JP2016207734A - 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、下地であるサファイア基板10、及びこのサファイア基板10の表面側に成長させたGaNSb層50を備える窒化物半導体発光素子であって、GaNSb層50は、Sb(アンチモン)がモル分率を0.1%以上に添加され、電子濃度が1×1018cm−3以上であることを特徴とする。
【選択図】図7
Description
下地である基板、及びこの基板の表面側に成長させたn型半導体層を備える窒化物半導体発光素子であって、
前記n型半導体層は、
Sb(アンチモン)がモル分率を0.1%以上に添加され、電子濃度が1×1018cm−3以上であることを特徴とする。
基板の表面側に活性層を成長させる第1工程と、
前記基板の温度が650℃より大きく850℃以下で前記活性層の表面側にSb(アンチモン)を添加したn型半導体層を成長させる第2工程と、
を備えていることを特徴とする。
先ず、C面を表面にしたサファイア基板の表面側にAlN低温バッファ層もしくはGaN低温バッファ層を成長させた(図示せず。)。次に、この低温バッファ層の表面側に3μmのGaN層を成長させた(図示せず。)。そして、TMSb(トリメチルアンチモン)等のSb原料を反応炉内に供給して、GaN層の表面側に0.3〜0.4μmの厚みでGaNSb層を成長させた(図示せず。)。キャリアガスとしてH2を使用した。半導体層の成長速度は約2μm/hとした。また、V族原料/III族原料供給比を約1000として、Sb原料/V族原料供給比を約0.4とした。この作成条件の下で、GaNSb層を成長させる際の基板の温度を5種類に変化させて、実施例1〜3、及び比較例1、2のサンプルを作製した。表1に、これらサンプルのGaNSb層を成長させた際の基板の温度を示す。
実施例4の窒化物半導体発光素子は、図7に示すように、サファイア基板10、活性層30、及びGaNSb層50を備えている。
(1)実施例1〜4は、n型不純物であるSiを添加していないが、必要に応じてn型不純物原料ガスであるSiH4(シラン)を反応炉内に供給して、Sbの添加と共にn型不純物であるSiを添加しながらn型半導体層を成長させても良い。この場合、少量のSiを添加することによって高い電子濃度のn型半導体層を成長させることができる。このため、Siを添加しながらn型半導体層を成長させることによって発生する引っ張り歪みや、基板の表面の荒れ等の結晶性が劣化することを抑えることができ、歩留まり良く低抵抗な素子を成長させることができる。
(2)実施例4は、活性層の表面にn型半導体層を成長させているが、活性層とn型半導体層との間に特定の機能を有する層を設けてもよい(例えば、20nmの厚みのn型AlGaN層等のキャリアを効果的に閉じ込めることができる層。)。この場合、実施例4のn型半導体層と同じ効果を得ることができる。さらに、このn半導体層にSbと共にAlを添加しながら成長させたAlGaNSb層を用いても実施例4のn型半導体層と同じ効果を得ることができる。
(3)実施例4は、p型不純物としてMgを用いているが、p型不純物である、Zn,Be、Ca、Sr、及びBa等であってもよい。
(4)実施例1〜4は、C面を表面としたサファイア結晶に半導体層を形成しているが、これに限らず、半極性面を表面として結晶を形成してもよい。
(5)実施例4は、活性層を1層の量子井戸層と、1層のバリア層とを1ペアとして、5ペア積層して形成しているが、これに限らず、5ペアより少なくてしてもよく、多くしてもよい。
(6)実施例4は、活性層の発光波長を、550nmとしているが、これに限らず、550nmより長くしてもよく、短くしてもよい。
(7)実施例4は、活性層を1つのみ設けているが、これに限らず、中間層を間に設けて活性層を複数設けてもよい。
(8)実施例1〜4は、サファイア基板を用いているが、これに限らず、GaN基板やAlN基板等の他の基板を用いてもよい。
(9)実施例4は、MOCVD装置を用いて層を成長させているが、これに限らず、HVPE等、他の装置を用いて層を成長させてもよい。
30…GaInN5重量子井戸活性層(活性層)
50…GaNSb層(n型半導体層)
Claims (6)
- 下地である基板、及びこの基板の表面側に成長させたn型半導体層を備える窒化物半導体発光素子であって、
前記n型半導体層は、
Sb(アンチモン)がモル分率を0.1%以上に添加され、電子濃度が1×1018cm−3以上であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記n型半導体層に添加されているSb(アンチモン)のモル分率は1%未満であることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板の温度が650℃より大きく850℃以下で前記n型半導体層を成長させたことを特徴とする請求項1または2記載の窒化物半導体発光素子。
- H2(水素)を主体とするキャリアガス雰囲気中で前記n型半導体層を成長させたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板の表面側に成長させた活性層を備えており、
この活性層の表面側に前記n型半導体層を成長させたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載の窒化物半導体発光素子。 - 基板の表面側に活性層を成長させる第1工程と、
前記基板の温度が650℃より大きく850℃以下で前記活性層の表面側にSb(アンチモン)を添加したn型半導体層を成長させる第2工程と、
を備えていることを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
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