JP2016118529A5 - - Google Patents
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Description
具体的な実施形態を参照しつつ本明細書に開示した実施形態について詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく、様々な変更および変形を行い、等価物を用いることが可能であることは、当業者にとって明らかである。
また、本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
(1)適用例1は、真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出するための腐食センサ保持器アセンブリであって、
少なくとも第1のポートを有する少なくとも第1の絶縁層と、少なくとも第2のポートを有する少なくとも第2の絶縁層と、を備えた積層体であって、前記第1のポートおよび前記第2のポートは、シールを保持するように構成されている、積層体と、
前記第1のポートおよび前記第2のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成し、前記積層体の中で、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に収容された少なくとも1つの導電体と、
を備え、
前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有する、腐食センサ保持器アセンブリである。
(2)適用例2は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出部分が腐食したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
(3)適用例3は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出部分が切断したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
(4)適用例4は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第1の絶縁層または前記第2の絶縁層は、前記露出面を有する前記導電体の部分の上に開口部を備える、腐食センサ保持器アセンブリである。
(5)適用例5は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記露出面を有する前記導電体の部分は、前記第1のポートの縁部または前記第2のポートの縁部から2ミリメートル以下の距離に配置されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
(6)適用例6は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、ステンレス鋼を含む、腐食センサ保持器アセンブリである。
(7)適用例7は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層は、ポリアミドを含む、腐食センサ保持器アセンブリである。
(8)適用例8は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体は、組み込まれた表面取り付け構成要素と混合マニホルドとの間の境界になるように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
(9)適用例9は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体の厚さは、5ミリメートル以下である、腐食センサ保持器アセンブリである。
(10)適用例10は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えるガスブロックであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックを通って半導体処理チャンバに流れ、前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第1のポートおよび前記第2のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、ガスブロックである。
(11)適用例11は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えたガスブロックを備える真空チャンバであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第1のポートおよび前記第2のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、真空チャンバである。
(12)適用例12は、適用例11に記載の真空チャンバであって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバである、真空チャンバである。
(13)適用例13は、腐食センサ保持器アセンブリを用いて真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出する方法であって、
腐食センサ保持器アセンブリによって保持されたシールに流体を通す工程であって、前記腐食センサ保持器アセンブリは、少なくとも第1のポートを有する少なくとも第1の絶縁層と、少なくとも第2のポートを有する少なくとも第2の絶縁層と、を備えた積層体を備える、工程と、
前記第1のポートおよび前記第2のポートによって前記シールを保持する工程と、
前記第1のポートおよび前記第2のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成する少なくとも1つの導電体を備えた回路のパラメータを監視する工程であって、前記導電体は、前記積層体の中で、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に収容され、前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有し、前記パラメータは、前記露出面の特性に関係する、工程と、
前記パラメータを所定の値と比較する工程と、
前記比較の結果に基づいて、前記シールにおける漏れの存在を検出する工程と、
を備える、方法である。
(14)適用例14は、適用例13に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路の電圧、抵抗、または、電流に基づく、方法である。
(15)適用例15は、適用例13に記載の方法であって、前記流体は、腐食性ガスまたは酸であり、前記方法は、さらに、腐食性ガスまたは酸の存在を検出する工程を備える、方法である。
(16)適用例16は、適用例13に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路が切断状態にあることに基づく、方法である。
(17)適用例17は、適用例13の方法であって、前記流体は、処理ガスである、方法である。
(18)適用例18は、適用例17に記載の方法であって、前記処理ガスは、水素含有ガスまたは臭化水素である、方法である。
(19)適用例19は、適用例13に記載の方法であって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバであり、前記流体は、ハロゲン含有ガスである、方法である。
(20)適用例20は、適用例13に記載の方法であって、前記シールは、処理ガスをプラズマエッチングチャンバに供給するガスブロック内にあり、前記プラズマエッチングチャンバ内で、1枚の半導体基板がプラズマエッチングされる、方法である。
また、本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
(1)適用例1は、真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出するための腐食センサ保持器アセンブリであって、
少なくとも第1のポートを有する少なくとも第1の絶縁層と、少なくとも第2のポートを有する少なくとも第2の絶縁層と、を備えた積層体であって、前記第1のポートおよび前記第2のポートは、シールを保持するように構成されている、積層体と、
前記第1のポートおよび前記第2のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成し、前記積層体の中で、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に収容された少なくとも1つの導電体と、
を備え、
前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有する、腐食センサ保持器アセンブリである。
(2)適用例2は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出部分が腐食したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
(3)適用例3は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出部分が切断したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
(4)適用例4は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第1の絶縁層または前記第2の絶縁層は、前記露出面を有する前記導電体の部分の上に開口部を備える、腐食センサ保持器アセンブリである。
(5)適用例5は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記露出面を有する前記導電体の部分は、前記第1のポートの縁部または前記第2のポートの縁部から2ミリメートル以下の距離に配置されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
(6)適用例6は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、ステンレス鋼を含む、腐食センサ保持器アセンブリである。
(7)適用例7は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層は、ポリアミドを含む、腐食センサ保持器アセンブリである。
(8)適用例8は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体は、組み込まれた表面取り付け構成要素と混合マニホルドとの間の境界になるように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリである。
(9)適用例9は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体の厚さは、5ミリメートル以下である、腐食センサ保持器アセンブリである。
(10)適用例10は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えるガスブロックであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックを通って半導体処理チャンバに流れ、前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第1のポートおよび前記第2のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、ガスブロックである。
(11)適用例11は、適用例1に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えたガスブロックを備える真空チャンバであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第1のポートおよび前記第2のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、真空チャンバである。
(12)適用例12は、適用例11に記載の真空チャンバであって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバである、真空チャンバである。
(13)適用例13は、腐食センサ保持器アセンブリを用いて真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出する方法であって、
腐食センサ保持器アセンブリによって保持されたシールに流体を通す工程であって、前記腐食センサ保持器アセンブリは、少なくとも第1のポートを有する少なくとも第1の絶縁層と、少なくとも第2のポートを有する少なくとも第2の絶縁層と、を備えた積層体を備える、工程と、
前記第1のポートおよび前記第2のポートによって前記シールを保持する工程と、
前記第1のポートおよび前記第2のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成する少なくとも1つの導電体を備えた回路のパラメータを監視する工程であって、前記導電体は、前記積層体の中で、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に収容され、前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有し、前記パラメータは、前記露出面の特性に関係する、工程と、
前記パラメータを所定の値と比較する工程と、
前記比較の結果に基づいて、前記シールにおける漏れの存在を検出する工程と、
を備える、方法である。
(14)適用例14は、適用例13に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路の電圧、抵抗、または、電流に基づく、方法である。
(15)適用例15は、適用例13に記載の方法であって、前記流体は、腐食性ガスまたは酸であり、前記方法は、さらに、腐食性ガスまたは酸の存在を検出する工程を備える、方法である。
(16)適用例16は、適用例13に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路が切断状態にあることに基づく、方法である。
(17)適用例17は、適用例13の方法であって、前記流体は、処理ガスである、方法である。
(18)適用例18は、適用例17に記載の方法であって、前記処理ガスは、水素含有ガスまたは臭化水素である、方法である。
(19)適用例19は、適用例13に記載の方法であって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバであり、前記流体は、ハロゲン含有ガスである、方法である。
(20)適用例20は、適用例13に記載の方法であって、前記シールは、処理ガスをプラズマエッチングチャンバに供給するガスブロック内にあり、前記プラズマエッチングチャンバ内で、1枚の半導体基板がプラズマエッチングされる、方法である。
Claims (20)
- 真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出するための腐食センサ保持器アセンブリであって、
金属材料で構成されたシールと、
少なくとも第1のポートを有する少なくとも第1の絶縁層と、少なくとも第2のポートを有する少なくとも第2の絶縁層と、を備えた積層体であって、前記第1のポートおよび前記第2のポートは、前記シールを保持するように構成されている、積層体と、
前記第1のポートおよび前記第2のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成し、前記積層体の中で、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に収容された少なくとも1つの導電体と、
を備え、
前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有する、腐食センサ保持器アセンブリ。 - 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出面が腐食したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリ。
- 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、監視回路の一部を形成しており、前記導電体の露出面が切断したことに応じて、信号を送信するように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリ。
- 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第1の絶縁層または前記第2の絶縁層は、前記露出面を有する前記導電体の部分の上に開口部を備える、腐食センサ保持器アセンブリ。
- 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記露出面を有する前記導電体の部分は、前記第1のポートの縁部または前記第2のポートの縁部から2ミリメートル以下の距離に配置されている、腐食センサ保持器アセンブリ。
- 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記導電体は、ステンレス鋼を含む、腐食センサ保持器アセンブリ。
- 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記第1の絶縁層および前記第2の絶縁層は、ポリイミドを含む、腐食センサ保持器アセンブリ。
- 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体は、組み込まれた表面取り付け構成要素と混合マニホルドとの間の境界になるように構成されている、腐食センサ保持器アセンブリ。
- 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリであって、前記積層体の厚さは、5ミリメートル以下である、腐食センサ保持器アセンブリ。
- 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えるガスブロックであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックを通って半導体処理チャンバに流れ、前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第1のポートおよび前記第2のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、ガスブロック。 - 請求項1に記載の腐食センサ保持器アセンブリを備えたガスブロックを備える真空チャンバであって、
前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリは、ガスが、前記ガスブロックおよび前記腐食センサ保持器アセンブリの前記第1のポートおよび前記第2のポートを通して流れることを可能にするように構成されている、真空チャンバ。 - 請求項11に記載の真空チャンバであって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバである、真空チャンバ。
- 腐食センサ保持器アセンブリを用いて真空チャンバの流体供給システム内の腐食を予測および検出する方法であって、
腐食センサ保持器アセンブリによって保持され金属材料で構成されたシールに流体を通す工程であって、前記腐食センサ保持器アセンブリは、少なくとも第1のポートを有する少なくとも第1の絶縁層と、少なくとも第2のポートを有する少なくとも第2の絶縁層と、を備えた積層体を備える、工程と、
前記第1のポートおよび前記第2のポートによって前記シールを保持する工程と、
前記第1のポートおよび前記第2のポートの少なくとも一部の周りに伸びる経路を形成する少なくとも1つの導電体を備えた回路のパラメータを監視する工程であって、前記導電体は、前記積層体の中で、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に収容され、前記導電体の前記経路の少なくとも一部分が、露出面を有し、前記パラメータは、前記露出面の特性に関係する、工程と、
前記パラメータを所定の値と比較する工程と、
前記比較の結果に基づいて、前記シールにおける漏れの存在を検出する工程と、
を備える、方法。 - 請求項13に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路の電圧、抵抗、または、電流に基づく、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記流体は、腐食性ガスまたは酸であり、前記方法は、さらに、腐食性ガスまたは酸の存在を検出する工程を備える、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記パラメータは、前記回路が切断状態にあることに基づく、方法。
- 請求項13の方法であって、前記流体は、処理ガスである、方法。
- 請求項17に記載の方法であって、前記処理ガスは、水素含有ガスまたは臭化水素である、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記真空チャンバは、プラズマエッチングチャンバであり、前記流体は、ハロゲン含有ガスである、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記シールは、処理ガスをプラズマエッチングチャンバに供給するガスブロック内にあり、前記プラズマエッチングチャンバ内で、1枚の半導体基板がプラズマエッチングされる、方法。
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