JP2016128902A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2016128902A5
JP2016128902A5 JP2015245014A JP2015245014A JP2016128902A5 JP 2016128902 A5 JP2016128902 A5 JP 2016128902A5 JP 2015245014 A JP2015245014 A JP 2015245014A JP 2015245014 A JP2015245014 A JP 2015245014A JP 2016128902 A5 JP2016128902 A5 JP 2016128902A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aromatic
group
benzo
substituted
typically
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015245014A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016128902A (ja
JP6261091B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2016128902A publication Critical patent/JP2016128902A/ja
Publication of JP2016128902A5 publication Critical patent/JP2016128902A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6261091B2 publication Critical patent/JP6261091B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

Arは、炭素環式、複素環式、もしくはそれらの組み合わせであり得る、芳香族基を表す。芳香族基は、フェニルもしくはピリジル等の単一の芳香族環、ナフチル、アントラセニル、ピレニル、もしくはキノリニル等の縮合芳香族環、または1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン、9,10−ジヒドロアントラセン、もしくはフルオレン等の芳香族ならびに非芳香族環の両方を有する縮合環系を含んでもよい。任意に芳香族基を置換してもよい。本明細書中で使用されるとき、用語「置換」アルキルもしくは芳香族基は、C30アルキル、C30アルケニル、C30アラルキル、C30アリール、−OR、−C30アルキレン−OR、及び−C30アルキリデン−ORから選択される1つ以上の置換基で置換された水素のうちの1つ以上を有する、任意のそのような基を指し、式中、RはH、C30アルキル、C30アルケニル、及びC30アリールから選択される。非置換もしくは置換Arの代わりに、様々な芳香族基を使用することができる。そのような非置換芳香族基は、5〜40個の炭素、好ましくは6〜35個の炭素、より好ましくは6〜30個の炭素を有する。好適な芳香族基は、フェニル、ビフェニル、ナフタレニル、アントラセニル、フェナントレニル、ピレニル、テトラセニル、トリフェニルエニル、テトラフェニル、ベンゾ[f]テトラフェニル、ベンゾ[m]テトラフェニル、ベンゾ[k]テトラフェニル、ペンタセニル、ペリレニル、ベンゾ[a]ピレニル、ベンゾ[e]ピレニル、ベンゾ[ghi]ペリレニル、コロネニル、キノロニル、7,8−ベンゾキノリニル、フルオレニル、及び12H−ジベンゾ[b,h]フルオレニルを含むがそれらに限定されず、それらの各々は置換されていなくても置換されていてもよい。Rは独立して、カルボキシル、ヒドロキシ、ニトロ、シアノ、C1−5アルコキシ、及びホルミルから選択されるを表す。Yは独立して、例えば、硫黄、任意に置換されたアミノ基、アミド、エーテル、カルボニルエステル、スルホニルエステル、スルホン、スルホンアミド、及び二価炭化水素基、例えば、C1−20直鎖、分岐、もしくは環状の任意に置換された炭化水素基、ならびにそれらの組み合わせから選択される結合基を表す。Zは独立して、フッ素化アルコール、フッ素化エステル、置換または非置換アルキル、C5以上の単環式、多環式、縮合多環式脂環式、またはアリールから選択される基を表し、かかる基は任意にヘテロ原子を含んでいてもよく、ただしZの少なくとも1つの存在はフッ素化アルコール基であるaは0以上、典型的には0〜2の整数であり、bは1以上、典型的には1〜2の整数であり、cは1以上、典型的には1〜2の整数であるが、ただし、a+b+cが少なくとも2であり、かつ芳香族基の利用可能な芳香族炭素原子の総数以下であることを条件とする。典型的には、a+b+cは2〜5、より典型的には2〜3である。
JP2015245014A 2014-12-31 2015-12-16 フォトレジストパターントリミング組成物及び方法 Active JP6261091B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462099095P 2014-12-31 2014-12-31
US62/099,095 2014-12-31

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016128902A JP2016128902A (ja) 2016-07-14
JP2016128902A5 true JP2016128902A5 (ja) 2017-02-23
JP6261091B2 JP6261091B2 (ja) 2018-01-17

Family

ID=56163998

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015245014A Active JP6261091B2 (ja) 2014-12-31 2015-12-16 フォトレジストパターントリミング組成物及び方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9696629B2 (ja)
JP (1) JP6261091B2 (ja)
KR (1) KR101790056B1 (ja)
CN (1) CN105739242B (ja)
TW (1) TWI617611B (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9455177B1 (en) * 2015-08-31 2016-09-27 Dow Global Technologies Llc Contact hole formation methods
TWI628159B (zh) * 2015-10-31 2018-07-01 羅門哈斯電子材料有限公司 熱酸產生劑以及光阻劑圖案修整組合物及方法
TWI615383B (zh) 2015-10-31 2018-02-21 羅門哈斯電子材料有限公司 熱酸產生劑以及光阻劑圖案修整組合物及方法
US9760011B1 (en) 2016-03-07 2017-09-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern trimming compositions and methods
US9869933B2 (en) 2016-03-07 2018-01-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern trimming methods
JP6556673B2 (ja) * 2016-07-26 2019-08-07 Hoya株式会社 フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置
US9910355B2 (en) * 2016-07-29 2018-03-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Method of negative tone development using a copolymer multilayer electrolyte and articles made therefrom
US10133179B2 (en) * 2016-07-29 2018-11-20 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern treatment methods
US10241411B2 (en) 2016-10-31 2019-03-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Topcoat compositions containing fluorinated thermal acid generators
US10684549B2 (en) * 2016-12-31 2020-06-16 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern-formation methods
US9799534B1 (en) 2017-01-04 2017-10-24 International Business Machines Corporation Application of titanium-oxide as a patterning hardmask
US11003074B2 (en) 2017-05-01 2021-05-11 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern formation methods and photoresist pattern overcoat compositions
TW202016279A (zh) * 2018-10-17 2020-05-01 美商英培雅股份有限公司 圖案化有機金屬光阻及圖案化的方法
CN109503434B (zh) * 2018-11-16 2021-08-06 山东第一医科大学(山东省医学科学院) 一种聚酯ptt的改性剂间苯二甲酸二丙二醇酯-5-磺酸钠的多组分催化合成方法
US11506981B2 (en) 2019-05-31 2022-11-22 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist pattern trimming compositions and pattern formation methods
US11754927B2 (en) 2019-05-31 2023-09-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist pattern trimming compositions and pattern formation methods

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04329216A (ja) 1991-05-02 1992-11-18 Hitachi Cable Ltd 絶縁電線
US6180320B1 (en) 1998-03-09 2001-01-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a semiconductor device having a fine pattern, and semiconductor device manufactured thereby
JP2001215734A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターンの表面欠陥減少方法及びそれに用いる表面欠陥減少用処理液
JP4329216B2 (ja) 2000-03-31 2009-09-09 Jsr株式会社 レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法
US6492075B1 (en) 2000-06-16 2002-12-10 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical trim process
JP2002006512A (ja) 2000-06-20 2002-01-09 Mitsubishi Electric Corp 微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
JP2002299202A (ja) 2001-03-29 2002-10-11 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US6869899B2 (en) 2001-07-12 2005-03-22 International Business Machines Corporation Lateral-only photoresist trimming for sub-80 nm gate stack
JP3953822B2 (ja) 2002-01-25 2007-08-08 富士通株式会社 レジストパターン薄肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法
JP3743753B2 (ja) * 2002-03-20 2006-02-08 竹本油脂株式会社 ペルフルオロアルキルナフタレンスルホン酸塩、その製造方法、分散剤及び合成高分子用帯電防止剤
US6916594B2 (en) * 2002-12-30 2005-07-12 Hynix Semiconductor Inc. Overcoating composition for photoresist and method for forming photoresist pattern using the same
CN1288719C (zh) 2003-03-10 2006-12-06 联华电子股份有限公司 图案光刻胶的微缩制造过程
US7862982B2 (en) 2008-06-12 2011-01-04 International Business Machines Corporation Chemical trim of photoresist lines by means of a tuned overcoat material
TWI481969B (zh) * 2011-12-31 2015-04-21 羅門哈斯電子材料有限公司 光阻劑圖案修整方法
TWI510854B (zh) 2011-12-31 2015-12-01 羅門哈斯電子材料有限公司 光阻劑圖案修整方法
JP5776615B2 (ja) * 2012-04-11 2015-09-09 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP6328931B2 (ja) * 2012-12-31 2018-05-23 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC フォトレジストパターントリミング方法
CN104749888B (zh) * 2013-12-30 2019-12-10 罗门哈斯电子材料有限公司 光致抗蚀剂图案修整组合物和方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016128902A5 (ja)
JP2012046478A5 (ja) 化合物
CR20160514A (es) Derivados de indol para uso en medicina
CO2018004750A2 (es) Composiciones para inhibir la actividad arginasa
BR112016024893A8 (pt) atualização dinâmica de capacidade de ue para medições de inter-frequência e inter-rat
PE20171517A1 (es) Compuestos y composiciones de alfa-cinamida como inhibidores de hdac 8
AR094964A1 (es) USO DE DERIVADOS DE PIRAZOLOPIRIMIDINA PARA EL TRATAMIENTO DE TRASTORNOS RELACIONADOS CON LA FOSFOINOSITIDA 3-CINASA d (PI3Kd)
CR9664A (es) Inhibidores de histona deacetilasa
AR068764A1 (es) N-piperazin amidas y su uso en medicamentos para el tratamiento de enfermedades mediadas por la inhibicion de faah.
BR112015023434A8 (pt) compostos inibidores de histona deacetilase, seu uso e composição farmacêutica que os compreende
NI201200191A (es) Derivados de indolizina, su procedimiento de preparación y su aplicación en terapéutica
AR108245A1 (es) Síntesis de indazoles
BR112017003356A2 (ja) A heat stabilizer constituent and the synthetic resin constituent using this
AR104415A1 (es) Compuestos antiestrogénicos derivados de cromeno
BR112015019437A2 (pt) complexo de bis(2-indenil) metaloceno
AR061993A1 (es) Bencilaminas, un proceso para su produccion y su uso como agentes anti-inflamatorios
AR096709A1 (es) Ligandos sigma para la prevención y el tratamiento de dolor asociado a cistitis intersticial / síndrome de dolor vesical (ci / sdv)
AR115007A1 (es) Derivados de triazolona o sales de los mismos y composiciones farmacéuticas que comprenden los mismos
AR102258A1 (es) Compuestos de quinolina y quinazolina
BR112017023205A2 (pt) composições de inibidor de incrustação termicamente estáveis
BR112015001135A2 (pt) inibidores de histona deacetilase e composições e métodos de uso dos mesmos
PH12015502851B1 (en) Curable composition
PH12016502091B1 (en) Novel bicyclic or tricyclic heterocyclic compound
AR058002A1 (es) Hidroxamatos como inhibidores de la histona deacetilasa y formulaciones farmaceuticas que los contienen
BR112015023399A2 (pt) inibidores de hdac