JP2016201400A - 撮像素子および撮像装置 - Google Patents
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Abstract
Description
r=B+G+R
g=B+G
b=B
・・・・(1)
R=r−g
G=g−b
B=b
・・・・(2)
r’=IR
g’=R+IR
b’=G+R+IR
・・・・(3)
R=g’−r’
G=b’−g’
IR=r’
・・・・(4)
r=B+G+R
g=B+G
b=B
w=0
・・・・・・(5)
R=r−g
G=g−b
B=b
・・・・(6)
r’=IR
g’=R+IR
b’=G+R+IR
w’=B+G+R+IR
・・・・(7)
R=g’−r’
G=b’−g’
B=w’−b’
IR=r’
・・・・・(8)
32 イメージセンサ(撮像素子)
34 画像処理回路(画像信号処理部)
40 システムコントロール回路
60R 光電変換膜(第1の光電変換膜、表現側光電変換部)
60G 光電変換膜(第2の光電変換膜、表現側光電変換部)
60B 光電変換膜(第3の光電変換膜、表現側光電変換部)
60W 光電変換膜(第4の光電変換膜、表現側光電変換部)
70 シリコン基板(半導体基板)
71 n型ウェル/第1電極層(電荷蓄積部)
72 ベース部分(内部光電変換蓄積部)
74 n型ウェル(内部光電変換部、内部電荷蓄積部、内部光電変換蓄積部)
74R n型ウェル(第3の内側光電変換部)
76 p型ウェル(電荷移動抑制部)
92 ゲートMOS(出力ゲート)
220 第2信号読み出し回路(信号読み出し部)
Claims (12)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に積層された少なくとも1つの光電変換膜と、
前記半導体基板に設けられていて、前記光電変換膜において光電変換により生成された吸収光電荷を蓄積する電荷蓄積部と、
前記半導体基板に設けられていて、前記光電変換膜を透過した光が前記半導体基板に入射することによって生成される透過光電荷の前記電荷蓄積部への移動を抑える電荷移動抑制部と
を備えたことを特徴とする撮像素子。 - 前記電荷移動抑制部が、前記電荷蓄積部と、前記半導体基板内の透過光電荷の生成部分との間に設けられていて、
前記電荷移動抑制部が、前記透過光電荷生成部分との電位差によって電荷移動を抑制することを特徴とする請求項1に記載の撮像素子。 - 前記半導体基板が、前記光電変換膜の配置された画素領域において、前記電荷蓄積部が電荷を蓄積できる基板表面側からの深さをもつように、不純物濃度プロファイルを形成していることを特徴とする請求項1乃至2のいずれかに記載の撮像素子。
- 互いに分光感度特性の異なる複数の光電変換膜を備え、
前記複数の光電変換膜の配列位置に応じた前記半導体基板の画素領域が、略同じ不純物濃度プロファイルを形成していることを特徴とする請求項3に記載の撮像素子。 - 互いに分光感度特性の異なる複数の光電変換膜を備え、
前記複数の光電変換膜の配列位置に応じた前記半導体基板の画素領域が、互いに異なる不純物濃度プロファイルを形成していることを特徴とする請求項3に記載の撮像素子。 - Bの光を光電変換し、G,Rの光を透過させる第1光電変換膜と、GとBの光を光電変換し、Rの光を透過させる第2光電変換膜と、R,G,Bの光を光電変換する第3の光電変換膜とを備え、
前記電荷移動抑制部の基板膜側表面からの深さが、前記第1、第2、第3の光電変換膜の画素領域において略同じであることを特徴とする請求項1乃至2のいずれかに記載の撮像素子。 - Bの光を光電変換し、G,Rの光を透過させる第1光電変換膜と、GとBの光を光電変換し、Rの光を透過させる第2光電変換膜と、R,G,Bの光を光電変換する第3の光電変換膜とを備え、
前記電荷移動抑制部の基板膜側表面からの深さが、前記第1、第2、第3の光電変換膜の画素領域において、それぞれ異なることを特徴とする請求項1乃至2のいずれかに記載の撮像素子。 - 前記第2の光電変換膜に対する前記電荷移動抑制部の基板膜側表面からの深さが、前記第1の光電変換膜に対する前記電荷移動抑制部よりも深いことを特徴とする請求項7に記載の撮像素子。
- 前記第3の光電変換膜に対する前記電荷移動抑制部の基板膜側表面からの深さが、前記第2の光電変換膜に対する前記電荷移動抑制部よりも深いことを特徴とする請求項7乃至8のいずれかに記載の撮像素子。
- 前記半導体基板内に生成された透過光電荷を出力する出力ゲートをさらに備えることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の撮像素子。
- 前記電荷移動抑制部が、n型もしくはp型ウェルとして形成されていることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の撮像素子。
- 請求項1乃至11のいずれかに記載の撮像素子を備えた撮像装置。
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JP2015078692A JP2016201400A (ja) | 2015-04-07 | 2015-04-07 | 撮像素子および撮像装置 |
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JP2015078692A JP2016201400A (ja) | 2015-04-07 | 2015-04-07 | 撮像素子および撮像装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2016201400A true JP2016201400A (ja) | 2016-12-01 |
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JP2015078692A Pending JP2016201400A (ja) | 2015-04-07 | 2015-04-07 | 撮像素子および撮像装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11018181B2 (en) | 2019-03-15 | 2021-05-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
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2015
- 2015-04-07 JP JP2015078692A patent/JP2016201400A/ja active Pending
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