JP2016163888A - 基材上に形成した構造体、構造体の製造方法および線パターン - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 107
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 78
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 47
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 44
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 21
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 9
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 7
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 4
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1241—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
- H05K3/125—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Abstract
Description
上述した本実施形態に係る構造体製造装置について説明する。図5は、下から、本実施形態に係る構造体製造装置100の模式図、基材50を上面から見た時の温度分布を示す模式図、および移動した基材50の温度分布を示す模式図を示す。
上述した構造体製造装置100を用いた構造体の製造方法について説明する。本実施形態においては、移動する基材(基板)50に光を照射し、基材50の移動方向の上流側にピーク温度を有する温度プロファイルを形成し、液滴を温度プロファイルのピーク温度から基材50の移動方向の下流側の低温となる温度領域に着弾させる。制御部は、移動部150を液滴の吐出サイクルに合わせ連続的な微細な構造体が形成できる速度で往復運動させる。温度測定部130で測定された液滴着弾位置103の表面温度が基材50上に着弾する液滴乾燥に適切な温度になるように、加熱部110から照射される光のパワーを調整する。図5に示すように、基材50を加熱部110の側から吐出部120の方向(第1の方向)に移動させ、吐出部120から液滴を吐出し、微細な構造体10を形成する。
図13は、本実施例に係る液滴の固化状態を観察したSEM像である。図13(a)は50Hzのサイクルで吐出し、基材上で固化した液滴のSEM像であり、図13(b)はその拡大図である。また、図13(c)は250Hzのサイクルで吐出し、基材上で固化した液滴のSEM像であり、図13(d)はその拡大図である。図13(a)および(b)から明らかなように、着弾した液滴は、基材50の移動方向とは反対の描画方向に広がった滴型の形状を有する。このような形状の液滴をより高速に射出することにより、先に着弾して固化しつつある溶質は、中心部が凹んだ形状となり、後から着弾した液滴は、基材50に接する部分はすぐに固化するものの、固化していない溶液が先に着弾して固化した溶質の凹みに重畳する。これにより、液滴が液滴重畳固化層1上に吸い上げられ、図13(c)および(d)に示した高アスペクト比の本実施例に係る構造体が形成される。
この液滴の濡れ広がりの状態を検証するために、レーザ照射による基板加熱シミュレーションを行った。シミュレーションには、表1のパラメータを用いた。
Claims (8)
- 基材を移動させるための移動装置と、
前記基材と対向して配設され、該基材の構造体形成面の光の照射位置に加熱領域を形成するための加熱装置と、
前記加熱装置から前記基材の移動方向に前記加熱装置と離間して配設され、前記基材の前記加熱領域に液滴を着弾させるための吐出装置と、
ここで、前記液滴は、温度プロファイルのピーク温度から前記基材の移動方向の下流側の低温領域に着弾され、
前記液滴の着弾位置における前記基材の表面温度を測定する温度測定装置と、
加熱された前記液滴の着弾位置の表面温度が前記基材の移動方向に向かって低くなる温度分布を形成するように前記加熱装置及び前記移動装置を制御するための制御装置と、
を備える構造体製造装置。 - 前記制御装置は、前記移動装置の移動速度、前記液滴の吐出サイクル、照射領域の加熱を制御することを特徴とする請求項1記載の構造体製造装置。
- 前記液滴の着弾位置の温度分布は、ハットシェイプ形状又はダブルハンプ形状を備えることを特徴とする請求項1記載の構造体製造装置。
- 前記基材の移動方向の下流側の低温となる温度領域の温度勾配は、1℃/mm以上100℃/mm以下を備えることを特徴とする請求項1記載の構造体製造装置。
- 前記移動装置の移動速度は、1mm/sec以上100mm/sec以下を備えることを特徴とする請求項1記載の構造体製造装置。
- 前記加熱装置は、赤外線、紫外線、レーザ光、又はエキシマレーザ光であることを特徴とする請求項1記載の構造体製造装置。
- 前記吐出装置は、インクジェット装置であることを特徴とする請求項1記載の構造体製造装置。
- 前記液滴の着弾位置の前記基材の表面温度は、50℃以上200℃以下であることを特徴とする請求項1記載の構造体製造装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012239520 | 2012-10-30 | ||
JP2012239520 | 2012-10-30 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014544471A Division JP5995016B2 (ja) | 2012-10-30 | 2013-10-25 | 基材上に形成した構造体、構造体の製造方法および線パターン |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016163888A true JP2016163888A (ja) | 2016-09-08 |
JP6132293B2 JP6132293B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=50627258
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014544471A Active JP5995016B2 (ja) | 2012-10-30 | 2013-10-25 | 基材上に形成した構造体、構造体の製造方法および線パターン |
JP2016058271A Active JP6132293B2 (ja) | 2012-10-30 | 2016-03-23 | 基材上に形成した構造体、構造体の製造方法および線パターン |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014544471A Active JP5995016B2 (ja) | 2012-10-30 | 2013-10-25 | 基材上に形成した構造体、構造体の製造方法および線パターン |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9807887B2 (ja) |
JP (2) | JP5995016B2 (ja) |
KR (1) | KR102106184B1 (ja) |
CN (2) | CN104781017B (ja) |
TW (1) | TWI606761B (ja) |
WO (1) | WO2014069350A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP6342738B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2018-06-13 | 株式会社Screenホールディングス | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム |
JP6546815B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2019-07-17 | 株式会社Screenホールディングス | 錠剤印刷装置および錠剤印刷方法 |
KR102686388B1 (ko) * | 2017-02-01 | 2024-07-18 | 세메스 주식회사 | 액적 토출량 조절 방법, 액적 토출량 조절 장치 및 이를 포함하는 액적 토출 장치 |
CN107482096B (zh) * | 2017-08-11 | 2019-04-09 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种发光装置及其制造方法 |
CN111398277A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-07-10 | 四川师范大学 | 一种面膜分析检测方法 |
CN116985399B (zh) * | 2023-08-03 | 2024-03-19 | 芯体素(杭州)科技发展有限公司 | 一种差异性厚度的涂层制备工艺及装置、系统和涂层板 |
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JP2009101356A (ja) | 2009-01-19 | 2009-05-14 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、識別コード形成方法、液滴吐出装置 |
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-
2013
- 2013-10-25 JP JP2014544471A patent/JP5995016B2/ja active Active
- 2013-10-25 CN CN201380056926.6A patent/CN104781017B/zh active Active
- 2013-10-25 KR KR1020157012207A patent/KR102106184B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-25 CN CN201710890024.2A patent/CN107708318B/zh active Active
- 2013-10-25 WO PCT/JP2013/078916 patent/WO2014069350A1/ja active Application Filing
- 2013-10-30 TW TW102139340A patent/TWI606761B/zh active
-
2015
- 2015-04-30 US US14/700,742 patent/US9807887B2/en active Active
-
2016
- 2016-03-23 JP JP2016058271A patent/JP6132293B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-27 US US15/717,029 patent/US10212822B2/en active Active - Reinstated
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10212822B2 (en) | 2019-02-19 |
CN104781017A (zh) | 2015-07-15 |
JP6132293B2 (ja) | 2017-05-24 |
TW201417658A (zh) | 2014-05-01 |
WO2014069350A1 (ja) | 2014-05-08 |
TWI606761B (zh) | 2017-11-21 |
KR20150079685A (ko) | 2015-07-08 |
CN107708318A (zh) | 2018-02-16 |
US20180020553A1 (en) | 2018-01-18 |
CN107708318B (zh) | 2020-10-16 |
JPWO2014069350A1 (ja) | 2016-09-08 |
US20160249459A1 (en) | 2016-08-25 |
JP5995016B2 (ja) | 2016-09-21 |
KR102106184B1 (ko) | 2020-04-29 |
US9807887B2 (en) | 2017-10-31 |
CN104781017B (zh) | 2017-10-17 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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