JP2016051992A - 恒温槽付圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ヒータによる温度制御に資するための検出温度を好適に取得可能な恒温槽付圧電デバイスを提供する。【解決手段】ＯＣＸＯ１は、第１実装面２４ａ及びその背面の第２実装面２４ｂを有する実装基体１７と、第１実装面２４ａに実装されたＴＣＸＯ３と、第２実装面２４ｂに実装されたヒータ２１と、ヒータ２１を制御する温度制御回路５１と、これらを収容するケース１９と、を有している。ＴＣＸＯ３は、第１温度センサ４７と、第１温度センサ４７の検出温度に基づいて、温度変化による振動素子９の周波数特性の変化を補償する温度補償回路３５と、複数のデバイス端子２５と、を有している。複数のデバイス端子２５は、第１温度センサ４７の検出温度の情報を含む温度信号を出力する第５デバイス端子２５Ｅを含む。温度制御回路５１は、第５デバイス端子２５Ｅからの温度信号に基づいてヒータ２１を制御する。【選択図】図５

Description

本発明は、恒温槽付圧電デバイスに関する。

恒温槽を有する圧電デバイスが知られている。例えば、特許文献１は、実装基板と、実装基板の一方の主面に実装された温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ：Temperature Compensated Crystal Oscillator）と、実装基板の他方の主面に実装されたヒータと、これらを収容するケースとを有した恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ：Oven Controlled Crystal Oscillator）を開示している。なお、ヒータ及びケースによって恒温槽が構成されている。特許文献１では、実装基板の、ヒータが実装された主面に温度センサが設けられており、当該温度センサの検出温度に基づいてヒータの発熱量が制御される。

特開２０１３−２１１７５２号公報

特許文献１では、実装基板に対してＴＣＸＯ側ではなく、ヒータ側に温度センサが設けられている。従って、例えば、温度センサの検出温度は、ヒータの影響を強く受け、ＴＣＸＯの温度（より具体的には水晶振動素子周囲の雰囲気の温度）からずれてしまうおそれがある。その結果、ヒータによるＴＣＸＯの温度制御が好適になされず、所望の周波数特性が得られないおそれがある。

従って、ヒータによる温度制御に資するための検出温度を好適に取得可能な恒温槽付圧電デバイスが提供されることが望まれる。

本発明の一態様に係る恒温槽付圧電デバイスは、第１実装面及びその背面の第２実装面を有する実装基体と、前記第１実装面に実装された温度補償型圧電デバイスと、前記第２実装面に実装されたヒータと、前記ヒータを制御する温度制御回路と、前記実装基体、前記温度補償型圧電デバイス、前記ヒータ及び前記温度制御回路を収容するケースと、を有し、前記温度補償型圧電デバイスは、圧電素子と、第１温度センサと、前記第１温度センサの検出温度に基づいて、温度変化による前記圧電素子の周波数特性の変化を補償する温度補償回路と、前記圧電素子、前記第１温度センサ及び前記温度補償回路を収容するパッケージと、前記パッケージの外部に露出する複数のデバイス端子と、を有し、前記複数のデバイス端子は、前記第１温度センサの検出温度の情報を含む温度信号を出力する温度信号用デバイス端子を含み、前記温度制御回路は、前記温度信号用デバイス端子からの温度信号に基づいて前記ヒータを制御する。

好適には、前記恒温槽付圧電デバイスは、前記第２実装面に実装された第２温度センサを更に有し、前記温度制御回路は、前記第２温度センサの検出温度の情報を含む温度信号に基づいて前記ヒータを制御し、前記第２温度センサは、前記実装基体の絶縁基体よりも熱伝導率が低い断熱材により前記ヒータと隔てられるように前記断熱材により前記ヒータと接着されている。

好適には、前記温度補償型圧電デバイスと前記第１実装面との間には第１空間が形成されており、前記ヒータと前記第２実装面との間には第２空間が形成されており、前記実装基体には、前記第１空間と前記第２空間とを連通する貫通孔が形成されており、前記断熱材は、前記第２空間の周囲において前記ヒータ及び前記第２実装面に密着して前記第２空間を密閉している。

好適には、前記恒温槽付圧電デバイスは、前記ケースの外部に露出する複数の外部端子を更に有し、前記実装基体は、前記複数の外部端子のいずれかに接続された基準電位用接続端子と、前記基準電位用接続端子から延びるデバイス用配線と、前記デバイス用配線に接続され、前記温度補償型圧電デバイスが実装されたデバイス用パッドと、を有し、前記第２実装面の平面視において、前記基準電位用接続端子は、前記実装基体の中心よりも所定方向の一方側に位置し、前記ヒータの中心は、前記実装基体の中心よりも前記所定方向の前記一方側に位置し、前記第２温度センサは、前記ヒータに対して前記所定方向の他方側に位置している。

本発明の一態様に係る恒温槽付圧電デバイスは、第１実装面及びその背面の第２実装面を有する実装基体と、前記第１実装面に実装された温度補償型圧電デバイスと、前記第２実装面に実装されたヒータと、前記第２実装面に実装された温度センサと、前記温度センサの検出温度に基づいて前記ヒータを制御する温度制御回路と、前記実装基体、前記温度補償型圧電デバイス、前記ヒータ、前記温度センサ及び前記温度制御回路を収容するケースと、を有し、前記温度センサは、前記実装基体の絶縁基体よりも熱伝導率が低い断熱材により前記ヒータと隔てられるように前記断熱材により前記ヒータと接着されている。

上記の構成によれば、圧電デバイスの温度を迅速に一定の温度にできる。

本発明の第１の実施形態に係るＯＣＸＯの概略構成を、一部を破断して示す斜視図。 図１のII−II線における断面図。 図２の一部拡大図。 図１のＯＣＸＯの実装基体の上面図及び下面図。 図１のＯＣＸＯの信号処理系の概略構成を示すブロック図。 本発明の第２の実施形態に係るＯＣＸＯの信号処理系の概略構成を示すブロック図。 本発明の第３の実施形態に係るＯＣＸＯの信号処理系の概略構成を示すブロック図。

以下、本発明の複数の実施形態に係るＯＣＸＯについて、図面を参照して説明する。第２の実施形態以降において、既に説明した実施形態の構成と同一又は類似する構成については、既に説明した実施形態の構成に付した符号と同一の符号を付すことがあり、また、説明を省略することがある。

以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。ＯＣＸＯは、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともにｚ方向の正側を上方として、上面、下面などの用語を用いるものとする。

同一又は類似する構成については、「第１外部端子２３Ａ」、「第２外部端子２３Ｂ」のように、名称の頭に番号を付すとともに符号の末尾に大文字のアルファベットを付すことがある。また、この場合において、単に「外部端子２３」のように、番号及びアルファベットを省略し、区別しないことがある。

配線やパッド等の導電体について、電気的乃至は熱的の説明無しに単に接続という場合、基本的には、対象物同士が接触したり、対象物同士が一体的に形成されたり、対象物同士がバンプ等を介して接合されたりするような接続を指し、電気的な接続及び熱的な接続を伴うものとする。熱的な接続は、例えば、２つの対象物が直接に接触乃至は一体的に形成されている状態、及び、２つの対象物の間に、後述する絶縁基体２４の材料及びケース１９内の気体（例えば空気）よりも熱伝導率が高い材料からなる１又は複数の部材が介在して熱の経路が構成されている状態をいうものとする。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の実施形態に係るＯＣＸＯ１の概略構成を、一部を破断して示す斜視図である。また、図２は、図１のII−II線における断面図である。

ＯＣＸＯ１は、例えば、ＴＣＸＯ３と、ＴＣＸＯ３の周囲の雰囲気を所定の温度に維持するとともにＴＣＸＯ３と外部機器との電気的接続を仲介するための恒温槽５とを有している。

ＴＣＸＯ３は、例えば、素子搭載部材７と、素子搭載部材７に搭載された振動素子９（図２）及び発振ＩＣ１１（図２）と、振動素子９を封止するための蓋体１３とを有している。

素子搭載部材７は、例えば、絶縁部材１５と、絶縁部材１５の表面又は内部に設けられた各種の配線及びパッドとを有している。

絶縁部材１５（素子搭載部材７）は、図２に示すように、上方に開口し、振動素子９を収容する第１凹部１５ａと、下方に開口し、発振ＩＣ１１を収容する第２凹部１５ｂとを有している。別の観点では、絶縁部材１５は、基板部１５ｃと、基板部１５ｃの一方の主面（第１搭載面１５ｃａ）上に位置する第１枠部１５ｄと、基板部１５ｃの他方の主面（第２搭載面１５ｃｂ）上に位置する第２枠部１５ｅとを有している。

絶縁部材１５は、例えば、アルミナ等のセラミックからなる層状部材を複数枚重ねて形成されている。図２の例では、絶縁部材１５は、基板部１５ｃを構成する２枚の層状部材、第１枠部１５ｄを構成する層状部材、及び、第２枠部１５ｅを構成する層状部材の４枚が重ねられて形成されている。

素子搭載部材７の配線及びパッドは、例えば、絶縁部材１５を構成する層状部材を上下方向に貫通するビア導体、及び、層状部材に重ねられた層状導体によって構成されている。これら導体は、例えば、Ｃｕ等の金属によって構成されており、絶縁部材１５よりも熱伝導率が高い。

振動素子９は、例えば、平板状の圧電素板１０（図２）と、圧電素板１０の両主面に設けられた１対の励振電極３２（図５参照）とを備えている。圧電素板１０は、例えば、水晶のような石英材料よりなり、結晶軸に対し所定の角度で切断され、平面視で長方形状とされている。圧電素板１０は、１対の励振電極３２に電圧が印加されることにより、所定の周波数で厚みすべり振動を生じる。振動素子９は、例えば、励振電極３２から延びる不図示の引出電極が第１搭載面１５ｃａ上の不図示のパッドにバンプによって接合されることによって素子搭載部材７に実装されている。

発振ＩＣ１１は、例えば、第２搭載面１５ｃｂに設けられた不図示のパッドに対してバンプによって接合されることにより、第２搭載面１５ｃｂに実装されている。発振ＩＣ１１は、素子搭載部材７に設けられた配線及びパッドを介して、恒温槽５（より詳細には後述する実装基体１７）に電気的に接続されるとともに、振動素子９に電気的に接続されている。発振ＩＣ１１は、例えば、第１温度センサ４７を含んで構成されている。第１温度センサ４７は、例えば、サーミスタにより構成されている。

蓋体１３は、第１枠部１５ｄの上面に接合され、第１凹部１５ａを封止する。蓋体１３は、金属等の導電材料により構成されてもよいし、絶縁材料により構成されてもよいし、絶縁層と導電層とを積層した複合材料により構成されてもよい。例えば、蓋体１３は、金属板から構成されており、この金属板は、シーム溶接等により第１枠部１５ｄに接合されている。蓋体１３は、例えば、絶縁部材１５の表面又は内部に設けられた配線によって、後述する第２デバイス端子２５Ｂ（図５参照）と電気的に接続されている。

恒温槽５は、例えば、ＴＣＸＯ３が実装される実装基体１７と、ＴＣＸＯ３を収容するケース１９と、ケース１９内の雰囲気を加熱するためのヒータ２１（図２）と、ヒータ２１を制御するための制御ＩＣ５０と、ＯＣＸＯ１を外部機器に実装するための複数（本実施形態では４個）の外部端子２３（第１外部端子２３Ａ〜第４外部端子２３Ｄ）とを有している。なお、実装基体１７には、ＴＣＸＯ３及びヒータ２１以外に、各種の電子部品（例えば電源用ＩＣ等）が実装されてもよい。

実装基体１７は、例えば、プリント配線基板により構成されており、絶縁基体２４と、絶縁基体２４に設けられた各種の導体とを有している。絶縁基体２４（実装基体１７）は、第１実装面２４ａと、その背面の第２実装面２４ｂとを有している。第１実装面２４ａにはＴＣＸＯ３が実装され、第２実装面２４ｂにはヒータ２１が実装されている。すなわち、ＴＣＸＯ３とヒータ２１との間には実装基体１７が介在している。絶縁基体２４は、例えば、ガラスエポキシ材よりなる。

ケース１９は、例えば、金属材料よりなり、ＴＣＸＯ３、実装基体１７、ヒータ２１及び制御ＩＣ５０を収容している。ケース１９は、特に図示しないが、例えば、ケース１９の下面を構成する部材と、ケース１９の上面及び外周面を構成する部材とが固定されて構成されている。両部材は気密に接合されている（ケース１９の内部は密閉されている）ことが好ましい。

ヒータ２１は、例えば、実装基体１７の第２実装面２４ｂにおいて、ＴＣＸＯ３と重なる位置に実装されている。ヒータ２１は、例えば、所定のパターンに延びる導電体（抵抗体）を絶縁材料により封止して構成されており、実装基体１７を介して印加された電圧に応じた熱を生じる。

制御ＩＣ５０は、例えば、実装基体１７の第２実装面２４ｂにおいて、ＴＣＸＯ３と重ならない位置に実装されている。制御ＩＣ５０は、例えば、第２温度センサ４９を含んで構成されている。第２温度センサ４９は、例えば、サーミスタにより構成されている。

複数の外部端子２３は、例えば、ピン状の端子であり、一端側が、実装基体１７に形成された孔に挿通され、半田等により実装基体１７に固定されるとともに電気的に接続されている。複数の外部端子２３の他端側は、例えば、ケース１９の下面から延び出ている。なお、複数の外部端子２３は、ケース１９に対して固定され、実装基体１７とケース１９の下面との間隔を確保しつつ、実装基体１７とケース１９とを固定することに寄与してもよい。

図３は、図２の一部拡大図である。図３では、ＴＣＸＯ３及びヒータ２１の実装基体１７に対する実装に係る部分、及び、実装基体１７の構成等を図２よりも詳細に図示している。

素子搭載部材７は、例えば、第２枠部１５ｅの下面に設けられた複数（本実施形態では４つ）のデバイス端子２５（第１デバイス端子２５Ａ〜第４デバイス端子２５Ｄ。図５も参照）を有している。デバイス端子２５は、素子搭載部材７の配線を介して発振ＩＣ１１と電気的に接続されている。複数のデバイス端子２５の第２枠部１５ｅの下面内における配置位置、平面形状及び面積は適宜に設定されてよい。例えば、複数のデバイス端子２５は、第２枠部１５ｅの４隅、並びに、長辺及び／又は短辺の中途に設けられている。

ＴＣＸＯ３は、第２枠部１５ｅの下面を実装基体１７の第１実装面２４ａに対向させて配置される。そして、複数のデバイス端子２５は、第１実装面２４ａに設けられた複数のデバイス用パッド２７（第１デバイス用パッド２７Ａ〜第４デバイス用パッド２７Ｄ。図４（ａ）も参照）に対して複数のバンプ２６によって接合される。これにより、ＴＣＸＯ３は、実装基体１７に固定されるとともに電気的に接続される。バンプ２６は、例えば、半田（鉛フリー半田を含む）又は導電性接着材によって構成されている。

素子搭載部材７に第２凹部１５ｂが形成されていることにより、また、バンプ２６が素子搭載部材７と実装基体１７との間に介在していることによって、ＴＣＸＯ３と実装基体１７との間には第１空間Ｓ１が構成されている。なお、第１空間Ｓ１は、複数のバンプ２６の間の隙間を介して素子搭載部材７の外部と通じている。ただし、樹脂が素子搭載部材７の周囲乃至は複数のバンプ２６の間に配置されることなどによって、第１空間Ｓ１は密閉されていてもよい。

ヒータ２１は、例えば、第２実装面２４ｂに対向する面に複数（本実施形態では２つ）のヒータ端子２８を有している。ヒータ端子２８は、例えば、電力供給を受けるためのものであり、ヒータ２１の長手方向の両側に設けられている。複数のヒータ端子２８は、第２実装面２４ｂに設けられた複数のヒータ用パッド３０（第１ヒータ用パッド３０Ａ及び第２ヒータ用パッド３０Ｂ）に対して複数のバンプ２９によって接合される。これにより、ヒータ２１は、実装基体１７に固定されるとともに電気的に接続される。バンプ２９は、例えば、半田（鉛フリー半田を含む）又は導電性接着材によって構成されている。

ヒータ２１は、更に、断熱材３１によっても実装基体１７に対して固定されている。断熱材３１は、例えば、熱伝導率が比較的低い樹脂により構成されており、絶縁基体２４よりも熱伝導率が低い。なお、一般に、導体（金属）は、絶縁体よりも熱伝導率が高いから、断熱材３１は、実装基体１７（絶縁基体２４及び導体）全体に比較しても、熱伝導率が低い。

断熱材３１は、例えば、シリコン樹脂（０．１５〜０．１７Ｗ／ｍＫ）、又は、シリコン樹脂を主成分とする接着剤（熱伝導率は例えば０．２Ｗ／ｍＫ以下）により構成されている。なお、絶縁基体２４は、例えば、上述のようにガラスエポキシ材から構成されており、構成比や方向にもよるが、その熱伝導率は、０．３８〜１．０Ｗ／ｍＫである。ちなみに、接着剤は、樹脂系のものであっても、熱伝導率が比較的高いフィラーが混入されることによって、熱伝導率が高くされることが可能であり、１．０Ｗ／ｍＫ以上の樹脂系接着剤も多種存在する。

断熱材３１は、例えば、ヒータ２１を覆うように設けられている。すなわち、断熱材３１は、ヒータ２１の側面（例えば４側面又は２側面）、及び、ヒータ２１の実装基体１７とは反対側の面に密着するとともに、第２実装面２４ｂのヒータ２１の周囲の領域に密着している。なお、断熱材３１は、ヒータ２１に対して、ヒータ２１の側面のみに密着してもよい。また、断熱材３１は設けられなくてもよい。

ヒータ２１と第２実装面２４ｂとはバンプ２９の厚みで離間しており、また、両者の間には、外周側を除いて断熱材３１が流れ込んでいない。従って、両者の間には第２空間Ｓ２が構成されている。第２空間Ｓ２は、例えば、断熱材３１がヒータ２１の外周を囲むように設けられることによって密閉されている。ただし、第２空間Ｓ２は、接着剤がヒータ２１の４側面のうち２側面のみを覆うように設けられることなどにより、ヒータ２１の外側の空間と通じていてもよい。

制御ＩＣ５０は、例えば、第２実装面２４ｂに対向する面に複数（本実施形態では４つ）のＩＣ端子７３を有している。４つのＩＣ端子７３は、例えば、実装基体１７から基準電位の供給を受けるためのもの、実装基体１７から駆動電圧（基準電位とは異なる電位）の供給を受けるためのもの、ＴＣＸＯ３の検出した温度の情報を含む温度信号を受けるためのもの、ヒータ２１に駆動信号（基準電位とは異なる電位）を供給するためのものである。これら４つのＩＣ端子７３の配置は適宜に設定されてよい。

複数のＩＣ端子７３は、第２実装面２４ｂに設けられた複数のＩＣ用パッド７５（第１ＩＣ用パッド７５Ａ〜第４ＩＣ用パッド７５Ｄ、図４（ｂ）も参照）に対して複数のバンプ７７によって接合される。これにより、制御ＩＣ５０は、実装基体１７に固定されるとともに電気的に接続される。バンプ７７は、例えば、半田（鉛フリー半田を含む）又は導電性接着材によって構成されている。

制御ＩＣ５０は、断熱材３１によりヒータ２１と隔てられるように断熱材３１によりヒータ２１と接着されている。具体的には、例えば、ヒータ２１及び制御ＩＣ５０は、側面を互いに対向させるように実装基体１７に実装されており、断熱材３１は、その互いに対向する側面間に位置してこれら側面に密着している。制御ＩＣ５０とヒータ２１との間に介在する断熱材３１の厚み（ｙ方向）は、ヒータ２１、実装基体１７及びＴＣＸＯ３等の大きさ乃至は熱伝導率等に応じて適宜に設定されてよい。

実装基体１７には、第１空間Ｓ１及び第２空間Ｓ２に対流を生じさせることによってヒータ２１の熱をＴＣＸＯ３に好適に伝達できるように、ＴＣＸＯ３及びヒータ２１に重なる領域に、第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２とを連通する複数の貫通孔６１が形成されている。複数の貫通孔６１の数、配置、形状及び大きさは適宜に設定されてよい。なお、実装基体１７に、当該実装基体１７の導電層同士を接続するためのスルーホールが設けられる場合、貫通孔６１は、このスルーホールと同一の形状及び大きさであれば、スルーホールと同様に形成できて都合がよい。

また、実装基体１７は、ヒータ２１の熱を第１空間Ｓ１に好適に伝達できるように、絶縁基体２４を貫通して第１実装面２４ａ及び第２実装面２４ｂに露出する伝熱体６３を有している。伝熱体６３は、例えば、第１実装面２４ａに設けられ、ＴＣＸＯ３に対向する第１伝熱膜６３ａと、第２実装面２４ｂに設けられ、ヒータ２１に対向する第２伝熱膜６３ｂと、貫通孔６１の内周面に設けられ、第１伝熱膜６３ａと第２伝熱膜６３ｂとを接続する内周伝熱膜６３ｃと、を含んでいる。

第２伝熱膜６３ｂは、例えば、２つのヒータ用パッド３０のうち一方と接続されている（ヒータ用パッド３０を含んでいると捉えられてもよい。）。従って、伝熱体６３は、ヒータ用パッド３０及びバンプ２９を介してヒータ２１（ヒータ端子２８）と熱的に接続されている。伝熱体６３は、例えば、Ｃｕ等の金属により構成されており、絶縁基体２４よりも伝熱率が高い。伝熱体６３は、ＴＣＸＯ３に対して電気的に非接続とされている。

図４（ａ）は、第１実装面２４ａの平面図であり、図４（ｂ）は、第２実装面２４ｂの平面図である。ただし、図４（ｂ）は、第１実装面２４ａ側から第２実装面２４ｂを透視した図となっている。すなわち、図４（ａ）の紙面上下左右と、図４（ｂ）の紙面上下左右とは互いに対応している（座標系ｘｙｚ参照）。

また、図４（ａ）では、ＴＣＸＯ３を２点鎖線で示し、図４（ｂ）では、ヒータ２１及び制御ＩＣ５０を２点鎖線で示している。

実装基体１７には、複数の外部端子２３に接続される複数の接続端子６５（第１接続端子６５Ａ〜第４接続端子６５Ｄ）が設けられている。複数の接続端子６５は、例えば、実装基体１７の外周側に、より具体的には４隅に設けられている。複数の接続端子６５は、例えば、複数の外部端子２３が挿入される複数の孔の内周面、及び、その周囲（第１実装面２４ａ及び第２実装面２４ｂ）に金属膜が設けられることによって形成されている。

複数の接続端子６５において、その位置と役割との関係は適宜に設定されてよい。本実施形態では、第１接続端子６５Ａは、ＴＣＸＯ３の生成する発振信号の周波数を制御するための制御電圧Ｖｃｏｎが入力される端子であり、第２接続端子６５Ｂは、基準電位となるグランドと接続される端子であり、第３接続端子６５Ｃは、ＴＣＸＯ３の生成した発振信号Ｖｏｕｔを出力する端子であり、第４接続端子６５Ｄは、ＴＣＸＯ３及び恒温槽５を駆動するための電源電圧Ｖｃｃが入力される端子であるものとする。

複数（５つ）のデバイス用パッド２７は、ＴＣＸＯ３のデバイス端子２５の位置に対応する位置（ＴＣＸＯ３の配置領域の４隅等）に設けられている。また、複数のデバイス用パッド２７は、例えば、ＴＣＸＯ３の中心が第１実装面２４ａの中心に位置するように配置されている。

なお、中心は、例えば、平面形状の重心である。後述するヒータ２１等の中心も同様である。

第１デバイス用パッド２７Ａ〜第４デバイス用パッド２７Ｄは、例えば、実装基体１７に設けられた配線を介して、第１接続端子６５Ａ〜第４接続端子６５Ｄに電気的に接続されている。なお、図４では、第１デバイス用パッド２７Ａ〜第４デバイス用パッド２７Ｄの配置位置と、第１接続端子６５Ａ〜第４接続端子６５Ｄの配置位置とは互いに対応しているが、必ずしも対応していなくてもよい。

また、第５デバイス用パッド２７Ｅは、例えば、ＴＣＸＯ３の検出した温度の情報を含む温度信号を制御ＩＣ５０に出力するためのものであり、実装基体１７に設けられた配線を介して、第３ＩＣ用パッド７５Ｃに接続されている。

複数（２つ）のヒータ用パッド３０は、ヒータ端子２８がヒータ２１の長手方向の両側に設けられていることに対応して、ヒータ２１の配置領域の長手方向の両側に設けられている。また、複数のヒータ用パッド３０は、例えば、ヒータ２１の中心が第２実装面２４ｂの中心よりも基準電位であるグランドと電気的に接続される第２接続端子６５Ｂ側に位置するように配置されている。

第１ヒータ用パッド３０Ａは、例えば、実装基体１７に設けられた配線を介して、第１ＩＣ用パッド７５Ａに接続されている。第２ヒータ用パッド３０Ｂは、例えば、実装基体１７に設けられた配線を介して、基準電位であるグランドと電気的に接続される第２接続端子６５Ｂに電気的に接続されている。

複数（４つ）のＩＣ用パッド７５は、制御ＩＣ５０の複数のＩＣ端子７３の位置に対応する位置（制御ＩＣ５０の配置領域の縁部等）に設けられている。上述のように、複数のヒータ用パッド３０は、ヒータ２１の中心が実装基体１７の中心よりも第２接続端子６５Ｂ側に位置するように配置されているところ、複数のＩＣ用パッド７５は、例えば、制御ＩＣ５０がヒータ２１に対してヒータ２１のずれの方向とは反対側に位置するように設けられている。別の観点では、第２接続端子６５Ｂは、実装基体１７の中心よりも所定方向の一方側（ｙ方向負側）に位置し、ヒータ２１の中心は、実装基体１７の中心よりも前記所定方向の前記一方側（ｙ方向負側）に位置し、制御ＩＣ５０（第２温度センサ４９）は、ヒータ２１に対して前記所定方向の他方側（ｙ方向正側）に位置している。

第１ＩＣ用パッド７５Ａ及び第３ＩＣ用パッド７５Ｃは、上述のように、第１ヒータ用パッド３０Ａ及び第５デバイス用パッド２７Ｅに接続されている。第２ＩＣ用パッド７５Ｂ及び第４ＩＣ用パッド７５Ｄは、例えば、実装基体１７に設けられた配線を介して、基準電位であるグランドと電気的に接続される第２接続端子６５Ｂ、及び、電源電圧が付与される第４接続端子６５Ｄに接続されている。

第１伝熱膜６３ａは、例えば、複数のデバイス用パッド２７とバンプ２６等によって短絡が生じないように、且つ、できるだけＴＣＸＯ３との重なりが大きくなるように形成されている。例えば、第１伝熱膜６３ａは、第２凹部１５ｂの平面形状と同様の形状（例えば矩形）とされるとともに、第２凹部１５ｂの平面形状よりも若干小さくされている。

第２伝熱膜６３ｂは、例えば、第２実装面２４ｂ上の第２伝熱膜６３ｂとは電位が異なる配線と短絡が生じないように、且つ、できるだけヒータ２１との重なりが大きくなるように形成されている。例えば、第２伝熱膜６３ｂは、ヒータ２１と同等の幅（ｘ方向）を有し、ヒータ２１の２／３以上の面積を有するように形成されている。また、第２伝熱膜６３ｂは、例えば、平面透視において、第１伝熱膜６３ａが収まるような大きさ及び形状に形成されている。

複数の貫通孔６１は、例えば、第１空間Ｓ１及びヒータ２１が互いに重なる領域（本実施形態では、ヒータ２１は第１空間Ｓ１よりも広いので、第１空間Ｓ１の領域と同一）の中央側に位置する第１貫通孔６１Ａと、第１空間Ｓ１及びヒータ２１が互いに重なる領域の外周側に位置し、第１貫通孔６１Ａを囲む複数（４つ）の第２貫通孔６１Ｂと、を含んでいる。複数の第２貫通孔６１Ｂは、例えば、矩形の第１空間Ｓ１の４隅に位置している。

なお、第１空間Ｓ１及びヒータ２１が互いに重なる領域の中央側は、例えば、前記領域の外周縁部よりも前記領域の中心に近い範囲（中心側の半分の範囲）をいい、外周側は、前記中心よりも前記外周縁部に近い範囲（外周縁部側の半分の範囲）をいう。より好適には、中央側は、前記中心と前記外周縁部との中間位置よりも前記中心に近い範囲（中心側の１／４の範囲）位置であり、外周側は、前記中間位置よりも前記外周縁部に近い範囲（外周縁部側の１／４の範囲）位置である。

実装基体１７は、基準電位となるグランドと電気的に接続される第２接続端子６５Ｂにヒータ２１の熱を伝え易くするために、第２実装面２４ｂに伝熱配線６７（図４（ｂ））を有している。伝熱配線６７は、第２接続端子６５Ｂに接続されるとともに、平面透視においてヒータ２１に重なっている。ただし、伝熱配線６７は、ヒータ２１に対して電気的に接続されていない。又は、伝熱配線６７は、ヒータ２１（ヒータ用パッド３０）に対して抵抗、キャパシタ又はインダクタ等の電子素子を介してヒータ２１に電気的に接続されており、直接的に接続されていない。なお、伝熱配線６７は、ヒータ２１に電気的に接続されていない場合、ヒータ２１以外の電子素子に電気的に接続されていてもよいし、接続されていなくてもよい。伝熱配線６７は、第２接続端子６５Ｂからヒータ２１に至るまで一体的に延びていることが望ましいが、その中途に熱の伝達をさほど妨げない電子素子が配置されていてもよい。伝熱配線６７は、例えば、ヒータ２１を横切るように２つのヒータ用パッド３０の間において延びている。

また、実装基体１７は、基準電位となるグランドと電気的に接続される第２デバイス用パッド２７Ｂにヒータ２１の熱を伝え易くするために、第１実装面２４ａにダミーパッド６９（図４（ａ））を有している。ダミーパッド６９は、例えば、配線の一部（例えば先端）が拡幅することにより形成されており、第２接続端子６５Ｂと第２デバイス用パッド２７Ｂとを接続するデバイス用配線７１に対して、第２デバイス用パッド２７Ｂを介して接続されている。ダミーパッド６９は、ＴＣＸＯ３と電気的に接続されていない。例えば、ダミーパッド６９上には、バンプ２６が設けられず、ダミーパッド６９は、ＴＣＸＯ３と接合されない。又は、ダミーパッド６９は、発振ＩＣ１１及び振動素子９等のＴＣＸＯ３のいずれの電子素子にも電気的に接続されていないダミーのデバイス端子２５とバンプ２６によって接合されており、ＴＣＸＯ３と熱的には接続されているものの電気的には接続されていない。

図５は、ＯＣＸＯ１の信号処理系の概略構成を示すブロック図である。

ＯＣＸＯ１は、既述のように、ＴＣＸＯ３と、恒温槽５とを有しており、両者は、複数のデバイス端子２５と複数のデバイス用パッド２７とがバンプ２６によって接合されることにより電気的に接続されている。また、恒温槽５の複数の外部端子２３を介して、ＴＣＸＯ３の複数のデバイス端子２５は、種々の信号が入力され、又は、種々の信号を出力する。

ＴＣＸＯ３は、上述のように、振動素子９と、振動素子９と電気的に接続される発振ＩＣ１１とを有している。発振ＩＣ１１は、例えば、振動素子９に電圧を印加して発振信号を生成する発振回路３３と、既述の第１温度センサ４７と、第１温度センサ４７の検出した温度に基づいて温度変化による振動素子９の周波数特性の変化を補償する温度補償回路３５と、温度補償回路３５の保持する温度補償に係るデータの内容を書き換えるための不図示の書換え回路とを有している。これら回路の構成は、公知の構成と同様でよい。

例えば、発振回路３３は、特に図示しないが、入力側及び出力側が振動素子９に電気的に接続されるインバータ、インバータの入力側及び出力側に電気的に接続される帰還抵抗、インバータの入力側とグランド部との間に配置される可変容量素子、及び、インバータの出力側とグランド部との間に配置される可変容量素子を含んで構成されている。

また、例えば、温度補償回路３５は、振動素子９とグランド部との間に配置される可変容量素子３９と、第１温度センサ４７及び可変容量素子３９に電気的に接続された補償信号発生回路４１と、補償信号発生回路４１に電気的に接続されたＲＯＭ４３及びＲＡＭ４５とを有している。

なお、温度補償回路３５の可変容量素子３９には、制御電圧Ｖｃｏｎに従って発振信号の周波数を変化させるために発振回路３３に含まれる可変容量素子が兼用されてもよい。また、ＲＯＭ４３及びＲＡＭ４５は、発振回路３３が利用する情報を保持するＲＯＭ及びＲＡＭと兼用されるものであってもよい。

補償信号発生回路４１は、ＲＯＭ４３又はＲＡＭ４５に記憶されている情報に基づいて、第１温度センサ４７の検出する温度に応じた電圧を可変容量素子３９に印加する。これにより、温度に応じて振動素子９の負荷容量が変化し、発振信号の周波数は温度補償がなされる。

恒温槽５は、既述のヒータ２１及び制御ＩＣ５０を有している。制御ＩＣ５０は、既述の第２温度センサ４９に加えて、ヒータ２１を制御する温度制御回路５１を有している。

温度制御回路５１には、第１温度センサ４７の検出した温度の情報を含む温度信号が第５デバイス端子２５Ｅ及び第５デバイス用パッド２７Ｅを介して入力されるとともに、第２温度センサ４９の検出した温度の情報を含む温度信号が入力される。温度制御回路５１は、この２つの温度信号に基づいてヒータ２１のフィードバック制御を行う。

例えば、温度制御回路５１は、第１温度センサ４７の検出温度に基づくヒータ２１の制御、及び、第２温度センサ４９の検出温度に基づくヒータ２１の制御を選択的に実行してよい。より具体的には、例えば、ＯＣＸＯ１が駆動を開始した初期においては、温度制御回路５１は、第１温度センサ４７の検出温度が所定の目標温度になるように、第１温度センサ４７の検出温度と目標温度との偏差に応じた制御量（電圧）でヒータ２１を制御する。その後、第１温度センサ４７の検出温度が目標温度又は目標温度よりも低く設定された所定の切換温度に到達すると、温度制御回路５１は、第２温度センサ４９の検出温度が目標温度になるように、第２温度センサ４９の検出温度と目標温度との偏差に応じた制御量でヒータ２１を制御する。

ヒータ２１の熱の伝達経路の構成にもよるが、第２温度センサ４９は、第１温度センサ４７よりもヒータ２１の熱の影響を受けやすい。従って、上記のような制御を行うと、例えば、第１温度センサ４７の検出温度に基づく温度制御によって、速やかにＴＣＸＯ３の温度が目標温度に近づけられ、その一方で、ＴＣＸＯ３の温度が目標温度に近づいた後は、時間遅れが少ない第２温度センサ４９の検出温度に基づく温度制御によって温度の発振が低減されることが期待される。

また、例えば、温度制御回路５１は、第１温度センサ４７及び第２温度センサ４９の一方の検出温度が目標温度になるようにヒータ２１を制御するともに、他方の検出温度に基づいて一方の検出温度又は目標温度を補正してもよい。具体的には、例えば、第２温度センサ４９の検出温度が目標温度になるように、第２温度センサ４９の検出温度と目標温度との偏差に応じた制御量でヒータ２１を制御する。第２温度センサ４９の検出温度が目標温度又は目標温度よりも低く設定された所定の補正開始温度に到達するなど、ある程度、第２温度センサ４９の検出温度が目標温度に収束したと判定されると、第１温度センサ４７の検出温度と第２温度センサ４９の検出温度との差の平均を所定期間に亘って求める。その後は、その差の平均を第２温度センサ４９の検出温度又は目標温度に加算又は減算して補正し、補正後の検出温度又は補正後の目標温度に基づいてフィードバック制御を行う。

このような制御によって、例えば、時間遅れが少ない第２温度センサ４９の検出温度に基づく温度制御によって温度の発振が低減され、その一方で、ＴＣＸＯ３の実際の温度と検出温度とのずれが低減されることが期待される。

また、例えば、上述の２つの制御の具体例を組み合わせてもよい。すなわち、初期に第１温度センサ４７の検出温度に基づく制御を行い、次に、第２温度センサ４９の検出温度に基づく制御を行い、その後、検出温度がある程度安定したら、第１温度センサ４７の検出温度に基づいて、第２温度センサ４９の検出温度又は目標温度を補正してもよい。

温度制御回路５１の制御は、フィードバック制御であるが、その具体的な制御については、比例制御、ＰＤ制御、ＰＩＤ制御、ファジー制御などの各種の制御が適用されてよい。

図５では、恒温槽５から露出する複数の外部端子２３と、ＴＣＸＯ３の複数のデバイス端子２５とは、電子素子を介在させずに、実装基体１７の配線によって接続されている。ただし、適宜な電子素子が介在していてもよい。例えば、増幅器又はインピーダンス整合を図るための素子が介在していてもよい。ただし、基準電位となるグランドと電気的に接続される第２外部端子２３Ｂ（第２接続端子６５Ｂ）と、第２デバイス端子２５Ｂとは、電子素子を介在させずに接続されていることが望ましい。

以上のとおり、本実施形態では、ＯＣＸＯ１は、第１実装面２４ａ及びその背面の第２実装面２４ｂを有する実装基体１７と、第１実装面２４ａに実装されたＴＣＸＯ３と、第２実装面２４ｂに実装されたヒータ２１と、ヒータ２１を制御する温度制御回路５１と、これらを収容するケース１９と、を有している。ＴＣＸＯ３は、振動素子９と、第１温度センサ４７と、第１温度センサ４７の検出温度に基づいて、温度変化による振動素子９の周波数特性の変化を補償する温度補償回路３５と、これらを収容するパッケージ（素子搭載部材７及び蓋体１３）と、パッケージの外部に露出する複数のデバイス端子２５と、を有している。複数のデバイス端子２５は、第１温度センサ４７の検出温度の情報を含む温度信号を出力する第５デバイス端子２５Ｅを含む。温度制御回路５１は、第５デバイス端子２５Ｅからの温度信号に基づいてヒータ２１を制御する。

従って、例えば、温度制御回路５１は、第２実装面２４ｂに設けられた第２温度センサ４９に比較して、ＴＣＸＯ３（振動素子９の周囲の雰囲気）の温度に近い、第１温度センサ４７の検出温度に基づいてヒータ２１を制御することができる。その結果、ＴＣＸＯ３の温度を所望の温度に維持しやすく、ひいては、温度変化による振動素子９の周波数特性の変化によって、発振信号Ｖｏｕｔの周波数が所望の周波数からずれることが抑制される。さらに、第１温度センサ４７は、振動素子９の周波数特性の温度補償のために設けられているものであるから、新たに温度センサを設ける必要はなく、コスト削減が図られる。

また、本実施形態では、ＯＣＸＯ１は、第２実装面２４ｂに実装された第２温度センサ４９を更に有している。温度制御回路５１は、第２温度センサ４９の検出温度の情報を含む温度信号に基づいてヒータ２１を制御する。第２温度センサ４９は、実装基体１７の絶縁基体２４よりも熱伝導率が低い断熱材３１によりヒータ２１と隔てられるように断熱材３１によりヒータ２１と接着されている。

従って、例えば、断熱材３１により、ヒータ２１が第２温度センサ４９の検出温度に及ぼす影響が緩和される。また、例えば、第２温度センサ４９は、ＴＣＸＯ３と同様に、実装基体１７を介してヒータ２１の熱が伝達される。その結果、例えば、第２温度センサ４９の検出温度と、ＴＣＸＯ３（振動素子９の周囲の雰囲気）の温度とのずれが低減されることが期待される。また、例えば、ヒータ２１の外周（さらにはヒータ２１の実装基体１７とは反対側の面）を断熱材３１によって覆うことによって、ヒータ２１の熱がＴＣＸＯ３への方向とは異なる方向へ発散されることを低減し、効率的にＴＣＸＯ３を昇温させることができる。また、例えば、断熱材３１は、ヒータ２１及び第２温度センサ４９の実装基体１７に対する固定を強化可能である。すなわち、断熱材３１は、ヒータ２１が第２温度センサ４９に及ぼす影響の緩和に加えて、種々の利用が可能である。

また、本実施形態では、ＴＣＸＯ３と第１実装面２４ａとの間には第１空間Ｓ１が形成されている。ヒータ２１と第２実装面２４ｂとの間には第２空間Ｓ２が形成されている。実装基体１７には、第１空間Ｓ１と第２空間Ｓ２とを連通する貫通孔６１が形成されている。断熱材３１は、第２空間Ｓ２の周囲においてヒータ２１及び第２実装面２４ｂに接着して第２空間Ｓ２を密閉している。

従って、例えば、断熱材３１は、第２空間Ｓ２からの熱の放出を抑制できる。その結果、第１空間Ｓ１、第２空間Ｓ２及び貫通孔６１における対流によってヒータ２１の熱をＴＣＸＯ３に効率的に伝達することができる。すなわち、断熱材３１は、ヒータ２１が第２温度センサ４９に及ぼす影響の緩和と、ヒータ２１からＴＣＸＯ３への好適な熱の伝達とに寄与する。

また、本実施形態では、ＯＣＸＯ１は、ケース１９の外部に露出する複数の外部端子２３を更に有している。実装基体１７は、複数の外部端子２３のいずれかに接続された基準電位用の第２接続端子６５Ｂと、第２接続端子６５Ｂから延びるデバイス用配線７１と、デバイス用配線７１に接続され、ＴＣＸＯ３が実装された第２デバイス用パッド２７Ｂと、を有している。第２実装面２４ｂの平面視において、第２接続端子６５Ｂは、実装基体１７の中心よりも所定方向の一方側（ｙ方向負側）に位置し、ヒータ２１の中心は、実装基体１７の中心よりも前記所定方向の前記一方側（ｙ方向負側）に位置している。従って、ヒータ２１の中心が実装基体１７の中心よりも第２接続端子６５Ｂ側になるように、ヒータ２１が設けられている。また、制御ＩＣ５０（第２温度センサ４９）は、ヒータ２１に対して前記所定方向の他方側（ｙ方向正側）に位置している。

基準電位用の第２接続端子６５Ｂ、デバイス用配線７１及び第２デバイス用パッド２７Ｂは、外部端子２３とＴＣＸＯ３とを熱的に接続していることから、ＴＣＸＯ３の熱を外部端子２３へ逃がしてしまいやすい。しかし、ヒータ２１の中心が実装基体１７の中心よりも第２接続端子６５Ｂ側になるようにヒータ２１が設けられ、ヒータ２１によって第２接続端子６５Ｂ及び第２外部端子２３Ｂが昇温されることにより、第２接続端子６５Ｂの温度がＴＣＸＯ３の温度より高くなり、ＴＣＸＯ３から第２接続端子６５Ｂへの熱の流れが低減される。一方、第２温度センサ４９は、ヒータ２１の中心が実装基体１７の中心からずれることによって実装基体１７の中心に近づく。その結果、実装基体１７の平均的な温度乃至は実装基体１７の中心に実装されているＴＣＸＯ３の温度に近い温度を検出しやすくなる。しかも、断熱材３１によってヒータ２１の影響は低減されている。従って、全体として、昇温及び温度検出が好適になされる。なお、制御ＩＣ５０は、ヒータ２１が第２接続端子６５Ｂ側へずれたことにより、その反対側の温度が低下することを抑制することに寄与し得る。

（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係るＯＣＸＯ２０１の信号処理系の概略構成を示すブロック図である。

ＯＣＸＯ２０１は、第１の実施形態のＯＣＸＯ１に対して、第２温度センサ４９を省略した点のみが相違する。温度制御回路５１は、第１温度センサ４７の検出温度が所定の目標温度になるようにヒータ２１のフィードバック制御を行う。この実施形態は、第１の実施形態に比較して、第２温度センサ４９を設ける必要がないことから、コスト削減が期待される。

（第３の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係るＯＣＸＯ３０１の信号処理系の概略構成を示すブロック図である。

ＯＣＸＯ３０１は、第１の実施形態のＯＣＸＯ１に対して、第１温度センサ４７の温度信号を温度制御回路５１に入力しない点のみが相違する。温度制御回路５１は、第２温度センサ４９の検出温度が所定の目標温度になるようにヒータ２１のフィードバック制御を行う。この実施形態は、第１の実施形態に比較して、第１温度センサ４７の温度信号を出力可能にＴＣＸＯ３を構成する必要がないことから、コスト削減が期待される。

なお、以上の実施形態において、ＯＣＸＯ１、２０１及び３０１は、恒温槽付圧電デバイスの一例であり、ＴＣＸＯ３は温度補償型圧電デバイスの一例であり、振動素子９は圧電素子の一例であり、素子搭載部材７及び蓋体１３の組み合わせはパッケージの一例であり、第５デバイス端子２５Ｅは温度信号用デバイス端子の一例であり、第２接続端子６５Ｂは基準電位用接続端子の一例である。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

恒温槽付圧電デバイス（実施形態ではＯＣＸＯ）の構造は、適宜に変更されてよい。例えば、ヒータの実装基体とは反対側に、実装基体とスペーサを介して固定される回路基板が設けられ、温度補償型圧電デバイス（実施形態ではＴＣＸＯ）、実装基体、ヒータ及び前記回路基板のヒータ側の面を覆うケースが設けられ、前記回路基板のヒータとは反対側の面がケース外に露出されてもよい。この回路基板のケース外に露出する面に、パッド状の外部端子が設けられてもよい。別の観点では、外部端子に接続される実装基体の基準電位用接続端子（実施形態では第２接続端子６５Ｂ）は、直接に外部端子に電気的及び熱的に接続されるのではなく、前記の回路基板の配線及び端子を介して電気的及び熱的に接続されていてもよい。

温度補償型圧電デバイスは、発振器に限定されず、例えば、ＳＡＷフィルタ等のフィルタであってもよい。なお、圧電デバイスがＳＡＷフィルタの場合、圧電素子は、ＩＤＴ電極が設けられた圧電基板である。

温度補償型圧電デバイスは、いわゆるＨ型の素子搭載部材を有するものに限定されない。例えば、温度補償型圧電デバイスは、一つの凹部のみを有する素子搭載部材（箱状の素子搭載部材）に圧電素子が収容されるものであってもよいし、平板状の素子搭載部材に圧電素子が実装されたものであってもよいし、圧電基板の電極が設けられた面を樹脂封止したもの（素子搭載部材が設けられないもの）であってもよい。

温度補償型圧電発振器は、実施形態に例示した以外の信号を入出力するものであってもよい。例えば、発振器は、制御電圧が入力されないもの（予め定められた一定の周波数の発振信号を出力するもの）であってもよいし、イネーブル・ディセーブル信号が入力されるものであってもよいし、周波数が互いに異なる又は同一の２つの発振信号を出力するものであってもよい。

振動素子は、平板状のものに限定されず、例えば、音叉型のものであってもよい。また、平板状の振動素子は、圧電体の両主面に１対の電極が設けられるものに限定されず、例えば、ＳＡＷ型の振動素子のように圧電体の一主面に１対の電極が設けられるものであってもよい。圧電体のカットの角度は適宜に設定されてよい。圧電体は、水晶に限定されず、例えば、セラミックであってもよい。

第１空間、第２空間、これらを連通する貫通孔、電気的に温度補償型圧電デバイスに接続されない伝熱体（６３）、断熱材等は設けられなくてもよいし、ヒータは、その中心が実装基体の中心に一致するように設けられてもよい。例えば、ヒータと第２実装面との間には熱伝導率が高いアンダーフィルが充填されてもよい。また、例えば、ヒータは、直接的に又は接着剤を介して間接的に第２実装面に密着され、第２実装面とは反対側の面に形成されたヒータパッドと実装基体のヒータ用パッドとがボンディングワイヤによって接続されるものであってもよい。

実装基体に設けられた第１空間に通じる貫通孔（実施形態では貫通孔６１）は、複数でなくてもよい。例えば、貫通孔は、１つのみでもよいし、気体の流入用と流出用との２つのみでもよい。複数の貫通孔が設けられる場合、その配置位置は適宜に設定されてよい。貫通孔の形状も円形に限定されず、楕円形や長方形であってもよい。

圧電デバイスに対して電気的に非接続な伝熱体（６３）の形状及び配置は適宜に設定されてよい。例えば、伝熱体は、第１伝熱膜及び第２伝熱膜を接続する部分が、圧電デバイス又はヒータに重ならない領域において絶縁基体を貫通するものであってもよい。また、例えば、伝熱体は、絶縁基体を貫通する部分が、貫通孔の内面に設けられた膜状ではなく、貫通孔に充填された柱状とされてもよい。また、伝熱体は、圧電デバイス及びヒータに重なる領域において絶縁基体を貫通する柱状に形成され、第１伝熱膜及び第２伝熱膜を有さず、柱の上面及び下面を第１実装面及び第２実装側に露出させるものであってもよい。

第１温度センサは、発振ＩＣとは別個に設けられてもよい。同様に、第２温度センサは、制御ＩＣとは別個に設けられてもよい。また、温度センサは、サーミスタに限定されず、例えば、熱電対であってもよい。

１…恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ、恒温槽付圧電デバイス）、３…温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ、圧電デバイス）、７…素子搭載部材（パッケージ）、９…振動素子（圧電素子）、１７…実装基体、１９…ケース、２１…ヒータ、２４…絶縁基体、２４ａ…第１実装面、２４ｂ…第２実装面、２５…デバイス端子、２５Ｅ…第５デバイス端子（温度信号用デバイス端子）、３５…温度補償回路、４７…第１温度センサ、５１…温度制御回路。

Claims (5)

1. 第１実装面及びその背面の第２実装面を有する実装基体と、
   前記第１実装面に実装された温度補償型圧電デバイスと、
   前記第２実装面に実装されたヒータと、
   前記ヒータを制御する温度制御回路と、
   前記実装基体、前記温度補償型圧電デバイス、前記ヒータ及び前記温度制御回路を収容するケースと、
   を有し、
   前記温度補償型圧電デバイスは、
   圧電素子と、
   第１温度センサと、
   前記第１温度センサの検出温度に基づいて、温度変化による前記圧電素子の周波数特性の変化を補償する温度補償回路と、
   前記圧電素子、前記第１温度センサ及び前記温度補償回路を収容するパッケージと、
   前記パッケージの外部に露出する複数のデバイス端子と、を有し、
   前記複数のデバイス端子は、前記第１温度センサの検出温度の情報を含む温度信号を出力する温度信号用デバイス端子を含み、
   前記温度制御回路は、前記温度信号用デバイス端子からの温度信号に基づいて前記ヒータを制御する
   恒温槽付圧電デバイス。
2. 前記第２実装面に実装された第２温度センサを更に有し、
   前記温度制御回路は、前記第２温度センサの検出温度の情報を含む温度信号に基づいて前記ヒータを制御し、
   前記第２温度センサは、前記実装基体の絶縁基体よりも熱伝導率が低い断熱材により前記ヒータと隔てられるように前記断熱材により前記ヒータと接着されている
   請求項１に記載の恒温槽付圧電デバイス。
3. 前記温度補償型圧電デバイスと前記第１実装面との間には第１空間が形成されており、
   前記ヒータと前記第２実装面との間には第２空間が形成されており、
   前記実装基体には、前記第１空間と前記第２空間とを連通する貫通孔が形成されており、
   前記断熱材は、前記第２空間の周囲において前記ヒータ及び前記第２実装面に密着して前記第２空間を密閉している
   請求項２に記載の恒温槽付圧電デバイス。
4. 前記ケースの外部に露出する複数の外部端子を更に有し、
   前記実装基体は、
   前記複数の外部端子のいずれかに接続された基準電位用接続端子と、
   前記基準電位用接続端子から延びるデバイス用配線と、
   前記デバイス用配線に接続され、前記温度補償型圧電デバイスが実装されたデバイス用パッドと、を有し、
   前記第２実装面の平面視において、
   前記基準電位用接続端子は、前記実装基体の中心よりも所定方向の一方側に位置し、
   前記ヒータの中心は、前記実装基体の中心よりも前記所定方向の前記一方側に位置し、
   前記第２温度センサは、前記ヒータに対して前記所定方向の他方側に位置している
   請求項２又は３に記載の恒温槽付圧電デバイス。
5. 第１実装面及びその背面の第２実装面を有する実装基体と、
   前記第１実装面に実装された温度補償型圧電デバイスと、
   前記第２実装面に実装されたヒータと、
   前記第２実装面に実装された温度センサと、
   前記温度センサの検出温度に基づいて前記ヒータを制御する温度制御回路と、
   前記実装基体、前記温度補償型圧電デバイス、前記ヒータ、前記温度センサ及び前記温度制御回路を収容するケースと、
   を有し、
   前記温度センサは、前記実装基体の絶縁基体よりも熱伝導率が低い断熱材により前記ヒータと隔てられるように前記断熱材により前記ヒータと接着されている
   恒温槽付圧電デバイス。

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