JP2016138287A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ポリイミド系パッシベーション膜で表面処理された半導体素子に対する良好な接着力を維持しつつ、銅ワイヤーに対する高温高湿信頼性特性に優れた半導体装置を得ることのできる封止材料となる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記エポキシ樹脂組成物を下記条件(x)で硬化した後、下記条件(y)にて吸湿処理してなる硬化物を誘電緩和測定して得られたイオン分極起因の誘電損失のピーク上で、誘電損失が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下となるエポキシ樹脂組成物である。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(x)175±10℃×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10℃×3±2時間のアフターキュア。
(y)130℃×85%RHにて80±30時間の吸湿処理。
【選択図】なし
【解決手段】下記(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記エポキシ樹脂組成物を下記条件(x)で硬化した後、下記条件(y)にて吸湿処理してなる硬化物を誘電緩和測定して得られたイオン分極起因の誘電損失のピーク上で、誘電損失が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下となるエポキシ樹脂組成物である。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(x)175±10℃×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10℃×3±2時間のアフターキュア。
(y)130℃×85%RHにて80±30時間の吸湿処理。
【選択図】なし
Description
本発明は、高温高湿信頼性およびパッシベーション膜に対する接着性に優れた半導体装置を得ることのできる封止材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置に関するものである。
トランジスタ、IC、LSI等の各種半導体素子は、従来、セラミックパッケージ等によって封止され、半導体装置化されていたが、最近では、コスト、量産性の観点から、プラスチックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止には、従来から、エポキシ樹脂組成物が使用されており、良好な成績を収めている。
このように樹脂封止される半導体素子と配線回路とを導通させるための手段としては、従来から金ワイヤーが用いられてきたが、最近では、金ワイヤーに代えて銅ワイヤーを適用することが顕著になってきており、これまで以上に高温高湿信頼性、具体的には130℃×85%RHにおける高温高湿信頼性での良好な特性(HAST特性)が要求されている。このようなことから、HAST特性の向上を図る目的で、例えば、イオントラップ剤を多量に添加し、原因不純物イオンをトラップし、HAST信頼性を向上させるなどの手法を採ることが提案されている(特許文献1、2参照)。
一方で、半田リフロー工程等、高温処理されるプロセスでは、封止樹脂と半導体素子との界面に応力が発生するため、封止樹脂に対しては、従来から半導体素子に対する充分な接着力が求められてきた。ところで、樹脂封止される半導体素子は、通常、パッシベーション膜と呼ばれる表面保護膜によって保護されているが、封止樹脂の半導体素子に対する接着力に関しては、半導体素子がどのようなパッシベーション膜形成材料を用いて表面処理されているかにも大きく依存しており、特に感光性ポリイミド(PSPI)等のポリイミドによるパッシベーション膜にて表面処理された半導体素子に対する接着力は比較的低く、接着性の向上改善が必要とされてきた。
上記特許文献1のように、上記銅ワイヤーに対する高温高湿信頼性特性(HAST特性)の向上や応力制御等のために各種添加剤を検討し配合することが有効である場合があるが、その場合、被着体との界面での反応・接着に寄与しない成分が増えるため、上述のパッシベーション膜に対する接着特性とのバランスが課題となるケースが多くあった。このように、封止樹脂における、パッシベーション膜に対する接着力を維持させつつ、銅ワイヤーに対する高温高湿信頼性特性を向上させることは非常に困難であるのが実情である。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、パッシベーション膜、なかでもポリイミド系パッシベーション膜で表面処理された半導体素子に対する良好な接着力を維持しつつ、銅ワイヤーに対する高温高湿信頼性特性(HAST特性)に優れた半導体装置を得ることのできる封止材料となりうる半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の提供をその目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、下記の(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を下記の条件(x)で硬化した後、下記の条件(y)にて吸湿処理してなる硬化物(誘電緩和測定装置の電極の直径以上×厚み1±0.6mmの円板状)を誘電緩和測定した際に、イオン分極起因の誘電損失のピーク上において、誘電損失が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下となる半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第1の要旨とする。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(x)175±10℃×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10℃×3±2時間のアフターキュア。
(y)130℃×85%RHにて80±30時間の吸湿処理。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(x)175±10℃×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10℃×3±2時間のアフターキュア。
(y)130℃×85%RHにて80±30時間の吸湿処理。
そして、本発明は、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置を第2の要旨とする。
本発明者らは、パッシベーション膜、特にポリイミド系パッシベーション膜にて表面処理された半導体素子に対する封止樹脂に対する優れた接着性と銅ワイヤーに対する高温高湿信頼性特性(HAST特性)の向上を目的に研究を重ねた。まず、パッシベーション膜に対する接着性に関しては、一連の系統的研究の結果、封止樹脂形成材料に配合される硬化促進剤の種類によってポリイミド系パッシベーション膜にて表面処理された半導体素子に対する接着性が大きく影響することを突き止め、特に硬化促進剤の中でもイミダゾール系硬化促進剤を用いると、パッシベーション膜に対する接着力が改善することを見出した。一方、銅ワイヤーに対する高温高湿信頼性特性(HAST特性)に関しては、そのHAST特性の低下原因となるメカニズムを解明するために新たに鋭意検討を重ねた。その研究の過程において、まずHAST特性の不良は銅ワイヤーの接続部(ボンディング部)の腐食に起因した断線であるという知見を得た。そして、その知見に基づき、さらに研究を行なった結果、そのボンディング部の腐食に関して、封止樹脂中に存在する塩素イオンが大きく関与していることを突き止めた。このボンディング部の腐食スピードには、当然ながら封止樹脂中の塩素イオン濃度も関係はするが、それよりも塩素イオンの封止樹脂中での易動度が実効的な因子であることを突き止めた。そして、上記実効因子である塩素イオンの封止樹脂中での易動度を定量評価するために、様々な評価方法を検討した結果、HAST特性の試験環境下と同等の吸湿処理を施した封止樹脂硬化物を誘電緩和測定し、その時得られるイオン分極に起因する誘電損失のピークの位置、すなわち封止樹脂中での平均のイオンの易動度と、銅ワイヤーに対するHAST特性が非常に密接な相関関係にあることを見出し、本発明に到達した。
すなわち、本発明者らは、従来の技術常識であった封止樹脂に含まれるイオン濃度に着目するのではなく、封止樹脂中におけるイオンの易動度という特性に着目し、イオンの易動度を定量評価することにより、その定量評価と銅ワイヤーに対するHAST特性との相関関係を求めたのである。その結果、HAST特性の試験環境下と同等の吸湿処理を施した封止樹脂硬化物を誘電緩和測定し、その時得られるイオン分極起因の誘電損失のピーク上の誘電損失の値が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下であれば、銅ワイヤーに対するHAST特性が良好であるという相関関係を見出したのである。
このように、本発明は、前記(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を所定の条件(x)で硬化した後、所定の条件(y)にて吸湿処理してなる硬化物(誘電緩和測定装置の電極の直径以上×厚み1±0.6mmの円板状)を誘電緩和測定した際に、イオン分極起因の誘電損失のピーク上で、誘電損失が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下となる物性を備えた半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。このため、これを封止材料として用いて形成される封止樹脂は、例えば、ポリイミド系パッシベーション膜で表面処理された半導体素子に対する良好な接着性を備えており、しかも、銅ワイヤーに対する優れた高温高湿信頼性を備えるものである。
また、(B)成分であるフェノール樹脂が、水酸基当量150g/eq以下であると、パッシベーション膜、特にポリイミド系パッシベーション膜で表面処理された半導体素子に対する接着性がより一層向上する。
つぎに、本発明を実施するための形態について説明する。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物(以下、「エポキシ樹脂組成物」と略すことがある)は、エポキシ樹脂(A成分)と、フェノール樹脂(B成分)と、イミダゾール系硬化促進剤(C成分)と、無機質充填剤(D成分)とを用いて得られるものであって、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット状になっている。
<エポキシ樹脂(A成分)>
上記エポキシ樹脂(A成分)としては、各種エポキシ樹脂が用いられる。例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。そして、これらエポキシ樹脂の中でも、ビフェニル型エポキシ樹脂や、低級アルキル基をフェニル環に付加したような低吸湿型のエポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂を用いることが、信頼性・成形性の点から好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ当量150〜250g/eq、軟化点もしくは融点が50〜130℃のものが好適に用いられる。
上記エポキシ樹脂(A成分)としては、各種エポキシ樹脂が用いられる。例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。そして、これらエポキシ樹脂の中でも、ビフェニル型エポキシ樹脂や、低級アルキル基をフェニル環に付加したような低吸湿型のエポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂を用いることが、信頼性・成形性の点から好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ当量150〜250g/eq、軟化点もしくは融点が50〜130℃のものが好適に用いられる。
<フェノール樹脂(B成分)>
上記エポキシ樹脂(A成分)とともに用いられるフェノール樹脂(B成分)は、上記エポキシ樹脂(A成分)の硬化剤としての作用を有するものであり、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般をいう。例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビフェニル型ノボラック樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、ナフトールノボラック樹脂、フェノールビフェニレン樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。中でも、フェノールノボラック樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、フェノールビフェニレン樹脂が好ましく用いられる。そして、これらフェノール樹脂の中でも、パッシベーション膜、特にポリイミド系パッシベーション膜で表面処理された半導体素子に対する接着性向上という点から、水酸基当量が150g/eq以下であることが好ましい。特に好ましくは水酸基当量が80〜120g/eqである。
上記エポキシ樹脂(A成分)とともに用いられるフェノール樹脂(B成分)は、上記エポキシ樹脂(A成分)の硬化剤としての作用を有するものであり、1分子中に2個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般をいう。例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビフェニル型ノボラック樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、ナフトールノボラック樹脂、フェノールビフェニレン樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。中でも、フェノールノボラック樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、フェノールビフェニレン樹脂が好ましく用いられる。そして、これらフェノール樹脂の中でも、パッシベーション膜、特にポリイミド系パッシベーション膜で表面処理された半導体素子に対する接着性向上という点から、水酸基当量が150g/eq以下であることが好ましい。特に好ましくは水酸基当量が80〜120g/eqである。
上記エポキシ樹脂(A成分)とフェノール樹脂(B成分)との配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量あたり、フェノール樹脂(B成分)中の水酸基当量が0.5〜1.5当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは0.7〜1.1当量であり、特に好ましくは0.8〜1.0当量である。
<イミダゾール系硬化促進剤(C成分)>
上記A成分およびB成分とともに用いられるイミダゾール系硬化促進剤(C成分)としては、例えば、ポリイミド系パッシベーション膜にて表面処理された半導体素子に対する接着性の向上という点から、下記の一般式(1)で表されるイミダゾール化合物が好ましく用いられる。このようなイミダゾール化合物としては、具体的には、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール等があげられる。
上記A成分およびB成分とともに用いられるイミダゾール系硬化促進剤(C成分)としては、例えば、ポリイミド系パッシベーション膜にて表面処理された半導体素子に対する接着性の向上という点から、下記の一般式(1)で表されるイミダゾール化合物が好ましく用いられる。このようなイミダゾール化合物としては、具体的には、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール等があげられる。
上記硬化促進剤の含有量は、上記フェノール樹脂(B成分)に対して1.0〜12.0重量%に設定することが好ましく、より好ましくは3.0〜10.0重量%である。
<無機質充填剤(D成分)>
上記A〜C成分とともに用いられる無機質充填剤(D成分)としては、各種充填剤が用いられ、例えば、溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等のシリカ粉末、アルミナ粉末、タルク、窒化アルミニウム粉末、窒化珪素粉末等があげられる。これら無機質充填剤は、破砕状、球状、あるいは摩砕処理したもの等いずれのものでも使用可能である。そして、これら無機質充填剤は単独でもしくは2種以上併せて用いられる。なかでも、シリカ粉末を用いることが好ましく、上記シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることが、高充填性、高流動性という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末があげられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。
上記A〜C成分とともに用いられる無機質充填剤(D成分)としては、各種充填剤が用いられ、例えば、溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等のシリカ粉末、アルミナ粉末、タルク、窒化アルミニウム粉末、窒化珪素粉末等があげられる。これら無機質充填剤は、破砕状、球状、あるいは摩砕処理したもの等いずれのものでも使用可能である。そして、これら無機質充填剤は単独でもしくは2種以上併せて用いられる。なかでも、シリカ粉末を用いることが好ましく、上記シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることが、高充填性、高流動性という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末があげられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。
また、無機質充填剤(D成分)としては、平均粒径5〜40μmの範囲のものを用いることが、流動性を良好にするという点から好ましい。なお、上記無機質充填剤(D成分)の平均粒径は、例えば、母集団から任意の測定試料を取り出し、市販のレーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することができる。
そして、上記無機質充填剤(D成分)の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の70〜92重量%の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは80〜92重量%である。すなわち、無機質充填剤(D成分)の含有量が少なすぎると、無機質充填剤配合による吸水率の低減効果が小さくなり、エポキシ樹脂組成物の吸水率の絶対値自体がそもそも大きくなり、その結果、高温高湿信頼性が悪化する傾向がみられる。逆に無機質充填剤(D成分)の含有量が多すぎると、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、ワイヤー流れや未充填が発生する傾向がみられるからである。
<添加剤>
なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、上記A〜D成分に加えて、各種添加剤を必要に応じて適宜配合することができる。例えば、シリコーン化合物、シランカップリング剤、難燃剤、難燃助剤、離型剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料や着色料、低応力化剤、粘着付与剤等の他の添加剤を必要に応じて適宜配合することができる。
なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、上記A〜D成分に加えて、各種添加剤を必要に応じて適宜配合することができる。例えば、シリコーン化合物、シランカップリング剤、難燃剤、難燃助剤、離型剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料や着色料、低応力化剤、粘着付与剤等の他の添加剤を必要に応じて適宜配合することができる。
<シリコーン化合物>
上記シリコーン化合物としては、例えば、その構造的特徴として、ケイ素に直接結合する官能基にアルコキシ基を含有せず、シラノール基を含有するという特徴的構造を有するシリコーン化合物や、逆にケイ素に直接結合するアルコキシ基を含有し、シラノール基を含有しないという特徴的構造を有するシリコーン化合物があげられる。このような特徴的構造を有するシリコーン化合物を単独でもしくは2種以上併せて用いられる。
上記シリコーン化合物としては、例えば、その構造的特徴として、ケイ素に直接結合する官能基にアルコキシ基を含有せず、シラノール基を含有するという特徴的構造を有するシリコーン化合物や、逆にケイ素に直接結合するアルコキシ基を含有し、シラノール基を含有しないという特徴的構造を有するシリコーン化合物があげられる。このような特徴的構造を有するシリコーン化合物を単独でもしくは2種以上併せて用いられる。
上記シリコーン化合物としては、例えば、いくつかの市販品があげられる。もしくは、合成することによっても製造することができる。上記特定のシリコーン化合物の市販品として、例えば、アルコキシ基非含有でシラノール基含有のシリコーン化合物としては、東レ・ダウコーニング社製の、217FLAKE、255FLAKE、SH6018FLAKE、220FLAKE等があげられる。一方、シラノール基非含有でアルコキシ基含有のシリコーン化合物としては、東レ・ダウコーニング社製の3074INTERMEDIATE、3037INTERMEDIATE、SR2402、AY42−163等があげられる。
そして、上記ケイ素に直接結合する官能基にアルコキシ基を含有せず、シラノール基を含有するシリコーン化合物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、目的とするオルガノポリシロキサンの分子構造および分子量に従ってフェニルクロロシラン類およびフェニルアルコキシシラン類からなる群から選択される1種のフェニル基を有するオルガノシラン類および任意でそれ以外の他のオルガノクロロシラン類に適宜に水を反応させた後、必要に応じて縮合反応促進触媒を用いてさらに高分子量化し、また、添加した有機溶媒、副生する塩酸や低沸点化合物を除去することによってシラノール基(−Si−OH)を含有したオルガノポリシロキサンを得ることができる。そして、このようにして得られるシリコーン化合物としては、下記の一般式(a)で表される構造単位および下記の一般式(b)で表される構造単位を有するものである。
上記一般式(a)および(b)中のR1としては、上述のように、少なくとも一つはフェニル基である。そして、それ以外に、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニル基等のアリール基、ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等があげられる。なかでも、全てフェニル基、またはフェニル基とともにメチル基であることが好ましい。
上記シリコーン化合物を製造する際の原料となる、フェニルクロロシラン類としては、具体的には、フェニルトリクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、トリフェニルクロロシラン、フェニルメチルジクロロシラン等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いることができる。
上記フェニルアルコキシシラン類としては、具体的には、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いることができる。
上記他のオルガノクロロシラン類としては、具体的には、テトラクロロシラン、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン等のアルキルクロロシラン;トリフルオロプロピルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルメチルジクロロシラン等のフッ化アルキルクロロシラン;テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のアルキルアルコキシシラン;トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリフルオロプロピルメチルジエトキシシラン等のフッ化アルキルアルコキシシランがあげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いることができる。
そして、上記縮合反応促進触媒としては、公知の縮合触媒を用いることができるが、リン化合物を縮合触媒として用いることが好ましく、特にホスフィンオキシドであるリン化合物を縮合触媒として用いることが好ましい。
上記シリコーン化合物の重量平均分子量は、1000〜5000の範囲であることが好ましく、特に好ましくは、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度等という観点から、重量平均分子量は1200〜3500である。すなわち、シリコーン化合物の重量平均分子量が小さすぎると、相分離性の観点から適切なシリコーンのドメインが形成されず、各種特性に悪影響を与える傾向がみられ、逆にシリコーン化合物の重量平均分子量が大きすぎると、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度が大幅に上昇し、ワイヤー流れが発生する傾向がみられるからである。
上記シリコーン化合物の重量平均分子量は、つぎのようにして測定,算出される。すなわち、上記特定のシリコーン化合物を用いて、トルエン溶液に調整し、25℃で1日放置する。その後、0.45μmメンブランフィルターにて濾過し、得られた濾液について分子量測定を行なう。この分子量測定には、例えば、GPC(東ソー社製、HLC−8120GPC、カラム:東ソー社製GMHXL、GMHXL、G3000HXL)が用いられる。また、この場合の測定条件は、カラム温度40℃、溶離液テトラヒドロフラン、流速0.8mL/分、注入量100μLである。そして、検出器は、示差屈折計を用い、ポリスチレン換算により数平均分子量(Mn)とともに重量平均分子量(Mw)を算出する。
上記シリコーン化合物の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の0.5〜5.0重量%の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは1.0〜4.7重量%である。すなわち、シリコーン化合物が少なすぎると、高温高湿信頼性の向上効果が得られ難くなる傾向がみられ、逆にシリコーン化合物の含有量が多すぎると、エポキシ樹脂組成物の硬化物の強度を大幅に低下させる傾向がみられるからである。
上記シランカップリング剤としては、2個以上のアルコキシ基を有するものが好適に用いられる。具体的には、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。
上記難燃剤としては、ノボラック型ブロム化エポキシ樹脂や金属水酸化物等があげられる。さらに、上記難燃助剤としては、三酸化二アンチモンや五酸化二アンチモン等が用いられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。
上記離型剤としては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、例えば、カルナバワックスやポリエチレン系ワックス等が用いられ、これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。中でも、直鎖飽和カルボン酸を単独で用いる系、あるいはこの直鎖飽和カルボン酸と酸化ポリエチレンワックスを併用する系が好ましく用いられる。
上記イオントラップ剤としては、イオントラップ能力を有する公知の化合物全てが使用でき、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、イットリウム酸化物等が用いられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。
また、上記低応力化剤としては、例えば、アクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等のブタジエン系ゴムやシリコーン化合物等があげられる。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられる。
<半導体封止用エポキシ樹脂組成物>
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記A〜D成分、さらに必要に応じて他の添加剤を配合し混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混練する。ついで、これを室温に冷却固化させた後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により目的とするエポキシ樹脂組成物を製造することができる。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記A〜D成分、さらに必要に応じて他の添加剤を配合し混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混練する。ついで、これを室温に冷却固化させた後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により目的とするエポキシ樹脂組成物を製造することができる。
このようにして得られる半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、その硬化物物性として、つぎのような物性を備えたものである。すなわち、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を下記の条件(x)で硬化した後、下記の条件(y)にて吸湿処理してなる硬化物(誘電緩和測定装置の電極の直径以上×厚み1±0.6mmの円板状)を誘電緩和測定して得たイオン分極起因の誘電損失のピーク上において、誘電損失が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下となる物性を備えている。
(x)175±10℃×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10℃×3±2時間のアフターキュア。
(y)130℃×85%RHにて80±30時間の吸湿処理。
(x)175±10℃×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10℃×3±2時間のアフターキュア。
(y)130℃×85%RHにて80±30時間の吸湿処理。
上記条件(x)にて硬化成形してなるエポキシ樹脂組成物の硬化物は、誘電緩和測定装置の電極の直径以上で、好ましくは厚み1±0.6mmの円板状に成形される。なお、上記寸法条件は、誘電緩和測定装置の電極間距離および電極の直径に依存するものであり、電極の直径以上の直径を有するサンプルが必要であるということを意味する。
すなわち、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物が、上記物性(誘電緩和測定した際に、イオン分極起因の誘電損失のピーク上の誘電損失が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下)を備えることが、従来の高温高湿信頼性特性(HAST特性)における同等の吸湿処理を施して評価試験を行なった際に200時間を超える評価結果と同等となる。このように、上記誘電損失が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下であると、上記HAST特性における200時間を超える評価と同等となるのであるが、上記周波数の下限は、通常、0.01Hzである。
つぎに、上記誘電緩和測定に関して詳しく説明する。まず、上記硬化条件(x)にて硬化してなる所定の大きさのエポキシ樹脂組成物硬化体を作製した後、この硬化体を上記吸湿条件(y)にて吸湿処理する。この吸湿処理した硬化体を用い、誘電緩和測定装置により誘電緩和測定を行なう。上記誘電緩和測定装置としては、例えば、誘電率測定用インターフェースを有するインピーダンス測定装置と動的粘弾性測定装置との組み合わせからなる構成があげられ、このような構成により適正な測定を行うことができる。図1は、本発明の評価方法に用いられる誘電緩和測定装置の一例を示す概略図であり、1aが誘電率測定用インターフェース、1bがインピーダンス測定装置、2が動的粘弾性測定装置、2aが測定用電極を示す。すなわち、この誘電緩和測定装置においては、インピーダンス測定装置1b上に接続され配置された誘電率測定用インターフェース1aが動的粘弾性測定装置2に接続されており、動的粘弾性測定装置2に測定用電極2aが取り付けられている。そして、上記測定用電極2a間に、測定対象となるサンプルを挟持させ測定に供する。なお、誘電率測定用インターフェース1aとしては、例えば、英国ソーラトロン社製の1296型誘電率測定インターフェースが用いられ、インピーダンス測定装置1bとしては、例えば、英国ソーラトロン社製の1255B型インピーダンスアナライザーが用いられる。また、動的粘弾性測定装置2としては、例えば、TAインスツルメント社製のARESが用いられる。
また、より正確な測定結果を考慮した場合、上記誘電緩和測定装置による測定は、125〜135℃雰囲気下で行うことが好ましい。より好ましくは、129〜131℃雰囲気下での測定である。
そして、HAST試験と同様の信頼性を保持しつつ、短時間でかつ正確な測定結果が得られるという点から、上記誘電緩和測定装置による測定は、2〜6分間にて行うことが好ましい。
特に、誘電緩和測定装置による測定において、誘電緩和測定装置の電極間に載置された上記サンプルに対し電極を押圧しながら行うことにより、サンプルと電極との接触が良好となり、より正確な測定結果を得ることができる。なお、上記押圧は、例えば、100〜500gの荷重で行われる。
<半導体装置>
上記特性を備えたエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止方法は、特に制限するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができ、半導体装置化することができる。このようにして得られる半導体装置としては、ICやLSI等の半導体装置等があげられる。
上記特性を備えたエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止方法は、特に制限するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができ、半導体装置化することができる。このようにして得られる半導体装置としては、ICやLSI等の半導体装置等があげられる。
このようにして得られる本発明の半導体装置として、例えば、片面樹脂封止型パッケージがあげられる。上記片面樹脂封止型パッケージは、ビスマレイミド−トリアジン(BT)レジン等の半導体素子搭載基板上に、PSPI等のポリイミドによるパッシベーション膜にて被覆処理された半導体素子が搭載され、この搭載面側のみを封止樹脂にて樹脂封止された形態である。そして、通常、半導体素子と半導体素子搭載基板上の回路部分とは、銅ワイヤー等のボンディングワイヤーにて接続されている。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
〔エポキシ樹脂a1〕
ビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YX4000H)
〔エポキシ樹脂a2〕
トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EPPN−501HY)
ビフェニル型エポキシ樹脂(三菱化学社製、YX4000H)
〔エポキシ樹脂a2〕
トリフェニルメタン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、EPPN−501HY)
〔フェノール樹脂b1〕
フェノールビフェニレン樹脂(明和化成社製、MEH−7851SS、水酸基当量203g/eq)
〔フェノール樹脂b2〕
トリフェニルメタン型フェノール樹脂(明和化成社製、MEH−7500、水酸基当量97g/eq)
〔フェノール樹脂b3〕
フェノールノボラック樹脂(群栄化学工業社製、GS180、水酸基当量105g/eq)
フェノールビフェニレン樹脂(明和化成社製、MEH−7851SS、水酸基当量203g/eq)
〔フェノール樹脂b2〕
トリフェニルメタン型フェノール樹脂(明和化成社製、MEH−7500、水酸基当量97g/eq)
〔フェノール樹脂b3〕
フェノールノボラック樹脂(群栄化学工業社製、GS180、水酸基当量105g/eq)
〔硬化促進剤c1〕
2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MHZ)
〔硬化促進剤c2〕
リン系硬化促進剤(北興化学工業社製、TPP−MK)
〔硬化促進剤c3〕
リン系硬化促進剤(北興化学工業社製、TPP)
〔硬化促進剤c4〕
リン系硬化促進剤(北興化学工業社製、TPP−S)
2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MHZ)
〔硬化促進剤c2〕
リン系硬化促進剤(北興化学工業社製、TPP−MK)
〔硬化促進剤c3〕
リン系硬化促進剤(北興化学工業社製、TPP)
〔硬化促進剤c4〕
リン系硬化促進剤(北興化学工業社製、TPP−S)
〔シリコーン化合物e1〕
アルコキシ基非含有シラノール基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、217FLAKE)
〔シリコーン化合物e2〕
アルコキシ基非含有シラノール基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、SH6018FLAKE)
〔シリコーン化合物e3〕
アルコキシ基非含有シラノール基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、220FLAKE)
〔シリコーン化合物e4〕
アルコキシ基非含有シラノール基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、255FLAKE)
〔シリコーン化合物e5〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、3074INTERMEDIATE)
〔シリコーン化合物e6〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、SR2402)
〔シリコーン化合物e7〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、AY42−163)
〔シリコーン化合物e8〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、3037INTERMEDIATE)
〔シリコーン化合物e9〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、TSR165)
〔シリコーン化合物e10〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、XR31−B2733)
〔シリコーン化合物e11〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(信越化学工業社製、KR−500)
〔シリコーン化合物e12〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(信越化学工業社製、KR−9218)
〔シリコーン化合物e13〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(小西化学工業株式会社製、SR−23)
アルコキシ基非含有シラノール基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、217FLAKE)
〔シリコーン化合物e2〕
アルコキシ基非含有シラノール基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、SH6018FLAKE)
〔シリコーン化合物e3〕
アルコキシ基非含有シラノール基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、220FLAKE)
〔シリコーン化合物e4〕
アルコキシ基非含有シラノール基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、255FLAKE)
〔シリコーン化合物e5〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、3074INTERMEDIATE)
〔シリコーン化合物e6〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、SR2402)
〔シリコーン化合物e7〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、AY42−163)
〔シリコーン化合物e8〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(東レ・ダウコーニング社製、3037INTERMEDIATE)
〔シリコーン化合物e9〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、TSR165)
〔シリコーン化合物e10〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製、XR31−B2733)
〔シリコーン化合物e11〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(信越化学工業社製、KR−500)
〔シリコーン化合物e12〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(信越化学工業社製、KR−9218)
〔シリコーン化合物e13〕
シラノール基非含有アルコキシ基含有シリコーン化合物(小西化学工業株式会社製、SR−23)
〔無機質充填剤〕
球状溶融シリカ粉末(平均粒径13μm)
球状溶融シリカ粉末(平均粒径13μm)
〔顔料〕
カーボンブラック
カーボンブラック
〔難燃剤〕
水酸化マグネシウム
水酸化マグネシウム
〔シランカップリング剤〕
3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
〔離型剤〕
直鎖飽和カルボン酸(ベーカー・ペトロライト社製、Unicid−700)
直鎖飽和カルボン酸(ベーカー・ペトロライト社製、Unicid−700)
〔実施例1〜8、比較例1〜21〕
後記の表1〜表4に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキサーにて充分混合した後、2軸混練機を用い100℃にて2分間溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後、固体状になったものを粉末状に粉砕することにより目的とする粉末状エポキシ樹脂組成物を作製した。
後記の表1〜表4に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキサーにて充分混合した後、2軸混練機を用い100℃にて2分間溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後、固体状になったものを粉末状に粉砕することにより目的とする粉末状エポキシ樹脂組成物を作製した。
このようにして得られた実施例および比較例の各エポキシ樹脂組成物を用い、下記に示す方法に従って、測定,評価した。これらの結果を後記の表1〜表4に併せて示す。
(1)誘電緩和測定における周波数物性
a)サンプルの作製
上記調製の各エポキシ樹脂組成物を用い、金型を用いて175℃で120秒間のプレス成型を行い、さらに175℃で3時間の後硬化を行うことにより、直径50mmで厚み1mmの円板状樹脂硬化体サンプルを作製した。
a)サンプルの作製
上記調製の各エポキシ樹脂組成物を用い、金型を用いて175℃で120秒間のプレス成型を行い、さらに175℃で3時間の後硬化を行うことにより、直径50mmで厚み1mmの円板状樹脂硬化体サンプルを作製した。
b)吸湿処理
上記サンプルに、130℃×85%RHでの80時間の吸湿処理条件にて吸湿処理を施した。
上記サンプルに、130℃×85%RHでの80時間の吸湿処理条件にて吸湿処理を施した。
c)誘電緩和測定
ソーラトロン社製の1296型誘電率測定インターフェースを、ソーラトロン社製の1255B型インピーダンスアナライザーに接続した。つぎに、動的粘弾性測定装置であるTAインスツルメント社製のARESに測定用電極(電極直径30mm)を取り付けた後、動的粘弾性測定装置を上記誘電率測定インターフェースに接続した。このようにして誘電緩和測定装置を完成させた(図1参照)。そして、上記動的粘弾性測定装置の恒温槽の設定温度を130℃にし、ギャップゼロ設定を行った後、恒温槽の扉を開け、測定用電極間に上記作製のサンプルをセットし、恒温槽の扉を閉めた。測定用電極間には荷重を400g程度かけ、サンプルと電極とを充分に接触させた。このようにサンプルをセットしてから5分後、誘電緩和測定を開始した。また、上記サンプルと同一測定ギャップ(1mm)で、別途、空気の誘電率測定も行った。なお、誘電緩和測定条件は、以下の条件で行った。
・AC電圧:1V
・周波数範囲:1000000Hz〜0.01Hz
・積算時間:1秒
ソーラトロン社製の1296型誘電率測定インターフェースを、ソーラトロン社製の1255B型インピーダンスアナライザーに接続した。つぎに、動的粘弾性測定装置であるTAインスツルメント社製のARESに測定用電極(電極直径30mm)を取り付けた後、動的粘弾性測定装置を上記誘電率測定インターフェースに接続した。このようにして誘電緩和測定装置を完成させた(図1参照)。そして、上記動的粘弾性測定装置の恒温槽の設定温度を130℃にし、ギャップゼロ設定を行った後、恒温槽の扉を開け、測定用電極間に上記作製のサンプルをセットし、恒温槽の扉を閉めた。測定用電極間には荷重を400g程度かけ、サンプルと電極とを充分に接触させた。このようにサンプルをセットしてから5分後、誘電緩和測定を開始した。また、上記サンプルと同一測定ギャップ(1mm)で、別途、空気の誘電率測定も行った。なお、誘電緩和測定条件は、以下の条件で行った。
・AC電圧:1V
・周波数範囲:1000000Hz〜0.01Hz
・積算時間:1秒
d)データ解析
空気の誘電率測定結果から、空気の平均の誘電率を算出した。つぎに、サンプルの誘電緩和測定結果(capacitance realと、capacitance imagenary)から、これらを空気の平均の誘電率で割り算規格化し、サンプルの誘電率と誘電損失を算出した。そして、サンプルの誘電損失を測定周波数に対してプロットし、イオンの分極起因のシグナルを確認し、上記シグナルの中で、誘電損失の値が0.812となっているところの周波数(誘電緩和測定での既定の周波数K)(Hz)を読み取った。
空気の誘電率測定結果から、空気の平均の誘電率を算出した。つぎに、サンプルの誘電緩和測定結果(capacitance realと、capacitance imagenary)から、これらを空気の平均の誘電率で割り算規格化し、サンプルの誘電率と誘電損失を算出した。そして、サンプルの誘電損失を測定周波数に対してプロットし、イオンの分極起因のシグナルを確認し、上記シグナルの中で、誘電損失の値が0.812となっているところの周波数(誘電緩和測定での既定の周波数K)(Hz)を読み取った。
(2)銅ワイヤーに対する高温高湿信頼性の指標
得られた実施例および比較例の各エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形機により、トランスファー成形(成形条件:成形温度175℃×成形時間120秒間の加熱硬化+175℃で3時間の後硬化)することにより、つぎのような片面樹脂封止型パッケージを作製した。すなわち、半導体素子搭載基板であるBTレジン(JCI社製)(大きさ:49mm×49mm×厚み0.21mm)上に、半導体素子であるSiチップ(大きさ:30mm×30mm×厚み0.2mm)を搭載して固定し、この搭載面側のみを樹脂封止(封止樹脂サイズ:49mm×49mm×厚み0.7mm)することにより片面封止タイプの半導体装置を作製した。なお、SiチップとBTレジン上の回路部分との接続には銅製のボンディングワイヤーを用いた。
得られた実施例および比較例の各エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスファー成形機により、トランスファー成形(成形条件:成形温度175℃×成形時間120秒間の加熱硬化+175℃で3時間の後硬化)することにより、つぎのような片面樹脂封止型パッケージを作製した。すなわち、半導体素子搭載基板であるBTレジン(JCI社製)(大きさ:49mm×49mm×厚み0.21mm)上に、半導体素子であるSiチップ(大きさ:30mm×30mm×厚み0.2mm)を搭載して固定し、この搭載面側のみを樹脂封止(封止樹脂サイズ:49mm×49mm×厚み0.7mm)することにより片面封止タイプの半導体装置を作製した。なお、SiチップとBTレジン上の回路部分との接続には銅製のボンディングワイヤーを用いた。
そして、得られた片面樹脂封止型パッケージを用い、高温高湿環境下(130℃×85%RH)での信頼性試験(バイアス無し)を行なった。その後、高温高湿処理後の片面樹脂封止型パッケージの抵抗値測定を行ない、抵抗値の上昇率が10%以上となった場合を断線不良(銅ワイヤーに対する)と判断して、この断線不良が発生する高温高湿処理時間を高温高湿信頼性の不良発生時間(NG時間)とした。
(3)PSPI接着力
その表面に、感光性ポリイミド(旭化成エレクトロニクス社製、I8320)を塗布した半導体素子(10mm×10mm×厚み0.52mm)を準備した。この半導体素子の素子面との接着面積が10mm2になるような円柱状の成形物を、実施例および比較例で得られたエポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファー成形(成形温度175℃、成形時間120秒)にて封止して成形し、175℃×3時間で後硬化することにより作製した。得られた成形物を用いて、260℃にて半導体素子の水平方向からプッシュプルゲージにて速度0.5mm/秒の速度で力を加え、剪断接着力を測定した。なお、剪断接着力の測定装置として、Series4000 DS100KG(DAGE製)を使用した。
その結果、下記のようにして評価し表示した。
◎:剪断接着力が6〜10MPa。
○:剪断接着力が4〜6MPa未満。
△:剪断接着力が2〜4MPa未満。
×:剪断接着力が0〜2MPa未満。
その表面に、感光性ポリイミド(旭化成エレクトロニクス社製、I8320)を塗布した半導体素子(10mm×10mm×厚み0.52mm)を準備した。この半導体素子の素子面との接着面積が10mm2になるような円柱状の成形物を、実施例および比較例で得られたエポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファー成形(成形温度175℃、成形時間120秒)にて封止して成形し、175℃×3時間で後硬化することにより作製した。得られた成形物を用いて、260℃にて半導体素子の水平方向からプッシュプルゲージにて速度0.5mm/秒の速度で力を加え、剪断接着力を測定した。なお、剪断接着力の測定装置として、Series4000 DS100KG(DAGE製)を使用した。
その結果、下記のようにして評価し表示した。
◎:剪断接着力が6〜10MPa。
○:剪断接着力が4〜6MPa未満。
△:剪断接着力が2〜4MPa未満。
×:剪断接着力が0〜2MPa未満。
上記結果から、前記(A)〜(D)成分を含有し、かつ前記物性を備えたエポキシ樹脂組成物を用いた実施例品は、高温高湿信頼性に優れるとともに、PSPI接着力に関しても良好な結果であった。
これに対して、前記(A)〜(D)成分を用いない、例えば、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤以外の硬化促進剤を用いてなるエポキシ樹脂組成物、あるいは前記硬化物物性を外れ周波数が25Hzを超えるエポキシ樹脂組成物を用いた比較例品は、少なくとも高温高湿信頼性に劣るか、PSPI接着力に関して劣る結果となった。
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、これを用いて形成された封止樹脂が、パッシベーション膜、特にポリイミド系パッシベーション膜で表面処理された半導体素子に対する良好な接着力を維持しつつ、銅ワイヤーに対する高温高湿信頼性特性(HAST特性)に優れた半導体装置を得ることを可能とするため、各種半導体素子の封止材料として有用である。
上記目的を達成するため、本発明は、下記の(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を下記の条件(x)で硬化した後、下記の条件(y)にて吸湿処理してなる硬化物(誘電緩和測定装置の電極の直径以上×厚み1±0.6mmの円板状)を誘電緩和測定した際に、イオン分極起因の誘電損失のピーク上において、誘電損失が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下である半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第1の要旨とする。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(x)175±10℃×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10℃×3±2時間のアフターキュア。
(y)130℃×85%RHにて80±30時間の吸湿処理。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(x)175±10℃×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10℃×3±2時間のアフターキュア。
(y)130℃×85%RHにて80±30時間の吸湿処理。
Claims (3)
- 下記の(A)〜(D)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を下記の条件(x)で硬化した後、下記の条件(y)にて吸湿処理してなる硬化物(誘電緩和測定装置の電極の直径以上×厚み1±0.6mmの円板状)を誘電緩和測定した際に、イオン分極起因の誘電損失のピーク上において、誘電損失が0.81±0.05となる時点の周波数が25Hz以下となることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)エポキシ樹脂。
(B)フェノール樹脂。
(C)イミダゾール系硬化促進剤。
(D)無機質充填剤。
(x)175±10℃×120±40秒間の加熱硬化の後、175±10℃×3±2時間のアフターキュア。
(y)130℃×85%RHにて80±30時間の吸湿処理。 - 上記(B)成分であるフェノール樹脂が、水酸基当量150g/eq以下である請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1または2記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置。
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- 2016-04-22 JP JP2016085788A patent/JP2016138287A/ja active Pending
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