JP2016175814A - グラフェン配線構造及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】実施形態は、グラフェンへの層間化合物のインターカレーション効果の低下を改善して低抵抗を実現する配線構造およびその製造方法を提供しようとするものである。
【解決手段】実施形態のグラフェン配線構造は、多層グラフェンと、多層グラフェンの層間に存在する第1層間化合物と、多層グラフェンの層間に存在する酸化物、窒化物と炭化物のうちの少なくともいずれかを含む第2層間化合物とを有する。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態のグラフェン配線構造は、多層グラフェンと、多層グラフェンの層間に存在する第1層間化合物と、多層グラフェンの層間に存在する酸化物、窒化物と炭化物のうちの少なくともいずれかを含む第2層間化合物とを有する。
【選択図】図1
Description
実施形態は、グラフェン配線構造及びその製造方法に関する。
メモリー等の高集積化や微細化に伴い、チップ内の多層配線にも微細化が要求されており、最も先行するフラッシュメモリーでは、2020年頃にもハーフピッチ10nm以下の領域に突入することが予想されている。一方で、現在用いられているCu等の金属配線では非弾性散乱の増加等により微細化に伴って抵抗率が急増しつつあり、材料の限界に近づきつつある。これに対して、グラフェンやカーボンナノチューブ(CNT:Carbon Nanotube)に代表されるナノカーボン材料は、微細領域でも金属に比べて顕著に長い平均自由行程や高い移動度等が報告されており、次世代の微細配線材料として期待される。中でもグラフェンは既存のLSI(Large Scale Integration)プロセスと整合性のよいリソグラフィプロセスで微細幅配線が形成できる可能性を持っており、CVD(Chemical Vapor deposition)による多層グラフェンをベースに微細幅集積配線として開発が活発化しつつある。
多層グラフェンは、そのまま細線化しただけでは抵抗が高く配線として用いるには不十分である。このため、多層グラフェン層間に層間化合物を挿入(インターカレーション)させて、抵抗を低減する開発が行われている。インターカレーション自体は30年以上以前からグラファイトに対して広く研究がなされてきた技術であり、多くの層間化合物が知られており、それによる抵抗低減効果が示されている。しかし、このインターカレーションを微細幅のグラフェンに適用すると、微細化に従ってドーピング強度が低下し、抵抗低減効果が得られなくなる課題が生じている。また、集積化に求められる低温CVD等により形成したグラフェンでは、線幅に依らず十分なドーピング強度を得ることが困難であるという課題が生じている。
実施形態は、グラフェンへの層間化合物のインターカレーション効果の低下を改善して低抵抗を実現する配線構造およびその製造方法を提供しようとするものである。
実施形態のグラフェン配線構造は、多層グラフェンと、多層グラフェンの層間に存在する第1層間化合物と、多層グラフェンの層間に存在する酸化物、窒化物と炭化物のうちの少なくともいずれかを含む第2層間化合物とを有する。
(実施形態1)
実施形態1のグラフェン配線構造は、多層グラフェンと、多層グラフェンの層間に存在する第1層間化合物と、多層グラフェンの層間に存在する酸化物、窒化物と炭化物のうちの少なくともいずれかを含む第2層間化合物とを有する。
実施形態1のグラフェン配線構造は、多層グラフェンと、多層グラフェンの層間に存在する第1層間化合物と、多層グラフェンの層間に存在する酸化物、窒化物と炭化物のうちの少なくともいずれかを含む第2層間化合物とを有する。
図1に実施形態1のグラフェン配線構造の斜視模式図を示す。図1のグラフェン配線構造は、多層グラフェン1と、第1層間化合物2と、第2層間化合物3とを有する。図2に実施形態1のグラフェン配線構造の断面模式図を示す。図2の断面図は、多層グラフェン1の層間(粒界A、欠陥B、層間C)と外周部(側面D、最表面E、最底面F)に第2層間化合物3が存在し、第1層間化合物2が多層グラフェン1の層間に存在することを示している。なお、例えば、最低面F側に基板等が存在する場合は、最低面F側には、第2層間化合物3が存在しないもしくは少し存在する。
実施形態のグラフェン配線構造は、例えば、半導体装置内の横方向配線に使用される。そこで、実施形態のグラフェン配線構造は、半導体装置内の電極等の端子間を接続する微細配線に使用されることが好ましい。実施形態のグラフェン配線構造を採用する半導体装置としては、MPU(Micro-Processing Unit)やNANDフラッシュメモリチップなどの微細配線が要求される半導体装置等が挙げられる。
多層グラフェン1は、配線状に加工された平面状のグラフェンシート(いわゆるグラフェンナノリボン)が積層したものである。グラフェン配線構造100の配線幅、つまり、多層グラフェン1の配線幅は、従来技術において層間化合物が漏出しやすい3μm以下である。具体的には、グラフェン配線で要求される配線幅である20nm以下、10nm以下(例えば、5nm以上10nm)が、実施形態の第1層間化合物2の漏出を抑える効果が顕著となるため好ましい。多層グラフェン1の配線幅は、走査型電子顕微鏡もしくは透過型電子顕微鏡で観察して、測定することができる。
実施形態の多層グラフェン1は、平面状のグラフェンシートが例えば10層から100層程度積層した積層物である。多層グラフェン1の厚さは、平面状グラフェンシートの積層数と層間化合物によって変わるが、典型的には5nm以上50nm以下である。多層グラフェン1は、単結晶グラフェンでも多結晶グラフェンでも実施形態の効果を有する。多層グラフェン1が、多結晶グラフェンの場合、その欠陥や粒界から酸化、窒化ないし炭化処理がされやすいため、第1層間化合物2の漏出を抑える観点から多層グラフェン1が多結晶グラフェンであることがより好ましい。多結晶グラフェンは、例えば低温CVD法で作製される。
第1層間化合物2は、多層グラフェン1の層間に存在する。第1層間化合物2は、多層グラフェン1の導電性を向上させる分子又は原子が1種以上用いられる。具体的な第1層間化合物2としては、金属塩化物、金属フッ化物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲンやハロゲン間化合物の中から選ばれる1種以上が挙げられる。第1層間化合物2は、付与する導電性や製造条件を考慮して好適なものが選択される。
金属塩化物や金属フッ化物に含まれる金属として具体的には、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上が挙げられる。Fe、Cu、AlやMoの金属を含む金属塩化物としては、FeCl3、CuCl2、AlCl3とMoCl5等の中から選ばれる1種以上が挙げられる。金属フッ化物に含まれる金属として具体的には、BやAs等が挙げられる。BやAsの金属を含む金属フッ化物としては、BF3やAsF5等の中から選ばれる1種以上が挙げられる。
アルカリ金属としては、Li、NaやK等の中から選ばれる1種以上が挙げられる。
アルカリ土類金属としては、MgやCa等の中から選ばれる1種以上が挙げられる。
ハロゲンとしては、F2、Cl2、Br2やI2等の中から選ばれる1種以上が挙げられる。
ハロゲン間化合物としては、Iとその他ハロゲン(F、Cl、Br)からなる化合物が挙げられる。より具体的なハロゲン間化合物としては、IBr、ICl等の中から選ばれる1種以上が挙げられる。
これらの具体的な第1層間化合物2は、Fe、Cu、AlやMoの金属を含む金属塩化物、BやAsの金属を含む金属フッ化物、Li、Na、K、Mg、Ca、F2、Cl2、Br2、I2、Iとその他ハロゲン(F、Cl、Br)からなる化合物の中から選ばれる1種以上が好ましい。
これらのより具体的な第1層間化合物2は、FeCl3、CuCl2、AlCl3、MoCl5、BF3、AsF5、Li、Na、K、Mg、Ca、F2、Cl2、Br2、I2、IBr、IClの中から選ばれる1種以上が好ましい。
第2層間化合物3は、少なくとも多層グラフェン1の層間に存在する。第2層間化合物3は、金属酸化物、金属窒化物と金属炭化物のうちのいずれか1種以上であることが好ましい。金属酸化物、金属窒化物と金属炭化物は、Fe、Cu、AlとMoからなる金属の中から選ばれる1種以上を含む金属の化合物(酸化物、窒化物、炭化物)である。
金属酸化物の具体例としては、Fe2O3、CuO、Al2O3、MoO2等の中から選ばれる1種以上が挙げられる。金属窒化物の具体例としては、Fe3N、Cu3N2、AlN、MoNx等の中から選ばれる1種以上が挙げられる。金属炭化物の具体例としては、Fe3C、Cu2C、Al4C3、Mo2C等の中から選ばれる1種以上が挙げられる。
第1層間化合物2と第2層間化合物3は共通する金属を有してもよいし、第1層間化合物2と第2層間化合物3は共通する金属を有しなくてもよい。
次に、多層グラフェン1と第1層間化合物2及び第2層間化合物3の関係について説明する。実施形態の多層グラフェン1の層間には、上述の通り多層グラフェン1の導電性を向上させる第1層間化合物2が存在する。第1層間化合物2は、多層グラフェン1の幅が5μmを超えるなどの太い配線幅であれば、安定に存在するが、3μm以下、さらに狭い、ナノオーダーの配線幅では、第1層間化合物2が不安定となり、第1層間化合物2は、多層グラフェン1の層間から漏出しやすくなることがわかった。
図3に配線幅の異なる多層グラフェン1に第1層間化合物2を挿入させたラマンシフトのグラフを示す。図3のラマンシフトでは、第2層間化合物3を含まない試料を測定した。多層グラフェン1に第1層間化合物2を挿入させた後に、試料を大気雰囲気下に置き、ラマンシフトを測定した。図3のグラフでは、縦軸が強度(Intensity 単位なし a.u.)であり、横軸がラマンシフト(Raman shift 単位 cm-1)である。図3では、二点長鎖線は10μm幅の多層グラフェン1、実線は4μm幅の多層グラフェン1、一点長鎖線は3μm幅の多層グラフェン1、破線は2μm幅の多層グラフェン1のラマンシフトを示す。多層グラフェン1は、高温(1000℃)CVDで作製した多結晶グラフェンを10μm幅から2μm幅まで、加工した。高温CVDで作製した多層グラフェン1は、粒界および欠陥が少ない。第1層間化合物2としては、FeCl3を用いた。多層グラフェン1に由来するピークは、1580cm−1付近に存在する。また、FeCl3が多層グラフェン1の層間に存在することに由来するラマンシフトのピークは、1625cm−1付近に存在する。図3から明らかなように、多層グラフェン1の配線幅が3μmと4μmで1580cm−1付近のピークと1625cm−1付近のピークの強度比が非常に異なることがわかる。つまり、配線幅が3μm以下の多層グラフェン1では、第1層間化合物2が漏出しやすいことがわかる。図3のグラフの結果から、FeCl3(第1層間化合物2)は、多層グラフェン1の側面から漏出しやすいことがわかる。
図4に配線幅の異なる多層グラフェン1に第1層間化合物2を挿入させた別のラマンシフトのグラフを示す。図4のラマンシフトでは、第2層間化合物3を含まない試料を測定した。多層グラフェン1に第1層間化合物2を挿入させた後に、試料を大気雰囲気下に置き、ラマンシフトを測定した。図4のグラフでは、縦軸が強度(Intensity 単位なし a.u.)であり、横軸がラマンシフト(Raman shift 単位 cm-1)である。図4のグラフに示すラマンシフトは650℃の低温CVDで作製した配線幅の異なる多層グラフェン1を用いている。第1層間化合物2としては、FeCl3を用いた。図4では、二点長鎖線は1μm幅の多層グラフェン1、実線は5μm幅の多層グラフェン1、一点長鎖線は20μm幅の多層グラフェン1のラマンシフトを示す。多層グラフェン1に由来するピークは、1580cm−1付近に存在する。また、FeCl3が多層グラフェン1の層間に存在することに由来するラマンシフトのピークは、1625cm−1付近に存在する。低温CVDで作製した多層グラフェン1は、高温CVDで作製した多層グラフェン1と比べて、欠陥や粒界が多い。図4のグラフでは、配線幅に関係なく、多くのFeCl3が多層グラフェン1から漏出していることが、1580cm−1付近に存在するピークと、1625cm−1付近に存在するピークの強度比からわかる。図4のグラフの結果からFeCl3(第1層間化合物2)は、多層グラフェン1の側面からだけでなく、多層グラフェン1の粒界や欠陥から漏出しやすいことがわかる。
そこで、実施形態では、第1層間化合物2を安定化させるため、つまり、多層グラフェン1の側面、粒界や欠陥からの漏出を抑えるために、多層グラフェン1の層間において、第1層間化合物2と第2層間化合物3を混在させている。第2層間化合物3は、金属酸化物、金属窒化物や金属炭化物であるため、第1の層間化合物2よりも第2の層間化合物3は安定である。多層グラフェン1層間に、第2層間化合物3が存在すると、第2層間化合物3が第1層間化合物2の移動や層間からの漏出を妨げる障害物となることで、第1層間化合物2を多層グラフェン1の層間に安定に存在させることができる。
第1層間化合物2は、多層グラフェン1を構成する平面状のグラフェンシートの層間の中でも粒界と欠陥から非常に漏出しやすい。そこで、第2層間化合物3は、図1および図2のように平面状のグラフェンシートの粒界と欠陥のうちの少なくとも一部を塞ぐように存在していることが好ましい。図2の断面図には、第2層間化合物3によって第1層間化合物2の漏出を抑えた多層グラフェンの配線構造が示される。図2の断面図の第2層間化合物3は、多層グラフェン1の粒界A、欠陥B、層間C、側面D、最表面E、最底面Fに存在し、第1層間化合物2を安定化させている。
多層グラフェン1を構成する平面状グラフェンシートの粒界や欠陥に第2層間化合物3が存在することで、第1層間化合物2が安定化された領域が多層グラフェン1に存在すると、かかる領域が導電パスを形成するため、一部の領域で第1層間化合物2が安定化されることで、多層グラフェン1の導電性が低抵抗化する。導電パスのすべてが第1層間化合物2と第2層間化合物3によって低抵抗化されていることがより好ましい。低抵抗化される領域が増加することで、配線抵抗による発熱を抑えることができ、発熱による第1層間化合物2の漏出を抑えることができる。
第2層間化合物3は、多層グラフェン1の側面の少なくとも一部に存在することがより好ましい。多層グラフェン1の側面とは、多層グラフェン1を構成する平面状グラフェンシートの端面からなる多層グラフェン1の積層面である。第2層間化合物3が多層グラフェン1の側面に存在すると、第1層間化合物2の漏出をより抑えることができるため好ましい。なお、かかる観点から、第2層間化合物3は、多層グラフェン1の側面の全面に存在することがさらにより好ましい。多層グラフェン1の側面では、平面状グラフェンシートの粒界や欠陥よりも第2層間化合物3同士が接続しやすい。第2層間化合物3は、単体よりも第2層間化合物3と接続することで、より安定化するため、多層グラフェン1の低抵抗化に寄与する。
第2層間化合物3は、多層グラフェン1の表面にさらに存在し、多層グラフェン1の表面に存在する第2層間化合物3は、多層グラフェン1の側面に存在する第2層間化合物と接続することがより好ましい。多層グラフェン1の表面と側面に存在する第2層間化合物3によって、多層グラフェン1の表面の第2層間化合物3が多層グラフェン1の側面の第2層間化合物3を安定化するという点で、好ましい。なお、多層グラフェン1の表面とは、多層グラフェン1を構成する平面状グラフェンシートの最表面と最低面である。
上記のとおり、実施形態では、多層グラフェン1の層間、側面や表面などに存在する第2層間化合物3によって、第1層間化合物2の漏出を防ぐことで、多層グラフェン1の導電性を向上させることができる。
図5に、多層グラフェン1と、多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2と第2層間化合物3が存在する試料のラマンシフトのグラフを示す。による実証実験についての説明をする。図5のグラフでは、縦軸が強度(Intensity 単位なし a.u.)であり、横軸がラマンシフト(Raman shift 単位 cm-1)である。図5の実線は、配線幅2μmの層間にFeCl3(第1層間化合物2)とFe2O3(第2層間化合物3)が存在する低温CVDで作製した多層グラフェン1のラマンシフトである。図5の一点長鎖線は、層間にFeCl3(第1層間化合物2)もFe2O3(第2層間化合物3)も存在しない層間化合物の挿入処理を行っていない試料のラマンシフトである。図5の実線と一点長鎖線を比較すると、実線のグラフでは、1580cm−1付近に存在するピークが小さく、1625cm−1付近に存在するピークが大きいことがわかる。配線幅が狭いにもかかわらず、図5の実線のグラフの試料が多くのFeCl3(第1層間化合物2)を保持していることがわかる。これは、Fe2O3(第2層間化合物3)によってFeCl3(第1層間化合物2)の漏出を抑えていることを示している。低温CVDで作製した多層グラフェン1を用いているが、第1層間化合物2の漏出を抑えていることから、第2層間化合物3によって、多層グラフェン1の側面、粒界や欠陥からの第1層間化合物2の漏出を抑えることができることがわかる。
(実施形態2)
次に、実施形態2として、実施形態のグラフェン配線構造の製造方法の一形態について説明する。以下に説明するグラフェン配線構造の製造方法は、配線形状に加工された多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2を挿入させる工程と、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程とを有する。第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程は、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1を処理することが好ましい。
次に、実施形態2として、実施形態のグラフェン配線構造の製造方法の一形態について説明する。以下に説明するグラフェン配線構造の製造方法は、配線形状に加工された多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2を挿入させる工程と、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程とを有する。第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程は、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1を処理することが好ましい。
まず、CVD法により作製した多層グラフェンに10nm以上3μm以下の配線幅となるように配線形状に加工したマスクを形成する。そして、リソグラフィ技術を用いて多層グラフェン層を配線状に細線化して、多層グラフェン1を形成する。多層グラフェン1は、予め配線形状に加工されたものを用いてもよい。
多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2を挿入させる工程は、第1層間化合物2と不活性ガスの混合ガス雰囲気中で多層グラフェン1を処理して、第1層間化合物2を多層グラフェン1の層間へインターカレート(挿入)させる処理である。本工程の雰囲気下で、例えば200℃から300℃まで加熱し、多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2が十分にインターカレートされるまで保持する。実施形態2では、第1層間化合物2を酸化、窒化もしくは炭化させるため、第1層間化合物2は、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属を含む塩化物を用いる。実施形態2の具体的な第1層間化合物2は、実施形態1に挙げられている。
次の第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程は、第1層間化合物2と不活性ガスを混合した雰囲気を酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気に置換して、酸化物、窒化物もしくは炭化物を形成させる処理である。酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスによって、第1層間化合物2よりも物理的ないし化学的に安定な第2層間化合物3を形成して第1層間化合物2の漏出を防ぐ。
不活性ガスとしては、ヘリウム、アルゴンなどの希ガスや窒素ガス等が好ましい。第1層間化合物2や多層グラフェン1と反応しない成分であれば、本工程の雰囲気に含まれていてもよい。圧力や処理時間は、線幅などの条件に応じて適宜調整され、十分なインターカレーションが生じる条件で多層グラフェン1を処理する。
多層グラフェン1の層間に存在する第1層間化合物2の金属塩化物に含まれる金属を酸化、窒化もしくは炭化させて第2層間化合物3を形成する。酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスは多層グラフェン1の層間からだけでなく多層グラフェン1の粒界や欠陥へも侵入し、金属と反応することで第2層間化合物3を形成する。かかる方法では、第1層間化合物2の漏出部位である層間、粒界や欠陥に第2層間化合物2を多く形成することで、第1層間化合物2の漏出部位を第2層間化合物3で塞ぐことができ、グラフェン配線構造の導電性低下を防ぐことができる。
酸化性ガスとしては、酸素ガス、酸素プラズマガス、一酸化二窒素プラズマガス等の酸化性作用を有するガスが挙げられる。窒化性ガスとしては、アンモニア、アンモニアプラズマ、窒素プラズマなどの窒化性作用を有するガスが挙げられる。炭化性ガスとしては、アセチレンなどの炭化水素系の炭化性作用を有するプラズマガスが挙げられる。圧力や処理時間は、ガス種や線幅などの条件に応じて適宜調整され、第2層間化合物3が生成される条件で処理をする。
なお、酸化性ガスを含む雰囲気に置換してから、さらに、窒化性ガスまたは炭化性ガスを含む雰囲気に置換してもよい。このように雰囲気を置換することで、酸化物、窒化物と炭化物の二種類以上の化合物が第2層間化合物3として形成される。
第2層間化合物3を第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1に形成する前に、多層グラフェン1をそのまま常温に戻したり、もしくは、多層グラフェン1を大気へ解放したりすると好ましくない。その理由は、既述のように第1層間化合物2は、次第に多層グラフェン1の層間から漏出し、抵抗低減効果は減失する。常温に戻すと、比較的不安定な第1層間化合物2は多層グラフェン1が漏出しやすくなる。また、大気へ開放すると、大気中の水分等の作用により第1層間化合物2が漏出しやすくなる。そこで、速やかに次工程に以降することが好ましく、より好ましくは、100℃以上300℃以下の温度を維持して、大気と多層グラフェン1を接触させずに次工程に以降することが好ましい。
(実施形態3)
次に、実施形態3として、実施形態のグラフェン配線構造の製造方法の一形態について説明する。以下に説明するグラフェン配線構造の製造方法は、配線形状に加工された多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2を挿入させる工程と、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程とを有する。第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程は、金属もしくは金属塩化物及び酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1を処理することが好ましい。
次に、実施形態3として、実施形態のグラフェン配線構造の製造方法の一形態について説明する。以下に説明するグラフェン配線構造の製造方法は、配線形状に加工された多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2を挿入させる工程と、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程とを有する。第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程は、金属もしくは金属塩化物及び酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1を処理することが好ましい。
実施形態2では、多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2を挿入させる工程で用いていた第1層間化合物2と不活性ガスを混合した雰囲気を酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気に置換していたが、実施形態3では、多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程において、金属もしくは金属塩化物及び酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気を用いることが、実施形態2と異なる。実施形態3と実施形態2において、共通する処理や雰囲気などはその説明を省略する。
実施形態3では、第1層間化合物2を酸化、窒化もしくは炭化せずに第2層間化合物3を形成することができる。そのため、実施形態3では、第1層間化合物は、第1層間化合物がFe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属を含む塩化物に限られず、実施形態1で挙げた第1層間化合物2を用いることができる。
第1層間化合物がFe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属を含む塩化物を含む場合は、第1層間化合物2も酸化、窒化もしくは炭化されて第2層間化合物3の一部となる場合がある。第1層間化合物がFe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属を含む塩化物以外である場合は、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気中に含まれる金属もしくは金属塩化物が反応して第2層間化合物3となる。
第2層間化合物3は、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気中に含まれる金属もしくは金属塩化物を酸化、窒化もしくは炭化することによって形成される。また、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスによって、第1層間化合物2が酸化、窒化もしくは炭化することによっても形成される。第1層間化合物2に含まれる金属と第2層間化合物3に含まれる金属は、共通でもよいし、異なっていてもよい。
酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスと反応して第2層間化合物3となる金属もしくは塩化物は、Fe、Cu、AlとMoからなる金属の中から選ばれる1種以上の金属もしくはFe、Cu、AlとMoからなる金属の中から選ばれる1種以上の金属の塩化物であることが好ましい。金属は易酸化性、易窒化性もしくは易炭化性の状態であることが好ましいため、金属はイオン化していることが好ましい。より具体的な金属塩化物は、FeCl3、CuCl2、AlCl3、MoCl5の中から選ばれる1種以上が2層間化合物3となる金属もしくは塩化物として好ましい。
なお、酸化性ガスと金属または金属塩化物を含む雰囲気に置換してから、さらに、酸化性ガスを窒化性ガスまたは炭化性ガスを含む雰囲気に置換してもよい。このように雰囲気を置換することで、酸化物、窒化物と炭化物の二種類以上の化合物が第2層間化合物3として形成される。
実施形態3の処理方法では、金属もしくは金属塩化物と酸化性ガス等を第1層間化合物2が層間に挿入された多層グラフェン1に処理するため実施形態2の処理方法と比較して、多層グラフェン1の外周部である側面および表面への第2層間化合物3の形成が多くなり、第1層間化合物2の漏出を抑える観点から好ましい。実施形態3の製造方法においても、実施形態2と同様に第1層間化合物2の漏出部位を第2層間化合物3で塞ぐことができ、グラフェン配線構造の導電性低下を防ぐことができる。
(実施形態4)
次に、実施形態4として、実施形態のグラフェン配線構造の製造方法の一形態について説明する。以下に説明するグラフェン配線構造の製造方法は、配線形状に加工された多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2を挿入させる工程と、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程とを有する。第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程は、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1を処理し、次いで、金属もしくは金属塩化物及び酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、多層グラフェン1を処理することが好ましい。
次に、実施形態4として、実施形態のグラフェン配線構造の製造方法の一形態について説明する。以下に説明するグラフェン配線構造の製造方法は、配線形状に加工された多層グラフェン1の層間に第1層間化合物2を挿入させる工程と、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程とを有する。第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1の層間に第2層間化合物3を形成する工程は、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1を処理し、次いで、金属もしくは金属塩化物及び酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、多層グラフェン1を処理することが好ましい。
実施形態4は、実施形態2と実施形態3の製造方法を組み合わせたグラフェン配線構造の製造方法である。まず、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、第1層間化合物2が挿入された多層グラフェン1を処理することで、層間、粒界や欠陥から酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスが侵入し、第2層間化合物3となる酸化物、窒化物もしくは炭化物が形成される。そこへ、さらに、金属もしくは金属塩化物及び酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で前記処理で第2層間化合物3となる酸化物、窒化物もしくは炭化物が形成された多層グラフェン1を処理することで、多層グラフェン1の外周部である側面、最表面および最低面に第2層間化合物3が形成される。第2層間化合物3を形成する処理を二種類行うことで、第1層間化合物2の漏出部位を第2層間化合物3でより塞ぐことができ、グラフェン配線構造の導電性低下をさらに防ぐことができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…多層グラフェン、2…第1層間化合物、3…第2層間化合物、A…粒界、B…欠陥、C…層間、D…側面、E…最表面、F…最低面
実施形態のグラフェン配線構造は、多層グラフェンと、多層グラフェンの層間に存在する第1層間化合物と、多層グラフェンの層間に存在する酸化物、窒化物と炭化物のうちの少なくともいずれかを含む第2層間化合物とを有し、多層グラフェンは、平面状のグラフェンシートを積層した積層物であって、平面状のグラフェンシートの粒界と欠陥のうちの少なくとも一部を塞ぐように第2層間化合物が前記多層グラフェンの層間に存在する。
Claims (10)
- 多層グラフェンと、
前記多層グラフェンの層間に存在する第1層間化合物と、
前記多層グラフェンの層間に存在する酸化物、窒化物と炭化物のうちの少なくともいずれかを含む第2層間化合物とを有することを特徴とするグラフェン配線構造。 - 前記多層グラフェンは、平面状のグラフェンシートを積層した積層物であって、
前記平面状のグラフェンシートの粒界と欠陥のうちの少なくとも一部を塞ぐように第2層間化合物が前記多層グラフェンの層間に存在することを特徴とする請求項1に記載のグラフェン配線構造。 - 前記第2層間化合物は、前記多層グラフェンの側面に存在することを特徴とする請求項1または2に記載のグラフェン配線構造。
- 前記第1層間化合物は、金属塩化物、金属フッ化物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲンとハロゲン間化合物の中から選ばれる1種以上であり、
前記第2層間化合物は、金属酸化物、金属窒化物と金属炭化物のうちのいずれか1種以上であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のグラフェン配線構造。 - 前記金属塩化物は、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属の塩化物であり、
前記金属フッ化物は、BとAsの中から選ばれる1種以上の金属のフッ化物であり、
前記アルカリ金属、Li、NaとKの中から選ばれる1種以上であり、
前記アルカリ土類金属は、MgとCaの中から選ばれる1種以上であり、
前記ハロゲンは、F2、Cl2、Br2やI2の中から選ばれる1種以上であり、
前記ハロゲン間化合物は、Iと、F、Cl、Brの中から選ばれる1種以上との化合物であり、
前記金属酸化物は、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属の酸化物であり、
前記金属窒化物は、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属の窒化物であり、
前記金属炭化物は、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属の炭化物であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のグラフェン配線構造。 - 前記金属塩化物は、FeCl3、CuCl2、AlCl3とMoCl5の中から選ばれる1種以上の金属の塩化物であり、
前記金属フッ化物は、BF3とAsF5の中から選ばれる1種以上の金属のフッ化物であり、
前記ハロゲン間化合物は、IBrとIClの中から選ばれる1種以上との化合物であり、
前記金属酸化物は、Fe2O3、CuO、Al2O3とMoO2の中から選ばれる1種以上の金属の酸化物であり、
前記金属窒化物は、Fe3N、Cu3N2、AlNとMoNxの中から選ばれる1種以上の金属の窒化物であり、
前記金属炭化物は、Fe3C、Cu2C、Al4C3とMo2Cの中から選ばれる1種以上の金属の炭化物であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のグラフェン配線構造。 - 配線形状に加工された多層グラフェンの層間に第1層間化合物を挿入させる工程と、
前記第1層間化合物が挿入された多層グラフェンの層間に酸化物、窒化物と炭化物のうちの少なくともいずれかを含む第2層間化合物を形成する工程とを有することを特徴とするグラフェン配線構造の製造方法。 - 前記第1層間化合物が挿入された多層グラフェンの層間に第2層間化合物を形成する工程は、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、前記第1層間化合物が挿入された多層グラフェンを処理し、
前記第1層間化合物は、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属の塩化物であることを特徴とする請求項7に記載のグラフェン配線構造の製造方法。 - 前記第1層間化合物が挿入された多層グラフェンの層間に第2層間化合物を形成する工程は、金属もしくは金属塩化物及び酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、前記第1層間化合物が挿入された多層グラフェンを処理し、
前記第1層間化合物は、金属塩化物、金属フッ化物、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲンとハロゲン間化合物の中から選ばれる1種以上であり、
前記金属もしくは金属塩化物は、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属もしくは、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属の塩化物であることを特徴とする請求項7に記載のグラフェン配線構造の製造方法。 - 前記第1層間化合物が挿入された多層グラフェンの層間に第2層間化合物を形成する工程は、酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、第1層間化合物が挿入された多層グラフェンを処理し、次いで、金属もしくは金属塩化物及び酸化性ガス、窒化性ガスもしくは炭化性ガスを含む雰囲気で、前記多層グラフェンを処理し、
前記第1層間化合物は、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属の塩化物であり、
前記金属もしくは金属塩化物は、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属もしくは、Fe、Cu、AlとMoの中から選ばれる1種以上の金属の塩化物であることを特徴とする請求項7に記載のグラフェン配線構造の製造方法。
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