JP5467855B2 - ラインパターン形成方法 - Google Patents

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Description

本発明は、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を用いたラインパターン形成方法、デバイスおよび電子機器に関するものである。
従来、プリント配線基板の配線パターン製造法としては、フォトリソグラフィー法、転写法、マスク印刷法、およびめっき等の技術が用いられているが、近年、導電性微粒子を分散させた導電微粒子ペーストをインクジェット法により基板に直接印刷する手法が注目されている。
しかしながら、インクジェット法によって吐出できるインクは低粘度で広がりやすく、細線パターンを描画することは困難であった。また、インクの乾燥後の形状は、液の縁部と中央部とでの蒸発速度の不均一によるコーヒーステイン現象が起こり、縁部に粒子が堆積し、中央部との膜厚不均一が生じるという問題がある。このため、膜厚不均一を抑制するための製膜方法が提案されている(特許文献1参照)。
特許文献1に記載された方法は、膜形成成分を含有した液状体からなる液滴を基板上に滴下してラインパターンを形成する第1吐出工程と、ラインパターンを乾燥させる乾燥工程と、乾燥工程により基板に形成された乾燥体における凹状部分に液滴を滴下する第2吐出工程とを有するものである。このように、特許文献1に記載された方法においては、第1吐出工程においてラインパターンを形成した後、コーヒーステイン現象を促進する乾燥工程を設けて乾燥体に意図的に高低差を造って凹形状とし、その凹形状となる部分に第2の吐出工程において再び液滴を滴下することにより、ラインパターンの平坦化を実現できる。
一方、インクジェット法により塗布膜を形成するに際し、第1吐出工程により塗布膜を形成後、塗布膜に形成される凹部を埋めるような液量の液滴を、第2吐出工程により滴下して、平坦な塗布膜を形成する手法が提案されている(特許文献2参照)。
特開2003−318516号公報 特開2004−16916号公報
しかしながら、特許文献1に記載された方法においては、第1吐出工程および乾燥工程により形成される乾燥体の凹状部分が小さい場合、第2吐出工程においてラインパターン形成に適切なドットピッチにより液滴を滴下すると、凹状部分よりも大きい体積の液滴を打滴することになるため、乾燥体の凹状部分に滴下された液滴が乾燥したときに、凸形状の断面を有するラインパターンが形成されてしまう。この場合、第2吐出工程における打滴ピッチを、ラインパターンの形成に適切な打滴ピッチよりも大きくして、液滴を疎となるように打滴することが考えられる。しかしながら、液滴を疎となるように打滴するとジャギーが発生するため、均一なラインパターンを形成することができない。また、このように均一な厚さのラインパターンを形成できないと、形成された配線のラインパターンにおいて、電流密度の不均一による断線の可能性が高くなる。
一方、特許文献2に記載された方法は、塗布膜形成時に第1吐出工程において形成された塗布膜の凹部を埋めるように第2吐出工程の液適量を制御するものである。このため、特許文献3に記載された手法を、ラインパターンの形成にそのまま適用することはできない。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであり、幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを形成することを目的とする。
本発明によるラインパターン形成方法は、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を基板上に滴下し、乾燥させる第1の工程と、
前記液体材料が乾燥してなる乾燥体上に、前記液体材料を滴下する第2の工程とを有し、
該第2の工程は、前記第1の工程よりも少ない吐出量により前記液体材料を滴下し、前記第1の工程および前記第2の工程における前記液体材料の前記基板への打摘ピッチが、ジャギー発生限界以下であることを特徴とするものである。
なお、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記第2の工程における前記液体材料の吐出量を、前記乾燥体上に形成される凹部の断面積に応じて決定するようにしてもよい。
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記第1の工程において、前記基板上に滴下した前記液体材料を強制乾燥させるようにしてもよい。
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記第2の工程において、前記基板上に滴下した前記液体材料の乾燥を抑制するようにしてもよい。
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記第1の工程および前記第2の工程において、同一の吐出手段により前記液体材料を吐出するようにしてもよく、前記第1の工程および前記第2の工程において、それぞれ異なる吐出手段により前記液体材料を吐出するようにしてもよい。
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記液体材料を、インクジェット方式、またはディスペンサ方式の吐出手段により吐出してもよい。
また、本発明によるラインパターン形成方法においては、前記パターン形成材料を、金属、該金属の酸化物または合金の微粒子としてもよい。
この場合、前記金属を、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムまたはスズとしてもよい。
また、本発明によるデバイスは、本発明によるラインパターン形成方法を用いて形成された部分、例えば配線パターンを有することを特徴とするものである。
また、本発明による電子機器は、本発明によるデバイスを有することを特徴とするものである。
本発明のラインパターン形成方法によれば、第2の工程における液体材料の吐出量を第1の工程よりも少なくしたため、幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを形成することができる。また、第1の工程および第2の工程における液体材料の基板への打摘ピッチをジャギー発生限界以下としているため、ジャギーのないラインパターンを形成できる。したがって、本発明により配線パターンを形成した場合、高密度な配線が可能となり、さらには、配線パターンの厚さが均一となるため、電流密度が均一となり、断線の可能性も抑制される。
また、第2の工程における液体材料の吐出量を、乾燥体上に形成される凹部の断面積に応じて決定することにより、ラインパターンの上面が平坦となるように第2の工程における吐出量を決定できるため、より厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを形成することができる。
また、第1の工程において、基板上に滴下した液体材料を強制乾燥させることにより、コーヒーステイン現象が促進され、乾燥体の断面形状を確実に凹形状を有するものとすることができる。
また、第2の工程において、基板上に滴下した液体材料の乾燥を抑制することにより、コーヒーステイン減少の発生を抑制することができ、その結果、第2の工程において滴下された液体材料の乾燥後の断面形状に凹部が発生しにくくなる。したがって、第1の工程において形成される乾燥体上の凹部を埋めるような断面形状を有するラインパターンを形成することができ、これにより、厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを確実に形成することができる。
本発明のデバイスによれば、デバイスの小型化や薄膜化を可能にし、かつ断線や短絡等の不良が生じにくい。
本発明の電子機器によれば、電子機器の小型化や薄膜化を可能にし、かつ断線や短絡等の不良が生じにくい。
本発明の第1の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図 第1の工程において基板に形成された乾燥体の断面形状を示す図 第1の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図(その1) 第1の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図(その2) 第1の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図(その3) 第1の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図(その4) 第1の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図(その5) 本発明の第1の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の変形例の構成を示す概略斜視図 本発明の第2の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図 本発明の第3の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。本発明は、基板上にラインパターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を滴下して乾燥させる第1の工程、および液体材料が乾燥してなる乾燥体上に、第1の工程よりも少ない吐出量により液体材料を滴下する第2の工程により、基板上にラインパターンを形成するものである。
図1は本発明の第1の実施形態によるラインパターン形成方法に用いられるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図1に示すように、第1の実施形態によるラインパターン形成装置10は、1対のガイド12a,12b、ステージ14、駆動部16、吐出部(吐出手段)18、計測部20、および制御部22を備える。
制御部22は、吐出部18、駆動部16および計測部20に接続されており、これらの駆動を制御するものである。
ラインパターン形成装置10においては、長尺のガイド12a,12bが所定の間隔を空けて配置されている。ガイド12a,12bには、例えば、直動ガイドが用いられる。また、ガイド12a,12bには、ガイド12a,12bの長手方向(以下、X方向という)に移動可能にステージ14が設けられている。なお、ステージ14には、ラインパターンが形成される基板30が載置される。
また、ステージ14には、駆動部16からの指示によってX方向に移動可能な移動機構(図示せず)が設けられている。そして、駆動部16が制御部22により制御されて移動機構に指示を行うことにより、ステージ14がX方向に移動する。なお、駆動部16は、ガイド12a,12b上のものを動かすことができるものであれば、その構成はとくに限定されるものではない。
本実施形態においては、ガイド12a,12bの上方に配置された吐出部18から、後述するように基板30の表面30aに所定のラインパターン状に液体材料が滴下される。このため、駆動部16は、ラインパターンを形成することができる移動分解能を有する。
吐出部18は、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を、基板30の表面30aに、所定のラインパターン状に滴下するものであり、滴下位置を調節するための位置決め機構(図示せず)が設けられている。
吐出部18は、パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を吐出することができれば、その構成はとくに限定されるものではない。なお、吐出部18としては、インクジェットヘッドを用いることが好ましい。インクジェットヘッドを用いた場合、液体材料の吐出量、液体材料の吐出周波数、液体材料の着弾位置が正確に制御可能である。また、インクジェットヘッドとしては、例えば、圧電方式、サーマル方式、静電アクチュエータ方式、および静電吸引方式等の種々の方式のインクジェットヘッドを用いることができる。
また、吐出部18はディスペンサでもよい。ディスペンサは、インクジェットよりも吐出量が多く、より大きなラインパターンを形成することができる。
ここで、液体材料のパターン形成材料は、金属もしくはその金属の酸化物または合金の微粒子であることが好ましい。金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムまたはスズ等である。また、金属もしくはその金属の酸化物または合金の微粒子の粒子径は、10nm以下であることが好ましい。
液体材料のパターン形成材料を、上記金属またはその金属の酸化物および合金の微粒子とすることにより、加熱焼成処理を施すと導電性が得られる。
本実施形態においては、液体材料のパターン形成材料は、導電性高分子材料等の他の導電性を有する材料を用いてもよい。
パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料は、例えば、ハリマ化成製NSP−J(商品名)を用いることができる。
パターン形成材料を分散または溶解させる分散媒または溶媒には、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、およびシクロヘキシルベンゼン等の炭化水素系化合物、またはエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサン等のエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、およびシクロヘキサノン等の極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、さらに好ましい分散媒または溶媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒または溶媒は、単独でも、あるいは2種以上の混合物としても使用することができる。
なお、液体材料のドットピッチは、例えば、「The Impact and Spreading of Ink Jet Printed Droplets,Jonathan Stringer and Brian Derby, Digital Fabrication, 2006, 128-130」に記載されている、ジャギーを発生させない条件を満たすように決定すればよい。すなわち、ドットピッチをp、吐出部18から吐出された着弾前の液体材料の直径をd、基板30に着弾して平衡状態となったときの液体材料の直径をdeqm、βeqm=deqm/d、基板30と液体材料との接触角をθとしたとき、ドットピッチpが下記の式(1)に示すジャギー発生限界以下となるように、ドットピッチpを決定する。
計測部20は、例えばレーザ計測装置からなり、あらかじめ第1の工程のみを実行することにより基板30に形成された乾燥体の断面形状を計測し、計測結果を制御部22に出力する。図2は基板30に形成された乾燥体の断面形状を示す図である。なお、図2においては、横軸にラインパターンの幅方向の距離をとり、縦軸に高さをとっている。図2に示すように、第1の工程において基板30に形成されたラインパターンは、コーヒーステイン現象により凹型の断面形状を有する。
本実施形態においては、第2の工程において、乾燥体の凹部の断面が埋まり、かつ形成されたラインパターンの上部が平坦となるように、第2の工程における液体材料の吐出量を決定する。このため、制御部22は、乾燥体の断面形状から凹部の断面積Sを算出する。ここで、吐出量/ドットピッチp=断面積Sとなるため、吐出量=p×Sにより算出することができる。なお、液体材料の分散液は蒸発するため、蒸発体積を考慮して、p×Sよりも蒸発体積分大きくなるように、吐出量を決定することが好ましい。
なお、本実施形態において、基板30には、ガラス基板、セラミック基板、プラスチック基板等、種々の材質で形成された板状部材を用いることができる。
また、基板30は可撓性を有するフィルム材、すなわち、湾曲可能なフィルム材でもよい。この場合、基板30には、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリシクロオレフィンフィルム、2軸延伸ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリ塩化ビニールフィルム、メタクリル−スチレン樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、シリコーン樹脂フィルム、およびフッ素樹脂フィルム等の各種プラスチックフィルムを用いることができる。
次いで、ラインパターン形成装置10を用いてのラインパターン形成方法について説明する。図3〜図7は、第1の実施形態によるラインパターン形成方法を工程順に示す図である。なお、図3〜図7においては、基板30のみを示し、ラインパターン形成装置10の構成についての図示は省略する。なお、本実施形態においては、液体材料として、例えば、金属の微粒子を溶媒中に分散させた金属微粒子分散インク40(以下、単にインク40という)を用いて、インク40を吐出部18から基板30上に滴下して、例えば、配線ラインパターンを形成するものとする。
まず、第1の工程において、制御部22を介してステージ14を駆動部16により矢印D方向に、吐出部18に対して相対的に移動させ、吐出部18と基板30との矢印D方向における相対的な位置を変えながら、図3に示すように、吐出部18からインク40を基板30の表面30aに所定のラインパターン状に滴下する。このとき、図4に示すように基板30に着弾したインク40は蒸発し、完全に広がる前に乾燥が始まる。そして、コーヒーステイン現象によって、図5に示すように、凹型の断面形状を有する乾燥体42が形成される。乾燥の方法は、自然乾燥、および基板30を加熱したり基板30に温風を吹きつけたりする強制乾燥の他、任意の手法を用いることができる。なお、強制乾燥を行う場合には、図8に示すように、吐出部18および計測部20の間に、基板30を加熱したり基板30に温風を吹きつけたりするためのヒータ24を設ければよい。ここで、ヒータ24の温度および送風量等は、制御部22により制御される。例えば、ヒータ24は、基板30の温度を60℃とするように、制御部22により制御される。また、本実施形態においては、凹型の断面形状を維持できるならば、インク40の溶媒が若干残ったような半乾燥状態でも構わない。
次に、第2の工程において、ステージ14を駆動部16により矢印R方向、すなわち、吐出部18側に移動させる。そして、吐出部18と基板30との矢印R方向における相対的な位置を変えながら、基板30にインク40により形成されたラインパターンと同じ位置に、すなわち、図5に示す乾燥体42の凹部42aにインク40aを滴下する。これにより、図6に示すように、凹部42aがインク40aにより埋められる。
このとき、インク40aの吐出量は、インク40の吐出量よりも小さく、乾燥体42の凹部42aを埋め、かつラインパターンの上部が平坦となるように決定されている。このため、インク40aが乾燥すると、図7に示すように、上部が平坦な乾燥体44が形成される。したがって、本実施形態によれば、細く、かつ厚さが均一な、矩形に近い断面形状の配線部46を有する配線パターンを形成することができる。
なお、第1の実施形態においては、第1の工程と第2の工程とでは基板30の搬送方向が逆になる。このため、制御部22においては、第1の工程の後、インク40の吐出パターンを反転させて第2の工程を行う。
次に、ラインパターン形成後、一定時間加熱焼成して粒子同士を融着させ、ラインパターンに導電性を付与することにより、細く、かつ厚さが均一な矩形断面を持つ配線パターンが形成される。
このように、第1の実施形態においては、第2の工程における液体材料の吐出量を第1の工程よりも少なくしたため、幅が細く、かつ厚さが均一な断面形状を有するラインパターンを形成することができる。したがって、本実施形態により配線パターンを形成した場合、高密度な配線が可能となり、さらには、配線パターンの厚さが均一となるため、電流密度が均一となり、断線の可能性も抑制される。
また、第1の工程により得られる乾燥体42に形成される凹部42aの断面積を計測し、断面積に応じて第2の工程における液体材料の吐出量を決定することにより、上面が平坦となるようにラインパターンを形成することができる。
また、第1の工程および第2の工程における液体材料のドットピッチを、上記式(1)に示すジャギー発生限界以下となるように決定することにより、ジャギーのないラインパターンを形成できる。このため、配線パターンを形成した場合に、断線の可能性をより低減できる。
次いで、本発明の第2の実施形態について説明する。図9は本発明の第2の実施形態によるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。なお、図9において図1と同一の構成については同一の参照番号を付与し、詳細な説明は省略する。第2の実施形態によるラインパターン形成装置10Aは、2つの吐出部18,18Aを備えた点が第1の実施形態と異なる。なお、2つの吐出部18,18Aは、吐出可能な吐出量の範囲が異なるものを用いることが好ましい。例えば、吐出ノズル径が異なるものを用いればよい。
吐出部18Aは、吐出部18と同一の構成を有する。そして、第2の実施形態によるラインパターン形成装置10Aにおいては、基板30を矢印D方向に移動させつつ、第1の工程において、基板30に吐出部18からインク40を滴下し、次に、第2の工程において、第1の工程と同様にして決定した吐出量により、乾燥体42に吐出部18Aからインク40aを滴下して、配線パターンを形成するものである。
第2の実施形態によるラインパターン形成装置10Aにおいても、第1の実施形態によるラインパターン形成装置10と同様に、図3から図7に示す工程により、細く、かつ厚さが均一な断面形状の配線部46を有する配線パターンを形成することができる。
ここで、第2の実施形態においては、基板30を矢印D方向のみしか移動させないため、吐出部18における第1の工程のインク40の吐出パターンと、吐出部18Aにおける第2の工程のインク40aの吐出パターンとは同じである。このため、制御部22においては、ラインパターン形成装置10とは異なり、第1の工程の後、1回目のインク40の吐出パターンを反転させて、第2の工程の吐出パターンを生成する必要がない。
次いで、本発明の第3の実施形態について説明する。図10は本発明の第3の実施形態によるラインパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。なお、図10において図1と同一の構成については同一の参照番号を付与し、詳細な説明は省略する。第3の実施形態によるラインパターン形成装置10Bは、第2の工程おいて基板30を冷却して、乾燥体42の凹部42aに吐出したインク40aの乾燥を抑制するため冷却ユニット26を備えた点が第1の実施形態と異なる。なお、第3の実施形態においては、ヒータ24も備えている。ここで、冷却ユニット26は、ヒータ24とX方向において間隔を空けて、ガイド12a,12bの間に設けられている。
冷却ユニット26は、第2の工程において、基板30を冷却してインク40aの温度を例えば室温等の所定の温度に低下させることにより、乾燥体42の凹部42aに吐出したインク40aを蒸発しにくくしてインク40aの乾燥を抑制するためのものであり、例えば、ペルチェ素子あるいは冷却ファン等により構成される。冷却ユニット26は、制御部22に接続されており、制御部22により、冷却ユニット26の温度が調節される。また、冷却ユニット26が冷却ファンを有する場合、制御部22により冷却ファンの回転数等が調節される。そして、冷却ユニット26上にステージ14が配置されて、ステージ14とともに基板30が所定の温度に冷却され、その温度に保持される。
第3の実施形態によるラインパターン形成装置10Bにおいても、第1の実施形態によるラインパターン形成装置10と同様に、図3から図7に示す工程により配線パターンを形成するが、第3の実施形態においては、図5に示すように乾燥体42が形成された後、基板30を冷却ユニット26により冷却し、その後ステージ14を吐出部18側に移動させて、乾燥体42の凹部42aにインク40aを滴下する。これにより、図6に示すように、凹部42aがインク40aにより埋められる。この際、第3の実施形態においては、基板30が冷却されているため、インク40aの蒸発量は小さく、コーヒーステイン現象が生じにくく、インク40aの乾燥後も凹部42aの内側に凹形状を作ることがない。したがって、図7に示すように、乾燥体42の凹部42a内を埋めるような乾燥体44を形成することができる。
なお、第3の実施形態においては、2回目のインク40aを吐出する前に、基板30の温度を下げることにより、インク40aの乾燥を抑制するようにしたが、基板30の温度を冷却ユニット26により下げることに代えて、基板30の周囲の湿度を高くし、乾燥体42の湿度を上昇させてもよい。この場合、基板30の周囲の湿度を高くするために、インク40aの分散媒成分を蒸発させた蒸気を加湿装置から噴出させればよい。
なお、上記第2の実施形態によるラインパターン形成装置10Aにおいても、冷却ユニット26を設けるようにしてもよい。この場合、冷却ユニットは、吐出部18と吐出部18Aとの間に設けるようにすればよい。
また、上記第1から第3の実施形態においては、計測部20により、あらかじめ第1の工程により形成される乾燥体42の断面形状を計測して、第2の工程における液体の吐出量を決定しているが、第1の工程が終了した後に計測部20による乾燥体42の断面形状の計測、および第2の工程における吐出量の決定を行い、決定された吐出量により第2の工程を行うようにしてもよい。これにより、実際のラインパターンに適合するように吐出量を決定できるため、ラインパターンの上部をより精度よく平坦にすることができる。
なお、上記第1から第3の実施形態のラインパターン形成方法によって、例えば、デバイスの配線パターンが形成される。
本実施形態において、デバイスとは、例えば、液晶表示装置、有機EL表示装置、およびプラズマ表示装置等の画像表示装置、プリント配線基板、アンテナ回路等であるが、デバイスは、これらに限定されるものではない。
また、このデバイスを備えた電子機器としては、例えば、テレビ、パソコン、携帯電話およびRFID等であるが、電子機器は、これらに限定されるものではない。
以上、本発明のラインパターン形成方法、デバイスおよび電子機器について詳細に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行ってもよいのは、もちろんである。
10,10A,10B ラインパターン形成装置
12a,12b ガイド
14 ステージ
16 駆動部
18,18A 吐出部(吐出手段)
20 計測部
22 制御部
24 ヒータ
26 冷却ユニット
30 基板
40 金属微粒子分散インク(インク)
42 乾燥体
42a 凹部
46 配線部

Claims (12)

  1. パターン形成材料を分散または溶解させた液体材料を基板上に滴下し、乾燥させる第1の工程と、
    前記液体材料が乾燥してなる乾燥体上に、前記液体材料を滴下する第2の工程とを有し、
    該第2の工程は、前記第1の工程よりも少ない吐出量により前記液体材料を滴下し、前記第1の工程および前記第2の工程における前記液体材料の前記基板への打摘ピッチをp、前記基板に着弾する前の前記液体材料の直径をd、前記基板に着弾して平衡状態となったときの前記液体材料の直径をdeqm、βeqm=deqm/d、前記基板と前記液体材料との接触角をθとしたとき、前記打摘ピッチpが、下記式(1)に示すジャギー発生限界以下となるように前記打摘ピッチを決定することを特徴とするラインパターン形成方法。
  2. 前記第2の工程における前記液体材料の吐出量が、(前記打滴ピッチp)×(前記乾燥体上に形成される凹部の断面積)により算出されてなることを特徴とする請求項1記載のラインパターン形成方法。
  3. 前記第2の工程における前記液体材料の吐出量が、(前記打滴ピッチp)×(前記乾燥体上に形成される凹部の断面積)に前記液体材料の蒸発体積分を加えることにより算出されてなることを特徴とする請求項1記載のラインパターン形成方法。
  4. 前記第1の工程において、前記基板上に滴下した前記液体材料を強制乾燥させることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載のラインパターン形成方法。
  5. 前記第2の工程において、前記基板を冷却するまたは前記基板の周囲の湿度を前記液体材料の分散媒成分を蒸発させた蒸気を噴出して高くすることにより、前記基板上に滴下した前記液体材料の蒸発量を小さくすることを特徴とする請求項1からのいずれか1項記載のラインパターン形成方法。
  6. 前記第1の工程および前記第2の工程において、同一の吐出手段により前記液体材料を吐出することを特徴とする請求項1からのいずれか1項記載のラインパターン形成方法。
  7. 前記第1の工程および前記第2の工程において、それぞれ異なる吐出手段により前記液体材料を吐出することを特徴とする請求項1からのいずれか1項記載のラインパターン形成方法。
  8. 前記液体材料は、インクジェット方式、またはディスペンサ方式の吐出手段により吐出されることを特徴とする請求項1からのいずれか1項記載のラインパターン形成方法。
  9. 前記パターン形成材料は、金属、該金属の酸化物または合金の微粒子であることを特徴とする請求項1からのいずれか1項記載のラインパターン形成方法。
  10. 前記金属は、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウムまたはスズであることを特徴とする請求項記載のラインパターン形成方法。
  11. 請求項1から10のいずれか1項に記載のラインパターン形成方法を用いて形成された部分を有することを特徴とするデバイス。
  12. 請求項11に記載のデバイスを備えた電子機器。
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