JP2016157134A - 表示装置 - Google Patents
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Abstract
イトより出射される光を有効に利用し、消費電力の低い表示装置を提供する。
【解決手段】複数の発光素子が配列された光源装置と、光源装置に固着された散乱板と、
散乱板に固着された第1の偏光板と、第1の偏光板に固着された液晶パネルと、液晶パネ
ルに固着された第2の偏光板と、を有する表示装置であって、該光源装置は、複数の発光
素子のそれぞれを覆う凸状の球面および透光性を有する有機樹脂と、複数の発光素子、お
よび、凸状の球面および透光性を有する有機樹脂を覆い、且つ表面が平坦化された透光性
を有する有機樹脂と、を有する表示装置である。
【選択図】図1
Description
置に関する。
escent Lamp:CCFL)が使用されている。しかしながら、冷陰極管は消費
電力が大きいため、近年、消費電力が少ない発光ダイオード(Light Emitti
ng Diode:LED)が、冷陰極管の代わりに使用され始めている(特許文献1参
照)。
光の輝度を高める必要がある。そのため、バックライトの発光素子である発光ダイオード
により多くの電流を流すことになり、消費電力が少ない発光ダイオードを用いても、バッ
クライトとしての消費電力は増大してしまう。そして、液晶表示装置が大型になるほど、
該消費電力の増大は顕著になる。
することである。さらに、バックライトより射出される光を有効に利用し、消費電力の低
い表示装置を提供することを課題とする。
えば発光ダイオード)を覆うように凸状の構造物を作り込むことである。これにより、発
光素子からの光の取り出し効率を向上させることができる。
て固体化(封止ともいえる)する。なお、本明細書では、発光素子および該発光素子の周
辺に設けられて固体化されたもの(1つに固着されたもの)を、バックライトモジュール
と記載する。
光板と、液晶パネルと、第2の偏光板を固体化(全ての部材を1つに固着すること)させ
ることができ、空気の層が介在されないためにバックライトモジュールから射出される光
を、液晶パネルに効率良く入射させることができる。つまり、発光素子からの射出される
光を効率良く利用することができ、バックライト(発光素子)の消費電力、さらには表示
装置の表示電力を低減させることができる。
れた散乱板と、散乱板に固着された第1の偏光板と、第1の偏光板に固着された液晶パネ
ルと、液晶パネルに固着された第2の偏光板と、を有する表示装置であって、該光源装置
は、複数の発光素子のそれぞれを覆う凸状の球面および透光性を有する有機樹脂と、複数
の発光素子、および、凸状の球面および透光性を有する有機樹脂を覆い、且つ表面が平坦
化された透光性を有する有機樹脂と、を有することを特徴とする表示装置である。
きる。
た散乱板と、散乱板に固着された光学部材と、光学部材と重畳する第1の偏光板と、第1
の偏光板に固着された液晶パネルと、液晶パネルに固着された第2の偏光板と、を有する
表示装置であって、該光源装置は、複数の発光素子のそれぞれを覆う凸状の球面および透
光性を有する有機樹脂と、複数の発光素子、および、凸状の球面および透光性を有する有
機樹脂を覆い、且つ表面が平坦化された透光性を有する有機樹脂と、を有することを特徴
とする表示装置である。
有する有機樹脂に作り込むことで、表示装置内において、散乱板を用いずに明るさの均一
な光を得ることができる。
れた第1の偏光板と、第1の偏光板に固着された液晶パネルと、液晶パネルに固着された
第2の偏光板と、を有する表示装置であって、該光源装置は、複数の発光素子のそれぞれ
を覆う凸状の球面および透光性を有する有機樹脂と、複数の発光素子、および、凸状の球
面および透光性を有する有機樹脂を覆い、且つ光を散乱させる形成物を含み、表面が平坦
化された透光性を有する有機樹脂と、を有することを特徴とする表示装置である。
とができる。
れた光学部材と、光学部材と重畳する第1の偏光板と、第1の偏光板に固着された液晶パ
ネルと、液晶パネルに固着された第2の偏光板と、を有する表示装置であって、該光源装
置は、複数の発光素子のそれぞれを覆う凸状の球面および透光性を有する有機樹脂と、複
数の発光素子、および、凸状の球面および透光性を有する有機樹脂を覆い、且つ光を散乱
させる形成物を含み、表面が平坦化された透光性を有する有機樹脂と、を有することを特
徴とする表示装置である。
カラー表示とすることができる。カラー表示を行うには液晶パネルに着色層を設ければよ
く、フルカラー表示とする場合には、赤(R)、緑(G)、青(B)の着色層を設ければ
よい。
いずに、白色の発光素子の代わりに、赤(R)色を呈色する発光素子、緑(G)色を呈色
する発光素子、青(B)色を呈色する発光素子を用いて、それら3色の発光素子を順次点
灯させ、色を切り替えてフルカラー表示をするフィールドシーケンシャル方式を用いるこ
ともできる。
を所望の形の光にして取り出すことができるようにするため、凸状の球面および透光性を
有する有機樹脂における光屈折率は、表面が平坦化された透光性を有する有機樹脂の光屈
折率より大きくすることが好ましい。
イトからの光の透過率を、MEMS(Micro Electro Mechanica
l Systems)によって制御する表示装置を作製できる。この表示装置は、着色層
なしにカラー表示することができる。
れた散乱板と、散乱板に固着された透光性を有する一対の基板と、一対の基板の間に形成
された開口部を有する反射層と、開口部に対応して設けられたシャッタを有する移動可能
な微小構造体と、微小構造体に接続されたトランジスタと、を有する表示装置であって、
該光源装置は、複数の発光素子のそれぞれを覆う凸状の球面および透光性を有する有機樹
脂と、複数の発光素子および凸状の球面および透光性を有する有機樹脂を覆い、且つ表面
が平坦化された透光性を有する有機樹脂と、を有することを特徴とする表示装置である。
設けることや、光を散乱させる形成物をバックライトモジュールに作り込むことができる
。
近傍に設けられる第2の可動電極と、シャッタの他方の辺に接続するスプリングと、を有
している。上記第1の可動電極及びスプリングは、共通電極または接地電極に電気的に接
続されており、上記第2の可動電極は、上記トランジスタに電気的に接続されている。さ
らに、上記微小構造体が有するシャッタは、第1の基板表面に対して平行な方向へ移動す
ることを特徴とする。
。さらに、バックライトより射出される光を有効に利用し、消費電力の低い表示装置を提
供することができる。
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は、以下に
示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明
の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。ま
た、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある
。なお、各図面において示す各構成の、大きさ、層の厚さ、又は領域は、明瞭化のために
誇張されて表記している場合がある。従って、必ずしもそのスケールに限定されない。な
お、構造物の全てを図にかき表せない場合、図の省略を2重の斜め二点鎖線を用いて表す
場合がある。
と、AとBとが直接接続されている場合とを含むものとする。ここで、A、Bは、対象物
(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。
中にある単位電荷が持つ静電エネルギー(電気的な位置エネルギー)のことをいう。ただ
し、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位(例えば接地電位)との電位差の
ことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い
。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、
電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
は入れ替わることがある。このため、本明細書においては、「ソース」や「ドレイン」の
用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
本実施の形態では、本発明の一態様である液晶表示装置のバックライトモジュールについ
て説明する。本発明の一態様であるバックライトモジュールは、直下型のバックライトモ
ジュールである。
。バックライトモジュール100は、基板101上に複数の発光素子(例えば発光ダイオ
ード)を有している。複数の発光素子のうち、いくつかの発光素子を配線111で直列接
続させ、1つの発光素子ユニット(図1(A)における点線103)とし、該発光素子ユ
ニットが複数形成されている。例えば、本実施の形態では、5つの発光素子を直列接続さ
せたものを、1つの発光素子ユニットとする。各々の発光素子ユニットは、それぞれコネ
クタ105によって、他の発光素子ユニットと電気的に接続されている。さらに基板端部
の発光素子ユニットは、コネクタ155および配線157によって、後述する制御回路基
板107と電気的に接続されている。さらに、基板101に形成される複数の発光素子ユ
ニットは、透光性を有する有機樹脂106で覆われている。
るが、本実施の形態は、発光素子を発光ダイオード(LED)として説明する。そのため
、本明細書において、発光素子はLEDと読み替えることができるし、LEDは発光素子
と読み替えることができる。
を用いて説明する。図1(B)は、点線103の拡大図である。
いる。LEDチップ109と配線111の一部は、凸状の球面および透光性を有する有機
樹脂113で覆われている。そして、凸状の球面および透光性を有する有機樹脂113は
、LEDチップ109の数だけ設けられ、凸状の球面および透光性を有する有機樹脂11
3の間には、反射シート115が複数形成されている。また、LEDユニットの電源や点
灯の制御を行う制御回路基板107は、基板101の裏側に形成されるため、配線は基板
101の端部を沿うように引き回され、コネクタ155および配線157によって、LE
Dユニットと電気的に接続する。基板101、LEDチップ109、配線111、凸状の
球面および透光性を有する有機樹脂113、コネクタ155および反射シート115は、
透光性を有する有機樹脂106に覆われている。さらに、透光性を有する有機樹脂106
の表面は平坦化されている。
ら光屈折率の小さい媒体に進む際には、その界面で光の屈折また反射が生じる。従来の表
示装置には、空気の層が含まれているものが多い。空気の光の屈折率は約1であることか
ら、光源からの光は屈折や反射されることになり、光源からの光を効率良く利用すること
ができていない。そこで、光源である発光素子を、空気より屈折率の大きな部材で覆うこ
とにより、発光素子からの光の反射を抑制することができ、光の取り出し効率を向上させ
ることができる。さらに、詳細は後述するが、液晶表示装置を構成する部材を空気より屈
折率が大きく、透光性を有する部材で固体化させることにより、液晶表示装置内における
屈折率の変化が小さくなり、光の反射が抑制され、発光素子からの光を効率良く利用する
ことできる。
に広がる光を所望の形の光にして取り出すことができる。さらに、LEDチップ109と
凸状の球面および透光性を有する有機樹脂113との間には空気の層が無いために、光の
反射を抑制することができ、LEDチップ109からの光を効率良く拡散させることがで
きる。
にさせるために、有機樹脂106の光屈折率は、凸状の球面および透光性を有する有機樹
脂113と異なるようにする必要がある。例えば、光学設計しやすさを考慮して、凸状の
球面および透光性を有する有機樹脂113の屈折率が、有機樹脂106の屈折率より大き
くすればよい。その際、互いの界面において、光の反射が生じないようにできる限り屈折
率の差を小さくすることが好ましい。
て効率良くバックライトモジュールから射出される。なお、光の反射を最小限に抑制でき
ても、光の反射を全てなくすことはできないため、バックライトモジュールの中の反射光
は、反射シート115によって、バックライトモジュールから射出されるように導光され
る。
ついて説明するために凸状の球面および透光性を有する有機樹脂113を図示していない
。LEDチップ109はLED搭載台119上に設けられている。LED搭載台119は
、耐熱性を有する有機樹脂などで形成される。LED搭載台119に搭載されるLEDチ
ップの数は1つでもよいし、所望の光量に応じて複数にすることもできるが、本実施の形
態では1つ設けている。なお、LED搭載台119を設けない構成であっても良い。LE
Dチップを複数設ける場合は、配線を用いて各々のLEDチップを直列に接続すればよい
。LEDチップ109は、端子電極123と電気的に接続されている電極125と接続用
配線127によって電気的に接続されている。端子電極123は配線111に重畳するよ
うに形成される。LEDチップ109と電極125を電気的に接続する接続用配線127
は、ワイヤボンディング法やフリップチップ法などを用いて形成すればよい。
光が射出されるようにしてある。これは、液晶表示装置に着色層(カラーフィルタ)を用
いてフルカラー表示するためである(詳細は後述)。LEDチップ109は青色に発光す
るLEDチップを用いて、蛍光体129は黄色の蛍光を示す蛍光体を用いれば、白色の光
を射出させることができる。なお、赤(R)色を呈色する発光素子、緑(G)色を呈色す
る発光素子、青(B)色を呈色する発光素子のLEDチップを用いて、三色を混合するこ
とで、白色の光を射出させることもできる。さらには、近紫外線領域の波長を射出するL
EDまたは紫色LEDによって、赤(R)、緑(G)、青(B)の蛍光体を光らせ、白色
の光を射出させることもできる。
合は、蛍光体を用いずに赤(R)色を呈色する発光素子、緑(G)色を呈色する発光素子
、青(B)色を呈色する発光素子のLEDチップを、それぞれ等間隔に設ければよい。
特に限定はない。たとえば、ガラス基板や、プラスチック基板、プリント基板である。具
体例としては、ガラスエポキシ樹脂基板、ポリイミド基板、セラミック基板、アルミナ基
板、窒化アルミニウム基板などがある。
を用意すれば、後述する配線111を、蒸着法、スパッタリング法、液滴吐出法(インク
ジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等)、または塗布法などで成膜する必要が
ないので、歩留まり良く作製することができる。
ウム、ニッケル、銅、銀、白金、または金から選ばれた一元素、或いは該元素を50%以
上含む合金材料がある。これらを蒸着法などで形成すればよい。また、スパッタリング法
などマスクを用いずに成膜する場合には、配線111がLEDとショートしないように、
フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程を用いて電気的に分離させる必要がある。
さらに、配線111を、液滴吐出法や塗布法などを用いて形成してもよい。また、基板1
01表面に配線111を設けてあるため、配線111を、反射シート115の代わりに反
射膜として用いることもできる。なお、プリント基板のように、あらかじめ配線111が
形成された基板を用いる際は、反射シート115を用いることが特に好ましい。
ある。代表例としては、酸化亜鉛、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化シリコン、窒化ホ
ウ素など無機顔料または有機顔料等の白色塗料が表面に印刷または塗装されたプラスチッ
ク、上記無機顔料または有機顔料等の白色塗料が混合されたプラスチック等があり、当該
プラスチックとしては、PET、ポリエステル、ポリオレフィン等がある。また、蛍光材
を含む発泡性PETを用いることができる。または、反射シート115の代わりに、基板
101及び配線111上に白色ソルダーレジストが塗布されてもよい。反射シート115
または白色ソルダーレジストにより、LEDチップ109から発光され、基板101側に
射出した光を、反射させることができる。
使うことができる。例えば、ピン挿入型のLEDなどを用いることができる。本実施の形
態では、青色のLEDと黄色の蛍光を示す蛍光体から白色の光を射出させる。青色のLE
Dとしては市販品でもよく、例えば、III族窒化物系化合物半導体からなるものがある
。III族窒化物系化合物半導体の一例としては、InxAlyGa1−x−yN(xは
0以上1以下,yは0以上1以下,x+yは0以上1以下)の式で表されるGaN系半導
体を有するものがある。
ることができ、液滴吐出法や塗布法などを用いて金属または合金の膜を形成する。また、
金属や合金の粒子を分散させた導電性ペーストを用いても形成してもよい。導電性ペース
トは、スズ、銀、ビスマス、銅、インジウム、ニッケル、アンチモン、亜鉛等を複数含む
合金で形成される。
とができる。例えば、YAG(イットリウム アルミニウム ガーネット)蛍光体、また
は珪酸塩系蛍光体を分散させた樹脂を用いて、液滴吐出法や塗布法でLEDチップ109
を覆えばよい。
極123とを容易に電気的接続させるために設けられる。配線111で説明したものを用
いることができる。
む合金、銅、または銅を含む合金で形成された金属の細線を用いたワイヤボンディング法
、または異方性導電接着材を用いたフリップチップ法などを用いて形成すればよく、金属
や合金の粒子を分散させた上記導電性ペーストを用いて、液滴吐出法や塗布法などで形成
してもよい。
る有機樹脂113を形成する。形成する有機樹脂の種類には特に限定はなく、熱硬化性樹
脂、あるいは紫外線硬化性樹脂、可視光硬化性樹脂などを適宜用いることができる。代表
的なものとして、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等がある。所望の形の光が射出されるよ
うに、上記透光性を有する有機樹脂の高さ、幅、曲率半径を決めて形成する。液滴吐出法
、塗布法、またインプリント法などで形成してもよい。あらかじめ凸状に型取られた有機
樹脂113を加熱しながら押し固めてもよい。
に上記列挙した材料を用いて形成する。あらかじめ形成してあるシート状のものを配置し
てもよいし、上記列挙した材料を液滴吐出法、塗布法などで形成してもよい。
いて、表面が平坦となるように形成する。このとき、凸状の球面および透光性を有する有
機樹脂113との界面に空気が含まれないように形成する。さらに、有機樹脂106にて
、凸状の球面および透光性を有する有機樹脂113から射出される光の明るさが均一にで
きるような光屈折率を有する材料であり、凸状の球面および透光性を有する有機樹脂11
3の光屈折率に近いものを選択する。選択する材料に応じて、液滴吐出法、塗布法、スピ
ンコート、ディップなどの方法で形成する。また、ドクターナイフ、ロールコーター、カ
ーテンコーター、ナイフコーター等の器具を用いて形成してもよい。
抑制することができ、光の取り出し効率を向上させることができる。これにより、バック
ライト(発光素子)の消費電力、さらには表示装置の表示電力を低減させることができる
。
本実施の形態では、実施の形態1で説明したバックライトモジュールを用いた液晶表示装
置について説明する。
ちらにおいても実施可能である。図2(A)は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置
200の構成を示すブロック図である。
動回路214と、走査線駆動回路211と、画素部210に光を入射させるバックライト
モジュール100と、バックライトモジュール100に含まれるLEDに送る信号を制御
するLED制御回路212とを有している。加えて、液晶表示装置200は、画像処理回
路(画像エンジン)など液晶表示装置を動作させるために必要な回路を有するものである
。また、信号線駆動回路214、走査線駆動回路211、LED制御回路212および画
像処理回路は、図1に示した制御回路基板107に設けられている。また、信号線駆動回
路214、走査線駆動回路211、LED制御回路212および画像処理回路は、論理回
路部と、スイッチ部またはバッファ部とに大別されるが、回路の構成については詳細を省
略する。また、上記回路の一部または全部をIC等の半導体装置で実装してもよい。
駆動回路211は、画素215を駆動するための回路であり、パルス信号である複数の表
示選択信号を出力する機能を有する。また、信号線駆動回路214は、入力された画像信
号をもとに表示データ信号を生成し、生成した表示データ信号を後述の信号線217に印
加する機能を有する。
ンジスタ(主に薄膜トランジスタ:TFT)が配置されている。ゲート電極が走査線21
9に電気的に接続され、ソース電極が信号線217に電気的に接続されたトランジスタ2
21と、一方の電極がトランジスタ221のドレイン電極に電気的に接続され、他方の電
極が一定の電位を供給する配線(容量線ともいう)に電気的に接続された保持容量素子2
23と、一方の電極(画素電極ともいう)がトランジスタ221のドレイン電極及び保持
容量素子223の一方の電極に電気的に接続され、他方の電極(対向電極ともいう)が対
向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子225と、を有する。
過を制御することで画像を表示する。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界
(横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む)によって制御される。
の形態1に示すバックライトモジュール100と、バックライトモジュール100に重畳
する散乱板301と、バックライトモジュール100および散乱板301に重畳する第1
の偏光板303と、バックライトモジュール100、散乱板301、および第1の偏光板
303と重畳する液晶パネル305と、バックライトモジュール100、散乱板301、
第1の偏光板303、および液晶パネル305に重畳する第2の偏光板307を有してい
る。
よいが、本実施の形態ではバックライトモジュール100(制御回路基板107)に設け
られているため、液晶パネル305と配線309とで電気的に接続されている。
晶パネル305、および第2の偏光板307を重畳させて配置するだけでも液晶表示装置
として機能するが、液晶表示装置を構成する部材の散乱板301、第1の偏光板303、
液晶パネル305、第2の偏光板307は、それぞれ固有の光屈折率を有しており、それ
は空気の光屈折率よりも大きい。このため、上記部材を重畳させるだけでは、各部材との
間に空気の層が含まれることとなり、バックライト(発光素子)から射出される光のいく
らかが各部材と空気の層との界面で反射される。つまり、液晶表示装置から射出される光
の量はバックライト(発光素子)から射出される光の量と比べて、少なくなっており、バ
ックライト(発光素子)から射出される光を効率良く利用できていない。そこで、液晶表
示装置200は、バックライト(発光素子)から射出される光を効率良く利用するために
、液晶表示装置200を構成する各部材同士が、透光性を有する接着剤で固着されている
。
乱板301、第1の偏光板303、液晶パネル305、および第2の偏光板307がそれ
ぞれ重畳し、且つすべてが固着され、固体化されている(1つに固着されている)。全て
の部材が固体化した液晶表示装置200は、液晶表示装置200内において、光屈折率の
差が小さくなっており、液晶表示装置200内での光の反射が抑制されるため、バックラ
イト(発光素子)から射出される光を効率良く利用することができる。これにより、バッ
クライト(発光素子)の消費電力、さらには表示装置の表示電力を低減させることができ
る。
05とバックライトモジュール100の間に適宜、輝度を向上させる光学部材を用いるこ
とができる。その際、輝度を向上させる光学部材は、液晶表示装置200を構成する部材
と固着させる。なお、輝度を向上させる光学部材は、後述する輝度向上シートなどを用い
ることができる。
従来から用いられているものを使用することができる。例えば、市販品でもよく、透光性
を有する有機樹脂で形成されているものを用いることができる。さらに、液晶表示装置2
00を構成する他の部材と、できる限り光屈折率が同程度のものを使用することが好まし
い。なお、散乱板301は板状のものであってもシート状(フィルム状)のものであって
もよい。
る。接着剤311は、透光性を有する接着剤であり、バックライトモジュール100と散
乱板301と、できる限り光屈折率が同程度のものを使用することが好ましい。例えば、
エポキシ樹脂を含む接着剤、ウレタン樹脂を含む接着剤、またはシリコーン樹脂を含む接
着剤などを用いることができる。選択する材料に応じて、液滴吐出法、塗布法、スピンコ
ート、ディップなどの方法で形成する。また、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテ
ンコーター、ナイフコーター等の器具を用いて形成してもよい。
出される光を偏光できれば特に限定はない。市販品でもよく、従来から用いられているも
のを使用することができる。例えば、ポリビニルアルコールなどの高分子で構成されてい
る偏光板を用いることができる。第1の偏光板303は板状のものであってもシート状(
フィルム状)のものであってもよい。さらに、液晶表示装置200を構成する他の部材と
、できる限り光屈折率が同程度のものを使用することが好ましい。
接着剤313によって貼り付けられる。接着剤313は、接着剤311と同様のものを用
いることができる。
と示す。)と、素子層317上に形成された画素電極319と、対向基板321に接して
形成された共通画素電極323と、シール材料325と、入射される光を透過または遮断
させる液晶327とで構成されている。また、図3には図示していないが、画素電極31
9と共通画素電極323との間の距離(セルギャップ)を一定に制御するためにスペーサ
が設けられていている。スペーサとしては、ビーズスペーサや、絶縁膜を選択的にエッチ
ングすることで得られるスペーサ(ポストスペーサ)を用いることができる。
イ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、本液晶表示装置2
00および素子層317の作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチ
ック基板などを用いることができる。また、基板315および対向基板321として、第
3世代(550mm×650mm)、第3.5世代(600mm×720mm、または6
20mm×750mm)、第4世代(680mm×880mm、または730mm×92
0mm)、第5世代(1100mm×1300mm)、第6世代(1500mm×185
0mm)、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×240
0mm)、第9世代(2400mm×2800mm、2450mm×3050mm)、第
10世代(2950mm×3400mm)等のガラス基板を用いることができる。
ンジスタについては後述するが、トランジスタは、さまざまな状況下でも液晶表示装置と
して機能するために必要な特性(例えば、高温下でも、低温下でも動作する良好な温度特
性)を有する半導体をチャネルに有することが好ましい。アモルファスシリコンを用いる
ことはできるが、より温度特性の良好な半導体の代表例としては、複数の結晶領域を持つ
微結晶シリコンや、ポリシリコン等がある。また、酸化物半導体も用いることができ、酸
化物半導体としては、In−Ga−Zn−O系酸化物等がある。また、これらの半導体を
用いたトランジスタは、バックライトモジュール100(特に発光素子)の発熱や、外光
からの熱によって高温化する場合でも、しきい値電圧の変動が少なく、信頼性が高いため
、温度変化の大きな環境下においても高性能に動作する。
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ま
たは酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いて
形成することができる。
ともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形
成した画素電極は、シート抵抗が10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率
が70%以上であることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗
率が0.1Ω・cm以下であることが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、またはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合
体若しくはその誘導体等が挙げられる。
の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む)によって制御される。液晶327の
種類および液晶素子の駆動モードとしては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメ
クチック液晶、ディスコチック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶(ライ
オトロピック液晶)、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶
、側鎖型高分子液晶、プラズマアドレス液晶(PALC)、バナナ型液晶、TN(Twi
sted Nematic)モード、STN(Super Twisted Nemat
ic)モード、IPS(In−Plane−Switching)モード、FFS(Fr
inge Field Switching)モード、MVA(Multi−domai
n Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned V
ertical Alignment)、ASV(Advanced Super Vi
ew)モード、ASM(Axially Symmetric aligned Mic
ro−cell)モード、OCB(Optical Compensated Bire
fringence)モード、ECB(Electrically Controlle
d Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric Li
quid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric
Liquid Crystal)モード、PDLC(Polymer Disperse
d Liquid Crystal)モード、ゲストホストモード等を用いることができ
る。ただし、これに限定されず、液晶素子として様々なものを用いることができる。また
、配向膜を用いてラビング工程を行うことで、液晶327が配向しやすくなる。
は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等
方相へ転移する直前に発現する相である。なお、ブルー相は、狭い温度範囲でしか発現し
ないため、温度範囲を改善するために、カイラル剤を混合させた液晶組成物を液晶327
に適用することが好ましい。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応
答速度が10μs〜100μsと短く、光学的に等方性であるため配向処理が不要であり
、視野角依存性が小さい。
ける。
脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン樹脂などを
用いることができる。また、光(代表的には紫外線)重合開始剤、熱硬化剤、フィラー、
カップリング剤を含んでもよい。
第1の偏光板303と、接着剤329によって貼り付けられる。接着剤329は、接着剤
311と同様のものを用いることができる。
5から射出される光を偏光できれば特に限定はない。第1の偏光板303と同じものを用
いることができる。また、液晶表示装置200を構成する他の部材と、できる限り光屈折
率が同程度のものを使用することが好ましい。第1の偏光板303のスリットに対して、
第2の偏光板307のスリットが直交するように設ける。第2の偏光板307は、板状の
ものであってもシート状(フィルム状)のものであってもよい。
板303と固体化された液晶パネル305と、接着剤331によって貼り付けられる。接
着剤331は、接着剤311と同様のものを用いることができる。
晶表示装置200を構成する部材について、市販されているものや、従来から用いられて
いるものを使用できるとしているが、本発明の効果をさらに得るために、接着剤311、
313、329の光屈折率を考慮して、新たに光学設計された散乱板301、第1の偏光
板303、液晶パネル305、および第2の偏光板307を用いて、液晶表示装置200
を作製してもよい。
れ、散乱板301で明るさが均一になった光の正面輝度を向上させる光学部材を、散乱板
301と第1の偏光板303の間に設けた液晶表示装置300について説明する。
を構成する全ての部材が固体化されていない。液晶表示装置の画素部の正面輝度を向上さ
せる光学部材333としては、プリズムシートや、マイクロレンズシートなどの輝度向上
シート(フィルム)であり、液晶パネル305に対してできる限り垂直な光を入射させる
ための光学部材である。市販されているプリズムシートやマイクロレンズシートは、空気
の屈折率に対して光学設計されており、凹凸の加工が難しく高価な光学部材である。その
ため、液晶表示装置200のようにすべての部材を固体化するための接着剤311、31
3、329、331の屈折率を考慮したプリズムシートや、マイクロレンズシートを加工
作製することは、液晶表示装置の作製コストの面から考えて有効ではない。つまり、液晶
表示装置300は、部材コストが高価であり、画素部の正面輝度を向上させる光学部材3
33と、第1の偏光板303の間だけは固着されない液晶表示装置である。
のであり、同様にして作製できる。
剤313によって固体化されている。光学部材333は上記したように市販されているま
たは従来から用いられているプリズムシートやマイクロレンズシートなどの輝度向上シー
ト(フィルム)を用いることができる。1種類の輝度向上シート(フィルム)を1つ(例
えば、1種類のプリズムシートを1つ)だけ用いてもよいが、異なる種類のものを複数用
いてもよい。これにより、液晶表示装置の画素部の正面輝度を向上させることができる。
なお、複数の輝度向上シート(フィルム)間には、空気が含まれるように配置すればよい
。
装置200で説明したものであり、同様にして作製できる。さらに、各々は、接着剤32
9、331で固体化されている。
偏光板303と第2の偏光板307が固体化された液晶表示装置200で説明した液晶パ
ネル305を重畳させることで、液晶表示装置300を作製することができる。
トモジュール100から射出される光の明るさを均一にする方法について説明する。方法
としては、散乱部材をバックライトモジュール100内の表面が平坦化され、且つ透光性
を有する有機樹脂106(図1を参照。)に作り込むことである。有機樹脂106内に光
屈折率の異なる有機樹脂を含ませればよい。そのとき散乱部材の形状は粒子状でもよいし
、多角形状でもよく、有機樹脂106内に凹凸を形成できればよい。作製方法としては、
LEDチップ109を覆う凸状の球面および透光性を有する有機樹脂113、コネクタ1
05および反射シート115の上に、空気が含まれないように第1の有機樹脂を、所望の
厚さ、所望の形状に(凹凸ができるように)形成する。次に、第1の有機樹脂の上に、第
1の有機樹脂の光屈折率と異なる第2の有機樹脂を、表面が平坦化されるように形成する
。第1の有機樹脂および第2の有機樹脂は、実施の形態1で説明した凸状の球面および透
光性を有する有機樹脂113および有機樹脂106で説明した方法を用いて形成すればよ
い。なお、第1の有機樹脂は粒子状の有機樹脂を散布してもよい。このようにすることで
、部材コストを抑えて、液晶表示装置を作製することができる。
ことができる。具体的には、液晶表示装置にカラーフィルタとして機能する着色層を設け
る。フルカラー表示とする場合は、カラーフィルタを赤色(R)、緑色(G)、青色(B
)を呈する材料から形成すればよく、モノクロ以外のモノカラー表示とする場合は、少な
くとも一つの色を呈する材料から形成すればよい。
特に素子層317)に設けることができ、対向基板321側(対向基板321と共通画素
電極323)に設けることもできる。また、液晶パネル305の対向基板321の外側(
対向基板321を介して液晶327と反対側)に設けてもよい。その際、対向基板321
と第2の偏光板307との間に設けて、対向基板321、カラーフィルタ、および第2の
偏光板307の間は接着剤で貼り合わせる。
て形成する。カラーフィルタの作製方法としては、着色樹脂を用いたエッチング法、カラ
ーレジストを用いたカラーレジスト法、染色法、電着法、ミセル電解法、電着転写法、フ
ィルム分散法、インクジェット法、銀塩発色法などがある。
を適宜制御するとよい。
して設けてもよいし、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の場合、素子層317に含
まれる層間絶縁膜として作り込むこともできる。例えば、層間絶縁膜に、カラーフィルタ
として機能する有彩色の透光性樹脂を用いる構成とすればよい。
素領域の位置あわせの誤差問題が生じず、より精密な形成領域の制御ができ、微細なパタ
ーンの画素にも対応することができる。また、層間絶縁膜とカラーフィルタを同一の絶縁
膜で兼ねるので、工程簡略化、低コスト化といった利点もある。
性の有機樹脂を用いることができる。感光性の有機樹脂層を用いるとレジストマスク数を
削減することができるため、工程が簡略化し好ましい。
させるため、その着色された有彩色の光のみを透過する材料で形成される。有彩色として
は、赤色、緑色、青色などを用いることができる。また、シアン、マゼンダ、イエロー(
黄)などを用いてもよい。着色された有彩色の光のみを透過するとは、着色層において透
過する光は、その有彩色の光の波長にピークを有するということである。
に起因する凹凸を液晶パネル305に有する場合は、可視光領域の波長の光を透過する(
いわゆる無色透明)絶縁膜を積層し、平坦化してもよい。平坦性を高めるとその上に形成
される画素電極などの被覆性もよく、かつセルギャップを均一にすることができるため、
より液晶表示装置の視認性を向上させ、高画質化が可能になる。
ユニットの駆動方法について説明する。
の液晶によって光の透過または非透過を制御することで画像を表示させることは、複雑な
発光素子制御回路を必要としないため簡便である(図4(A)を参照。)。
力のうち、大部分を占めると言われる。つまり、バックライト(発光素子)を常に点灯さ
せておくことは、消費電力の観点から好ましくない。
LEDユニットの駆動方法として、LEDユニットを複数の領域に分け、表示画像データ
濃淡に合わせて、LEDユニット自体も領域ごとに明暗を付けるローカルディミング(局
所的調光)という方法がある(図4(B)参照。)。つまり、画像の黒い部分に対応する
LEDユニットの領域は、LEDユニットの輝度を下げ、画像の明るい部分に対応するL
EDユニットの領域は、LEDユニットの輝度を上げる。この方法でLEDユニットを駆
動させることにより、画像のコントラスト比を向上させ、バックライト(発光素子)低消
費電力化を可能にすることができる。
ラーフィルタとでフルカラー表示する方法とは異なるフルカラー表示方法を説明する。
緑(G)色を呈色する発光素子、青(B)色を呈色する発光素子のLEDを用いて、それ
ぞれのLEDから射出される光の色を、単位期間毎に異なる色に切り替えることにより、
フルカラー表示をするものである(フィールドシーケンシャル方式ともいう。)。特に、
色割れ現象を抑えて、表示画像の画質を向上させることができるフィールドシーケンシャ
ル方式について、図2および図5を用いて説明する。
信号である複数の表示選択信号を出力する機能を有する。走査線駆動回路211は、例え
ばシフトレジスタを備える。走査線駆動回路211は、シフトレジスタからパルス信号を
出力させることにより、表示選択信号を出力することができる。さらに、出力された表示
選択信号は対応する画素215に入力される。
力された画像信号をもとに表示データ信号を生成し、生成した表示データ信号を出力する
機能を有する。信号線駆動回路214は、例えばスイッチング素子(トランジスタ:主に
薄膜トランジスタ)を備える。信号線駆動回路214は、トランジスタがオン状態のとき
に画像信号のデータを表示データ信号として出力することができる。トランジスタは、電
流制御端子にパルス信号である制御信号を入力することにより制御することができる。な
お、複数のトランジスタを選択的にオン状態またはオフ状態にすることにより、画像信号
のデータを複数の表示データ信号として複数の画素215に出力してもよい。
り、複数行に配列された複数の発光ダイオード群を含むとする。
自然数)に配置され、バックライトモジュール100に重畳する。例えば、各行の画素2
15は、バックライトモジュール100におけるいずれか1行の発光ダイオード群に重畳
する。また、画素215には、パルス信号である表示選択信号が入力され、且つ入力され
た表示選択信号に従って表示データ信号が入力される。
備えていることから、表示選択用のトランジスタによって、液晶素子225に表示データ
信号のデータを入力させるか否かを選択している。
ことにより、表示データ信号のデータに応じた表示状態になる機能を有する。
光動作と、をZ回(Zは3以上の自然数)繰り返し行う。
、本実施の形態に示す液晶表示装置では、1行以上の画素及び1行以上の発光ダイオード
群毎に複数の表示領域に分け、複数の表示領域のそれぞれにおいて、各行の画素215に
異なる表示選択信号のパルスを順次入力する。
ートパルス信号のパルスを入力し、該シフトレジスタの複数のパルス信号において順次パ
ルスを出力させる。さらに、該シフトレジスタの複数のパルス信号において順次パルスが
出力されている間に、再度スタートパルス信号のパルスを入力することにより、複数の表
示領域において、各行の画素215に異なる表示選択信号のパルスを順次入力する動作を
、繰り返し行うことができる。
入力され、画素215は、書き込み状態(状態wtともいう)になる。さらに、表示選択
信号のパルスが入力された後、画素215は、入力された表示データに応じた表示状態(
状態hldともいう)になる。
光ダイオード、緑色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードの一つ又は複数を発光させ
る。例えば、1行以上の画素215に表示選択信号のパルスが入力される毎に、上記複数
の表示領域のそれぞれにおいて、異なる行の発光ダイオード群の赤色発光ダイオード、緑
色発光ダイオード、及び青色発光ダイオードの一つ又は複数のうち、複数の表示領域で異
なる色を呈する発光ダイオードを発光させる。これにより、表示選択信号のパルスが入力
された画素に、発光ダイオード群から光が順次照射される。
然数)の発光動作では、K−1回目の発光動作のときと異なる色を呈する発光ダイオード
を発光させる。例えば、K回目の発光動作では、複数の表示領域のそれぞれにおいてK−
1回目の発光動作のときと異なる色を呈する発光ダイオードを発光させる。
5を用いて説明する。図5は、本実施の形態で説明するフィールドシーケンシャル方式の
駆動方法例を説明するためのタイミングチャートである。
5に示すように、第1の表示領域における複数の画素215を、複数の行の画素215毎
に、第1のグループの画素215(画素PIX_G(1)ともいう)乃至第5のグループ
の画素215(画素PIX_G(5)ともいう)に分け、第2の表示領域における複数の
画素215を、複数の行の画素215毎に、第6のグループの画素215(画素PIX_
G(6)ともいう)乃至第10のグループの画素215(画素PIX_G(10)ともい
う)に分け、第3の表示領域における複数の画素215を、複数の行の画素215毎に、
第11のグループの画素215(画素PIX_G(11)ともいう)乃至第15のグルー
プの画素215(画素PIX_G(15)ともいう)に分ける。なお、各グループにおけ
る画素215の行数は、5行ずつに限定されない。
おける画素215を書き込み状態(状態wt)にしていく。このとき、各グループにおい
て、最初の行の画素215から行毎に順次書き込み状態にし、画素215を入力された表
示データに応じた表示状態(状態hld)にする。また、バックライトモジュール100
に含まれる発光ダイオード群を適宜消灯状態(状態offともいう)にして書き込み動作
を行っている画素にLEDチップ109から光を照射しない。
ープの画素215を書き込み状態にしていく毎に、異なる行のLEDチップ109におけ
る発光ダイオード群の赤色のLED、緑色のLED、及び青色のLEDの一つ又は複数の
うち、第1の表示領域乃至第3の表示領域のそれぞれで異なる色を呈するLEDを発光さ
せて表示データが入力されたグループの画素215毎に、バックライトモジュール100
から光を照射する。
表示領域のそれぞれにおいてK−1回目の発光動作のときと異なる色を呈する発光ダイオ
ードを発光させる。
に各行の発光ダイオード群におけるLEDを発光させ、第2の表示領域では、青色、赤色
、緑色の順に各行の発光ダイオード群におけるLEDを発光させ、第3の表示領域では、
緑色、青色、赤色の順に各行の発光ダイオード群におけるLEDを発光させることにより
、発光動作を行ってもよい。なお、発光させるLEDの色及び順序はこれに限るものでは
ない。
び青色、青色及び赤色の順に各行の発光ダイオード群におけるLEDを発光させ、第2の
表示領域では、青色及び赤色、赤色、緑色、青色、赤色及び緑色、緑色及び青色の順に各
行の発光ダイオード群におけるLEDを発光させ、第3の表示領域では、緑色及び青色、
青色及び赤色、赤色、緑色、青色、赤色及び緑色の順に各行の発光ダイオード群における
LEDを発光させることにより、発光動作を行ってもよい。
び1行以上の発光ダイオード群毎に分けられた複数の表示領域のそれぞれにおいて、各行
の画素毎に表示選択信号のパルスを順次入力する入力動作と、複数の表示領域のそれぞれ
において、1行以上の画素に表示選択信号のパルスが入力される毎に、複数の表示領域の
それぞれにおいて、異なる行の発光ダイオード群の赤色のLED、緑色のLED、及び青
色のLEDの一つ又は複数のうち、複数の表示領域のそれぞれで異なる色のLEDを発光
させる発光動作と、をZ回繰り返し行い、K回目の発光動作では、複数の表示領域のそれ
ぞれにおいてK−1回目の発光動作のときと異なる色を呈するLEDを発光させる構成で
ある。
タの書き込み動作を並列に行うため、全ての画素におけるデータ書き込み時間を短縮する
ことができる。よって、表示データの書き込み回数を多くすることが容易になり、色割れ
現象を低減しやすくなる。
ープの画素回路に表示データ信号のデータを書き込むことができるため、最低限必要な動
作時間を短縮することができる。よって、表示データの書き込み回数を多くすることが容
易になり、色割れ現象を低減しやすくなる。
ル方式の駆動方法に用いることができるアクティブマトリクス型について、図2および図
6を用いて説明する。
図中上下方向に延伸)かつ互いに離間した状態で配置されている。複数の走査線219(
ゲート電極401aを含む)は、信号線217に略直交する方向(図中左右方向)に延伸
し、かつ互いに離間するように配置されている。複数の信号線217は、信号線駆動回路
214(図2(A)参照。)に繋がっており、複数の走査線219、および容量配線40
3は走査線駆動回路211(図2(A)参照。)に繋がっている。
、走査線219に平行な方向、つまり、信号線217に略直交する方向(図中左右方向)
に延伸している。保持容量素子223は、図6(A)の点線で囲まれた箇所であり、ゲー
ト絶縁膜402を誘電体として、容量配線403とドレイン配線409(ドレイン電極4
09aを含む)とで構成されている。画素電極319はドレイン電極409aと開口部4
50で電気的に接続されている。
電極319及びトランジスタ221は、マトリクス状に複数配置されている。
の走査線とゲート絶縁膜および他の絶縁膜を介して重ねて、保持容量素子を形成してもよ
い。この場合、容量配線を省略することができ、画素における開口率を高めることができ
る。
分断されている箇所は、図6(A)のA−B間において省略されている箇所である。
型の薄膜トランジスタ(TFT)であり、絶縁表面を有する基板である基板315上に形
成され、ゲート電極401a、ゲート絶縁膜402、半導体層408、ソース電極405
a又はドレイン電極409aを含む。これらは、所望の成膜工程、所望のフォトリソグラ
フィ工程および所望のエッチング工程によって作製することができる。
ト構造及びボトムゲート構造のスタガ型又はプレーナ型などを用いることができる。また
、トランジスタはチャネル形成領域が1つ形成されるシングルゲート構造でも、2つ形成
されるダブルゲート構造もしくは3つ形成されるトリプルゲート構造であってもよい。ま
た、チャネル領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された2つのゲート電極を有する、
デュアルゲート型でもよい。なお、本実施の形態ではシングルゲート型とする。
間絶縁膜413が積層されている。
ために必要な特性(例えば、高温下でも、低温下でも動作する良好な温度特性)を有する
半導体を用いることが好ましい。アモルファスシリコンを用いることはできるが、より温
度特性の良好な半導体の代表例としては、複数の結晶領域を持つ微結晶シリコンや、ポリ
シリコン等がある。また、酸化物半導体も用いることができ、酸化物半導体としては、I
n−Ga−Zn−O系酸化物などがある。また、これらの半導体を用いたトランジスタは
、バックライトモジュール100の発熱や、外光からの熱によって高温化する場合でも、
しきい値電圧の変動が少なく、信頼性が高いため、温度変化の大きな環境下においても高
性能に動作する。
極409aの間に誘電体としてゲート絶縁膜402が積層されている。容量配線403は
、ゲート電極401aと同階層であり、同じ条件で形成されるため、ゲート電極401a
形成時に形成される。つまり、トランジスタ221とは別に保持容量素子223を作り込
む必要なく、所望のフォトリソグラフィによって、トランジスタ221を作製する手順で
、保持容量素子223も作製することができる。
13を形成する。層間絶縁膜413の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、C
VD法、スパッタリング法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(イン
クジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等)、ロールコート、カーテンコート、
ナイフコート等を用いることができる。
電極319を形成し、ドレイン電極409aと電気的に接続させる。また、対向基板32
1には、共通画素電極323を形成する。画素電極319および共通画素電極323は、
上記したものを用いて、CVD(Chemical Vapor Deposition
)法やスパッタリング法などを用いて形成することができる。
参照。)で固着する。シール材料325および液晶327は、上記したものを用いること
ができる。液晶327を形成する方法として、ディスペンサ法(滴下法)や、基板315
と対向基板321とを貼り合わせてから毛細管現象等を用いて液晶を注入する注入法を用
いることができる。また、配向膜を用いてラビング工程を行うことで、液晶327が配向
しやすくなる。シール材料325に紫外線などの光硬化樹脂を用い、滴下法で液晶層を形
成する場合など、高分子安定化処理の光照射工程によってシール材料325の硬化も行っ
てもよい。
するためにスペーサ415が設けられている。ここでは、ビーズスペーサを用いているが
、絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られるスペーサ(ポストスペーサ)を用いて
もよい。液晶327を用いる液晶表示装置において、セルギャップは1μm以上20μm
以下とすることが好ましい。なお、本明細書においてセルギャップの厚さとは、液晶32
7の厚さの最大値とする。
間などに遮光層(ブラックマトリクス)を設ける構成とすることができる。
側(対向基板321を介して液晶と反対側)に設けてもよい。
板315側に形成してもよいし、対向基板321側に形成してもよい。遮光層は別途独立
して設けてもよいし、素子層317に含まれる層間絶縁膜413として作り込むこともで
きる。例えば、層間絶縁膜413の一部に、遮光層を用いる構成とすればよい。
脂を用いることができ、感光性又は非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、顔料系の黒
色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。また、遮光
性の金属膜を用いることもでき、例えばクロム、モリブデン、ニッケル、チタン、コバル
ト、銅、タングステン、又はアルミニウムなどを用いればよい。
法などの乾式法、又はスピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェ
ット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等)などの湿式法を用い、必要に応じてエッチ
ング法(ドライエッチング又はウエットエッチング)により所望のパターンに加工すれば
よい。
しい。
5側に直接形成する場合、遮光層と画素領域の位置あわせの誤差問題が生じず、より精密
な形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対応することができる。
することができるため、光の入射によるトランジスタの電気特性の変動を抑制し、安定化
することができる。また、遮光層は隣り合う画素への光漏れの防止や、コンタクトホール
上に発生しやすい液晶の配向欠陥による光漏れ等の表示むらを隠すことができる。よって
、液晶表示装置の高精細化、高信頼性化を図ることができる。
パネル305に比べて、簡易に作製することができるパッシブマトリクス型の液晶パネル
305について説明する。パッシブマトリクス型の液晶パネル305には、画素内のスイ
ッチング素子(トランジスタ)を設ける必要がないために、簡易に作製することができる
。
B)は、図7(A)におけるC−D間の断面図である。また、図7(A)には、液晶32
7、対向基板321は省略され図示されていないが、それぞれ、図7(B)で示すように
設けられている。
、絶縁膜1707、画素電極1701a、1701b、1701c、及び液晶327が設
けられている。画素電極1701a、1701b、1701cは、アクティブマトリクス
型の画素電極319(図3参照。)に相当し、共通電極1706a、1706b、170
6cは、アクティブマトリクス型の共通画素電極323(図3参照。)に相当する。さら
に、画素電極1701a、1701b、1701cは、アクティブマトリクス型の走査線
駆動回路に相当するコモンドライバで制御され、共通電極1706a、1706b、17
06cは、アクティブマトリクス型の信号線駆動回路に相当するセグメントドライバで制
御される。
1706cは開口パターンを有する形状であり、画素領域において長方形の開口(スリッ
ト)を有している。
06cとの間に電界を形成することで、液晶327を制御する。液晶には水平方向の電界
が形成されるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。液晶分子を基板と平行な方
向で制御できるため、視野角が広くなる。
型と同様に、モノクロ表示、または着色層を用いてカラー表示とすることができる。着色
層であるカラーフィルタについては、上記の通りである。
06cは、アクティブマトリクス型における画素電極319および共通画素電極323で
説明したものを用いることができる。
上記スペーサを用いることができ、液晶327を封止するために上記したシール材料を用
いることができる。なお、パッシブマトリクス型における液晶パネル305にも、遮光層
(ブラックマトリクス)を設けることができる。
本実施の形態では、MEMS(Micro Electro Mechanical S
ystems)を用いて各画素におけるバックライトからの光の透過率を制御する表示装
置について、図8乃至図10を用いて説明する。
、各画素におけるバックライトからの光の透過率を制御する制御する表示装置500の断
面図である。
光性を有する絶縁膜505が設けられる。透光性を有する絶縁膜505上には、MEMS
スイッチ507r、507g、507bを有する。なお、図示しないが、透光性を有する
絶縁膜505は複数の絶縁膜で構成され、当該絶縁膜の間にMEMSスイッチ507r、
507g、507bに接続するトランジスタがそれぞれ形成される。当該トランジスタは
、実施の形態2に示すトランジスタを適宜用いることができる。第1の基板501に対向
する第2の基板511は、反射層503に対向する位置に遮光層513が形成される。
してバックライトモジュール519を有する。第1の基板501及び散乱板515、散乱
板515及び輝度向上シート517、輝度向上シート517及びバックライトモジュール
519はそれぞれ、透光性を有する接着剤521、523、525で固着されている。つ
まり、第1の基板501、散乱板515、輝度向上シート517、バックライトモジュー
ル519は固体化されている。なお、輝度向上シート517は適宜、用いれば良いため、
輝度向上シート517を用いない構成や、第1の基板501側から輝度向上シート517
、散乱板515の順に固着させる構成も可能である。
トまたは成型プラスチックを用いた筐体527を有する。
、第1の基板501側と散乱板515は固着され、輝度向上シート517とバックライト
モジュール519は固着されているが、散乱板515と輝度向上シート517の間は固着
されていない構成としてもよい。
3に囲まれた開口部503g、503bを、MEMSスイッチ507gのシャッタ508
gの非開口部、MEMSスイッチ507bのシャッタ508bの非開口部で覆うことで、
バックライトモジュール519からの光をシャッタ508g、508bの非開口部で反射
させ、開口部503gおよび開口部503bにおいて、バックライトモジュール519か
ら射出される光を透過させない。また、反射層503に囲まれた開口部503rは、ME
MSスイッチ507rのシャッタ508rで覆わず、反射層503上に移動することで、
バックライトモジュール519からの光を透過させる。
る。モノクロ表示の場合は、バックライトモジュール519から白色の光を射出させれば
よい。カラー表示、特にフルカラー表示とする場合は、開口部503r、503g、50
3bに対応するように着色層を設ければ良いが、上記実施の形態で説明したフィールドシ
ーケンシャル駆動方式を用いることで、着色層(カラーフィルタ)を設けずにフルカラー
表示することができ、バックライトモジュール519から射出される光を有効に利用でき
る。
階調を制御することができる。
(基板315および対向基板321)と同様とすればよい。
用いて形成する。反射層503の厚さは、30nm以上1000nmとする。開口部の形
状は、矩形、円形、楕円形、多角形等にすることができる。開口部503r、503g、
503bは、バックライトモジュール519から射出された光を表示装置の外側へ透過す
る。なお、反射層503は、バックライトモジュール519から射出された光で、開口部
を透過しなかった光を反射し、バックライトモジュール519で再度反射することで、反
射光を再利用することができる。
より一部をエッチングすることで形成することができる。または、反射層503は、印刷
法、インクジェット法等を用いて形成することができる。
酸化シリコン等をスパッタリング法、CVD法、蒸着法等で形成する。
MEMSスイッチ507rを例に図9及び図10を用いて説明する。
エータ541に結合されたシャッタ543を有する。シャッタ543には開口部が設けら
れる。アクチュエータ541は、2つの柔軟性を有するアクチュエータ545を有する。
シャッタ543の一方の辺は、アクチュエータ545に接続されている。アクチュエータ
545は、シャッタ543を、絶縁膜505表面に平行な横方向に移動させる機能を有す
る。
、構造体553に接続する可動電極555とを有する。可動電極555は、可動電極55
1に隣接しており、可動電極555の一端は構造体553に接続し、他端は自由に動くこ
とができる。また、可動電極555の自由に動くことが可能な端部は、可動電極551及
び構造体549の接続部で最も近くなるように、湾曲している。
元力を有する、スプリング547に接続されている。スプリング547は、構造体557
に接続されている。
、アクチュエータ545、及びスプリング547を、浮遊させる機械的支持体として機能
する。
は、図8の開口部503r、503g、503bに相当する。
。このため、構造体553に接続される可動電極555に、トランジスタを介して任意の
電圧を印加することができる。また、構造体549、557は、それぞれ図8に示す反射
層503を介して接地電極(GND)と接続する。このため、構造体549に接続する可
動電極551及び構造体557に接続するスプリング547の電位は、GNDとなってい
る。なお、構造体549、557は、任意の電圧を印加できる共通電極に電気的に接続さ
れてもよい。
551及び可動電極555が電気的に引き寄せあう。この結果、可動電極551に接続す
るシャッタ543が、構造体553の方へ引きよせられ、構造体553の方へ横方向に移
動する。可動電極551はスプリングとして働くため、可動電極551及び可動電極55
5との電位間の電圧が除去された場合に、可動電極551は、可動電極551に蓄積され
た応力を解放しながら、シャッタ543をその初期位置に押し戻す。
リソグラフィ工程により所定の形状を有する犠牲層を形成する。犠牲層としては、ポリイ
ミド、アクリル等の有機樹脂、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸
化シリコン等の無機絶縁膜等で形成することができる。
的にエッチングをしてMEMSスイッチ507を形成する。または、インクジェット法に
よりMEMSスイッチ507を形成する。
することができる。なお、この後、MEMSスイッチ507の表面を酸素プラズマ、熱酸
化等で酸化し、酸化膜を形成することが好ましい。または、原子層蒸着法、CVD法によ
り、MEMSスイッチ507の表面に、アルミナ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒
化シリコン、窒化酸化シリコン、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)等の絶縁膜を形
成することが好ましい。当該絶縁膜をMEMSスイッチ507に設けることで、MEMS
スイッチ507の経年劣化を低減することができる。
、タンタル、ネオジム等の金属または合金で形成することができる。MEMSスイッチ5
07は、厚さ100nm以上5μm以下で形成する。
を保持して固定されている。
板301及び光学部材333を適宜用いることができる。
用いることができる。実施の形態1に示すバックライトモジュール100を用いることで
、バックライトモジュール519に含まれる発光素子(発光ダイオード)から射出される
光を有効に第1の基板501に入射させることでき、MEMSスイッチを有する表示装置
自体も、バックライトモジュール519から射出された光の光利用効率が高いため、表示
装置の消費電力を低減することができる。それゆえ、発光素子(発光ダイオード)の輝度
を低くしても、十分高いコントラストを得ることができる。
説明する。
駆動回路601と、信号線駆動回路603と、画素部605とを有する。画素部605に
は、走査線駆動回路601に接続する走査線609、及び信号線駆動回路603に接続す
る信号線611を有する。信号線駆動回路603は、書込に必要な表示データ信号を信号
線611に印加する。また、画素部605には、画素607がマトリクス状に配置されて
いる。走査線609にゲートが接続し、信号線611にソース電極が接続するトランジス
タ613と、トランジスタ613のドレイン電極と第1の端子が接続するMEMSスイッ
チ615と、トランジスタ613のドレインの電極及びMEMSスイッチ615の第1の
端子に第1の電極が接続する容量素子617とが、各画素607に設けられる。MEMS
スイッチ615の第2の端子及び容量素子617の第2の電極は、接地電極に接続する。
タ613は、実施の形態2に示すトランジスタを用いることができる。また、トランジス
タの代わりに、ダイオードまたはMIM(Metal Insulator Metal
)を用いてもよい。
する。また、2つの可動電極はそれぞれ、異なる静電容量を有する。
動電極555と構造体553を介して接続する。また、MEMSスイッチ507の可動電
極551は面積の大きいシャッタ543に接続されているため、より高い静電容量を有し
、構造体549を介して、共通電極または接地電極に接続される。スプリング547は、
構造体557を介して、共通電極または接地電極に接続される。
た、選択された信号線611に表示データ信号を入力する。オン状態のトランジスタ61
3に接続されるMEMSスイッチ615及び容量素子617には、表示データ信号に相当
するデータ電圧Vdが印加される。このため、可動電極555とシャッタ543との間で
は、電位差が生じる。当該電位差の発生に応じて、シャッタが可動電極555の方へ電気
的に引き寄せられ、シャッタが移動し、画素部の開口部とシャッタが重複せず、バックラ
イトからの光が当該開口部を透過する。
る輝度に対応して表示データ信号が入力される。表示データ信号に相当するデータ電圧V
dに応じて、MEMSスイッチ615のシャッタの移動量が変化する。シャッタの移動量
に応じ、画素の開口部とシャッタの開口部との重複面積が異なるため、または画素部の開
口部とシャッタが重複しないため、当該開口部を透過するバックライトからの光量が異な
る。
MEMSスイッチ615のアクチュエータが作動する電圧(作動しきい値電圧)より低い
電圧、または作動しきい値電圧より高い電圧が印加される。作動しきい値電圧より高いデ
ータ電圧Vdの印加により、MEMSスイッチ615のシャッタが移動し、画素の開口部
において上記バックライトモジュールからの光が透過する。
量素子617の電圧は、ビデオフレーム全体が書き込まれるまで、または新しいデータが
信号線611に書き込まれるまで、実質的に蓄積されたままになる。このため、書込回数
を最小限にすることが可能であり、表示装置の消費電力を低減することができる。
である等価回路を示したが、これに限定されるものではなく、適宜トランジスタを設ける
ことができる。
いため、発光素子(発光ダイオード)の輝度を低くしても、十分高いコントラストを得る
ことができるため、表示装置の消費電力を低減することができる。
本発明の一態様である表示装置は、さまざまな電子機器に適用することができる。電子機
器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)
などが挙げられる。さらには、屋内でのデジタルサイネージ(Digital Sign
age:電子看板)、PID(Public Information Display
)、電車などの乗り物の車内広告、等に適用することができる。特に、本発明の一態様で
ある表示装置は、バックライト(発光素子)の消費電力を低減させることができることた
め、本発明の一態様である表示装置を、長時間画像を表示させる上記電子機器として用い
ることは有用である。そこで、本発明の一態様である表示装置を用いた電子機器の一例を
、図11に示す。
筐体1001に表示部1002が組み込まれている。表示部1002により、映像を表示
することが可能である。また、ここでは、筐体1004により筐体1001を支持した構
成を示している。さらに、テレビジョン装置1000は、スピーカ1003、操作キー1
005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子1006、センサ1007
(力、位置、距離、光、磁気、温度、時間、電場、電力、湿度、傾度、振動、又は赤外線
を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン1008、等が組み込まれている。
より行うことができる。リモコン操作機1010が備える操作キー1009により、チャ
ンネルや音量の操作を行うことができ、表示部1002に表示される映像を操作すること
ができる。また、リモコン操作機1010に、リモコン操作機1010から出力する情報
を表示する表示部1011を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
2000は、2つの筐体2002および筐体2004から構成されている。筐体2002
には、表示部2006および2つのスピーカ2008、2010が備わっている。さらに
、デジタルサイネージ2000には、ほかにセンサを設けて、人が近くにいないときは画
像が表示されないなど他の構成を設けてもよい。
およびデジタルサイネージ2000における表示部2006に用いることができ、バック
ライト(発光素子)の消費電力を低減させることができることから、テレビジョン装置1
000およびデジタルサイネージ2000の消費電力を低減させることができる。
101 基板
103 点線
105 コネクタ
155 コネクタ
157 配線
107 制御回路基板
106 透光性を有する有機樹脂
109 LEDチップ
111 配線
113 凸状の球面および透光性を有する有機樹脂
115 反射シート
123 端子電極
125 電極
127 接続用配線
200 液晶表示装置
210 画素部
211 走査線駆動回路
212 LED制御回路
214 信号線駆動回路
215 画素
217 信号線
219 走査線
221 トランジスタ
223 保持容量素子
225 液晶素子
300 液晶表示装置
301 散乱板
303 第1の偏光板
305 液晶パネル
307 第2の偏光板
309 配線
311 接着剤
313 接着剤
315 基板
317 素子層
319 画素電極
321 対向基板
323 共通画素電極
325 シール材料
327 液晶
329 接着剤
331 接着剤
333 光学部材
401a ゲート電極
402 ゲート絶縁膜
403 容量配線
405a ソース電極
407 絶縁膜
408 半導体層
409 ドレイン配線
409a ドレイン電極
450 開口部
413 層間絶縁膜
500 表示装置
501 第1の基板
505 絶縁膜
503r 開口部
503g 開口部
503b 開口部
507 MEMSスイッチ
507r MEMSスイッチ
507g MEMSスイッチ
507b MEMSスイッチ
508r シャッタ
508g シャッタ
508b シャッタ
511 第2の基板
513 遮光層
515 散乱板
517 輝度向上シート
519 バックライトモジュール
521 接着剤
523 接着剤
525 接着剤
527 筐体
541 アクチュエータ
543 シャッタ
545 アクチュエータ
547 スプリング
549 構造体
551 可動電極
553 構造体
555 可動電極
557 構造体
559 開口部
600 表示装置
601 走査線駆動回路
603 信号線駆動回路
605 画素部
609 走査線
607 画素
611 信号線
613 トランジスタ
615 MEMSスイッチ
617 容量素子
1000 テレビジョン装置
1001 筐体
1002 表示部
1004 筐体
1003 スピーカ
1005 操作キー
1006 接続端子
1007 センサ
1010 リモコン操作機
1009 操作キー
1011 表示部
1701a 画素電極
1701b 画素電極
1701c 画素電極
1706a 共通電極
1706b 共通電極
1706c 共通電極
1707 絶縁膜
2000 デジタルサイネージ
2002 筐体
2004 筐体
2006 表示部
2008 スピーカ
2010 スピーカ
Claims (1)
- バックライトと、
前記バックライトに固着された、散乱板と、
前記散乱板に固着された第1の偏光板と、
前記第1の偏光板に固着された液晶パネルと、
前記液晶パネルに固着された第2の偏光板と、を有し、
前記バックライトは、発光素子と、第1の樹脂と、第2の樹脂とを有し、
前記第1の樹脂は、凸状の表面を有し、
前記第2の樹脂は、平坦な表面を有し、
前記第1の樹脂は、前記発光素子を覆い、
前記第2の樹脂は、前記発光素子と、前記第1の樹脂を覆う表示装置。
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CN102830534A (zh) * | 2012-08-23 | 2012-12-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板、阵列基板、液晶显示装置及其制作方法 |
KR102193765B1 (ko) * | 2013-02-28 | 2020-12-22 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN104058363B (zh) * | 2013-03-22 | 2016-01-20 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 基于mems透射光阀的显示装置及其形成方法 |
JP6456598B2 (ja) * | 2013-04-19 | 2019-01-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US20150084928A1 (en) * | 2013-09-23 | 2015-03-26 | Qualcomm Incorporated | Touch-enabled field sequential color display using in-cell light sensors |
US9454265B2 (en) | 2013-09-23 | 2016-09-27 | Qualcomm Incorporated | Integration of a light collection light-guide with a field sequential color display |
US9824642B2 (en) * | 2013-09-27 | 2017-11-21 | Intel Corporation | Rendering techniques for textured displays |
CN103744211B (zh) * | 2013-11-28 | 2016-07-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 彩色液晶显示面板 |
CN103676303B (zh) * | 2013-12-31 | 2015-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜基板及其制作方法、显示装置 |
US20150221930A1 (en) * | 2014-02-03 | 2015-08-06 | Ayyakkannu Manivannan | ELECTROLESS DEPOSITION OF Bi, Sb, Si, Sn, AND Co AND THEIR ALLOYS |
US20160018637A1 (en) * | 2014-07-15 | 2016-01-21 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus incorporating optically inactive display elements |
KR102242540B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2021-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
US10071904B2 (en) | 2014-09-25 | 2018-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
US9698170B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-07-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
US10068927B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display module, and electronic device |
CN104464632B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素结构及其制备方法、像素显示方法和阵列基板 |
JP6757123B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2020-09-16 | 株式会社リコー | 光機能膜の製造方法、空間光変調素子の製造方法、光機能膜及び空間光変調素子 |
KR20190112168A (ko) * | 2017-02-21 | 2019-10-02 | 코닝 인코포레이티드 | 일체형 백라이트 유닛 및 디스플레이 패널을 포함하는 장치 |
US10775662B2 (en) * | 2017-12-22 | 2020-09-15 | Rockwell Collins, Inc. | Thin LCD direct-lit backlight with low cost heater |
KR102517072B1 (ko) * | 2018-12-07 | 2023-03-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치 |
US11102860B2 (en) * | 2019-08-01 | 2021-08-24 | Rockwell Collins, Inc. | Backlit display dimming system and method |
CN112310056B (zh) * | 2019-08-02 | 2024-06-18 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置和面发光光源 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5745682U (ja) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | ||
JPH0553109A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JPH08262438A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置のバックライト構造 |
JP2005345680A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 光学フィルターおよび撮像装置 |
JP2006140233A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Ibiden Co Ltd | 光電気配線板、および、光通信用デバイス |
JP2007194383A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Hitachi Lighting Ltd | 光学部材およびバックライト |
JP2008059887A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sony Corp | 面状光源装置及び液晶表示装置組立体 |
JP2008147453A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置 |
JP4461197B1 (ja) * | 2009-04-27 | 2010-05-12 | 株式会社東芝 | 面状照明装置およびこれを備えた液晶表示装置 |
JP2010170119A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US20100265694A1 (en) * | 2009-04-21 | 2010-10-21 | Kim Sungwoo | Light emitting device |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW459275B (en) | 1999-07-06 | 2001-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6583915B1 (en) | 1999-10-08 | 2003-06-24 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Display device using a micro light modulator and fabricating method thereof |
JP4408044B2 (ja) | 2003-01-15 | 2010-02-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
TWI351566B (en) | 2003-01-15 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device |
US7502392B2 (en) | 2003-09-12 | 2009-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser oscillator |
US7416977B2 (en) * | 2004-04-28 | 2008-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device, liquid crystal television, and EL television |
US7985677B2 (en) * | 2004-11-30 | 2011-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
CN102060258B (zh) * | 2005-02-23 | 2013-07-10 | 皮克斯特隆尼斯有限公司 | 微电子机械快门组件 |
CN102004310B (zh) * | 2005-02-23 | 2013-08-28 | 皮克斯特隆尼斯有限公司 | 显示方法和装置 |
JP2007273562A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP2007279480A (ja) * | 2006-04-10 | 2007-10-25 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
US7876489B2 (en) * | 2006-06-05 | 2011-01-25 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus with optical cavities |
JP4934599B2 (ja) * | 2007-01-29 | 2012-05-16 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
US8548289B2 (en) * | 2007-12-14 | 2013-10-01 | Rambus Delaware Llc | Apparatus and method for reducing pixel operational voltage in MEMS-based optical displays |
US9041202B2 (en) * | 2008-05-16 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
US20110032450A1 (en) * | 2008-05-27 | 2011-02-10 | Hiroaki Shigeta | Led light source device, backlight device and liquid crystal display device |
JP5544740B2 (ja) * | 2008-09-17 | 2014-07-09 | 凸版印刷株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
CN104321694B (zh) * | 2009-08-27 | 2018-04-10 | Lg 电子株式会社 | 背光单元和显示装置 |
JP2011059149A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Hitachi Displays Ltd | 電子機器 |
-
2011
- 2011-10-24 US US13/280,019 patent/US8891051B2/en not_active Expired - Fee Related
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2016
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5745682U (ja) * | 1980-08-29 | 1982-03-13 | ||
JPH0553109A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JPH08262438A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示装置のバックライト構造 |
JP2005345680A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Kureha Chem Ind Co Ltd | 光学フィルターおよび撮像装置 |
JP2006140233A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Ibiden Co Ltd | 光電気配線板、および、光通信用デバイス |
JP2007194383A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Hitachi Lighting Ltd | 光学部材およびバックライト |
JP2008059887A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Sony Corp | 面状光源装置及び液晶表示装置組立体 |
JP2008147453A (ja) * | 2006-12-11 | 2008-06-26 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置 |
JP2010170119A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-08-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US20100265694A1 (en) * | 2009-04-21 | 2010-10-21 | Kim Sungwoo | Light emitting device |
JP4461197B1 (ja) * | 2009-04-27 | 2010-05-12 | 株式会社東芝 | 面状照明装置およびこれを備えた液晶表示装置 |
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