JP2016152431A - 槽付圧電デバイスの製造方法及び槽付圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】温度補償型圧電デバイスの実装の影響を加味した温度補償を行うことができる槽付圧電デバイスを提供する。
【解決手段】ＯＣＸＯ１の製造方法は、以下のステップを備えている。実装基板１７となる実装領域６５と、当該実装領域６５に接続された除去予定領域６７とを有する配線基板６３の実装領域６５にＴＣＸＯ３を実装する実装ステップ（ＳＴ２）。実装されたＴＣＸＯ３の温度特性を測定する測定ステップ（ＳＴ３）。測定ステップの結果に基づいて、温度補償量を規定する情報を除去予定領域６７を介してＴＣＸＯ３に書き込む書込みステップ（ＳＴ４）。書込みステップの後、実装領域６５と除去予定領域６７とを分離して実装基板１７を形成する分離ステップ（ＳＴ５）。実装されたＴＣＸＯ３を槽１９に収容する収容ステップ（ＳＴ６）。
【選択図】図５

Description

本発明は、槽付圧電デバイスの製造方法及び槽付圧電デバイスに関する。

恒温槽を有する圧電デバイスが知られている。例えば、特許文献１では、温度補償型発振器（ＴＣＸＯ：Temperature Compensated Crystal Oscillator）を恒温槽に収容した恒温槽付発振器（ＯＣＸＯ：Oven Controlled Crystal Oscillator）を開示している。

ＴＣＸＯにおいて、温度補償量を規定するパラメータの値は、ＴＣＸＯのパッケージング後（すなわちＴＣＸＯの構造の作製完了後）、ＴＣＸＯの出力する発振信号の温度特性を測定することによって決定され、ＴＣＸＯの書込み端子を介してＴＣＸＯのメモリに書き込まれる。従って、ＴＣＸＯの温度補償量は、ＴＣＸＯの製造ばらつきの影響、及び、ＴＣＸＯ内の振動素子（圧電体）と温度センサとの温度差の影響等が加味されたものとなっている。

特開２０１３−２１１７５２号公報

ＴＣＸＯ等の温度補償型圧電デバイスを実装基板に実装すると、温度補償型圧電デバイスの各部における放熱及び／又は吸熱の具体的態様は、実装前とは異なるものとなる。ひいては、温度補償型圧電デバイス内の圧電体と温度センサとの温度差も実装前とは異なるものとなる。その結果、温度補償型圧電デバイスに書き込まれた温度補償量を規定するパラメータの値は、実装後の温度補償型圧電デバイスにとって最適値ではなくなる。

従って、温度補償型圧電デバイスの実装の影響を加味した温度補償を行うことができる槽付圧電デバイスの製造方法及び槽付圧電デバイスが提供されることが望まれる。

本発明の一態様に係る槽付圧電デバイスの製造方法は、実装基板となる実装領域と、当該実装領域に接続された除去予定領域とを有する配線基板の前記実装領域に温度補償型圧電デバイスを実装する実装ステップと、実装された前記温度補償型圧電デバイスの温度特性を測定する測定ステップと、前記測定ステップの結果に基づいて、温度補償量を規定する情報を前記除去予定領域を介して前記温度補償型圧電デバイスに書き込む書込みステップと、前記書込みステップの後、前記実装領域と前記除去予定領域とを分離して前記実装基板を形成する分離ステップと、実装された前記温度補償型圧電デバイスを槽に収容する収容ステップと、を有する。

好適には、前記測定ステップでは、前記除去予定領域を介して前記温度補償型圧電デバイスに電圧を印加するとともに前記温度補償型圧電デバイスの出力を検出する。

好適には、前記測定ステップでは、前記実装領域及び前記除去予定領域のうち前記実装領域のみを介して前記温度補償型圧電デバイスに電圧を印加するとともに前記温度補償型圧電デバイスの出力を検出する。

好適には、前記分離ステップの後に前記収容ステップが実行される。

好適には、前記槽は、前記実装領域の両主面のうちの、前記温度補償型圧電デバイスが実装された主面にのみ被せられるものであり、前記収容ステップの後に、前記測定ステップ、前記書込みステップ及び前記分離ステップが実行される。

本発明の一態様に係る槽付圧電デバイスは、温度補償型圧電デバイスと、前記温度補償型圧電デバイスが実装された実装基板と、前記温度補償型圧電デバイスを収容する槽と、を有し、前記温度補償型圧電デバイスは、温度補償量を規定する情報を記憶するメモリと、前記メモリに前記情報を書込み可能な端子と、を有し、前記実装基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられ、前記端子に接続されたパッドと、前記絶縁基板に設けられ、前記パッドから延びて前記絶縁基板の側面に到達する配線と、を有している。

好適には、前記配線が到達する前記絶縁基板の側面のうち、前記絶縁基板の厚さ方向において前記配線と重なる領域は、脆性破面である。

上記の手順又は構成によれば、温度補償型圧電デバイスの実装の影響を加味した温度補償を行うことができる。

本発明の第１実施形態に係る恒温槽付水晶発振器の概略構成を、一部を破断して示す斜視図。 図１のII−II線における断面図。 図３（ａ）は図１のＯＣＸＯが有するＴＣＸＯの底面図、図３（ｂ）は図１のＯＣＸＯが有する実装基板の上面図。 図１のＯＣＸＯの信号処理系の概略構成を示すブロック図。 図１のＯＣＸＯの製造に用いられる配線基板を示す平面図。 図１のＯＣＸＯの製造方法の手順を示すフローチャート。 本発明の第２実施形態に係る恒温槽付水晶発振器の概略構成を示す断面図。 図７のＯＣＸＯの製造方法の手順を示すフローチャート。 本発明の第３実施形態に係る恒温槽付水晶発振器の概略構成を示す断面図。 第１変形例に係るＯＣＸＯの製造に用いられる配線基板を示す平面図。 第２変形例に係るＯＣＸＯの製造に用いられる配線基板を示す平面図。

以下、本発明の実施形態に係るＯＣＸＯについて、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

ＯＣＸＯは、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともにｚ方向の正側を上方として、上面、下面などの用語を用いるものとする。

＜第１実施形態＞
（ＯＣＸＯの構成）
図１は、本発明の第１実施形態に係るＯＣＸＯ１の概略構成を、一部を破断して示す斜視図である。また、図２は、図１のII−II線における断面図である。

ＯＣＸＯ１は、例えば、全体として、概略、直方体状とされる電子部品であり、その寸法は適宜に設定されてよい。例えば、長辺又は短辺の長さ（ｘ方向及びｙ方向）は、１ｍｍ〜３ｍｍであり、厚さ（ｚ方向）は０．５ｍｍ〜１ｍｍである。

ＯＣＸＯ１は、例えば、ＴＣＸＯ３と、ＴＣＸＯ３の周囲の雰囲気を所定の温度に維持するとともにＴＣＸＯ３と外部機器との電気的接続を仲介するための恒温槽５とを有している。

ＴＣＸＯ３は、例えば、素子搭載用部材７と、素子搭載用部材７に搭載された振動素子９（図２）及びＩＣ１１（図２）と、振動素子９を封止するための蓋体１３とを有している。

素子搭載用部材７は、例えば、絶縁部材１５と、絶縁部材１５の表面又は内部に設けられた各種の導体とを有している。

絶縁部材１５は、図２に示すように、上方に開口し、振動素子９を収容する第１凹部１５ａと、下方に開口し、ＩＣ１１を収容する第２凹部１５ｂとを有している。別の観点では、絶縁部材１５は、基板部１５ｃと、基板部１５ｃの一方の主面上に位置する第１枠部１５ｄと、基板部１５ｃの他方の主面上に位置する第２枠部１５ｅとを有している。絶縁部材１５は、例えば、アルミナ等のセラミックからなる層状部材を複数枚重ねて形成されている。

素子搭載用部材７の各種の導体は、例えば、第１凹部１５ａの底面に設けられ、振動素子９を搭載するための１対の素子搭載用パッド（不図示）、第２凹部１５ｂの底面に設けられ、ＩＣ１１を実装するための複数のＩＣ実装用パッド（不図示）、第２枠部１５ｅの下面に設けられ、ＴＣＸＯ３に対する信号の入出力のための複数のＴＣＸＯ端子２５（図３参照。２５Ｗを含む）、１対の素子搭載用パッドと複数のＩＣ実装用パッドのうちの２つとを接続する配線（不図示）、複数のＩＣ実装用パッドの残りと複数のＴＣＸＯ端子２５とを接続する配線（不図示）である。なお、配線は、例えば、基板部１５ｃの主面に設けられた層状配線及び絶縁部材１５を貫通するビア導体からなる。

振動素子９は、例えば、平板状の圧電素板１０（図２）と、圧電素板１０の両主面に設けられた１対の励振電極３２（図４参照）とを備えている。圧電素板１０は、例えば、水晶のような石英材料よりなり、結晶軸に対し所定の角度で切断され、平面視で長方形状とされている。振動素子９は、１対の励振電極３２に電圧が印加されることにより、所定の周波数で厚みすべり振動を生じる。振動素子９は、例えば、１対のバンプ（符号省略）によって素子搭載用部材７に固定されるとともに電気的に接続されている。

ＩＣ１１は、例えば、概略直方体状に構成されており、後述するように、振動素子９に電圧を印加することにより発振信号を生成する発振回路等を有している。ＩＣ１１は、パッケージングされたものであってもよいし、ベアチップであってもよい。ＩＣ１１は、例えば、不図示の複数のバンプによって素子搭載用部材７に固定されるとともに電気的に接続されている。

蓋体１３は、第１枠部１５ｄの上面に接合され、第１凹部１５ａを封止する。蓋体１３は、金属等の導電材料により構成されてもよいし、絶縁材料により構成されてもよいし、絶縁層と導電層とを積層した複合材料により構成されてもよい。例えば、蓋体１３は、金属板から構成されており、この金属板は、シーム溶接等により第１枠部１５ｄに接合される。

恒温槽５は、例えば、ＴＣＸＯ３が実装される実装基板１７と、ＴＣＸＯ３を収容する槽１９と、槽１９内の雰囲気を加熱するためのヒータ２１（図２）と、ＯＣＸＯ１を外部機器に実装するための複数（本実施形態では６個）の外部端子２３と、実装基板１７に実装された各種の電子部品（不図示）とを有している。

実装基板１７は、例えば、プリント配線基板により構成されており、絶縁基板２４と、絶縁基板２４に設けられた各種の導体とを有している。絶縁基板２４は、例えば、ガラスエポキシ材よりなる。

槽１９は、例えば、金属材料よりなり、ＴＣＸＯ３、実装基板１７及びヒータ２１を収容している。槽１９は、特に図示しないが、例えば、槽１９の下面を構成する部材と、槽１９の上面及び外周面を構成する部材とが固定されて構成されている。両部材間は封止材等により気密に接合され、槽１９の内部は密閉されていることが好ましい。

ヒータ２１は、例えば、実装基板１７の下面において、ＴＣＸＯ３と重なる位置に接合されている。ヒータ２１は、例えば、所定のパターンに延びる導電体（抵抗体）を絶縁材料により封止して構成されており、実装基板１７を介して印加された電圧に応じた量の熱を生じる。

複数の外部端子２３は、例えば、ピン状の端子であり、一端側が、実装基板１７に形成された孔に挿通され、半田等により実装基板１７に固定されるとともに電気的に接続されている。複数の外部端子２３の他端側は、例えば、槽１９の下面から延び出ている。なお、複数の外部端子２３は、槽１９に対して固定され、実装基板１７と槽１９の下面との間隔を確保しつつ、実装基板１７と槽１９とを固定することに寄与してもよい。

図３（ａ）は、ＴＣＸＯ３の底面図である。

上述のように、ＴＣＸＯ３は、第２枠部１５ｅの下面に、ＴＣＸＯ３を実装基板１７に実装するための複数（図３（ａ）では６個）のＴＣＸＯ端子２５（２５Ｗを含む）を有している。複数のＴＣＸＯ端子２５は、例えば、層状である。複数のＴＣＸＯ端子２５の配置位置は適宜に設定されてよいが、例えば、第２枠部１５ｅの４隅及び長辺の中央である。

６個のＴＣＸＯ端子２５のうち、例えば、第２枠部１５ｅの４隅に配置された４個のＴＣＸＯ端子２５は、ＴＣＸＯ３（ＯＣＸＯ１）の使用時に利用されるものである。一方、第２枠部１５ｅの長辺の中央に配置された２個（１個でもよい）のＴＣＸＯ端子２５（２５Ｗ）は、温度補償量を規定するパラメータの値をＴＣＸＯ３に書き込むためのもの（ＯＣＸＯ１の製造時にのみ利用されるもの）である。

図３（ｂ）は実装基板１７の上面図である。

実装基板１７は、６個のＴＣＸＯ端子２５のうち、４隅に配置された４個のＴＣＸＯ端子２５のみ（２５Ｗ以外）を外部端子２３に接続するように構成されている。具体的には、以下のとおりである。

実装基板１７は、上方の主面に、複数のＴＣＸＯ端子２５と接続される複数（図３（ｂ）では６個）のＴＣＸＯ用パッド２７（２７Ｗを含む）を有している。複数のＴＣＸＯ用パッド２７は、例えば、層状であり、バンプにより複数のＴＣＸＯ端子２５と接続される。これにより、ＴＣＸＯ３は、実装基板１７に固定されるとともに電気的に接続される。ＴＣＸＯ用パッド２７（２７Ｗを含む）の数は、例えば、ＴＣＸＯ端子２５（２５Ｗを含む）の数と同じとされている。

また、実装基板１７は、ピン状の複数の外部端子２３が挿通される複数（図３（ｂ）では４個）の孔２４ｈと、複数の孔２４ｈの内周面及び／又は周囲に位置する層状の複数の基板端子２９と、を有している。これらは、例えば、実装基板１７の４隅に位置している。複数の外部端子２３は、例えば、複数の孔２４ｈに挿入され、半田等の導電性材料によって複数の基板端子２９に固定されるとともに電気的に接続される。

６個のＴＣＸＯ用パッド２７のうち、４隅に位置する４個は、ＯＣＸＯ１の使用時に利用される、ＴＣＸＯ３の４隅のＴＣＸＯ端子２５と接続されるものである。この４個のＴＣＸＯ用パッド２７は、４本の通常配線３１を介して４個の基板端子２９と接続されている。これにより、４隅のＴＣＸＯ端子２５は、実装基板１７を介して４個の外部端子２３と接続され、ＯＣＸＯ１の使用時において電気信号の入出力が可能となっている。

一方、６個のＴＣＸＯ用パッド２７のうち残りの２個（２７Ｗ）は、ＴＣＸＯ３に対するデータの書込み用のＴＣＸＯ端子２５Ｗと接続されるものである。この２個のＴＣＸＯ端子２５Ｗからは、基板端子２９と接続される通常配線３１は延びていない。

また、実装基板１７は、例えば、全てのＴＣＸＯ用パッド２７（２７Ｗを含む）から延び、実装基板１７の一の縁部に到達する複数（ＴＣＸＯ用パッド２７と同数）の残存配線６１（６１Ｗを含む）が延びている。残存配線６１は、後述するように、ＯＣＸＯ１の製造過程においてのみ利用されるものである。

なお、通常配線３１及び残存配線６１は、異なる電位が付与されるもの同士が互いに避けることができれば、適宜な経路で設けられてよい。また、これらの配線は、実装基板１７の下方の主面又は実装基板１７の内部に設けられてもよいし、一主面上において絶縁体を介して立体交差してもよい。４隅のＴＣＸＯ用パッド２７に接続される残存配線６１は、通常配線３１から分岐するように、又は、基板端子２９から延びるように設けられてもよい。

図４は、ＯＣＸＯ１の信号処理系の概略構成を示すブロック図である。

ＯＣＸＯ１は、既述のように、ＴＣＸＯ３と、恒温槽５とを有しており、両者は、複数のＴＣＸＯ端子２５と複数のＴＣＸＯ用パッド２７とが接続されることにより電気的に接続されている。そして、ＴＣＸＯ３の複数のＴＣＸＯ端子２５（２５Ｗを除く）は、恒温槽５の複数の外部端子２３を介して、種々の信号が入力され、又は、種々の信号を出力する。

ただし、温度補償量を規定するためのデータをＴＣＸＯ３に書き込むためのＴＣＸＯ端子２５Ｗに接続されたＴＣＸＯ用パッド２７Ｗは、既に述べたように、外部端子２３には接続されていない。そして、ＯＣＸＯ１の使用時においては、ＴＣＸＯ端子２５Ｗは、信号の入力はなされない。

複数の外部端子２３に付与される信号は、例えば、ＴＣＸＯ３及び恒温槽５を駆動するための電源電圧Ｖｃｃ、基準電位ＧＮＤ、ＴＣＸＯ３が生成する発振信号の周波数を制御するための制御電圧Ｖｃｏｎである。複数の外部端子２３から出力される信号は、例えば、ＴＣＸＯ３が生成した発振信号Ｖｏｕｔである。なお、いずれの位置の外部端子２３に対していずれの役割を割り振るかは、適宜に設定されてよい。ＴＣＸＯ端子２５、ＴＣＸＯ用パッド２７及び基板端子２９についても同様である。

ＴＣＸＯ３は、上述のように、振動素子９と、振動素子９と接続されるＩＣ１１とを有している。ＩＣ１１は、例えば、振動素子９に電圧を印加して発振信号を生成する発振回路３３と、温度変化に起因する振動素子９の特性変化を補償するための温度補償回路３５と、温度補償回路３５の保持する温度補償に係るデータの内容を書き換えるための書換え回路３７とを有している。発振回路３３、温度補償回路３５及び書換え回路３７の構成は、公知の構成と同様でよい。

例えば、発振回路３３は、特に図示しないが、入力側及び出力側が振動素子９に接続されるインバータ、インバータの入力側及び出力側に接続される帰還抵抗、インバータの入力側とグランド部との間に配置される可変容量素子、及び、インバータの出力側とグランド部との間に配置される可変容量素子を含んで構成されている。

また、例えば、温度補償回路３５は、振動素子９とグランド部との間に配置される可変容量素子３９と、可変容量素子３９に接続された補償信号発生回路４１と、補償信号発生回路４１に接続されたＲＯＭ４３、ＲＡＭ４５及び第１温度センサ４７とを有している。

なお、温度補償回路３５の可変容量素子３９には、制御電圧Ｖｃｏｎに従って発振信号の周波数を変化させるために発振回路３３に含まれる可変容量素子が兼用されてもよい。また、ＲＯＭ４３及びＲＡＭ４５は、発振回路３３が利用する情報を保持するＲＯＭ及びＲＡＭと兼用されるものであってもよい。第１温度センサ４７は、ＩＣ１１とは別個に設けられてもよい。

補償信号発生回路４１は、ＲＯＭ４３又はＲＡＭ４５に記憶されている情報に基づいて、第１温度センサ４７の検出する温度に応じた電圧を可変容量素子３９に印加する。これにより、温度に応じて振動素子９の負荷容量が変化し、発振信号の周波数は温度補償がなされる。

より具体的には、例えば、温度補償がなされていない発振信号の周波数の温度変化に対する変化量は３次関数で表わされる。そして、この変化量を打ち消すために可変容量素子３９に印加されるべき電圧も温度を変数とする３次関数で表わされる。ＲＯＭ４３又はＲＡＭ４５は、この電圧の３次関数の係数及び定数の値を保持している。補償信号発生回路４１は、第１温度センサ４７の検出した温度を、ＲＯＭ４３又はＲＡＭ４５に記憶されている係数及び定数の値により規定される３次関数に代入して、可変容量素子３９に印加すべき電圧を算出・生成し、可変容量素子３９に印加する。

書換え回路３７は、例えば、ＲＯＭ４３又はＲＡＭ４５に記憶されている３次関数の係数及び定数の値を書き換える（書き込む）。

恒温槽５は、上述したヒータ２１に加えて、例えば、槽１９内の適宜な位置の温度を検出する第２温度センサ４９と、第２温度センサ４９の検出した温度に基づいてヒータ２１を制御する温度制御回路５１とを有している。温度制御回路５１は、例えば、第２温度センサ４９の検出する温度が予め設定された温度に維持されるようにヒータ２１をフィードバック制御する。

なお、ＴＣＸＯには、第１温度センサ４７が検出する温度をＴＣＸＯ端子２５から出力可能なものがある。このようなＴＣＸＯがＴＣＸＯ３として選択されている場合においては、第２温度センサ４９を設けずに、第１温度センサ４７の検出した温度に基づいてヒータ２１が制御されてもよい。

恒温槽５から露出する複数の外部端子２３と、ＴＣＸＯ３の複数のＴＣＸＯ端子２５とは、図３においても示したように、実装基板１７の通常配線３１を介して直接的に接続されている。ただし、複数の外部端子２３と、複数のＴＣＸＯ端子２５との間には、適宜な回路乃至は電子素子が介在していてもよい。例えば、増幅器又はインピーダンス整合を図るための素子が介在していてもよい。

（ＯＣＸＯの製造方法）
図５は、ＯＣＸＯ１の製造に用いられる配線基板６３を示す平面図である。

配線基板６３は、既述の実装基板１７となる領域（実装領域６５）と、実装領域６５に隣接する除去予定領域６７とを有し、これらを含む全体として一体的に形成されている。後述するように、ＯＣＸＯ１の製造過程の適宜な時期において、配線基板６３から除去予定領域６７が折り取られることにより、実装基板１７が形成される。

配線基板６３は、全体として、その一部である実装基板１７と同様に、例えば、プリント配線基板により構成されており、絶縁基板（符号省略。実装基板１７の絶縁基板２４を含む）と、絶縁基板に設けられた各種の導体とを有している。絶縁基板は、例えば、ガラスエポキシ材よりなる。

実装領域６５と除去予定領域６７は、例えば、矩形の実装領域６５の１辺を境界線Ｌ１（点線で示す。）として互いに隣接している。境界線Ｌ１は、実装基板１７において残存配線６１（６１Ｗを含む）が到達する縁部となる線である。除去予定領域６７には、残存配線６１の先端から延びる除去予定配線６９（６９Ｗを含む）と、その先端に位置する除去予定パッド７１（７１Ｗを含む）とが設けられている。

従って、配線基板６３においては、除去予定パッド７１に対する信号の入出力により、ＴＣＸＯ用パッド２７に対する信号の入出力を行うことが可能になっている。具体的には、既述の電源電圧Ｖｃｃ、基準電位ＧＮＤ及び制御電圧Ｖｃｏｎの入力、並びに、発振信号Ｖｏｕｔの出力に加え、温度補償に係る情報をＴＣＸＯ３に書き込むための書込み信号Ｖｗの入力が可能である。

配線基板６３から除去予定領域６７が折り取られると、上述のように、境界線Ｌ１の位置においては、実装基板１７の縁部が形成される。この縁部の側面は、折り取りによって形成されるから、脆性破壊の破面（脆性破面）となる。脆性破面であるか否かは、例えば、リバーパターン及び／又はシェブロンパターンの有無によって判定できる。

図６は、ＯＣＸＯ１の製造方法の手順を示すフローチャートである。

ステップＳＴ１では、ＴＣＸＯ３及び配線基板６３を準備する。ＴＣＸＯ３のＲＯＭ４３には、例えば、温度補償量を規定するパラメータ（３次関数の係数及び定数）の値が記憶されている。このパラメータの値は、例えば、個々のＴＣＸＯ３について測定された周波数の温度特性に基づいて設定され、書込み用のＴＣＸＯ端子２５Ｗを介してＲＯＭ４３に書き込まれている。

従って、所定の温度雰囲気において、ＴＣＸＯ３が出力する発振信号の周波数と、ＴＣＸＯ３が出力すべき発振信号の周波数とのずれ量は、所定の許容誤差範囲内に収まっている。また、ＴＣＸＯ３に保持されているパラメータの値は、同一種類の製品における製造ばらつきの影響が加味されたものとなっている。

ステップＳＴ２では、ＴＣＸＯ３を配線基板６３の実装領域６５に実装する。例えば、ＴＣＸＯ３の複数のＴＣＸＯ端子２５（２５Ｗを含む）と、実装基板１７の複数のＴＣＸＯ用パッド２７とを半田からなる不図示のバンプによって固定及び接続する。

ステップＳＴ３では、実装されたＴＣＸＯ３の温度特性を測定する。この際、例えば、配線基板６３の除去予定パッド７１にプローブを当接させることなどにより、除去予定パッド７１（除去予定領域６７）を介して、ＴＣＸＯ３に対して信号の入出力を行う。

例えば、ＯＣＸＯ１の使用時と同様に、除去予定パッド７１を介してＴＣＸＯ３のＴＣＸＯ端子２５に電源電圧Ｖｃｃ、基準電位ＧＮＤ及び制御電圧Ｖｃｏｎを付与して、ＴＣＸＯ３によって温度補償がなされた発振信号Ｖｏｕｔを除去予定パッド７１から出力させる。

このときのＴＣＸＯ３及び実装領域６５の温度は、例えば、恒温槽５内において予定されている温度と同等とされる。例えば、ＴＣＸＯ３及び配線基板６３は、測定用の恒温槽に収容され、その恒温槽内の雰囲気の温度は、恒温槽５内の雰囲気において予定されている温度と同等に制御される。

そして、例えば、所定の時間が経過するなど、測定用の恒温槽の温度が十分に安定したときに、除去予定パッド７１から実際に出力される発振信号の周波数を測定し、この測定した周波数と、ＴＣＸＯ３（ＯＣＸＯ１）が出力すべき発振信号の周波数とのずれ量を算出する。

なお、本実施形態では、ステップＳＴ１のＴＣＸＯ３の準備において、温度補償量を規定するパラメータの値が調整されているから、このときのずれ量のうち、ステップＳＴ１において許容したずれ量を超える部分は、ＴＣＸＯ３を実装したこと等によるものである。

ステップＳＴ４では、ステップＳＴ３で測定されたずれ量に基づいて、ＴＣＸＯ３のＲＯＭ４３が保持している、温度補償量を規定するパラメータの値を書き換える。この際、例えば、配線基板６３の除去予定パッド７１にプローブを当接させることなどにより、除去予定パッド７１（除去予定領域６７）を介して、ＴＣＸＯ３に対して書込み信号Ｖｗが入力される。

パラメータの値は適宜に決定されてよい。例えば、実装後の温度特性は、実装前の温度特性を表す３次曲線（３次関数）をその形状を変えずに温度の軸方向に沿って所定のシフト量（温度のずれ量）でシフトしたものによって近似的に表すことができると考えられる。従って、補償信号発生回路４１が印加する電圧の３次関数を温度の軸方向に沿って、上記のシフト量と同一のシフト量でシフトすればよい。

より具体的には、例えば、以下のようにすればよい。

まず、書込み用の除去予定パッド７１Ｗを介してＲＯＭ４３に記憶されている温度補償量を規定するパラメータの値を読み出す。ＲＯＭ４３には、例えば、下記（１）式のα、β、γ及びＴ_０の値が記憶されている。（１）式は、第１温度センサ４７の検出温度Ｔに対応して可変容量素子３９に印加される電圧ΔＶの３次関数の例である。
ΔＶ＝α（Ｔ−Ｔ_０）^３＋β（Ｔ−Ｔ_０）＋γ （１）

次に、読み出したα、β及びγの値をＲＡＭ４５に書き込むとともに、読み出したＴ_０の値を少し変化（増加又は減少）させた値をＴ_０の値としてＲＡＭ４５に書き込む。次に、ＲＡＭ４５に書き込んだα、β、γ及びＴ_０の値に基づく電圧ΔＶを補償信号発生回路４１に発生させる。そして、その電圧ΔＶによって温度補償がなされた発振信号の周波数と、ＴＣＸＯ３が出力すべき発振信号の周波数とのずれ量を測定する。

さらに、ＲＡＭ４５に保持されているＴ_０の値を少し変化させてずれ量を測定する動作を繰り返す。これにより、ずれ量が所定の許容誤差範囲内（例えばステップＳＴ１におけるＴＣＸＯ３の許容誤差範囲と同じ範囲内）となる又はずれ量が最小となるＴ_０の値を探索できる。そして、ＲＯＭ４３の保持しているＴ_０の値を、探索した最適なＴ_０の値に書き換える。

なお、上記の説明から理解されるように、ステップＳＴ３及びステップＳＴ４は、実際には、一体不可分に、また、繰り返し行われてよい。

ステップＳＴ５では、配線基板６３から除去予定領域６７を折り取り、ＴＣＸＯ３が実装された実装基板１７を形成する。折り取りのための器具乃至は装置は、プリント配線基板乃至はウェハを折り取る公知のものに倣って適宜なものとされてよい。

特に図示しないが、ステップＳＴ１の後、且つ、ステップＳＴ６の前の適宜な時期において、ヒータ２１及び複数の外部端子２３は、実装領域６５又は実装基板１７に実装される。

ステップＳＴ６では、外部端子２３を露出させつつ、ＴＣＸＯ３、実装基板１７及びヒータ２１を槽１９に収容する。これにより、ＯＣＸＯ１が構成される。

以上のとおり、本実施形態のＯＣＸＯ１の製造方法は、以下のステップを備えている。実装基板１７となる実装領域６５と、当該実装領域６５に接続された除去予定領域６７とを有する配線基板６３の実装領域６５にＴＣＸＯ３を実装する実装ステップ（ＳＴ２）。実装されたＴＣＸＯ３の温度特性を測定する測定ステップ（ＳＴ３）。測定ステップの結果に基づいて、温度補償量を規定する情報を除去予定領域６７を介してＴＣＸＯ３に書き込む書込みステップ（ＳＴ４）。書込みステップの後、実装領域６５と除去予定領域６７とを分離して実装基板１７を形成する分離ステップ（ＳＴ５）。実装されたＴＣＸＯ３を槽１９に収容する収容ステップ（ＳＴ６）。

従って、ＴＣＸＯ３を実装基板１７に実装した状態で温度補償量を規定する情報を好適化することができる。その結果、実装の影響を加味した温度補償が可能となる。その一方で、温度補償量を規定する情報の書込みに利用される除去予定領域６７（除去予定パッド７１Ｗ）は、配線基板６３から折り取られ、最終的なＯＣＸＯ１には含まれない。従って、ＯＣＸＯ１（実装基板１７）の小型化が図られる。また、外部端子２３及び除去予定領域６７の構成によっては、外部端子２３からＴＣＸＯ３までの電気信号の経路よりも、除去予定パッド７１ＷからＴＣＸＯ３までの電気信号の経路を短くすることができる。この場合においては、例えば、書込み用の外部端子２３を設けた場合に比較して、書込み信号Ｖｗにノイズが混入するおそれが低減される。

また、本実施形態の測定ステップ（ＳＴ３）では、除去予定領域６７を介してＴＣＸＯ３に電圧（Ｖｃｃ等）を印加するとともにＴＣＸＯ３の出力（Ｖｏｕｔ）を検出する。

従って、例えば、基板端子２９又は外部端子２３にプローブを当接させて、ＴＣＸＯ３に電圧を印加するとともにＴＣＸＯ３の出力を検出する態様（この態様も本願発明に含まれる。）に比較して、プローブを当接させる面積を確保しやすい。また、例えば、配線の配置などの具体的な構造が互いに異なるＴＣＸＯ３に対して、除去予定領域６７における除去予定パッド７１の配置、及び、その配置に対する種々の信号の割り当てを共通化することができる。その結果、検査を簡便化することができる。

また、本実施形態では、分離ステップ（ＳＴ５）の後に収容ステップ（ＳＴ６）が実行される。

従って、槽１９は、測定ステップ（ＳＴ３）及び書込みステップ（ＳＴ４）の妨げとならない。その結果、例えば、どのような槽１９の形状であっても、ＴＣＸＯ３の実装の影響を加味した温度補償量を規定することができる。ひいては、本実施形態のように実装基板１７全体を槽１９内に収容する構成のＯＣＸＯ１においても、実装の影響を加味した温度補償量を規定できる。また、例えば、後述する第２実施形態との比較から理解されるように、配線基板６３から除去予定領域６７を折り取るときに、実装領域６５が槽１９に覆われていないことから、配線基板６３を保持することが容易であり、ひいては、折り取りを好適に行いやすい。

また、本実施形態では、ＯＣＸＯ１は、ＴＣＸＯ３と、ＴＣＸＯ３が実装された実装基板１７と、ＴＣＸＯ３を収容する槽１９と、を有している。ＴＣＸＯ３は、温度補償量を規定する情報を書込み可能なＴＣＸＯ端子２５Ｗを有している。実装基板１７は、絶縁基板２４と、絶縁基板２４上に設けられ、ＴＣＸＯ端子２５Ｗに接続されたＴＣＸＯ用パッド２７Ｗと、絶縁基板２４に設けられ、ＴＣＸＯ用パッド２７Ｗから延びて絶縁基板２４の側面に到達する残存配線６１Ｗと、を有している。

このような構成のＯＣＸＯ１は、その製造過程において、除去予定領域６７を利用して、実装後のＴＣＸＯ３に温度補償量に係る情報を書込み可能である。従って、例えば、温度補償の好適化及び小型化が可能である。なお、流通されているＯＣＸＯ１において温度補償が好適化されていることは、例えば、槽１９を分解してＴＣＸＯ３を実装基板１７から分離したときに、その分離されたＴＣＸＯ３から出力される発振信号Ｖｏｕｔの周波数が、分離前（温度条件等の他の条件は同等）のＴＣＸＯ３から出力された発振信号Ｖｏｕｔの周波数に比較して、出力されるべき発振信号Ｖｏｕｔの周波数からずれていることによって確認できる。出力されるべき発振信号の周波数は、例えば、流通されているＯＣＸＯ１の仕様書又はカタログから確認できる。

また、本実施形態では、残存配線６１Ｗが到達する絶縁基板２４の側面のうち、絶縁基板２４の厚さ方向において残存配線６１配線と重なる領域は、脆性破面である。

このような構成のＯＣＸＯ１は、その製造過程において、除去予定領域６７を折り取り可能である。従って、例えば、除去予定領域６７の除去方法が簡便であり、製造コストを抑え、ひいては、ＯＣＸＯ１自体を安価に流通させることができる。

＜第２実施形態＞
図７は、本発明の第２実施形態に係るＯＣＸＯ２０１の概略構成を示す断面図である。

第１実施形態においては、ＴＣＸＯ３だけでなく、実装基板１７も槽１９に収容された。これに対して、第２実施形態では、実装基板２１７は、槽２１９に収容されない。具体的には、以下のとおりである。

ＯＣＸＯ２０１は、ＴＣＸＯ３と、ＴＣＸＯ３の周囲の雰囲気を所定の温度に維持するとともにＴＣＸＯ３と外部機器との電気的接続を仲介するための恒温槽２０５とを有している。ＴＣＸＯ３の構成は、第１実施形態と同様である。

恒温槽２０５は、ＴＣＸＯ３が実装される実装基板２１７と、ＴＣＸＯ３を収容する槽２１９と、槽２１９内の雰囲気を加熱するためのヒータ２１とを有している。

実装基板２１７は、例えば、実装基板１７と同様に、プリント配線基板によって構成されてよい。また、実装基板２１７は、例えば、実装基板１７と同様に、絶縁基板２４と、ＴＣＸＯ用パッド２７（図３（ｂ））と、ＴＣＸＯ用パッド２７から延びる通常配線３１及び残存配線６１（図３（ｂ））とを有している。

ただし、実装基板２１７は、例えば、ＴＣＸＯ３が実装される主面とは反対側に、通常配線３１に接続された層状の外部端子２２３を有している。すなわち、本実施形態では、第１実施形態における、ピン状の外部端子２３、ピン状の外部端子２３が挿入される孔２４ｈ、及び、孔２４ｈの内周面及び／又は周囲に位置する基板端子２９は設けられていない。

槽２１９は、例えば、一方が開放された（開口が形成された）箱状であり、ＴＣＸＯ３の上から、実装基板２１７のＴＣＸＯ３が実装された主面に被せられる。これにより、ＴＣＸＯ３は、槽２１９に収容され、また、外部端子２２３は、槽２１９の外部に露出する。なお、槽２１９と実装基板２１７とで槽が構成されていると捉えられてもよい。槽２１９は、一方が開放されていることを除いて、槽１９と同様の構成とされてよい。槽２１９と実装基板２１７との固定は、例えば、槽１９内が密閉されるように、半田又は樹脂接着剤等の適宜な接合材によってなされることが好ましい。

ヒータ２１は、例えば、実装基板２１７の、ＴＣＸＯ３が実装される主面に実装されている。なお、この場合、第１実施形態のようにＴＣＸＯ３と重なる位置にヒータ２１を設ける場合に比較して、ＴＣＸＯ３の周囲の温度分布が偏りやすい。そこで、２個以上のヒータ２１をＴＣＸＯ３の周囲に対称乃至は均等に配置したり、ヒータ２１、及び、熱源となるような部品（例えばドライバＩＣ）をＴＣＸＯ３の周囲に対称乃至は均等に配置したりしてもよい。

図８は、ＯＣＸＯ２０１の製造方法の手順を示すフローチャートである。

この製造方法においては、第１実施形態と同様に、実装基板２１７となる実装領域と、実装領域に接続された除去予定領域とを有する配線基板（図５参照）が用いられる。なお、以下では、便宜上、実装基板２１７の符号以外、図５の配線基板６３の符号を用いる。

図８に示す手順は、主として、除去予定領域６７の折り取り及び槽２１９によるＴＣＸＯ３の収容の時期が第１実施形態（図６）の手順と相違する。具体的には、以下のとおりである。

ステップＳＴ１１及びＳＴ１２では、図６のステップＳＴ１及びＳＴ２と同様に、ＴＣＸＯ３及び配線基板６３を準備し、ＴＣＸＯ３を実装領域６５に実装する。

ステップＳＴ１３では、ＴＣＸＯ３を槽２１９に収容する。なお、ヒータ２１の実装基板２１７に対する実装は、ステップＳＴ１１の後、且つ、ステップＳＴ１３の前の適宜な時期に行われる。

ステップＳＴ１４では、図６のステップＳＴ３と同様に、実装されたＴＣＸＯ３の温度特性を測定する。除去予定領域６７を介してＴＣＸＯ３に対する信号の入出力が行われることは、第１実施形態と同様である。

ただし、ＴＣＸＯ３は、既に恒温槽２０５に収容されているので、ＴＣＸＯ３の周囲の雰囲気の温度は、測定用の恒温槽ではなく、恒温槽２０５によって制御されてよい。例えば、ＯＣＸＯ１の使用時と同様に、恒温槽２０５内の雰囲気の温度が使用時の目標温度になるように、第２温度センサ４９に基づくヒータ２１のフィードバック制御を恒温槽２０５に実行させる。なお、恒温槽２０５に対する電圧印加は、例えば、除去予定パッド７１を介してなされてよい。

ステップＳＴ１５では、図６のステップＳＴ４と同様に、測定結果に基づいて、除去予定領域６７を介して、ＴＣＸＯ３に温度補償量を規定する情報を書き込む。

ステップＳＴ１６では、図６のステップＳＴ５と同様に、配線基板６３から除去予定領域６７を折り取る。

このように、第２実施形態では、ＴＣＸＯ３を実装基板１７に実装後、且つ、ＴＣＸＯ３を槽２１９に収容した後に、ＲＯＭ４３が保持する温度補償量を規定するパラメータの値を最適化する。

以上のとおり、本実施形態のＯＣＸＯ２０１の製造方法は、第１実施形態と同様に、実装ステップ（ＳＴ１２）と、実装後の測定ステップ（ＳＴ１４）及び書込みステップ（ＳＴ１５）と、書込み後の分離ステップ（ＳＴ１５）と、収容ステップ（ＳＴ１３）とを備えている。従って、第１実施形態と同様の効果が奏される。例えば、温度補償量の好適化及び実装基板２１７の小型化が図られる。

また、本実施形態では、槽２１９は、実装領域６５の両主面のうちの、ＴＣＸＯ３が実装された主面にのみ被せられるものであり、収容ステップ（ＳＴ１３）の後に、測定ステップ（ＳＴ１４）、書込みステップ（ＳＴ１５）及び分離ステップ（ＳＴ１６）が実行される。

従って、第１実施形態に比較して、完成したＯＣＸＯ２０１に近い状態で温度特性が測定される。その結果、温度補償量がより好適化される。なお、第１実施形態（図６）の手順は、第２実施形態の手順に比較して、既に述べたように、種々の構成のＯＣＸＯに適用できる点等において有利である。例えば、第２実施形態の手順は、第１実施形態の構成には適用できないが、第１実施形態の手順は、第１及び第２実施形態の構成に適用可能である。

＜第３実施形態＞
図９は、第３実施形態に係るＯＣＸＯ３０１の概略構成を示す断面図である。

ＯＣＸＯ３０１は、例えば、第２実施形態と同様に、実装基板３１７の一方の主面に、下方が開放された箱状の槽２１９が被せられ、これにより、ＴＣＸＯ３０３が槽２１９に収容される構成である。ただし、ＯＣＸＯ３０１は、第１実施形態と同様に、ＴＣＸＯ３０３及び実装基板３１７の全体が槽１９に収容される構成であってもよい。

ＯＣＸＯ３０１は、ＴＣＸＯの構成、及び、ヒータ２１が設けられていない点が第１及び第２実施形態と相違する。なお、特に図示しないが、ＯＣＸＯ３０１の製造方法において、実装基板３１７となる実装領域６５及びこれに接続された除去予定領域６７を含む配線基板６３が用いられること、図６又は図８に示した手順が実行されることは、第１及び第２実施形態と同様である。

ＯＣＸＯ３０１のＴＣＸＯ３０３は、第１実施形態のＴＣＸＯ３に対して、第２枠部１５ｅが省略された構成である。すなわち、ＴＣＸＯ３において、素子搭載用部材３０７の絶縁部材３１５は、基板部３１５ｃと、基板部３１５ｃの一方の主面上に位置して凹部３１５ａを構成する枠部３１５ｄとを有している。

第１実施形態と同様に、振動素子９は、凹部３１５ａの底部に実装されて凹部３１５ａに収容され、また、蓋体１３によって気密封止される。また、ＩＣ１１は、基板部３１５ｃの振動素子９が実装される側とは反対側の主面に実装されている。

ただし、第２枠部１５ｅが設けられていないことから、ＩＣ１１は、素子搭載用部材３０７に対して下方に突出する状態となっている。また、ＴＣＸＯ端子２５は、基板部３１５ｃの下面に設けられている。

一方、実装基板３１７の絶縁基板３２４には、突出したＩＣ１１を収容する収容孔３２４ｈが形成されている。収容孔３２４ｈの内部であってＩＣ１１の周囲においては、封止材３５３（例えば樹脂）が充填されている。封止材３５３は、例えば、槽２１９内を密閉するように設けられている。ただし、封止材３５３は、槽２１９を密閉していなくてもよいし、設けられなくてもよい。

このように、本実施形態では、素子搭載用部材３０７と実装基板３１７とで、擬似的に、振動素子９及びＩＣ１１を保持するＨ型パッケージが実現されている。これにより、ＯＣＸＯ３０１は、より小型化が図られる。

また、上述のように、本実施形態では、ヒータ２１は設けられていない。しかし、ＴＣＸＯ３が槽２１９に収容されていることによって、ＯＣＸＯ３０１の周囲の雰囲気の温度変化がＴＣＸＯ３の周囲の雰囲気の温度変化に及ぼす影響は緩和される。

槽２１９内は、密閉されていてもよいし、密閉されてなくてもよい。密閉されている場合、槽２１９内は真空（大気圧よりも減圧された状態）であってもよいし、真空でなくてもよい。また、槽２１９内に気体が封入されている場合、気体は、空気であってもよいし、窒素等の適宜なガスであってもよい。

槽２１９内にガス（例えば空気）が封入されている場合、ＴＣＸＯ３０３と槽２１９との距離Ｇ１及びＧ２（空気層の厚さ）は、比較的小さいことが好ましい。粘性抵抗によって対流の発生が抑制され、断熱効果が向上するからである。例えば、距離Ｇ１及びＧ２は、対流抑制の観点及びＯＣＸＯ３０１の小型化の観点から、１ｍｍ以下であることが好ましい。

ＯＣＸＯ３０１は、ヒータ２１を有していないことから、測定ステップ（ＳＴ３又はＳＴ１４）において、実装されたＴＣＸＯ３の周囲の雰囲気の温度は、第１及び第２実施形態のように恒温槽の目標温度ではなく、適宜な温度とされてよい。例えば、ＯＣＸＯ３０１が一定の温度で使用される予定の場合においては、その温度が測定ステップのときの温度とされてよい。また、例えば、ＯＣＸＯ３０１が所定の温度範囲内で使用される予定の場合においては、その温度範囲の平均値が測定ステップのときの温度とされてよい。

また、実装前のＴＣＸＯ３におけるパラメータの最適化と同様に、測定用の恒温槽内の温度を種々変化させることによって、種々の温度における発振信号の周波数を測定し、種々のパラメータ（例えば、α、β、γ及びＴ_０の全て）の値を最適化してもよい。なお、この場合は、ステップＳＴ１又はＳＴ１１において準備されるＴＣＸＯ３は、個々のばらつきの影響が加味されていないパラメータの値（同一種類のＴＣＸＯに共通に設定されたパラメータの値）を保持しているものであってもよいし、そのような値すら保持していないものであってもよい。

本実施形態のＯＣＸＯ３０１は、素子搭載用部材３０７及び実装基板３１７が擬似的にＨ型パッケージを構成する特徴と、ヒータ２１が設けられていない特徴との双方を備えたが、いずれか一方のみを備えていてもよい。なお、前者の特徴のみを備える場合、ヒータ２１は、第２実施形態のようにＴＣＸＯ３０３の側方にて実装基板３１７に実装されてもよいし、第１実施形態のように実装基板３１７のＴＣＸＯ３０３が実装される側とは反対側に実装され、収容孔３２４ｈを覆ってもよい。

＜変形例＞
以下に説明する変形例は、第１〜第３実施形態のいずれに適用されてもよいものであるが、第１実施形態の符号等を参照する。

図１０は、第１変形例に係る配線基板４６３を示す、図５と同様の平面図である。

配線基板４６３は、配線基板６３と同様に、実装基板１７（厳密には実装基板１７とは相違する）となる実装領域４６５と、実装領域４６５に接続された除去予定領域４６７とを有するものである。

ただし、実装領域４６５と除去予定領域４６７との間には、配線基板６３をその厚さ方向に貫通し、不図示の境界線に沿って延びる貫通孔４６３ｈが形成されている。換言すれば、実装領域４６５と除去予定領域４６７とは、実装基板１７の縁部となる部分の両側にて、互いに接続されている。貫通孔４６３ｈは、配線基板４６３の作製（ステップＳＴ１）において、例えば、配線基板４６３のエッチングによって形成される。なお、残存配線６１及び除去予定配線６９は、貫通孔４６３ｈを避けるようにして延びている。

このような構成によれば、折り取り（ステップＳＴ５）を容易化することができる。なお、一の貫通孔４６３ｈに代えて、ミシン目状に、複数の貫通孔を境界線に沿って設けてもよい。

図１１は、第２変形例に係る配線基板５６３を示す、図５と同様の平面図である。

配線基板５６３は、配線基板６３と同様に、実装基板１７（厳密には実装基板１７とは相違する）となる実装領域５６５と、実装領域５６５に接続された除去予定領域５６７とを有するものである。

ただし、４隅のＴＣＸＯ用パッド２７には、残存配線６１、除去予定配線６９及び除去予定パッド７１は接続されていない。すなわち、書込み用のＴＣＸＯ用パッド２７Ｗについてのみ、残存配線６１、除去予定配線６９及び除去予定パッド７１が接続されている。

このような配線基板５６３を用いたＴＣＸＯ３の温度特性の測定（ステップＳＴ３）では、例えば、基板端子２９又は外部端子２３にプローブが当接されることなどにより、ＴＣＸＯ３に対して電源電圧Ｖｃｃ、基準電位ＧＮＤ及び制御電圧Ｖｃｏｎの入力がなされ、また、ＴＣＸＯ３が出力する発振信号Ｖｏｕｔの検出がなされる。すなわち、実装領域５６５及び除去予定領域５６７のうち実装領域５６５のみを介してＴＣＸＯ３に電圧が印加されるとともにＴＣＸＯ３の出力が検出される。

従って、例えば、温度特性の測定時におけるＴＣＸＯ３に対する入出力状態は、ＯＣＸＯ１の使用時に近くなる。その結果、例えば、温度補償量が好適化される。なお、実施形態のように、除去予定領域を介してＴＣＸＯ３の温度特性の測定を行う場合においては、既に述べたように、例えば、プローブを当接させるパッド面積の確保が容易である。

なお、以上の実施形態において、ＯＣＸＯ１、２０１及び３０１は槽付圧電デバイスの一例であり、ＴＣＸＯ３及び３０３は温度補償型圧電デバイスの一例であり、ＲＯＭ４３及び／又はＲＡＭ４５はメモリの一例である。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

例えば、圧電デバイスは、発振器に限定されない。例えば、ＳＡＷフィルタ等のフィルタであってもよい。なお、フィルタの場合においては、例えば、所定の波形の入力信号をフィルタリングしたときの出力信号の波形が所定の形状に近づくように、温度補償量を規定するパラメータの値が最適化される。

また、発振器は、実施形態に例示した以外の信号を入出力するものであってもよい。例えば、発振器は、制御電圧が入力されないもの（予め定められた一定の周波数の発振信号を出力するもの）であってもよいし、イネーブル・ディセーブル信号が入力されるものであってもよいし、周波数が互いに異なる又は同一の２つの発振信号を出力するものであってもよい。

振動素子は、圧電体の両主面に１対の電極が設けられるものに限定されず、ＳＡＷ型の振動素子のように圧電体の一主面に１対の電極が設けられるものであってもよい。圧電体のカットの角度は適宜に設定されてよい。圧電体は、水晶に限定されず、例えば、セラミックであってもよい。

圧電体（振動素子）及び集積回路素子が搭載される素子搭載用部材は、互いに反対側に２つの凹部を有するいわゆるＨ型に限定されない。例えば、１つの凹部に圧電体及び集積回路素子が収容されてもよい。

温度補償型圧電デバイス（ＴＣＸＯ等）は、バンプによって実装基板に実装されるものに限定されず、例えば、ボンディングワイヤ又はピン状のＴＣＸＯ端子によって実装基板に実装されるものであってもよい。

槽付圧電デバイスが温度調整素子を有する場合（槽が恒温槽を構成する場合）、温度調整素子は、加熱を行うもの（ヒータ）に限定されず、冷却を行うものであってもよい。例えば、槽の内外に露出するペルチェ素子を設け、加熱素子、若しくは、冷却素子、又は、加熱及び冷却の双方が可能な加熱冷却素子として機能させてよい。温度調整素子は、必ずしも槽に収容されている必要はなく、槽の外部に配置され、槽を加熱又は冷却することにより、槽の内部の雰囲気を加熱又は冷却するものであってもよい。

温度補償量を規定する情報は、３次関数の係数及び定数の値に限定されない。例えば、発振器の温度補償量は、所定の温度範囲を複数に区分して、その区分ごとに１次関数乃至は２次関数で規定することが可能であり、この場合には、１次関数乃至は２次関数の係数又は定数の値が温度補償量を規定する情報となる。また、関数の係数及び定数の値は変えずに、温度のずれ量そのものの情報（例えば実施形態におけるＴ_０の初期値と最適値との差）を情報として保持し、検出温度を関数に代入するときに変数としての検出温度にずれ量を加算するようにしてもよい。

実施形態では、Ｔ_０の値を少しずつ変化させながらＴＣＸＯ３に発振信号を出力させ、Ｔ_０の好適化された値を探査したが、演算によってＴ_０の好適化された値が求められてもよい。例えば、下記の（２）式にα、β、γ、Ｔ、Ｔ_０（初期値）、Δｆ及びＦの値を代入して得られる方程式において、ΔＴの値を演算により求め、Ｔ_０＋ΔＴの値をＴ_０の新たな値としてよい。
α（Ｔ−Ｔ_０）^３＋β（Ｔ−Ｔ_０）＋γ＋Δｆ／Ｆ
＝α（Ｔ−（Ｔ_０＋ΔＴ））^３＋β（Ｔ−（Ｔ_０＋ΔＴ））＋γ （２）
ただし、ΔｆはステップＳＴ３又はＳＴ１４で測定された周波数のずれ量、Ｆは可変容量素子３９に印加する電圧と発振信号の周波数の変化量とが線形の関係にあると仮定した場合における比例定数である。

第３実施形態（恒温槽を有さない態様）の説明において、実装後のＴＣＸＯの温度特性の測定及び温度補償量を規定する情報の書込みが、実装前のＴＣＸＯと同様に行われてもよい（α、β、γ、Ｔ_０の値を求めてもよい）ことについて言及した。これは、恒温槽を有する圧電デバイスにおいても同様である。例えば、第１実施形態において、ＴＣＸＯ３の実装後、槽１９によるＴＣＸＯ３の収容前に、そのような測定及び書込みがなされてもよい。

実装領域と除去予定領域との分離は、折り取りに限定されない。例えば、ダイシングブレード又はレーザーによって分離がなされてもよい。

温度補償型圧電デバイスの書込み用の端子（２５Ｗ）に接続されたパッド（２７Ｗ）から延びる配線（６１Ｗ）は、実装基板の縁部に厳密に到達していなくてもよい。除去予定領域を除去する際に、配線の端部が捲れるとともに除去され、実装基板の縁部よりも若干内側に位置することがあるからである。

１…恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ、槽付圧電デバイス）、３…温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ、温度補償型圧電デバイス）、１７…実装基板、１９…槽、２５Ｗ…ＴＣＸＯ端子、２７Ｗ…ＴＣＸＯ用パッド、６１…残存配線、６３…配線基板、６５…実装領域、６７…除去予定領域。

Claims (7)

1. 実装基板となる実装領域と、当該実装領域に接続された除去予定領域とを有する配線基板の前記実装領域に温度補償型圧電デバイスを実装する実装ステップと、
   実装された前記温度補償型圧電デバイスの温度特性を測定する測定ステップと、
   前記測定ステップの結果に基づいて、温度補償量を規定する情報を前記除去予定領域を介して前記温度補償型圧電デバイスに書き込む書込みステップと、
   前記書込みステップの後、前記実装領域と前記除去予定領域とを分離して前記実装基板を形成する分離ステップと、
   実装された前記温度補償型圧電デバイスを槽に収容する収容ステップと、
   を有する槽付圧電デバイスの製造方法。
2. 前記測定ステップでは、前記除去予定領域を介して前記温度補償型圧電デバイスに電圧を印加するとともに前記温度補償型圧電デバイスの出力を検出する
   請求項１に記載の槽付圧電デバイスの製造方法。
3. 前記測定ステップでは、前記実装領域及び前記除去予定領域のうち前記実装領域のみを介して前記温度補償型圧電デバイスに電圧を印加するとともに前記温度補償型圧電デバイスの出力を検出する
   請求項１に記載の槽付圧電デバイスの製造方法。
4. 前記分離ステップの後に前記収容ステップが実行される
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の槽付圧電デバイスの製造方法。
5. 前記槽は、前記実装領域の両主面のうちの、前記温度補償型圧電デバイスが実装された主面にのみ被せられるものであり、
   前記収容ステップの後に、前記測定ステップ、前記書込みステップ及び前記分離ステップが実行される
   請求項１〜３のいずれか１項に記載の槽付圧電デバイスの製造方法。
6. 温度補償型圧電デバイスと、
   前記温度補償型圧電デバイスが実装された実装基板と、
   前記温度補償型圧電デバイスを収容する槽と、
   を有し、
   前記温度補償型圧電デバイスは、
   温度補償量を規定する情報を記憶するメモリと、
   前記メモリに前記情報を書込み可能な端子と、を有し、
   前記実装基板は、
   絶縁基板と、
   前記絶縁基板上に設けられ、前記端子に接続されたパッドと、
   前記絶縁基板に設けられ、前記パッドから延びて前記絶縁基板の側面に到達する配線と、を有している
   槽付圧電デバイス。
7. 前記配線が到達する前記絶縁基板の側面のうち、前記絶縁基板の厚さ方向において前記配線と重なる領域は、脆性破面である
   請求項６に記載の槽付圧電デバイス。

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