JP2016220081A - 光伝送モジュール及び伝送装置 - Google Patents

Abstract

【課題】コンパクトで小型の伝送装置にも搭載可能な高速伝送用の光伝送モジュール及び伝送装置を提供する。【解決手段】長距離伝送用光トランシーバが挿入される長距離伝送用ポート２と、近距離伝送用光トランシーバまたはケーブルの端部に設けられたコネクタが挿入される近距離伝送用ポート３と、を備え、長距離伝送用ポート２から入力された信号を近距離伝送用ポート３から出力し、近距離伝送用ポート３から入力された信号を長距離伝送用ポート２から出力する光伝送モジュール１であって、正面側の端部に長距離伝送用ポート２が搭載された第１基板１６と、正面側の端部に近距離伝送用ポート３が搭載された第２基板１７と、を備え、第１基板１６と第２基板１７とを正面視でＬ字型に配置し、第１基板１６と第２基板１７とを電気コネクタ１８により電気的に接続した。【選択図】図３

Description

本発明は、光伝送モジュール及び伝送装置に関する。

従来、例えば１００ｋｍ以上の伝送距離に対応する長距離伝送用光トランシーバが挿入される長距離伝送用ポートを備えた光伝送モジュールが知られている。

この光伝送モジュールでは、近距離伝送用光トランシーバまたはケーブルの端部に設けられたコネクタが挿入される近距離伝送用ポートをさらに備え、長距離伝送用ポートから入力された信号を信号処理（ＦＥＣ（誤り訂正）等の処理）した後に近距離伝送用ポートから出力し、近距離伝送用ポートから入力された信号を信号処理した後に長距離伝送用ポートから出力するように構成されている。

光伝送モジュールは、複数のスロットを有するシャーシ型の伝送装置に搭載される。

なお、本発明に関連する先行技術文献としては、特許文献１がある。

特開２００３−１６３６４２号公報

ところで、高さが２Ｕ程度の小型の伝送装置では、１Ｇｂ／ｓ（ギガビット毎秒）や１０Ｇｂ／ｓ程度の伝送速度の信号を想定した小型の光トランシーバ、例えばＭＳＡ（Ｍｕｌｔｉ Ｓｏｕｒｃｅ Ａｇｒｅｅｍｅｎｔ）規格のＳＦＰ光トランシーバが用いられており、この光トランシーバと信号処理用のＬＳＩを１枚の基板に実装したカード型の光伝送モジュールが一般に用いられている。なお、上述の高さの単位Ｕは、ＴＩＡ／ＥＩＡ−３１０−Ｄ、ＩＥＣ６０９１７、ＪＩＳＣ６０１０等で規格されるものであり、１Ｕは４４．４５ｍｍである。

しかしながら、１００Ｇｂ／ｓの高速伝送に対応するためには、光トランシーバとして、ＭＳＡ規格のＣＦＰシリーズのような比較的大型の光トランシーバを用いる必要があり、また、信号処理用のＬＳＩとしても発熱量の大きなＬＳＩを用いる必要がある。そのため、１００Ｇｂ／ｓの高速伝送に対応した光伝送モジュールでは、大きな実装面積を確保する必要があり、上述のような高さ２Ｕ程度の小型の伝送装置に搭載することは困難であった。

そこで、本発明は、コンパクトで小型の伝送装置にも搭載可能な高速伝送用の光伝送モジュール及び伝送装置を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決することを目的として、長距離伝送用光トランシーバが挿入される長距離伝送用ポートと、近距離伝送用光トランシーバまたはケーブルの端部に設けられたコネクタが挿入される近距離伝送用ポートと、を備え、前記長距離伝送用ポートから入力された信号を前記近距離伝送用ポートから出力し、前記近距離伝送用ポートから入力された信号を前記長距離伝送用ポートから出力する光伝送モジュールであって、正面側の端部に前記長距離伝送用ポートが搭載された第１基板と、正面側の端部に前記近距離伝送用ポートが搭載された第２基板と、を備え、前記第１基板と前記第２基板とを正面視でＬ字型に配置し、前記第１基板と前記第２基板とを電気コネクタにより電気的に接続した、光伝送モジュールを提供する。

また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、複数のスロットを有するシャーシ型の伝送装置であって、前記光伝送モジュールを備え、当該光伝送モジュールを前記スロットに搭載して構成される、伝送装置を提供する。

本発明によれば、コンパクトで小型の伝送装置にも搭載可能な高速伝送用の光伝送モジュール及び伝送装置を提供できる。

本発明の一実施の形態に係る光伝送モジュールの外観を示す斜視図である。 光伝送モジュールを搭載した伝送装置の斜視図である。 フロントパネルと側板を取り外した光伝送モジュールの斜視図である。 フロントパネルと側板を取り外した光伝送モジュールの斜視図である。 第１基板を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図である。 第２基板を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は下面図である。

［実施の形態］
以下、本発明の実施の形態を添付図面にしたがって説明する。

（光伝送モジュールの全体構成）
図１は、本実施の形態に係る光伝送モジュールの外観を示す斜視図であり、図２は、光伝送モジュールを搭載した伝送装置の斜視図である。また、図３，４は、フロントパネルと側板を取り外した光伝送モジュールの斜視図である。

図１〜４に示すように、光伝送モジュール１は、長距離伝送用光トランシーバ（不図示）が挿入される長距離伝送用ポート２と、近距離伝送用光トランシーバ（不図示）が挿入される近距離伝送用ポート３と、を備えている。

長距離伝送用光トランシーバは、例えば、ＭＳＡ規格のＣＰＦ２に準拠した光トランシーバであり、近距離伝送用光トランシーバは、例えば、ＭＳＡ規格のＣＰＦ４に準拠した光トランシーバである。ここでは、両光トランシーバとして、２５〜３２Ｇｂ／ｓ×４ｃｈ（合計１００〜１２８Ｇｂ／ｓ）の高速伝送に対応したものを用いた。また、長距離伝送用光トランシーバとして、光コヒーレント方式に対応したものを用いた。なお、光コヒーレント方式とは、光の波としての性質を利用して信号を伝送し、受信局では信号光とは別のローカル光との干渉により復調することで長距離大容量伝送を可能にする方式である。

長距離伝送用ポート２は、長距離伝送用光トランシーバを収容するケージ２ａを有しており、ケージ２ａ内には、ケージ２ａ内に収容された長距離用光トランシーバのコネクタ部に嵌合し電気的に接続されるレセプタクル部（不図示）が設けられている。また、ケージ２ａには、長距離伝送用光トランシーバで発生した熱を放熱するための第１ポート側ヒートシンク２ｂが取り付けられている。

近距離伝送用ポート３は、近距離伝送用光トランシーバを収容するケージ３ａを有しており、ケージ３ａ内には、ケージ３ａ内に収容された近距離用光トランシーバのコネクタ部に嵌合し電気的に接続されるレセプタクル部（不図示）が設けられている。また、ケージ３ａには、近距離伝送用光トランシーバで発生した熱を放熱するための第２ポート側ヒートシンク３ｂが取り付けられている。

なお、本実施の形態では、近距離伝送用ポート３として近距離伝送用光トランシーバが挿入されるものを用いたが、これに限らず、近距離伝送用ポート３は、ケーブルの端部に設けられたコネクタが挿入されるもの（電気コネクタ）で構成されてもよい。つまり、近距離伝送用ポート３から入出力する信号は、光信号であっても電気信号であっても構わない。

光伝送モジュール１は、長距離伝送用ポート２から入力された信号を信号処理した後に近距離伝送用ポート３から出力し、近距離伝送用ポート３から入力された信号を信号処理した後に長距離伝送用ポート２から出力するように構成される。信号処理については後述する。

近距離伝送用ポート３は、例えば光ファイバや電線を介して端末装置に接続され、遠距離伝送用ポート２は、例えば光ファイバを介して１００ｋｍ以上の遠方に配置された別の光伝送モジュールに接続される。

図２に示すように、光伝送モジュール１は、複数のスロット２１を有するシャーシ型の伝送装置１００に搭載される。このとき、光伝送モジュール１は、他のラインカード２２（カード型の通信モジュール）と同様に、スロット２１に挿入され、伝送装置１００に搭載される。詳細は後述するが、本実施の形態に係る光伝送モジュール１では、その高さを小さくすることが可能であるため、高さ２Ｕ程度の小型の伝送装置１００に搭載可能である。

（ケースの構成）
図１〜４に示すように、光伝送モジュール１は、背面が開放された直方体形状のケース４を備えている。以下、図１における左右方向を幅方向、左手前から右奥の方向を長さ方向、上下方向を高さ方向という。

ケース４は、幅方向に対向配置された２枚の側板５，６と、高さ方向に対向配置された上板７と底板８とからなる角筒状の本体部９を備え、本体部９の前側（正面側）の開口を塞ぐようにフロントパネル１０を設けて構成されている。

本実施の形態では、底板８と一方の側板５を基板１６、１７で構成しており、上板７と他方の側板６とフロントパネル１０とを金属板で構成している。基板１６，１７の詳細については後述する。

フロントパネル１０には、長距離伝送用ポート２のケージ２ａの先端部が挿入される第１貫通孔１１と、近距離伝送用ポート３のケージ３ａの先端部が挿入される第２貫通孔１２と、が形成されている。また、フロントパネルには、冷却用の外気を取り込むための多数の通気口１３が形成されている。通気口１３は、フロントパネル１０のほぼ全面（本体部９の前側の開口と対向する位置のほぼ全面）にわたって形成されており、ケース４内に配置される発熱部材の冷却に十分な量の外気を取り込めるように構成されている。図示していないが、通気口１３から外気を取り込むためのファンは、伝送装置１００に搭載されている。

フロントパネル１０には、光伝送モジュール１を伝送装置１００のスロット２１から取り出す際に用いるレバー１４が取り付けられている。レバー１４は、レバー１４を手前側（前側）に倒したときに、その下端部で伝送装置１００の筐体を背面側に押し込むように構成されており、この反力により光伝送モジュール１を前方に移動させて、スロット２１から光伝送モジュール１を離脱させるように構成されている。レバー１４の上端部には、伝送装置１００の筐体２３の前面に設けられたねじ穴（不図示）に螺合される固定用ネジ１５が設けられており、この固定用ネジを伝送装置１００の筐体２３に設けられたねじ穴に螺合することで、レバー１４とフロントパネル１０とを含む光伝送モジュール１全体が伝送装置１００の筐体２３に固定されるように構成されている。

上板７の上面には、光伝送モジュール１を伝送装置１００のスロット２１内に挿入する際にガイドとなる上側ガイドレール７ａが設けられている。同様に、底板８（第１基板１６）の下面には、光伝送モジュール１を伝送装置１００のスロット２１内に挿入する際にガイドとなる下側ガイドレール８ａが設けられている。

また、図示左側の側板５（第２基板１７）は、その上端部が上板７よりも上方に突出し、その下端部が底板８（第１基板１６）よりも下方に突出して設けられており、側板５（第２基板１７）の上端部と下端部がガイドレールの役割を果たすように構成されている。上側ガイドレール７ａと下側ガイドレール８ａは、側板５と離間して設けられ、反対側の側板６の近傍に設けられる。

光伝送モジュール１をスロット２１に挿入する際には、側板５（第２基板１７）の上下端部および両ガイドレール７ａ，８ａを、伝送装置１００に設けられたガイドレール２４に沿わせてスライドさせつつ挿入する。このとき、光伝送モジュール１は複数個のスロット２１にわたって配置されることになる。光伝送モジュール１の幅は特に限定するものではないが、本実施の形態では、４スロット分の幅となるように光伝送モジュール１を形成した。

側板６のフロントパネル１０側の端部には、伝送装置１００に搭載された際に伝送装置１００の筐体２３または隣接するラインカード２２と接触し、不要な電磁放射を抑制するための遮蔽部材６ａが設けられている。

（基板１６，１７の配置の説明）
１００Ｇｂ／ｓの高速伝送に対応した長距離伝送用光トランシーバ、近距離伝送用光トランシーバを用いる場合、光トランシーバのサイズが大きく実装面積が大きくなるため、両者を１枚の基板に搭載してラインカードを構成した場合には、ラインカードの高さが非常に大きくなってしまう。

そこで、本発明者らは、１００Ｇｂ／ｓの高速伝送に対応し、かつ、高さ２Ｕ程度の小型の伝送装置１００に搭載可能な光伝送モジュール１について検討を重ね、本発明に至った。

すなわち、本実施の形態に係る光伝送モジュール１は、長距離伝送用ポート２と近距離伝送用ポート３とを別々の基板１６，１７に搭載し、両基板１６，１７を正面視で（フロントパネル１０側から見て）Ｌ字型に配置したものである。

本実施の形態では、長距離伝送用ポート２を第１基板１６の正面側（フロントパネル１０側）の端部に搭載すると共に、近距離伝送用ポート３を第２基板１７の正面側（フロントパネル１０側）の端部に搭載し、第１基板１６と第２基板１７とを正面視でＬ字型に配置して、第１基板１６と第２基板１７とを電気コネクタ１８により電気的に接続するように構成している。

両ポート２，３を搭載する基板１６，１７をＬ字型に配置することにより、１枚の基板に両ポート２，３を搭載する場合と比較して、光伝送モジュール１の高さを小さくすることが可能になる。その結果、高さ２Ｕ程度の小型の伝送装置１００にも搭載可能な光伝送モジュール１を実現することが可能になる。

また、本実施の形態では、ケース４の底板８を第１基板１６で構成し、ケース４の一方の側板５を第２基板１７で構成している。これは、ケース４内で発生した熱はケース４の上方に溜まるため、ケース４の上方に基板１６，１７を配置することは好ましくなく、さらに、長距離伝送用ポート２は近距離伝送用ポート３と比較して実装面積（ケージ２ａの幅）が大きくなるため、長距離伝送用ポート２を高さ方向に沿って配置した場合（つまり第１基板１６を側板５として用いた場合）には、光伝送モジュール１の高さが大きくなってしまう場合があるためである。つまり、ケース４の底板８を第１基板１６で構成し、ケース４の一方の側板５を第２基板１７で構成することで、光伝送モジュール１の高さをより小さくすることが可能になる。

なお、ここでは、正面視で左側の側板５を第２基板１７で構成しているが、正面視で右側の側板６を第２基板１７で構成しても構わない。また、ここでは、底板８と側板５とを基板１６，１７で構成すること、すなわちケース４の一部を基板１６，１７で構成することで、光伝送モジュール１全体のさらなる小型化を図っているが、ケース４と別体に基板１６，１７を設けても構わない。つまり、ケース４内に基板１６，１７を収容するように構成しても構わない。

長距離伝送用ポート２と近距離伝送用ポート３は、両基板１６，１７のケース４内側の面にそれぞれ搭載される。つまり、両基板１６，１７は、長距離伝送用ポート２、近距離伝送用ポート３を搭載した面がケース４の内面となるように、Ｌ字型に配置される。

（第１基板１６と第２基板１７とを固定する構造の説明）
図３〜６に示すように、第１基板１６の第２基板１７側の端部で、かつ、長さ方向の中央部よりも前側の位置には、側方に突出する係止突起１６ａが形成されており、第２基板１７には、係止突起１６ａを収容する係止穴１７ａが形成されている。

また、第１基板１６の長さ方向の中央部よりも背面側の位置には、電気コネクタ１８の一部であるプラグ部１８ａが搭載されており、第２基板１７には、電気コネクタ１８の一部でありプラグ部１８ａが嵌合されるレセプタクル部１８ｂが搭載されている。

第１基板１６と第２基板１７は、係止突起１６ａを係止穴１７ａに収容した状態で、プラグ部１８ａをレセプタクル部１８ｂに嵌合することで、互いに固定される。つまり、電気コネクタ１８は、両基板１６，１７を電気的に接続する役割と、両基板１６，１７を固定する役割とを兼ねている。

（信号処理についての説明）
第１基板１６には、長距離伝送用ポート２と近距離伝送用ポート３間で伝送される電気信号の信号処理を行う第１ＬＳＩ１９が搭載されている。また、第２基板１７には、長距離伝送用ポート２と近距離伝送用ポート３間で伝送される電気信号の信号処理を行う第２ＬＳＩ２０が搭載されている。

長距離伝送用ポート２と第１ＬＳＩ１９、および第１ＬＳＩ１９と電気コネクタ１８のプラグ部１８ａとは、第１基板１６に形成された配線パターンにより電気的に接続される。また、近距離伝送用ポート３と第２ＬＳＩ２０、および第２ＬＳＩ２０と電気コネクタ１８のレセプタクル部１８ｂとは、第２基板１７に形成された配線パターンにより電気的に接続される。

第１ＬＳＩ１９には、第１ＬＳＩ１９で発生した熱を放熱するための第１ヒートシンク１９ａが設けられている。また、第２ＬＳＩ２０には、第２ＬＳＩ２０で発生した熱を放熱するための第２ヒートシンク２０ａが設けられている。

本実施の形態では、第１ＬＳＩ１９は、デジタルコヒーレント信号処理ＬＳＩ（ＤＳＰ−ＬＳＩ）からなり、長距離伝送用の監視情報を埋め込む処理や、イーサ統計、ＦＥＣ（誤り訂正）処理等を行う。

また、本実施の形態では、第１ＬＳＩ１９は、長距離伝送用ポート２から入力された高速信号を低速信号に変換して電気コネクタ１８を介して第２基板１７に出力すると共に、電気コネクタ１８を介して第２基板１７から入力された低速信号を高速信号に変換して長距離伝送用ポート２に出力する第１伝送レート変換部（ギアボックス部）を有している。

ここでは、長距離伝送用ポート２から入力された２５Ｇｂ／ｓ×４ｃｈの高速信号を１０Ｇｂ／ｓ×１０ｃｈの低速信号に変換して電気コネクタ１８側に出力し、かつ、電気コネクタ１８側から入力された１０Ｇｂ／ｓ×１０ｃｈの低速信号を２５Ｇｂ／ｓ×４ｃｈの高速信号に変換して長距離伝送用ポート２に出力するように第１ＬＳＩ１９を構成した。実際の長距離伝送用ポート２のデータレートは、ＦＥＣ符号が付加されるため２５Ｇｂ／ｓより少し高い２８〜３２Ｇｂ／ｓ×４ｃｈのビットレートである。

長距離伝送用ポート２と第１ＬＳＩ１９間では、２５Ｇｂ／ｓの高速信号が伝送されることになるため、第１ＬＳＩ１９をなるべく長距離伝送用ポート２の近くに配置し、信号劣化を抑制することが望ましい。そのため、第１基板１６においては、正面側（フロントパネル１０側）から背面側にかけて、長距離伝送用ポート２、第１ＬＳＩ１９、電気コネクタ１８のプラグ部１８ａが順次配置されることになる。

第２ＬＳＩ２０は、近距離伝送用ポート３から入力された高速信号を低速信号に変換して電気コネクタ１８を介して第１基板１６に出力すると共に、電気コネクタ１８を介して第１基板１６から入力された低速信号を高速信号に変換して近距離伝送用ポート３に出力する第２伝送レート変換部を有している。

ここでは、近距離伝送用ポート３から入力された２５Ｇｂ／ｓ×４ｃｈの高速信号を１０Ｇｂ／ｓ×１０ｃｈの低速信号に変換して電気コネクタ１８側に出力し、かつ、電気コネクタ１８側から入力された１０Ｇｂ／ｓ×１０ｃｈの低速信号を２５Ｇｂ／ｓ×４ｃｈの高速信号に変換して近距離伝送用ポート３に出力するように第２ＬＳＩ２０を構成した。

近距離伝送用ポート３と第２ＬＳＩ２０間では、２５Ｇｂ／ｓの高速信号が伝送されることになるため、第２ＬＳＩ２０をなるべく近距離伝送用ポート３の近くに配置し、信号劣化を抑制することが望ましい。そのため、第２基板１６においては、正面側（フロントパネル１０側）から背面側にかけて、近距離伝送用ポート３、第２ＬＳＩ２０、電気コネクタ１８のレセプタクル部１８ｂが順次配置されることになる。

両伝送レート変換部（ＬＳＩ１９，２０）を備えることにより、電気コネクタ１８を含む両ＬＳＩ１９，２０間の伝送路で低速信号を伝送することが可能になり、高速信号をそのまま伝送した場合と比較して、信号劣化を抑制することが可能になる。また、電気コネクタ１８として高速信号に対応したものを用いる必要がなくなるので、低コスト化が可能になる。

両ＬＳＩ１９，２０を含む光伝送モジュール１への電源供給は、伝送装置１００から行われる。本実施の形態では、第２基板１７の背面側の端部に、光伝送モジュール１を伝送装置１００に搭載した際に伝送装置１００のバックボード（不図示）に接続される背面側電気コネクタ３０を設け、この背面側電気コネクタ３０を介して電源供給がなされるように構成している。なお、背面側電気コネクタ３０を第１基板１６に設けても構わない。

（実施の形態の作用及び効果）
以上説明したように、本実施の形態に係る光伝送モジュール１では、長距離伝送用ポート２が搭載された第１基板１６と、近距離伝送用ポート３が搭載された第２基板１７とを正面視でＬ字型に配置し、第１基板１６と第２基板１７とを電気コネクタ１８により電気的に接続している。

２つの基板１６，１７をＬ字型に配置することで、１００Ｇｂ／ｓの高速伝送に対応した比較的大型の光トランシーバを用いた場合であっても、高さの小さいコンパクトな光伝送モジュール１を実現できる。その結果、高さ２Ｕ程度の小型の伝送装置１００にも搭載が可能な高速伝送用の光伝送モジュール１を実現できる。

また、２つの基板１６，１７をＬ字型に配置することで、基板１６，１７の配線面積（実装面積）を大きくできるので、光伝送モジュール１の長さも小さくすることができ、光伝送モジュール１の小型化に寄与する。

さらに、２つの基板１６，１７をＬ字型に配置することで、両基板１６，１７に囲まれた空間（ケース４の内部空間）にヒートシンク２ｂ，３ｂ，１９ａ，１９ｂを集合させ、フロントパネル１０に形成された通気口１３から導入された外気により、効率よく冷却を行うことも可能になる。

なお、２つの基板１６，１７を平行に配置することも考えられるが、この場合、例えば、伝送用ポート２，３等を両基板１６，１７の対向面に配置してヒートシンク２ｂ，３ｂ，１９ａ，１９ｂを両基板１６，１７の間に集合させると、基板１６，１７間の接続用の伝送路が長くなり電気信号が劣化しやすくなる。また、基板１６，１７間の接続用の伝送路を短くするために両基板１６，１７の対向面と反対側の面に伝送用ポート２，３等を配置すると、基板１６，１７により分割された空間にヒートシンク２ｂ，３ｂ，１９ａ，１９ｂが分散して配置されることになり、冷却効率が低下する。

また、本実施の形態では、両基板１６，１７に伝送用ポート２，３からの高速信号を低速信号に変換する伝送レート変換部（ＬＳＩ１９，２０）を搭載しているため、基板１６，１７を伝送する電気信号の劣化を抑制することが可能になる。

（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。

［１］長距離伝送用光トランシーバが挿入される長距離伝送用ポート（２）と、近距離伝送用光トランシーバまたはケーブルの端部に設けられたコネクタが挿入される近距離伝送用ポート（３）と、を備え、前記長距離伝送用ポート（２）から入力された信号を前記近距離伝送用ポート（３）から出力し、前記近距離伝送用ポート（３）から入力された信号を前記長距離伝送用ポート（２）から出力する光伝送モジュール（１）であって、正面側の端部に前記長距離伝送用ポート（２）が搭載された第１基板（１６）と、正面側の端部に前記近距離伝送用ポート（３）が搭載された第２基板（１７）と、を備え、前記第１基板（１６）と前記第２基板（１６）とを正面視でＬ字型に配置し、前記第１基板（１６）と前記第２基板（１７）とを電気コネクタ（１８）により電気的に接続した、光伝送モジュール（１）。

［２］背面が開放された直方体形状のケース（４）を備え、前記ケース（４）の底板（８）は、前記第１基板（１６）からなり、前記ケース（４）の一方の側板（５）は、前記第２基板（１７）からなり、前記長距離伝送用ポート（２）と前記近距離伝送用ポート（３）は、前記両基板（１６，１７）の前記ケース（４）内側の面にそれぞれ搭載される、［１］に記載の光伝送モジュール（１）。

［３］前記第１基板（１６）には、前記長距離伝送用ポート（２）から入力された高速信号を低速信号に変換して前記電気コネクタ（１８）を介して前記第２基板（１７）に出力すると共に、前記電気コネクタ（１８）を介して前記第２基板（１７）から入力された低速信号を高速信号に変換して前記長距離伝送用ポート（２）に出力する第１伝送レート変換部（１９）が搭載され、前記第２基板（１７）には、前記近距離伝送用ポート（３）から入力された高速信号を低速信号に変換して前記電気コネクタ（８）を介して前記第１基板（１６）に出力すると共に、前記電気コネクタ（１８）を介して前記第１基板（１７）から入力された低速信号を高速信号に変換して前記近距離伝送用ポート（３）に出力する第２伝送レート変換部（２０）が搭載される、［１］又は［２］に記載の光伝送モジュール（１）。

［４］複数のスロット（２１）を有するシャーシ型の伝送装置（１００）であって、［１］乃至［３］のいずれかに記載の光伝送モジュール（１）を備え、当該光伝送モジュール（１）を前記スロット（２１）に搭載して構成される、伝送装置（１００）。

以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。

本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、１つの電気コネクタ１８により両基板１６，１７を接続したが、２つ以上の電気コネクタ１８で両基板１６，１７を接続しても構わない。

また、上記実施の形態では、両基板１６，１７に伝送レート変換部を搭載する場合について説明したが、伝送レート変換部は必須ではなく、例えば、基板１６，１７や電気コネクタ１８を伝送する際に劣化した高速信号の補正処理や増幅処理等を行う部材を適宜追加することで、伝送レート変換部を省略することも可能である。

１…光伝送モジュール
２…長距離伝送用ポート
３…近距離伝送用ポート
４…ケース
１６…第１基板
１７…第２基板
１８…電気コネクタ

Claims (4)

1. 長距離伝送用光トランシーバが挿入される長距離伝送用ポートと、
   近距離伝送用光トランシーバまたはケーブルの端部に設けられたコネクタが挿入される近距離伝送用ポートと、を備え、
   前記長距離伝送用ポートから入力された信号を前記近距離伝送用ポートから出力し、前記近距離伝送用ポートから入力された信号を前記長距離伝送用ポートから出力する光伝送モジュールであって、
   正面側の端部に前記長距離伝送用ポートが搭載された第１基板と、
   正面側の端部に前記近距離伝送用ポートが搭載された第２基板と、を備え、
   前記第１基板と前記第２基板とを正面視でＬ字型に配置し、前記第１基板と前記第２基板とを電気コネクタにより電気的に接続した、
   光伝送モジュール。
2. 背面が開放された直方体形状のケースを備え、
   前記ケースの底板は、前記第１基板からなり、
   前記ケースの一方の側板は、前記第２基板からなり、
   前記長距離伝送用ポートと前記近距離伝送用ポートは、前記両基板の前記ケース内側の面にそれぞれ搭載される、
   請求項１に記載の光伝送モジュール。
3. 前記第１基板には、前記長距離伝送用ポートから入力された高速信号を低速信号に変換して前記電気コネクタを介して前記第２基板に出力すると共に、前記電気コネクタを介して前記第２基板から入力された低速信号を高速信号に変換して前記長距離伝送用ポートに出力する第１伝送レート変換部が搭載され、
   前記第２基板には、前記近距離伝送用ポートから入力された高速信号を低速信号に変換して前記電気コネクタを介して前記第１基板に出力すると共に、前記電気コネクタを介して前記第１基板から入力された低速信号を高速信号に変換して前記近距離伝送用ポートに出力する第２伝送レート変換部が搭載される、
   請求項１又は２に記載の光伝送モジュール。
4. 複数のスロットを有するシャーシ型の伝送装置であって、
   請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光伝送モジュールを備え、当該光伝送モジュールを前記スロットに搭載して構成される、
   伝送装置。
   

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