JP2015216311A - 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 149
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 110
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 110
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 95
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 82
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 81
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 62
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 17
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N monomethylhydrazine Chemical compound CNN HDZGCSFEDULWCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
- C30B29/406—Gallium nitride
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02488—Insulating materials
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/02502—Layer structure consisting of two layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02587—Structure
- H01L21/0259—Microstructure
- H01L21/02598—Microstructure monocrystalline
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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- H01L29/2003—Nitride compounds
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
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Abstract
【目的】シリコン基板上にガリウムを含む良質な単結晶膜を容易に形成することが可能な半導体基板を提供する。
【構成】実施形態の半導体基板は、シリコン基板と、上記シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン膜と、上記窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウムと、上記窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、を有する。
【選択図】図1
【構成】実施形態の半導体基板は、シリコン基板と、上記シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン膜と、上記窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウムと、上記窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコン基板上にガリウムを含む単結晶膜を形成した半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置に関する。
高品質な半導体膜を成膜する方法として、ウェハ等の基板に気相成長により単結晶膜を成長させるエピタキシャル成長技術がある。エピタキシャル成長では、ウェハを加熱しながら、成膜の原料となるソースガス等のプロセスガスをウェハ表面に供給する。ウェハ表面ではソースガスの熱反応等が生じ、ウェハ表面にエピタキシャル単結晶膜が成膜される。
近年、発光デバイスやパワーデバイスの材料として、窒化ガリウム(GaN)系の半導体デバイスが注目されている。GaN系の半導体膜を成膜するエピタキシャル成長技術として、有機金属気相成長法(MOCVD法)がある。
シリコン(Si)基板上にGaN系の半導体膜を形成する場合、良質な単結晶膜の成長が困難であることが知られている。これは、シリコンとガリウムの反応に起因すると考えられている。
特許文献1には、この問題を解決するために、窒化アルミニウム(AlN)のバッファ層をシリコン基板上に形成する方法が記載されている。また、特許文献2には、シリコン基板上に2原子層以下の窒化シリコン膜を形成した後、窒化アルミニウムガリウム膜を形成する方法が記載されている。窒化シリコン膜が厚い場合、窒化シリコン膜上には、窒化アルミニウムが成膜しにくい、単結晶成長しないという問題点がある。
本発明が解決しようとする課題は、シリコン基板上にガリウムを含む良質な単結晶膜を容易に形成することが可能な半導体基板、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することである。
本発明の一態様の半導体基板は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウムと、前記窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、
を有することを特徴とする。
を有することを特徴とする。
上記態様の半導体基板において、前記窒化アルミニウムが前記窒化シリコン膜上に島状に形成されていることが望ましい。
上記態様の半導体基板において、前記ガリウム(Ga)を含む単結晶膜が、窒化ガリウム(GaN)または窒化アルミニウムガリウム(AlXGa(1−X)N)であることが望ましい。
本発明の一態様の半導体基板は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウムと、前記窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、
を有することを特徴とする。
を有することを特徴とする。
本発明の一態様の半導体基板の製造方法は、シリコン基板上に単結晶の窒化アルミニウムを形成し、前記シリコン基板を窒化して、前記窒化アルミニウムと前記シリコン基板との間に膜厚1nm以上の窒化シリコン膜を形成し、前記窒化アルミニウム上にガリウム(Ga)を含む単結晶膜を形成することを特徴とする。
上記態様の半導体基板の製造方法において、前記窒化アルミニウムを前記シリコン基板上に島状に形成することが望ましい。
上記態様の半導体基板の製造方法において、前記窒化アルミニウムを前記シリコン基板上に形成する前に、前記シリコン基板上にアルミシードもしくは2原子層以下のシリコン窒化膜を形成することが望ましい。
本発明によれば、シリコン基板上にガリウムを含む良質な単結晶膜を容易に形成することが可能な半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置を提供することが可能となる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
(第1の実施形態)
本実施形態の半導体基板は、シリコン(Si)基板と、シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン(Si3N4)膜と、窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウム(AlN)と、窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、を備える。なお、窒化シリコン膜のシリコンと窒素の量比は、必ずしも3:4に一致する必要はない。
本実施形態の半導体基板は、シリコン(Si)基板と、シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン(Si3N4)膜と、窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウム(AlN)と、窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、を備える。なお、窒化シリコン膜のシリコンと窒素の量比は、必ずしも3:4に一致する必要はない。
図1は、本実施形態の半導体基板の模式断面図である。
本実施形態の半導体基板は、シリコン(Si)基板10と、シリコン基板10上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン(Si3N4)膜12と、窒化シリコン膜12上に形成された単結晶の窒化アルミニウム(AlN)14と、窒化アルミニウム14上に形成された単結晶の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa(1−X)N)膜16と、窒化アルミニウムガリウム膜16上に形成された窒化ガリウム(GaN)膜18を備える。
シリコン(Si)基板10は、例えば、表面が(111)面のシリコン基板である。シリコン基板10の表面は(111)面から10度以下の角度でオフセットしていてもかまわない。
シリコン基板10上に窒化シリコン(Si3N4)膜12が形成される。窒化シリコン膜12は膜厚が1nm以上である。なお、窒化シリコン膜のシリコンと窒素の量比は、必ずしも3:4に一致する必要はない。
窒化シリコン膜12は、シリコン基板10上にガリウム(Ga)を含む単結晶膜をエピタキシャル成長させる際に、シリコンとガリウムとの反応が生じ、ガリウム(Ga)を含む単結晶膜の膜質が劣化することや、シリコン基板がメルトバックすることを抑制する。シリコンとガリウムとの反応を抑制する観点から膜厚が1nm以上であることが望ましい。
また、窒化シリコン膜12の膜厚が厚すぎると、窒化シリコン膜12の形成が困難になる。また、窒化シリコン膜12に起因する応力により、半導体基板の反りが大きくなるおそれがある。これらの観点から窒化シリコン膜12の膜厚は、10nm以下であることが望ましい。
窒化シリコン膜12上には、単結晶の窒化アルミニウム14が形成されている。本実施形態では、窒化アルミニウム14は、窒化シリコン膜12上に、連続した膜ではなく、島状に形成されている。窒化アルミニウム14の形成は、窒化シリコン膜12の前に行われていてもよい。
窒化アルミニウム14上および窒化シリコン膜12上には、単結晶の窒化アルミニウムガリウム膜16が形成される。窒化アルミニウムガリウム膜16は、ガリウムを含む単結晶膜の一例である。本実施形態では、窒化アルミニウムガリウムが連続した膜となる場合を例に説明するが、例えば、窒化アルミニウムガリウムが島状に形成されていてもかまわない。
窒化アルミニウムガリウム膜16上には、単結晶の窒化ガリウム膜18が形成される。なお、窒化ガリウム膜18上に、さらに、単結晶の窒化アルミニウムガリウム(AlXGa(1−X)N)膜等、その他の単結晶膜が形成されていてもかまわない。
なお、窒化アルミニウム14および窒化アルミニウムガリウム膜16は、窒化ガリウム膜18とシリコン基板10との間の格子不整合を緩和するバッファ層として機能する。本実施形態では、島状の窒化アルミニウム14と一層の窒化アルミニウムガリウム膜16の場合を例に説明したが、バッファ層の構成はこの構成に限定されるものではない。例えば、窒化ガリウム膜、窒化アルミニウムガリウム膜と窒化アルミニウム膜が複数回交互に形成された積層構造であってもかまわない。
本実施形態の半導体基板の構造を採用することにより、窒化シリコン膜12が、シリコンとガリウムの反応を抑制するため、シリコン基板10上にガリウムを含む良質な単結晶膜を容易に形成できる。また、窒化シリコン膜12が、シリコンとガリウムの反応を抑制するため、例えば、ガリウムを含む単結晶膜を形成する前に、シリコンとガリウムの反応を抑制するための厚い窒化アルミニウム膜の形成が不要となる。したがって、半導体基板の反りの制御マージンを大きくすることが可能となる。また、1nm以上の窒化シリコン膜12が絶縁性を向上させるため、本実施形態の半導体基板を用いて製造される半導体素子の耐圧を向上させることが可能となる。
次に、本実施形態の半導体基板の製造方法について説明する。本実施形態の半導体基板は、MOCVD法(有機金属気相成長法)を用いて形成する。例えば、縦型の枚葉型のエピタキシャル装置を用いて形成する。
本実施形態の半導体基板の製造方法は、シリコン基板上に単結晶の窒化アルミニウムを形成し、シリコン基板を窒化して、窒化アルミニウムとシリコン基板との間に膜厚1nm以上の窒化シリコン膜を形成し、窒化アルミニウム上にガリウム(Ga)を含む単結晶膜を形成する。
最初に、本実施形態の第1の製造方法について説明する。図2は、本実施形態の第1の製造方法のプロセスフロー図である。また、図3は、本実施形態の第1の製造方法を示す模式断面図である。
本実施形態の第1の製造方法は、シリコン(Si)基板準備ステップ(S100)、窒化アルミニウム(AlN)種結晶形成ステップ(S110)、窒化シリコン(Si3N4)膜形成ステップ(S120)、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)膜形成ステップ(S130)、窒化ガリウム(GaN)膜形成ステップ(S140)を備えている。
まず、例えば、水素(H2)中で、1100℃でベークし、自然酸化膜を除去した(111)面のシリコン基板10を準備する(S100)。そして、シリコン基板10上に、島状に窒化アルミニウム(AlN)種結晶14を形成する(S110、図3(a))。
窒化アルミニウム種結晶14は、シリコン基板10上にエピタキシャル成長させる。シリコン基板10を加熱し、例えば、水素(H2)で希釈されたトリメチルアルミニウム(TMA)と、水素(H2)で希釈されたアンモニア(NH3)をソースガスとして供給することにより成長させる。TMAはアルミニウム(Al)のソースであり、アンモニアは窒素(N)のソースである。
次に、窒化アルミニウム(AlN)種結晶14とシリコン基板10との間に、窒化シリコン(Si3N4)膜12を形成する(S120、図3(b))。窒化シリコン膜12は、シリコン基板10を加熱し、例えば、(H2)で希釈されたアンモニア(NH3)を供給することにより、シリコン基板10を窒化して形成する。
次に、窒化アルミニウム種結晶14上に、窒化アルミニウム種結晶14を成長核として窒化アルミニウムガリウム(AlXGa(1−X)N)膜16をエピタキシャル成長させる(S130、図3(c))。窒化アルミニウムガリウム膜16は、ガリウムを含む単結晶膜の一例である。
窒化アルミニウムガリウム膜16は、シリコン基板10を加熱し、例えば、水素(H2)で希釈されたトリメチルアルミニウム(TMA)とトリメチルガリウム(TMG)、水素(H2)で希釈されたアンモニア(NH3)をソースガスとして供給することにより成長させる。TMAはアルミニウム(Al)のソースであり、TMGはガリウム(Ga)のソースであり、アンモニアは窒素(N)のソースである。
次に、窒化アルミニウムガリウム膜16上に窒化ガリウム(GaN)膜18をエピタキシャル成長させることにより、図1に示した半導体基板が製造される。窒化ガリウム膜18は、シリコン基板10を加熱し、例えば、水素(H2)で希釈されたトリメチルガリウム(TMG)、水素(H2)で希釈されたアンモニア(NH3)をソースガスとして供給することにより成長させる。TMGはガリウム(Ga)のソースであり、アンモニアは窒素(N)のソースである。
本実施形態の半導体基板の製造方法によれば、窒化シリコン膜12が、シリコンとガリウムの反応を抑制するため、シリコン基板上にガリウムを含む良質な単結晶膜を容易に形成できる。また、窒化シリコン膜12が、シリコンとガリウムの反応を抑制するため、例えば、ガリウムを含む単結晶膜を形成する前に、シリコンとガリウムの反応を抑制するための厚い窒化アルミニウム膜の形成が不要となる。
また、島状の窒化アルミニウム種結晶14上に窒化アルミニウムガリウム膜16をエピタキシャル成長させる。したがって、窒化アルミニウムガリウム膜16の核成長の起点が限られるため、成長過程で窒化アルミニウムガリウム同士が接する境界の密度が減少する。よって、これらの境界に起因する欠陥密度が低減する。したがって、良質の単結晶膜が形成される。また、転位の方向がななめとなり、窒化ガリウム膜18の成長とともに転位が減少する。
なお、アルミニウム(Al)のソースとしてトリエチルアルミニウム(TEA)等、ガリウム(Ga)のソースとしてトリエチルガリウム(TEG)等、窒素(N)のソースとしてモノメチルヒドラジン、ジメチルヒドラジン等を適用することも可能である。
また、窒化アルミニウム種結晶14の成長前に、例えば、アルミシードもしくは2原子層以下の薄い窒化シリコン膜を形成してもかまわない。ただし、この窒化シリコン膜の膜厚は、窒化アルミニウム種結晶14が単結晶として成長することを妨げない膜厚とする。アルミシードを成長させる場合は、トリメチルアルミニウムを供給する。アルミシードは、その後の窒化アルミを成長させる際に、アンモニアと反応して島状の窒化アルミとなる。2原子層以下の薄い窒化シリコン膜を成長させる場合は、アンモニアを供給する。
上述のように窒化シリコン膜12は、1nm以上10nm以下であることが望ましい。
また、窒化ガリウム18膜上に、さらに、単結晶の窒化アルミニウムガリウム膜等、その他の単結晶膜が形成されていてもかまわない。
また、窒化アルミニウム種結晶14上には、ガリウムを含む単結晶膜として、窒化ガリウムをエピタキシャル成長させてもかまわない。
次に、本実施形態の第2の製造方法について説明する。図4は、本実施形態の第2の製造方法のプロセスフロー図である。また、図5は、本実施形態の第2の製造方法を示す模式断面図である。
本実施形態の第2の製造方法は、シリコン(Si)基板準備ステップ(S100)、窒化アルミニウム(AlN)種結晶および窒化シリコン(Si3N4)膜形成ステップ(S115)、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)膜形成ステップ(S130)、窒化ガリウム(GaN)膜形成ステップ(S140)を備えている。窒化アルミニウム種結晶および窒化シリコン膜を同時に形成する以外は、上記第1の製造方法と同様である。したがって、第1の製造方法と重複する内容については一部記述を省略する。
まず、例えば、(111)面のシリコン基板10を準備する(S100)。そして、シリコン基板10上に、島状に窒化アルミニウム(AlN)種結晶14を形成すると同時に、窒化アルミニウム種結晶14とシリコン基板10との間に、窒化シリコン(Si3N4)膜12を形成する(S115、図5(a))。
窒化アルミニウム種結晶14は、シリコン基板10上にエピタキシャル成長させる。シリコン基板10を加熱し、例えば、水素(H2)で希釈されたトリメチルアルミニウム(TMA)と、水素(H2)で希釈されたアンモニア(NH3)をソースガスとして供給することにより成長させる。TMAはアルミニウム(Al)のソースであり、アンモニアは窒素(N)のソースである。
この時、ソースガスのアンモニアによって、シリコン基板10が窒化されることにより、窒化アルミニウム種結晶14とシリコン基板10との間に、窒化シリコン膜12が形成される。窒化アルミニウム種結晶14と窒化シリコン膜12を同時に形成するために、TMAとアンモニアの流量を調整する。すなわち、TMAとアンモニアの流量を窒化アルミニウムの成長とシリコンの窒化が同時に競合して生ずるよう調整する。アンモニアとTMAとの流量比(V/III比)は、通常の窒化アルミニウム単結晶形成条件に比較して大きくし、シリコンの窒化速度を早くする。
TMAとアンモニアの流量が適切に制御された条件で、ソースガスを供給することにより、窒化アルミニウム種結晶14が成長すると同時に、窒化シリコン膜12も厚くなり膜厚が1nm以上となる(図5(b))。
その後、窒化アルミニウム種結晶14上に、窒化アルミニウムガリウム膜16をエピタキシャル成長させる(S130、図5(c))。
第2の製造方法によれば、第1の製造方法よりも、より簡便なプロセスで図1に示した半導体基板を製造することが可能となる。
(第2の実施形態)
本実施形態の半導体基板は、窒化アルミニウムがシリコン基板上に、島状ではなく膜上に設けられること以外は第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
本実施形態の半導体基板は、窒化アルミニウムがシリコン基板上に、島状ではなく膜上に設けられること以外は第1の実施形態と同様である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
図6は、本実施形態の半導体基板の模式断面図である。
本実施形態の半導体基板は、シリコン(Si)基板10と、シリコン基板10上に設けられた膜厚1nm以上の窒化シリコン(SiN)12膜と、窒化シリコン膜12上に設けられた単結晶の窒化アルミニウム(AlN)膜24と、窒化アルミニウム膜24上に設けられた単結晶の窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)膜16と、窒化アルミニウムガリウム膜16上に設けられた窒化ガリウム(GaN)18膜を備える。
シリコン(Si)基板10は、例えば、表面が(111)面のシリコン基板である。そして、シリコン基板10上に窒化シリコン(Si3N4)膜12が設けられる。窒化シリコン膜12は膜厚が1nm以上である。
窒化シリコン膜12上には、単結晶の窒化アルミニウム(AlN)膜24が設けられる。本実施形態では、窒化アルミニウム膜24は、窒化シリコン膜12上に、連続した膜として設けられる。
窒化アルミニウム膜24上には、単結晶の窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)膜16が形成される。窒化アルミニウムガリウム膜16は、ガリウム(Ga)を含む単結晶膜の一例である。
窒化アルミニウムガリウム膜16上には、単結晶の窒化ガリウム(GaN)18膜が形成される。なお、窒化ガリウム18膜上に、さらに、単結晶の窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)膜等、その他の単結晶膜が形成されていてもかまわない。
なお、窒化アルミニウム膜24および窒化アルミニウムガリウム膜16は、窒化ガリウム膜18とシリコン基板10との間の格子不整合を緩和するバッファ層として機能する。本実施形態では、一層の窒化アルミニウム膜24と一層の窒化アルミニウムガリウム膜16の場合を例に説明したが、バッファ層の構成はこの構成に限定されるものではない。例えば、窒化アルミニウムガリウム膜と窒化アルミニウム膜が複数回交互に形成された積層構造であってもかまわない。
本実施形態の半導体基板の構造と採用することにより、第1の実施形態と同様の効果が得られる。また、窒化アルミニウムを島状ではなく、膜状に形成するため、製造プロセスの制御が容易になる。
次に、本実施形態の半導体基板の製造方法について説明する。本実施形態の半導体基板は、MOCVD法(有機金属気相成長法)を用いて形成する。
本実施形態の半導体基板の製造方法は、シリコン基板上に単結晶の窒化アルミニウム膜を形成し、シリコン基板を窒化して、窒化アルミニウム膜とシリコン基板との間に膜厚1nm以上の窒化シリコン膜を形成し、窒化アルミニウム上にガリウム(Ga)を含む単結晶膜を形成する。シリコン基板上に窒化アルミニウムを島状ではなく膜状に形成すること以外は、第1の実施形態の第1の製造方法と同様である。したがって、第1の実施形態の第1の製造方法と重複する内容については一部記述を省略する。
図7は、本実施形態の製造方法のプロセスフロー図である。また、図8は、本実施形態の製造方法を示す模式断面図である。
本実施形態の製造方法は、シリコン(Si)基板準備ステップ(200)、窒化アルミニウム(AlN)膜形成ステップ(S210)、窒化シリコン(Si3N4)膜形成ステップ(S220)、窒化アルミニウムガリウム(AlXGa(1−X)N)膜形成ステップ(S230)、窒化ガリウム(GaN)膜形成ステップ(S240)を備えている。
まず、例えば、水素(H2)中で、1100℃でベークし、自然酸化膜を除去した(111)面のシリコン基板10を準備する(S200)。そして、シリコン基板10上に、窒化アルミニウム(AlN)膜24を形成する(S210、図8(a))。
窒化アルミニウム膜24は、シリコン基板10上にエピタキシャル成長させる。窒化アルミニウム膜24の膜厚は、後の窒化シリコン膜12形成の際に、窒素がシリコン基板側に通過可能な厚さに設定する。
次に、窒化アルミニウム膜24とシリコン基板10との間に、窒化シリコン膜12を形成する(S220、図8(b))。窒化シリコン膜24は、シリコン基板10を加熱し、例えば、(H2)で希釈されたアンモニア(NH3)を供給することにより、シリコン基板10を窒化して形成する。窒素が窒化アルミニウム膜24中を拡散し、シリコン基板10が窒化される。
次に、窒化アルミニウム膜24上に、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)膜16をエピタキシャル成長させる(S230、図8(c))。窒化アルミニウムガリウム膜16は、ガリウム(Ga)を含む単結晶膜の一例である。
次に、窒化アルミニウムガリウム膜16上に窒化ガリウム(GaN)膜18をエピタキシャル成長させることにより、図6に示した半導体基板が製造される(S240)。
本実施形態の半導体基板の製造方法によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られる。また、窒化アルミニウム島状ではなく、膜状に形成するため、製造プロセスの制御が容易になる。
なお、本実施形態においても、第1の実施形態の第2の製造方法と同様に、窒化アルミニウム膜24および窒化シリコン膜12を同時に形成することも可能である。
(第3の実施形態)
本実施形態の半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン膜と、窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウムと、窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、を備える。本実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体基板を備える半導体装置である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
本実施形態の半導体装置は、シリコン基板と、シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン膜と、窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウムと、窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、を備える。本実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体基板を備える半導体装置である。したがって、第1の実施形態と重複する内容については一部記述を省略する。
図9は、本実施形態の半導体装置の模式断面図である。本実施形態の半導体装置は、青色の光を発するLED(LightEmitting Diode)である。
本実施形態の半導体装置は、シリコン(Si)基板10と、シリコン基板10上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン(Si3N4)膜12と、窒化シリコン膜12上に形成された単結晶の窒化アルミニウム(AlN)14と、窒化アルミニウム14上に形成された単結晶の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa(1−X)N)膜16と、窒化アルミニウムガリウム膜16上に形成されたn型の窒化ガリウム(GaN)膜38を備える。さらに、n型の窒化ガリウム(GaN)膜38上に、n型の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa(1−X)N)膜40、活性層42、p型の窒化アルミニウムガリウム(AlxGa(1−X)N)膜44、p型の窒化ガリウム(GaN)膜46を備える。
また、n型の窒化ガリウム(GaN)膜38上には、n側電極50が設けられる。p型の窒化ガリウム(GaN)膜46上には、p側透明電極48が設けられる。
活性層42は、例えば、多重量子井戸構造を備える。活性層42は、例えば、窒化インジウムガリウム(InYGa(1−Y)N)膜と窒化ガリウム(GaN)膜とが交互に積層された構造を備える。
本実施形態の半導体装置は、p側透明電極48とn側電極50間に通電することにより、青色の光を発光する。半導体装置は、シリコン基板10から剥離して、反射率の高い金属にマウントしてもよい。
本実施形態によれば、シリコン基板10上にガリウムを含む良質な単結晶膜を容易に形成できる。したがって、発光特性に優れたLEDが容易に実現される。
以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例)
第1の実施形態の第2の製造方法と同様のプロセスで半導体基板を製造した。(111)面のシリコン基板に、縦型の枚葉型のエピタキシャル装置の反応室で、窒化アルミニウム種結晶および窒化シリコン膜を同時に形成した。窒化シリコン膜は3〜4nmの膜厚とした。
第1の実施形態の第2の製造方法と同様のプロセスで半導体基板を製造した。(111)面のシリコン基板に、縦型の枚葉型のエピタキシャル装置の反応室で、窒化アルミニウム種結晶および窒化シリコン膜を同時に形成した。窒化シリコン膜は3〜4nmの膜厚とした。
この際、シリコン基板は水素中で1100℃に加熱し、自然酸化膜を除去した後、1000℃に加熱し、反応室の圧力は、26.6kPaとした。ソースガスとして、トリメチルアルミニウム(TMA)を3sccm、アンモニア(NH3)を15slm、水素(H2)を60slm供給した。
次に、窒化アルミニウム種結晶および窒化シリコン膜上に、窒化アルミニウムガリウム膜を形成した。ソースガスとしてTMAとTMGを水素で希釈したガスと、アンモニアを水素で希釈したガスを用いた。
その後、窒化アルミニウムガリウム膜上に窒化ガリウム膜を形成した。ソースガスとしてTMGを水素で希釈したガスと、アンモニアを水素で希釈したガスを用いた。
(比較例)
窒化アルミニウム種結晶の形成前に、シリコン基板を、アンモニアを水素で希釈したガスで窒化し、窒化シリコン膜を形成すること以外は、実施例と同様の方法で膜形成を行った。この際、窒化シリコン膜は3〜4nmの膜厚とした。
窒化アルミニウム種結晶の形成前に、シリコン基板を、アンモニアを水素で希釈したガスで窒化し、窒化シリコン膜を形成すること以外は、実施例と同様の方法で膜形成を行った。この際、窒化シリコン膜は3〜4nmの膜厚とした。
実施例および比較例について、成膜後の半導体基板の断面を透過型電子顕微鏡(TEM)により観察した。図9は、実施例および比較例の断面TEM写真である。図9(a)が実施例、図9(b)が比較例である。
実施例の場合、窒化シリコン(Si3N4)膜上の、AlN、AlGaN膜、GaN膜は、結晶格子像が観察されることから単結晶であることがわかる。また、シリコンとガリウムの反応により、単結晶膜の品質が劣化したり、シリコン基板がGaと反応してメルトバックしたりする現象は確認されなかった。
一方、比較例では、結晶格子像が観察されないことから、AlN、AlGaN膜、GaN膜は、単結晶ではなく非晶質もしくは多結晶であることがわかる。比較例の場合、窒化シリコン膜が厚く、窒化シリコン膜上に窒化アルミニウム(AlN)がエピタキシャル成長しなかったためであると考えられる。
実施例により、単結晶の窒化アルミニウムとシリコン基板との間に、1nm以上の窒化シリコン膜を形成することで、シリコンとガリウムの反応が抑制され、ガリウムを含む良質の単結晶膜を形成できることが明らかになった。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。上記、実施形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、各実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもかまわない。
実施形態では、半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる半導体基板、本導体装置の構成やその製造方法等を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲およびその均等物の範囲によって定義されるものである。
10 シリコン基板
12 窒化シリコン膜
14 窒化アルミニウム種結晶
16 窒化アルミニウムガリウム膜
18 窒化ガリウム膜
24 窒化アルミニウム膜
12 窒化シリコン膜
14 窒化アルミニウム種結晶
16 窒化アルミニウムガリウム膜
18 窒化ガリウム膜
24 窒化アルミニウム膜
Claims (7)
- シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン膜と、
前記窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウムと、
前記窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、
を有することを特徴とする半導体基板。 - 前記窒化アルミニウムが前記窒化シリコン膜上に島状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体基板。
- 前記ガリウム(Ga)を含む単結晶膜が、窒化ガリウム(GaN)または窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体基板。
- シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成された膜厚1nm以上の窒化シリコン膜と、
前記窒化シリコン膜上に形成された単結晶の窒化アルミニウムと、
前記窒化アルミニウム上に形成されたガリウム(Ga)を含む単結晶膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - シリコン基板上に単結晶の窒化アルミニウムを形成し、
前記シリコン基板を窒化して、前記窒化アルミニウムと前記シリコン基板との間に膜厚1nm以上の窒化シリコン膜を形成し、
前記窒化アルミニウム上にガリウム(Ga)を含む単結晶膜を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記窒化アルミニウムを前記シリコン基板上に島状に形成することを特徴とする請求項5記載の半導体基板の製造方法。
- 前記窒化アルミニウムを前記シリコン基板上に形成する前に、前記シリコン基板上にアルミシードもしくは2原子層以下のシリコン窒化膜を形成することを特徴とする請求項5または請求項6記載の半導体基板の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099628A JP2015216311A (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置 |
TW104112959A TW201543548A (zh) | 2014-05-13 | 2015-04-23 | 半導體基板、半導體基板的製造方法以及半導體裝置 |
KR1020150065358A KR20150133637A (ko) | 2014-05-13 | 2015-05-11 | 반도체 기판, 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 장치 |
US14/709,530 US20150332914A1 (en) | 2014-05-13 | 2015-05-12 | Semiconductor substrate, method of manufacturing semiconductor substrate, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099628A JP2015216311A (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015216311A true JP2015216311A (ja) | 2015-12-03 |
Family
ID=54539103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014099628A Pending JP2015216311A (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150332914A1 (ja) |
JP (1) | JP2015216311A (ja) |
KR (1) | KR20150133637A (ja) |
TW (1) | TW201543548A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6796467B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-12-09 | 住友化学株式会社 | 半導体基板 |
TWI645454B (zh) * | 2017-03-31 | 2018-12-21 | 環球晶圓股份有限公司 | 磊晶基板及其製造方法 |
US10903623B2 (en) | 2019-05-14 | 2021-01-26 | Soraa Laser Diode, Inc. | Method and structure for manufacturable large area gallium and nitrogen containing substrate |
US11228158B2 (en) * | 2019-05-14 | 2022-01-18 | Kyocera Sld Laser, Inc. | Manufacturable laser diodes on a large area gallium and nitrogen containing substrate |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6815241B2 (en) * | 2002-09-25 | 2004-11-09 | Cao Group, Inc. | GaN structures having low dislocation density and methods of manufacture |
JP4945725B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2012-06-06 | ソイテック | 改善されたエピタキシャル材料を製造するための方法 |
US8415682B2 (en) * | 2007-12-28 | 2013-04-09 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting semiconductor device having an improved outward luminosity efficiency and fabrication method for the light emitting semiconductor device |
KR20140133085A (ko) * | 2013-05-09 | 2014-11-19 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
-
2014
- 2014-05-13 JP JP2014099628A patent/JP2015216311A/ja active Pending
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2015
- 2015-04-23 TW TW104112959A patent/TW201543548A/zh unknown
- 2015-05-11 KR KR1020150065358A patent/KR20150133637A/ko active IP Right Grant
- 2015-05-12 US US14/709,530 patent/US20150332914A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
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KR20150133637A (ko) | 2015-11-30 |
US20150332914A1 (en) | 2015-11-19 |
TW201543548A (zh) | 2015-11-16 |
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