用組成物を有する、光学部品。
  12. 少なくとも1つの固体光源と、請求項1記載の保護用組成物とを有する、発光装置。
  13. 前記保護用組成物により少なくとも部分的に覆われた銀層を更に有する、請求項12記載の発光装置。
  14. 前記固体光源により発せられる光を受け取る波長変換材料を更に有し、前記波長変換材料は、前記保護用組成物により少なくとも部分的に覆われた、請求項12記載の発光装置。
  15. 波長変換材料から放出される腐食性又は有毒ガスを捕獲する有機金属ゲッタの使用。
JP2015548826A 2012-12-20 2013-12-16 保護用組成物 Expired - Fee Related JP6422882B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261739780P 2012-12-20 2012-12-20
US61/739,780 2012-12-20
PCT/IB2013/060991 WO2014097120A1 (en) 2012-12-20 2013-12-16 Protective composition

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016505213A true JP2016505213A (ja) 2016-02-18
JP2016505213A5 JP2016505213A5 (ja) 2017-02-02
JP6422882B2 JP6422882B2 (ja) 2018-11-14

Family

ID=50114411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015548826A Expired - Fee Related JP6422882B2 (ja) 2012-12-20 2013-12-16 保護用組成物

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150340564A1 (ja)
EP (1) EP2936218B1 (ja)
JP (1) JP6422882B2 (ja)
CN (1) CN104871040B (ja)
WO (1) WO2014097120A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019186305A (ja) * 2018-04-04 2019-10-24 シャープ株式会社 発光装置および製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9620686B2 (en) * 2015-01-28 2017-04-11 Apple Inc. Display light sources with quantum dots

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011178983A (ja) * 2010-01-26 2011-09-15 Yokohama Rubber Co Ltd:The シリコーン樹脂組成物およびその使用方法、シリコーン樹脂、シリコーン樹脂含有構造体、ならびに光半導体素子封止体
WO2011132419A1 (ja) * 2010-04-22 2011-10-27 日本化薬株式会社 銀変色防止剤、銀変色防止樹脂組成物、銀変色防止方法、及びこれを使用した発光ダイオード
DE102010035110A1 (de) * 2010-08-23 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Polymerkomposit, Verwendung des Polymerkomposits und optoelektronisches Bauelement enthaltend das Polymerkomposit
JP2012056251A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Yokohama Rubber Co Ltd:The 金属層の腐食防止方法、耐硫化性を有する、積層体、半導体発光装置およびシリコーン樹脂組成物
WO2012137552A1 (ja) * 2011-04-05 2012-10-11 三井金属鉱業株式会社 発光デバイス

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3065194A (en) * 1959-07-16 1962-11-20 Wacker Chemie Gmbh Method of preparing silicone rubber compositions
US6469215B1 (en) * 2000-05-17 2002-10-22 Degussa Ag Process for the production of an intermediate mixture of β-isophorone epoxide and its isomer 4-hydroxyisophorone (HIP)
JP2009120437A (ja) 2007-11-14 2009-06-04 Niigata Univ シロキサンをグラフト化したシリカ及び高透明シリコーン組成物並びに該組成物で封止した発光半導体装置
CN102639590B (zh) * 2009-11-30 2015-06-24 日本化药株式会社 固化性树脂组合物及其固化物
CN102190890B (zh) * 2010-01-26 2015-06-17 横滨橡胶株式会社 有机硅树脂组合物及其使用方法、有机硅树脂、含有其的结构体、和光半导体元件密封体
CN102569593A (zh) * 2010-12-22 2012-07-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011178983A (ja) * 2010-01-26 2011-09-15 Yokohama Rubber Co Ltd:The シリコーン樹脂組成物およびその使用方法、シリコーン樹脂、シリコーン樹脂含有構造体、ならびに光半導体素子封止体
WO2011132419A1 (ja) * 2010-04-22 2011-10-27 日本化薬株式会社 銀変色防止剤、銀変色防止樹脂組成物、銀変色防止方法、及びこれを使用した発光ダイオード
DE102010035110A1 (de) * 2010-08-23 2012-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Polymerkomposit, Verwendung des Polymerkomposits und optoelektronisches Bauelement enthaltend das Polymerkomposit
JP2012056251A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Yokohama Rubber Co Ltd:The 金属層の腐食防止方法、耐硫化性を有する、積層体、半導体発光装置およびシリコーン樹脂組成物
WO2012137552A1 (ja) * 2011-04-05 2012-10-11 三井金属鉱業株式会社 発光デバイス

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019186305A (ja) * 2018-04-04 2019-10-24 シャープ株式会社 発光装置および製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104871040B (zh) 2020-02-21
CN104871040A (zh) 2015-08-26
EP2936218A1 (en) 2015-10-28
WO2014097120A1 (en) 2014-06-26
US20150340564A1 (en) 2015-11-26
JP6422882B2 (ja) 2018-11-14
EP2936218B1 (en) 2017-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107017325B (zh) 量子点复合材料及其制造方法与应用
US9115868B2 (en) Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion
JP4653662B2 (ja) 波長変換器、発光装置、波長変換器の製造方法および発光装置の製造方法
JP4418758B2 (ja) 放射源と発光体を有する照射システム
KR102242973B1 (ko) 코팅된 협대역 적색 형광체
JP5941464B2 (ja) 耐湿性蛍光体及び関連する方法
TWI621286B (zh) 具有奈米結構磷光體之發光裝置
JP2007123390A (ja) 発光装置
KR20110104981A (ko) 형광체 파장 변환을 갖는 광 방출 디바이스
WO2014122549A1 (en) Phenoxy-substituted perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimides organic red emitter and light emitting device using the same
KR101459718B1 (ko) 무기 코팅층 및 고분자 코팅층을 포함하는 색변환 필름 및 이의 제조방법
TW201335545A (zh) 用於遠端波長轉換之具有嵌入密封材料之光激發光材料之波長轉換元件
CN111344378A (zh) 稳定化的量子点复合材料和制备稳定化的量子点复合材料的方法
US9753357B2 (en) Compact solid-state camera flash
KR20140000230A (ko) 발광 장치
JP6422882B2 (ja) 保護用組成物
KR102283169B1 (ko) Led 시스템
GB2523645A (en) Quantum dot chip on board
WO2014122071A1 (en) Increasing the lifetime of an organic phosphor by using off-maximum excitation
WO2023237505A1 (en) Use of ksf phosphor in leds with wire-bonds with maximum amount of silver
JP7403072B2 (ja) 発光装置及び照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20160912

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161213

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171211

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180307

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180606

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180918

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181017

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6422882

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees