JP2016122826A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1を用いて、本発明の実施形態1に係る半導体装置の概要を説明する。実施形態1では、基板の凹部に配置され、表面が凹形状を有する電極として積層構造を使用した構造を例示するが、この構造に限定されず、凹形状を有する電極は単層構造であってもよい。また、実施形態1では、基板上に当該電極を露出する開口部が設けられた絶縁層が配置されているが、当該絶縁層は必須の構成ではない。
図1は、本発明の実施形態1に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図1に示すように、半導体装置10は、第1面101に凹部103が設けられた半導体性の第1基板100と、少なくとも凹部103の内側に配置され、第1面101に対して凹形状を有する第1電極110と、を有する。また、半導体装置10は、第1基板100上に、第1電極110を露出する開口部が設けられた絶縁層120と、凹部103における第1電極110上に配置されたバンプ130と、バンプ130に接続する第2電極210を有する第2基板200と、を有する。
図2乃至図9を用いて、本発明の実施形態1に係る半導体装置の製造方法を説明する。図2乃至図9において、図1に示す要素と同じ要素には同一の符号を付した。また、図2乃至図9では、第1基板100にCd(Zn)Teを使用し、第1導電層111にNiを使用し、第2導電層112にAuを使用し、第3導電層113にPtを使用し、バンプ130にはんだボールを使用した場合の製造方法について説明する。
図10を用いて、本発明の実施形態1に係る半導体装置を使用した電子デバイスについて説明する。図10に示す電子デバイスは、放射線が半導体層に照射されることによる起電力を利用して放射線強度を測定する放射線検出器である。
図11乃至図16を用いて、本発明の実施形態1の変形例に係る半導体装置の概要を説明する。図11乃至図16に示す半導体装置も、図1に示す半導体装置10と同様に、図10に示す放射線検出器20に使用することができる。
図17を用いて、本発明の実施形態2に係る半導体装置の概要を説明する。実施形態2では、基板の凹部に配置され、表面が凹形状を有する電極として積層構造を使用した構造を例示するが、この構造に限定されず、凹形状を有する電極は単層構造であってもよい。また、実施形態2では、基板上に当該電極を露出する開口部が設けられた絶縁層が配置されているが、当該絶縁層は必須の構成ではない。
図17は、本発明の実施形態2に係る半導体装置の一例を示す断面図である。図17に示す半導体装置40は図1に示す半導体装置10と類似しているが、半導体装置40は、第1基板100に設けられた凹部108が内側に設けられた内側凹部106と、内側凹部106の周辺に内側凹部106に比べて第1基板100の板厚方向に浅い外側凹部107と、を有する点において半導体装置10とは相違する。つまり、半導体装置40の凹部108は第1基板100の板厚方向に深さが異なる2段階の凹部が形成されており、凹部108の内部に段差が設けられている。そして、第1電極110は凹部108の形状に沿って形成されている。図17に示す半導体装置40の各部材としては、図1に示す半導体装置10に用いられる部材と同じ材料を使用することができる。
図18及び図19を用いて、本発明の実施形態2に係る半導体装置の製造方法を説明する。なお、実施形態2の製造方法において、1段階目の第1基板100のエッチングによって内側凹部106を形成する工程までは実施形態1の図2及び図3と同じ方法で製造することができるため、ここでは説明を省略する。
11:金属電極
13:電極層
15:半導体層
20:放射線検出器
100:第1基板
101:第1面
103、104、108:凹部
105:側壁
106:内側凹部
107:外側凹部
110:第1電極
111、311:第1導電層
112、312:第2導電層
113、313:第3導電層
120:絶縁層
130:バンプ
200:第2基板
210:第2電極
300、301:レジストパターン
330:はんだボール
410:コンデンサ
420:増幅器
440:抵抗器
450:端子
500:放射線
510:電子
520:ホール
610:酸素ドープ領域
Claims (11)
- 第1面に凹部が設けられた半導体性の第1基板と、
少なくとも前記凹部の内側に配置され、前記第1面に対して凹形状を有する第1電極と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記凹部における前記第1電極上に配置されたバンプと、
前記バンプに接続する第2電極を有する第2基板と、
をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1基板上に、前記第1電極を露出する開口部が設けられた絶縁層をさらに有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記凹部の側壁の断面形状は湾曲形状であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記凹部の深さが5μm以上50μm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記第1電極は、
前記バンプに含まれる材料に対するブロッキング性を有する第1導電層と、
前記第1導電層上に配置され、前記第1導電層及び前記第1基板よりも前記バンプの濡れ性が高い第2導電層と、
を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1電極は、
前記バンプに含まれる材料に対するブロッキング性を有する第1導電層と、
前記第1導電層上に配置され、前記第1導電層及び前記絶縁層よりも前記バンプの濡れ性が高い第2導電層と、
を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第1電極は、前記第1導電層と前記第1基板との間に配置され、前記第1基板とオーミック接触となる第3導電層をさらに有することを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置。
- 前記第1導電層はNiを含み、
前記第2導電層はAuを含み、
前記第3導電層はPtを含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置。 - 前記第1基板は、Cd、Zn、Teを含むことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記第1基板は単結晶であることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
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JP2014260684 | 2014-12-24 | ||
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JP2015090427A Pending JP2016122826A (ja) | 2014-12-24 | 2015-04-27 | 半導体装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2016122826A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117727723A (zh) * | 2024-02-15 | 2024-03-19 | 江门市和美精艺电子有限公司 | 一种封装基板中bga防翘曲封装结构及封装工艺 |
Citations (3)
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JPH0722345A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH10214919A (ja) * | 1997-01-29 | 1998-08-11 | New Japan Radio Co Ltd | マルチチップモジュールの製造方法 |
JP2013241289A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 放射線検出素子用化合物半導体結晶、放射線検出素子、放射線検出器、および放射線検出素子用化合物半導体結晶の製造方法 |
-
2015
- 2015-04-27 JP JP2015090427A patent/JP2016122826A/ja active Pending
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JP2013241289A (ja) * | 2012-05-18 | 2013-12-05 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 放射線検出素子用化合物半導体結晶、放射線検出素子、放射線検出器、および放射線検出素子用化合物半導体結晶の製造方法 |
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CN117727723B (zh) * | 2024-02-15 | 2024-04-26 | 江门市和美精艺电子有限公司 | 一种封装基板中bga防翘曲封装结构及封装工艺 |
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