JP2016184619A

JP2016184619A - 多層配線構造体

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Publication number: JP2016184619A
Application number: JP2015063316A
Authority: JP
Inventors: 貴正高野; Takamasa Takano; 工藤　寛; Hiroshi Kudo; 寛工藤
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2015-03-25
Filing date: 2015-03-25
Publication date: 2016-10-20

Abstract

【課題】樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る多層配線構造体は、複数の配線が積層された多層配線構造と、前記多層配線構造の上方に配置された構造体と内部に前記構造体の少なくとも一部が配置される開口部を有し、樹脂を含み、前記複数の配線層のいずれか一の配線層に電気的に接続されたバンプと、を備えてもよい。【選択図】図３ａ

Description

本発明は、多層配線構造体に関する。本発明は、特に、多層配線構造の上方に配置された構造体と内部に構造体の少なくとも一部が配置される開口部を有し、樹脂を含み、前記複数の配線層のいずれか一の配線層に電気的に接続されたバンプを備える多層配線構造体に関する。

近年、半導体素子の高性能化に伴う多ピン化により、半導体素子を実装するための配線基板として、配線層を多層化した多層配線基板の重要性が高まっている。また、半導体素子をテストするための半導体テスト基板においても、配線層の多層化は必要不可欠なものとなっている。この半導体テスト基板の最上層は、検査対象の半導体素子の電極パッドと接続するバンプが配置されている。このバンプの材料には、主に金、銀、銅、ニッケル、はんだ（半田）などの金属が用いられる。

ところで、半導体テスト基板を用いて検査する半導体素子は多数に上る。そのため、検査対象の半導体素子を接続したり、外したりする作業を繰り返す必要がある。そのため、半導体素子の電極パッドと接続するバンプには、弾力性を有することが求められる。ところが、金属材料からなるバンプでは弾力性がない。そこで、バンプを形成する材料として、金属よりも弾力性のある樹脂を含む材料などが用いられることが考えられる。

ここで、多層配線構造の最上層に配置された金属材料からなるバンプの配置として、配線パッドの上部にのみ配置する技術が開示されている（特許文献１）。

特開２００６−１７３３３３号公報

特許文献１で開示された技術を、樹脂を含む材料からなるバンプに適用した場合、樹脂が金属と比べて、下地の金属との密着性が低いことや剛性が低いことから、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりしてしまうという問題が生じる。

本発明は、上記のような従来技術に伴う課題を解決しようとするものであって、その目的とするところは、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制するところにある。

本発明の一実施形態によると、複数の配線が積層された多層配線構造と、前記多層配線構造の上方に配置された構造体と内部に前記構造体の少なくとも一部が配置される開口部を有し、樹脂を含み、前記複数の配線層のいずれか一の配線層に電気的に接続されたバンプと、を備える多層配線構造体が提供される。

本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。

前記構造体は、第１の導電層を含み、前記バンプの底面が多層配線構造の上面の絶縁層に接してもよい。

本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、構造体が第１の導電層を有するので、製造工程が少なく、多層配線構造体を製造することができる。

前記構造体は、前記第１の導電層の上方に位置する第２の導電層をさらに含んでもよい。

本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１の導電層に加え第２の導電層があることにより、アンカー効果を大きくすることができる。

前記構造体は、前記第１の導電層の上面に接し、前記第２の導電層の下面に接するバリア層をさらに含んでもよい。

本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バリア層は、第２の導電層が第１の導電層に拡散することを抑制する。

前記構造体の抵抗率は、前記バンプの抵抗率よりも低くてもよい。

本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バンプの一部が構造体に置き換えられたことにより、構造体とバンプとを合わせた抵抗値を低くすることができる。

前記第２の導電層は、金を含む材料からなってもよい。

本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バンプの一部が構造体に置き換えられたことにより、構造体とバンプとを合わせた抵抗値を低くすることができる。また、第２の導電層を、金を含む材料とすることにより、第１の導電層の表面の酸化を防止し、バンプとの濡れ性を向上し、バンプとの密着性を向上することができる。

前記構造体は、第１の導電層および前記第１の導電層の上方で、前記バンプの内部に位置する第２の導電層を含み、前記バンプの底面が前記第１の導電層の上面に接してもよい。

本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。バンプの一部が構造体に置き換えられたことにより、構造体とバンプとを合わせた抵抗値を低くすることができる。

前記第２の導電層は、金を含む材料からなってもよい。

本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。バンプの一部が構造体に置き換えられたことにより、構造体とバンプとを合わせた抵抗値を低くすることができる。また、第２の導電層を、金を含む材料とすることにより、第１の導電層の表面の酸化を防止し、バンプとの濡れ性を向上し、バンプとの密着性を向上することができる。

前記構造体は、第１の導電層、前記第１の導電層の上方に位置する第２の導電層および前記第２の導電層の上面に接し、前記バンプの内部に位置する第３の導電層を含み、前記バンプの底面が前記第２の導電層の上面に接してもよい。

本実施形態によると、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第１の導電層及び第２の導電層がバンプと接することにより、バンプとの接触抵抗が下がり、バンプとの導通をとりやすくすることができる。

前記第２の導電層および前記第３の導電層は、金を含む材料からなってもよい。

前記構造体は、第１の導電層および前記第１の導電層を覆うように配置され、前記第１の導電層に達する開口部を有する第２の絶縁層を含み、前記バンプの底面が前記第２の絶縁層に接してもよい。

本実施形態によると、導電樹脂を含む材料又は各種導電性ペーストの何れかからなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、第２の絶縁層があることにより、アンカー効果をより大きくすることができる。

前記構造体は、第１の導電層、前記第１の導電層の上方に位置する第２の導電層並びに前記第１の導電層および前記第２の導電層を覆うように配置され、前記第２の導電層に達する開口部を有する第２の絶縁層を含み、前記バンプの底面が前記第２の絶縁層に接してもよい。

前記第２の導電層は、金を含む材料からなってもよい。

前記多層配線構造の上方に配置され、前記バンプを側面から支持する第３の絶縁層をさらに含んでもよい。

本実施形態によると、バンプの耐久性を向上することができる。

前記第３の絶縁層の上面は、前記バンプの上面よりも高くてもよい。

本実施形態によると、バンプの耐久性をより向上することができる。

本発明に係る開口部を有するバンプに突出部を配置する多層配線構造体によれば、樹脂を含む材料からなるバンプが横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。

一実施形態に係る多層配線構造体の模式図（平面図）である。図１のＡ−Ａ線での断面図である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。従来の金属材料からなるバンプを導電樹脂を含む材料からなるバンプに置き換えた場合のバンプ１８８付近を拡大した模式図（断面図）である。

以下、図面を参照して本発明に係る多層配線構造体およびその製造方法について説明する。但し、本発明の多層配線構造体およびその製造方法は、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面の寸法比率（各構成間の比率、縦横高さ方向の比率等）は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。

＜第１実施形態＞
以下、図１乃至図５を参照して、説明する。図１は、一実施形態に係る多層配線構造体の模式図（平面図）であり、図２は、図１のＡ−Ａ線での断面図である。図２では、多層配線構造体の一例として、７層の配線構造体の断面図を用いて説明する。

基板１００上に第１乃至第７配線層（１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０）と、第１乃至第７配線層の各配線層を隔離する第１乃至第６絶縁層（１１９、１２９、１３９、１４９、１５９、１６９）と、第１乃至第７配線層（１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０）のうち隣接する配線層を接続する第１乃至第６ビア（１９１、１９２、１９３、１９４、１９５、１９６）と、を有する多層配線構造が形成されている。基板１００と多層配線構造の最下層の配線層である第１配線層１１０との間には、基板１００と第１配線層１１０とを隔離する絶縁性の下地層１０１が形成され、第１配線層１１０と基板１００とが電気的に絶縁されている。図２の多層配線構造体の構成の詳細については、後述する。

図３ａは、図２の多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。図３ａでは、図２に示す第６配線層１６０の一部である第１１導電層１６１および第５ビア１９５の部分を省略しており、第５有機絶縁層１５５以上の構造を示す。以降の図においても、同様である。バンプ１７８は、第７配線層１７０の一部である第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体を覆うように形成されている。言い換えると、バンプ１７８は下面に開口部（有底孔）を有しており、開口部には第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体が配置されている。また、バンプ１７８の底面は、第６有機絶縁層１６５と接している。

バンプ１７８を形成する材料としては、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレンなどの導電樹脂や、エポキシ系導電性接着剤、ウレタン系導電性接着剤、シリコーン系導電性接着剤、ポリイミド系導電性接着剤、ゴム系導電性接着剤、高分子中にそれぞれ金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｃｕ（銅）、ＡｇコートＣｕなどをフィラーとして含有した各種導電性ペーストが挙げられるが、これらに限定されない。本実施形態では、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体の抵抗率の方が、バンプ１７８の抵抗率よりも低い。バンプ１７８の高さは、１０μｍ以上５０μｍ以下であるとよい。また、バンプ１７８の高さは、好ましくは、２０μｍ以上４０μｍ以下であるとよい。また、バンプ１７８の上面（図示せず）は円形をしており、その径は、好ましくは３５μｍ以上４５μｍ以下である。本実施形態では、バンプ１７８の上面は、円形として説明しているが、円に限定されず、三角形、四角形などの多角形であってもよい。

本実施形態によれば、第１３導電層１７１および第１４導電層１７２がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、下記比較例と比べると、本実施形態では、バンプ１７８の一部が、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体に置き換えられたことにより、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。

図３ｂの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持している。図３ｂでは、第７有機絶縁層１７９の上面は、バンプ１７８の上面より低くなっているが、バンプ１７８の上面と同じであってもよい。また、図３ｃに示すように、第７有機絶縁層１７９の上面は、バンプ１７８の上面より高くてもよい。図３ｂ・図３ｃのように、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持することにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができる。

図３ｃにおいて、第７有機絶縁層１７９の上面は、好ましくは、バンプ１７８の上面よりも、１０μｍ以上４０μｍ以下高くてもよい。図３ｃにおいて、第７有機絶縁層１７９の径は、バンプ１７８の径以上であるが、これに限定されない。

図３ｂ・図３ｃでは、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持する絶縁層として、有機絶縁層としたが、無機絶縁層であってもよい。

＜比較例＞
ここで、本発明に係るバンプ及び構造体を有さない構造について、比較例として図１３を用いて説明する。従来の技術を導電樹脂を含む材料からなるバンプに適用した場合、図１３に示すように、本実施形態と異なり、バンプ１８８には開口部がなく、アンカー効果が働かないので、バンプ１８８は、横にずれたり、倒れたりしてしまう。

＜第１実施形態の変形例１＞
図４ａは、本発明の実施形態１の変形例１に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。

図４ａでは、バンプ１７８は、第７配線層１７０の一部である第１３導電層１７１、第１４導電層１７２に加えて、第１４導電層１７２の上方に位置する第１５導電層１７４を含む構造体を覆うように形成されている。言い換えると、バンプ１７８は、下面に開口部（有底孔）を有しており、開口部には第１３導電層１７１、第１４導電層１７２および第１５導電層１７４を含む構造体が配置されている。そして、第１５導電層１７４は、第１４導電層１７２と異なる金属である。第１５導電層１７４としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。

本実施形態によれば、図３ａの実施形態と同様に、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２および第１５導電層１７４がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バンプ１７８の一部が、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体に置き換えられたことにより、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。もっとも、図３ａの実施形態と異なり、第１４導電層１７２の上に、Ａｕである第１５導電層１７４を配置していることにより、第１４導電層１７２の表面の酸化を防止し、バンプ１７８との濡れ性を向上し、バンプ１７８との密着性を向上することができる。

図４ｂ・図４ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。

＜第１実施形態の変形例２＞
図５ａでは、バンプ１７８は、第７配線層１７０の一部である第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１４導電層１７２の上方に位置する第１５導電層１７４および第１４導電層１７２の上面に接し、第１５導電層１７４の下面に接するバリア層１７３を含む構造体を覆うように形成されている。言い換えると、バンプ１７８は、下面に開口部（有底孔）を有しており、開口部には、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、バリア層１７３および第１５導電層１７４を含む構造体が配置されている。

本実施形態によれば、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、バリア層１７３および第１５導電層１７４がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、図３および図４の実施形態と同様に、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バンプ１７８の一部が、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体に置き換えられたことにより、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。もっとも、図４ａの実施形態と異なり、第１４導電層１７２と第１５導電層１７４との間にバリア層１７３があることにより、第１５導電層１７４に第１４導電層１７２の材料が拡散することが防止される。バリア層１７３は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）を使用することができるが、第１５導電層１７４に第１４導電層１７２の材料が拡散することを防止することができれば、ニッケルに限定されない。

図５ｂ・図５ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。

本実施形態による多層配線構造体の構成について更に詳細に説明する。図２では、第１配線層１１０は第１導電層１１１および第２導電層１１２を有する。第２導電層１１２としては、電気抵抗が低い金属材料が好ましい。例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などを使用することができる。また、アルミニウム−ネオジウム合金（Ａｌ−Ｎｄ）やアルミニウム−銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）などのアルミニウム合金を使用することができる。第１導電層１１１としては、密着性や、第２導電層１１２に対するバリア性を有する材料を使用することが好ましい。例えば、第２導電層１１２としてＣｕを使用した場合、第１導電層１１１としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、Ｃｒ（クロム）などを使用することができる。

なお、本実施形態では、配線層として２つの導電層の積層構造を例示したが、この構造に限定されず、１つの導電層の単層構造であってもよく、また、３つ以上の導電層による積層構造であってもよい。

図２では、第１絶縁層１１９は第１無機絶縁層１１３、第２無機絶縁層１１４および第１有機絶縁層１１５を有する。第１無機絶縁層１１３は、第１導電層１１１、第２導電層１１２および露出された下地層１０１を覆うように形成されている。また、第２無機絶縁層１１４は第１無機絶縁層１１３を覆うように形成されており、さらにその上に第１有機絶縁層１１５が形成されている。ここで、第１有機絶縁層１１５の誘電率は、第１無機絶縁層１１３および第２無機絶縁層１１４の各々の誘電率よりも低いことが望ましい。なお、第１絶縁層１１９は上記３層構造に限るものではなく、有機絶縁層又は無機絶縁層を少なくとも１層以上含むように構成されていてもよい。第１絶縁層１１９は、第１無機絶縁層１１３および第２無機絶縁層１１４がなく、第１有機絶縁層１１５から構成されてもよい。

第１無機絶縁層１１３は、第２導電層１１２に対するバリア性を有している材料を使用することが好ましい。換言すると、第１無機絶縁層１１３は、第２無機絶縁層１１４や第１有機絶縁層１１５に比べて、第２導電層１１２の拡散速度が遅い材料であることが好ましい。例えば、第２導電層１１２としてＣｕを使用した場合、第１無機絶縁層１１３としては、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、シリコンカーバイト（ＳｉＣ）、窒化シリコンカーバイト（ＳｉＣＮ）、炭素添加シリコンオキサイド（ＳｉＯＣ）などを使用することができる。また、第１無機絶縁層１１３は被覆性の良い成膜条件で成膜することが好ましい。また、第２導電層１１２としてＣｕを使用し、第１無機絶縁層１１３としてＳｉＮを使用した場合、Ｃｕの拡散防止機能を得るために一定以上の膜厚であることが好ましく、ＳｉＮは比誘電率が７．５と高いため配線層間の寄生容量を抑制するために一定以下の膜厚にすることが好ましい。具体的には、ＳｉＮ膜の膜厚は、好ましくは１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であるとよい。また、より好ましくは、５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるとよい。

第１無機絶縁層１１３は、第１配線層１１０によって形成された段差部において、第１無機絶縁層１１３のひび割れや、膜が粗な領域が発生しないようにすることが好ましい。例えば、第１無機絶縁層１１３は、成膜温度が高い条件で成膜することが望ましく、好ましくは２００℃以上であるとよい。より好ましくは、２５０℃以上であるとよい。また、第１無機絶縁層１１３の被覆性を良くするために、第１配線層１１０の端面を下地層１０１の表面に対して傾斜した順テーパ形状にしてもよい。第１配線層１１０のテーパ角度は、好ましくは３０度以上９０度以下であるとよい。より好ましくは、３０度以上６０度以下であるとよい。ここで、第１配線層１１０に含まれる第１導電層１１１と第２導電層１１２の両方が順テーパ形状でなくてもよく、いずれか一方が順テーパ形状であればよい。

第２無機絶縁層１１４は、第１無機絶縁層１１３およびその上に形成される第１有機絶縁層１１５との密着性がよい材料を使用することが好ましい。例えば、第２無機絶縁層１１４としては、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などを使用することができる。また、第２無機絶縁層１１４は被覆性の良い成膜条件で成膜することが好ましい。また、ＳｉＯ_２膜は、基板の反りを調整及び信頼性向上のために一定以上の膜厚であることが好ましく、膜厚が厚すぎると、第１有機絶縁層１１５としてポリイミドを用いた場合にはポリイミドとの応力との釣り合いが取れなくなるため一定以下の膜厚であることが好ましい。具体的には、ＳｉＯ_２膜の膜厚は、好ましくは１μｍ以上８μｍ以下であるとよい。また、より好ましくは２μｍ以上５μｍ以下であるとよい。

第１有機絶縁層１１５は、第１配線層１１０によって形成された段差を緩和または平坦化し、また、誘電率が第１無機絶縁層１１３および第２無機絶縁層１１４よりも低い材料であることが好ましく、例えば感光性ポリイミドなどの樹脂材料で形成されるとよい。第１有機絶縁層１１５の膜厚は、少なくとも第１配線層１１０によって形成される段差以上の膜厚であることが好ましい。また、第１有機絶縁層１１５の膜厚は、配線のインピーダンス整合をするために、一定の範囲におさめることが好ましい。具体的には、第１有機絶縁層１１５の膜厚は、好ましくは４μｍ以上２４μｍ以下であるとよい。また、より好ましくは８μｍ以上２０μｍ以下であるとよい。また、感光性ポリイミドの代わりに、感光性アクリルや感光性シロキサンなどを使用することができる。その他にも、誘電率が低く、Ｃｕに対するバリア性を有するベンゾシクロブテンを使用してもよい。また、感光性樹脂に限らず、非感光性樹脂を使用してもよい。

非感光性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリアミドイミド、ポリベンゾオキサゾール、シアネート樹脂、アラミド、ポリオレフィン、ポリエステル、ＢＴレジン、ＦＲ−４、ＦＲ−５、ポリアセタール、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチック・ポリスチレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルニトリル、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテルポリサルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミドなどを用いることができる。上記の樹脂は単体で用いられてもよく、２種類以上の樹脂を組み合わせて用いられてもよい。また、上記の樹脂に、ガラス、タルク、マイカ、シリカ、アルミナ等、無機フィラーを併用して用いてもよい。

第１絶縁層１１９には、開口部１８１が設けられており、開口部１８１の内部には第１ビア１９１が充填されている。図２では、第２配線層１２０の一部が開口部１８１に充填されることで、第１ビア１９１を形成する構造を例示したが、この構造に限定されず、例えば、第１ビア１９１として、第２配線層１２０とは異なる導電層を使用してもよい。また、図２では、開口部１８１および第１ビア１９１は基板に対して直角の形状を有する構造を例示したが、この構造に限定されず、開口部１８１および第１ビア１９１が基板に対して順テーパ形状を有していてもよく、また、開口部１８１および第１ビア１９１が基板に対して逆テーパ形状を有していてもよい。また、図２では、開口部１８１が導電層で満たされた構造を例示したが、ビアは隣接する配線層間を接続すればよく、開口部１８１の一部が空洞であってもよい。

図２のように、第２配線層１２０を第１ビア１９１として使用する場合、第４導電層１２２として、第２導電層１１２と同様に電気抵抗が低い銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などを使用することができる。また、アルミニウム−ネオジウム合金（Ａｌ−Ｎｄ）やアルミニウム−銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）などのアルミニウム合金を使用することができる。また、第３導電層１２１として、第１導電層１１１と同様に第４導電層１２２に対するバリア性を有する材料を使用することが好ましい。例えば、第４導電層１２２がＣｕを含む場合、第３導電層１２１としては、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、クロム（Ｃｒ）などを使用することができる。

第１ビア１９１は、その底部において第１配線層１１０の第２導電層１１２と接しており、第１配線層１１０と第２配線層１２０とが電気的に接続される。

第２配線層１２０上には第２絶縁層１２９が形成されている。第２絶縁層１２９は、第１絶縁層１１９と同じ構造を有しており、第３無機絶縁層１２３、第４無機絶縁層１２４および第２有機絶縁層１２５を有する。図２では、第２絶縁層１２９の各々の層に使用される材料は、第１絶縁層１１９の各々の層と同じ材料を使用しているため、ここでは詳細な説明は省略する。第１絶縁層１１９と同様に、第２絶縁層１２９は、第３無機絶縁層１２３および第４無機絶縁層１２４がなく、第２有機絶縁層１２５から構成されてもよい。ただし、第２絶縁層１２９の各々の層に使用する材料は、第１絶縁層１１９の各々の層と同じ材料に限定されず、その絶縁層の目的に応じて適宜選択することができる。

以降、第２配線層１２０と同様にして、第３乃至第７配線層（１３０、１４０、１５０、１６０、１７０）を形成することができる。第３配線層１３０の第５導電層１３１、第４配線層１４０の第７導電層１４１、第５配線層１５０の第９導電層１５１、第６配線層１６０の第１１導電層１６１及び第７配線層の第１３導電層１７１は、それぞれ第１導電層１１１と同じ材料で形成することができる。また、第３配線層１３０の第６導電層１３２、第４配線層１４０の第８導電層１４２、第５配線層１５０の第１０導電層１５２、第６配線層の第１２導電層１６２、第７配線層１７０の第１４導電層１７２は、それぞれ第２導電層１１２と同じ材料で形成することができる。ただし、これらの導電層は、必ずしも第１導電層１１１または第２導電層１１２と同じでなくてもよく、その配線層の目的に応じて適宜選択することができる。

また、第２絶縁層１２９と同様にして、第３乃至第６絶縁層（１３９、１４９、１５９、１６９）を形成することができる。第３絶縁層１３９の第５無機絶縁層１３３、第４絶縁層１４９の第７無機絶縁層１４３、第５絶縁層１５９の第９無機絶縁層１５３、第６絶縁層１６９の第１１無機絶縁層１６３は、それぞれ第１無機絶縁層１１３と同じ材料で形成することができる。また、第３絶縁層１３９の第６無機絶縁層１３４、第４絶縁層１４９の第８無機絶縁層１４４、第５絶縁層１５９の第１０無機絶縁層１５４、第６絶縁層１６９の第１２無機絶縁層１６４は、それぞれ第２無機絶縁層１１４と同じ材料で形成することができる。また、第３絶縁層１３９の第３有機絶縁層１３５、第４絶縁層１４９の第４有機絶縁層１４５、第５絶縁層１５９の第５有機絶縁層１５５、第６絶縁層１６９の第６有機絶縁層１６５は、それぞれ第１有機絶縁層１１５と同じ材料で形成することができる。また、第１絶縁層１１９、第２絶縁層１２９と同様にして、第３乃至第６絶縁層（１３９、１４９、１５９、１６９）は、第３乃至第６有機絶縁層（１３５、１４５、１５５、１６５）から構成されてもよい。ただし、これらの絶縁層は、必ずしも第１無機絶縁層１１３、第２無機絶縁層１１４または第１有機絶縁層１１５と同じでなくてもよく、その絶縁層の目的に応じて適宜選択することができる。

＜第２実施形態＞
図６ａは、一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。本実施形態では、図４ａの実施形態と同様に、バンプ１７８は、第１４導電層１７２の上方に位置する第１５導電層１７４を含む構造体を覆うように形成されている。言い換えると、バンプ１７８は、下面に開口部（有底孔）を有しており、開口部には、第１５導電層１７４を含む構造体が配置されている。第１５導電層１７４は、第１４導電層１７２と異なる金属である。第１５導電層１７４としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。もっとも、本実施形態では、図４ａの実施形態とは異なり、第７配線層１７０の一部である第１３導電層１７１および第１４導電層１７２は、バンプ１７８の開口部に配置されない。

本実施形態によれば、第１５導電層１７４がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バンプ１７８の一部が、第１５導電層１７４を含む構造体に置き換えられたことにより、第１５導電層１７４を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。さらに、第１４導電層１７２の上に、Ａｕである第１５導電層１７４を配置していることにより、第１４導電層１７２の表面の酸化を防止し、バンプ１７８との濡れ性を向上し、バンプ１７８との密着性を向上することができる。

図６ｂ・図６ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。

＜第２実施形態の変形例＞
図７ａでは、図５ａの実施形態と同様に、バンプ１７８は、第７配線層の一部である第１４導電層１７２の上面に接するバリア層１７３およびバリア層１７３の上面に接する第１５導電層１７４を含む構造体を覆うように形成されている。言い換えると、バンプ１７８は、下面に開口部（有底孔）を有しており、開口部には、バリア層１７３および第１５導電層１７４を含む構造体が配置されている。第１５導電層１７４は、第１４導電層１７２と異なる金属である。第１５導電層１７４としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。他方、本実施形態は、図５ａの実施形態とは異なり、第１３導電層１７１および第１４導電層１７２は、バンプ１７８の開口部に配置されない。

本実施形態によれば、バリア層１７３および第１５導電層１７４がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バンプ１７８の一部が、第１５導電層１７４を含む構造体に置き換えられたことにより、第１５導電層１７４を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。さらに、本実施形態では、図６ａの実施形態と異なり、第１４導電層１７２と第１５導電層１７４との間に、バリア層１７３があることにより、第１５導電層１７４に第１４導電層１７２の材料が拡散することを防止することができる。

図７ｂ・図７ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。

＜第３実施形態＞
図８ａは、一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。バンプ１７８は、第１５導電層１７４の上方に位置する第１６導電層１７５を覆うように形成されている。言い換えると、バンプ１７８は、下面に開口部（有底孔）を有しており、開口部には、第１６導電層１７５が配置されている。他方、本実施形態では、図４ａの実施形態と異なり、第１３導電層１７１および第１４導電層１７２は、バンプ１７８の開口部に配置されない。また、本実施形態では、図６ａの実施形態と異なり、第１５導電層１７４は、バンプ１７８の開口部に配置されない。第１５導電層１７４および第１６導電層１７５は、第１４導電層１７２と異なる金属である。第１５導電層１７４および第１６導電層１７５としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。

本実施形態によれば、第１６導電層１７５がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バンプ１７８の一部が、第１６導電層１７５を含む構造体に置き換えられたことにより、第１６導電層１７５を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。さらに、第１４導電層１７２の上に、Ａｕである第１５導電層１７４および第１６導電層１７５を配置していることにより、第１４導電層１７２の表面の酸化を防止し、バンプ１７８との濡れ性を向上し、バンプ１７８との密着性を向上することができる。

図８ｂ・図８ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。

＜第３実施形態の変形例＞
図９ａは、バンプ１７８は、図８の実施形態と同様に、第１５導電層１７４の上方に位置する第１６導電層１７５を覆うように形成されている。言い換えると、バンプ１７８は、下面に開口部（有底孔）を有しており、開口部には、第１６導電層１７５が配置されている。他方、本実施形態では、図５の実施形態と異なり、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２およびバリア層１７３は、バンプ１７８の開口部に配置されない。また、本実施形態では、図７ａの実施形態とは異なり、第１５導電層１７４は、バンプ１７８の開口部に配置されない。さらに、本実施形態では、図８ａの実施形態と異なり、第１４導電層１７２と第１５導電層１７４との間にバリア層１７３がある。

本実施形態によれば、第１６導電層１７５がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バンプ１７８の一部が、第１６導電層１７５を含む構造体に置き換えられたことにより、第１６導電層１７５を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。加えて、本実施形態では、図８ａの実施形態と異なり、第１４導電層１７２と第１５導電層１７４との間に、バリア層１７３があることにより、第１５導電層１７４に第１４導電層１７２の材料が拡散することを防止することができる。

図９ｂ・図９ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。

＜第４実施形態＞
図１０ａは、一実施形態に係る多層配線構造体のバンプ１７８付近を拡大した模式図（断面図）である。バンプ１７８の開口部に配置される構造体として、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７がある。言い換えると、バンプ１７８は、下面に開口部（有底孔）を有しており、開口部には、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２および第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を覆うように配置され、第１４導電層１７２に達する開口部を有する第１３無機絶縁層１７６、第１４無機絶縁層１７７を含み、バンプ１７８の底面が第１４無機絶縁層に接する構造体が配置されている。また、本実施形態は、図３ａの実施形態と異なり、バンプ１７８の開口部に第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７が配置される。

本実施形態によれば、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、バンプ１７８の一部が、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体に置き換えられたことにより、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。また、本実施形態では、図３ａの実施形態と異なり、第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７が第１４導電層に達する開口部を有することにより、図３ａの実施形態よりも強いアンカー効果が働く。

図１０ｂ・図１０ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。

＜第４実施形態の変形例１＞
図１１ａでは、バンプ１７８の開口部に配置される構造体として、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１５導電層１７４、第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７がある。言い換えると、バンプ１７８は、下面に開口部（有底孔）を有しており、バンプ１７８の開口部には、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１５導電層１７４および第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１５導電層１７４を覆うように配置され、第１４導電層１７２に達する開口部を有する第１３無機絶縁層１７６、第１４無機絶縁層１７７を含み、バンプ１７８の底面が第１４無機絶縁層に接する構造体が配置されている。また、本実施形態では、図４ａの実施形態と異なり、バンプ１７８の開口部に第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７が配置される。また、本実施形態では、図１０ａの実施形態と異なり、第１３導電層１７２と異種の金属である第１５導電層１７４がある。第１５導電層１７４としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）などを使用することができる。

本実施形態によれば、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１５導電層１７４、第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、本実施形態では、図４ａの実施形態と異なり、第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７が第１４導電層に達する開口部を有することにより、図４ａの実施形態よりも強いアンカー効果が働く。また、バンプ１７８の一部が、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１５導電層１７４を含む構造体に置き換えられたことにより、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１５導電層１７４を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。

図１１ｂ・図１１ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。

＜第４実施形態の変形例２＞
図１２ａでは、バンプ１７８の開口部に配置される構造体として、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、バリア層１７３、第１５導電層１７４、第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７がある。言い換えると、バンプ１７８は、下面に開口部（有底孔）を有しており、バンプ１７８の開口部には、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、バリア層１７３、第１５導電層１７４および第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、バリア層１７３、第１５導電層１７４を覆うように配置され、第１４導電層１７２に達する開口部を有する第１３無機絶縁層１７６、第１４無機絶縁層１７７を含み、バンプ１７８の底面が第１４無機絶縁層に接する構造体が配置されている。また、本実施形態では、図５ａの実施形態と異なり、バンプ１７８の開口部に第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７が配置される。また、本実施形態では、図１１ａの実施形態と異なり、第１４導電層１７２と第１５導電層１７４との間に、バリア層１７３がある。

本実施形態によれば、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、バリア層１７３、第１５導電層１７４、第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７がバンプ１７８の開口部に配置されることにより、アンカー効果が働き、バンプ１７８が横にずれたり、倒れたりするのを抑制することができる。また、本実施形態では、図５ａの実施形態と異なり、第１３無機絶縁層１７６および第１４無機絶縁層１７７が第１４導電層に達する開口部を有することにより、図５ａの実施形態よりも強いアンカー効果が働く。また、バンプ１７８の一部が、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１５導電層１７４を含む構造体に置き換えられたことにより、第１３導電層１７１、第１４導電層１７２、第１５導電層１７４を含む構造体とバンプ１７８とを合わせた抵抗値を低くすることができる。また、本実施形態では、図１１ａの実施形態と異なり、第１４導電層１７２と第１５導電層１７４との間に、バリア層１７３があることにより、第１５導電層１７４に第１４導電層１７２の材料が拡散することを防止することができる。

図１２ｂ・図１２ｃの実施形態では、第７有機絶縁層１７９が、第６有機絶縁層１６５の上方に配置され、バンプ１７８を側面から支持しているが、これにより、バンプ１７８の耐久性を向上することができること、バンプ１７８の高さ、第７有機絶縁層１７９の径については、それぞれ、図３ｂ・図３ｃの実施形態と同様である。そのため、これらに関する詳細な説明は、省略する。

１００：基板１０１：下地層１１０：第１配線層１１１：第１導電層
１１２：第２導電層１１３：第１無機絶縁層１１４：第２無機絶縁層
１１５：第１有機絶縁層１１９：第１絶縁層１２０：第２配線層
１２１：第３導電層１２２：第４導電層１２３：第３無機絶縁層
１２４：第４無機絶縁層１２５：第２有機絶縁層１２９：第２絶縁層
１３０：第３配線層１３１：第５導電層１３２：第６導電層
１３３：第５無機絶縁層１３４：第６無機絶縁層１３５：第３有機絶縁層
１３９：第３絶縁層１４０：第４配線層１４１：第７導電層
１４２：第８導電層１４３：第７無機絶縁層１４４：第８無機絶縁層
１４５：第４有機絶縁層１４９：第４絶縁層１５０：第５配線層
１５１：第９導電層１５２：第１０導電層１５３：第９無機絶縁層
１５４：第１０無機絶縁層１５５：第５有機絶縁層１５９：第５絶縁層
１６０：第６配線層１６１：第１１導電層１６２：第１２導電層
１６３：第１１無機絶縁層１６４：第１２無機絶縁層
１６５：第６有機絶縁層１６９：第６絶縁層１７０：第７配線層
１７１：第１３導電層１７２：第１４導電層１７３：バリア層
１７４：第１５導電層１７５：第１６導電層１７６：第１３無機絶縁層
１７７：第１４無機絶縁層１７８、１８８：バンプ１７９：第７有機絶縁層
１８１、１８２、１８３、１８４、１８５、１８６：開口部
１９１：第１ビア１９２：第２ビア１９３：第３ビア
１９４：第４ビア１９５：第５ビア１９６：第６ビア

Claims

複数の配線が積層された多層配線構造と、
前記多層配線構造の上方に配置された構造体と
内部に前記構造体の少なくとも一部が配置される開口部を有し、樹脂を含み、前記複数の配線層のいずれか一の配線層に電気的に接続されたバンプと、を備える多層配線構造体。
前記構造体は、第１の導電層を含み、前記バンプの底面が多層配線構造の上面の絶縁層に接することを特徴とする請求項１に記載の多層配線構造体。
前記構造体は、前記第１の導電層の上方に位置する第２の導電層をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の多層配線構造体。
前記構造体は、前記第１の導電層の上面に接し、前記第２の導電層の下面に接するバリア層をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の多層配線構造体。
前記構造体の抵抗率は、前記バンプの抵抗率よりも低いことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の多層配線構造体。
前記第２の導電層は、金を含む材料からなることを特徴とする請求項５に記載の多層配線構造体。
前記構造体は、第１の導電層および前記第１の導電層の上方で、前記バンプの内部に位置する第２の導電層を含み、前記バンプの底面が前記第１の導電層の上面に接することを特徴とする請求項１に記載の多層配線構造体。
前記構造体は、前記第１の導電層の上面に接し、前記第２の導電層の下面に接するバリア層をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の多層配線構造体。
前記構造体の抵抗率は、前記バンプの抵抗率よりも低いことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の多層配線構造体。
前記第２の導電層は、金を含む材料からなることを特徴とする請求項９に記載の多層配線構造体。
前記構造体は、第１の導電層、前記第１の導電層の上方に位置する第２の導電層および前記第２の導電層の上面に接し、前記バンプの内部に位置する第３の導電層を含み、前記バンプの底面が前記第２の導電層の上面に接することを特徴とする請求項１に記載の多層配線構造体。
前記構造体は、前記第１の導電層の上面に接し、前記第２の導電層の下面に接するバリア層をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の多層配線構造体。
前記構造体の抵抗率は、前記バンプの抵抗率よりも低いことを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の多層配線構造体。
前記第２の導電層および前記第３の導電層は、金を含む材料からなることを特徴とする請求項１３に記載の多層配線構造体。
前記構造体は、第１の導電層および前記第１の導電層を覆うように配置され、前記第１の導電層に達する開口部を有する第２の絶縁層を含み、前記バンプの底面が前記第２の絶縁層に接することを特徴とする請求項１に記載の多層配線構造。
前記構造体は、第１の導電層、前記第１の導電層の上方に位置する第２の導電層並びに前記第１の導電層および前記第２の導電層を覆うように配置され、前記第２の導電層に達する開口部を有する第２の絶縁層を含み、前記バンプの底面が前記第２の絶縁層に接することを特徴とする請求項１に記載の多層配線構造。
前記構造体は、前記第１の導電層の上面に接し、前記第２の導電層の下面に接するバリア層をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の多層配線構造体。
前記構造体の抵抗率は、前記バンプの抵抗率よりも低いことを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の多層配線構造体。
前記第２の導電層は、金を含む材料からなることを特徴とする請求項１８に記載の多層配線構造体。
前記多層配線構造の上方に配置され、前記バンプを側面から支持する第３の絶縁層をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項１９のいずれか一に記載の多層配線構造体。
前記第３の絶縁層の上面は、前記バンプの上面よりも高いことを特徴とする請求項２０に記載の多層配線構造体。