JP2016115792A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】結露が発生するリスクを抑えることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板処理装置1において、処理室2は、HMDS液を気化させて生成したHMDSガスで基板Wを処理する。気化部23は、窒素ガスおよびHMDS液を取り入れて、処理室2に供給するためのHMDSガスを生成する。その気化部23は、処理室2に隣接して設けられている。これにより、気化部23から処理室2までの間の配管37dの長さを抑えることができ、その間で生じる結露が発生するリスクを抑えることができる。【選択図】図1
Description
本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等(以下、「基板」と呼ぶ)に対して処理ガスを供給して所定の処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の基板処理装置として、レジスト膜を形成する前に、HMDSガスを供給して基板表面を処理することで、基板へのレジスト膜の密着性を向上させるものがある(例えば、特許文献1,2参照)。
従来の基板処理装置101は、図7のように、基板Wを収容する処理室102と、処理室102にHMDSガス(HMDS蒸気)および窒素(N2)ガスを供給するガス供給部103とを備えている。ガス供給部103は、HMDSガスを生成する気化部として、バブリングタンク123を備えている。バブリングタンク123には、HMDS液と窒素ガス(キャリアガス)が供給され、貯留するHMDS液中に窒素ガスを通過させることで、窒素ガスを混合するHMDSガスが生成される。そして、生成されたHMDSガスは、配管137dを通って処理室102に供給される。なお、バブリングタンク123には、ヒータ等の温調部が設けられている。
なお、図7において、基板処理装置101は、レギュレータ139と、可変絞り弁140と、フィルタ143と、開閉弁AVと、流量計FMと等を備えている。また、基板処理装置101は、複数の処理ユニットUを備えている。
このような従来の基板処理装置101には、配管137d中で結露が生じて、処理ムラが起こる問題がある。そこで、結露を防止するために種々の対策がなされている。例えば、特許文献1では、バブリングタンクに設けられた温調部によって、HMDSガスを送る配管内のHMDSガスの温度をクリーンルーム内の温度よりも低くするように構成されている。また、特許文献2では、HMDSガスを送る配管の周囲をヒータで巻いており、また、処理室の天井部にヒータが設けられている。
しかしながら、従来の基板処理装置101は次のような問題がある。図7の二点鎖線の枠101bで示すように、HMDSガスを生成する気化部(バブリングタンク)123やそれに関連する配管等の構成(以下、「気化部123等」と呼ぶ)は、設置スペースを抑えるために、基板処理装置本体101aと個別に設置されている。すなわち、気化部123等は、基板処理装置本体101aが設置されるフロアの床下に設置されている。そのため、気化部123から処理室102までの配管137dの長さが長く、また、設置先ごとに床上までの配管の経路および長さが異なるので、外乱の影響を受けやすい問題がある。よって、結露が発生するリスクが高くなる問題がある。更に、処理ユニットUごとに配管の経路および長さが異なるので、結露を個々に管理することが難しい問題がある。
また、処理室102の温調部とは別に、気化部123を単独で加熱するヒータを備える場合は、次のような2つの問題がある。1つ目は、ヒータを別で備えるのでコスト高になる。2つ目は、処理室102と気化部123との間で同じ温度にならず、温度差が生じるので、飽和水蒸気量に差が生まれる。そのため、結露が発生するリスクが高くなる問題がある。この結果、処理ガス量が安定しなくなる。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、結露が発生するリスクを抑えることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明に係る基板処理装置は、処理液を気化させて生成した処理ガスで基板を処理する処理室と、前記処理室に隣接して設けられ、不活性ガスおよび処理液を取り入れて、前記処理室に供給するための前記処理ガスを生成する気化部と、を備えていることを特徴とするものである。
すなわち、本発明に係る基板処理装置は、処理液を気化させて生成した処理ガスで基板を処理する処理室と、前記処理室に隣接して設けられ、不活性ガスおよび処理液を取り入れて、前記処理室に供給するための前記処理ガスを生成する気化部と、を備えていることを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理装置によれば、処理室は、処理液を気化させて生成した処理ガスで基板を処理する。気化部は、不活性ガスおよび処理液を取り入れて、処理室に供給するための処理ガスを生成する。その気化部は、処理室に隣接して設けられている。これにより、気化部から処理室までの間の配管の長さを抑えることができ、その間で生じる結露が発生するリスクを抑えることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記処理室は、内部空間に収容した基板を載置する載置台と、基板を加熱するヒータとを備え、前記ヒータは、基板を加熱すると同時に前記気化部も加熱することが好ましい。これにより、基板を加熱するヒータとは別に、気化部を加熱するヒータを設けなくてもよく、構成を簡易なものとすることができる。そのため、ヒータを別に設けることによるコスト高を抑えることができる。
また、ヒータは、基板を加熱して、基板とその周囲の雰囲気、すなわち処理室の内部空間を加熱する。そして、ヒータは、処理室の内部空間を加熱すると同時に気化部も加熱する。すなわち、同一のヒータで、気化部および処理室を同時に加熱する。そのため、気化部および処理室の内部空間との温度差を抑えることができる。これにより、結露が発生するリスクを抑えることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記ヒータは、基板を挟んで前記載置台と対向して設けられ、基板を表面側から加熱する表面側ヒータであることが好ましい。これにより、例えば、載置台に内蔵されている裏面側ヒータよりも設置が容易にできる。また、一般的に、処理ガスを処理室の内部空間に供給する供給口は、載置台よりも表面側ヒータの近くに設置されるので、配管をより短くすることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記ヒータは、前記載置台に載置された基板の表面に沿うように複数で構成されており、前記気化部は、複数の前記ヒータの一部の少なくとも1つで加熱されることが好ましい。複数のヒータの一部の少なくとも1つのヒータを、気化部の温度調整に比較的優先して用いることができる。なお、この場合、複数のヒータ等の総合的な加熱により、基板の加熱が管理される。
また、上述の基板処理装置において、前記気化部は、前記処理室は、複数で構成され、前記処理室ごとに設けられていることが好ましい。これにより、処理室ごとに、気化部から処理室までの配管の長さを揃えることができるので、処理室ごとの結露の管理がしやすい。また、基板処理装置本体と個別に設置していた従来の気化部を分散させて、処理室ごとに気化部を設けているので、従来、床下に設置していた構成の設置スペースを抑えることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記気化部および、前記気化部を介在しないで前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を更に備えていることが好ましい。従来の不活性ガス供給部は、気化部を介在しないで処理室に不活性ガスを供給していたが、本発明の不活性ガス供給部は、気化部および、気化部を介在しないで処理室に不活性ガスを供給する。これにより、従来、床下に設けられ、気化部のみに不活性ガスを供給していた配管等の構成を省略することができる。
本発明に係る基板処理装置によれば、処理室は、処理液を気化させて生成した処理ガスで基板を処理する。気化部は、不活性ガスおよび処理液を取り入れて、処理室に供給するための処理ガスを生成する。その気化部は、処理室に隣接して設けられている。これにより、気化部から処理室までの間の配管の長さを抑えることができ、その間で生じる結露が発生するリスクを抑えることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図1は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
図1を参照する。基板処理装置(基板処理装置本体)1は、例えばHMDS(ヘキサメチルジシラザン)液を気化させて生成したHMDSガスで基板Wを処理する処理室2と、処理室2にHMDSガスおよび窒素ガスを供給するガス供給部3とを備えている。また、基板処理装置1は、複数の処理ユニットUを備えており、各処理ユニットUは、単一の処理室2を備えている。なお、HMDS液が本発明の処理液に相当し、HMDSガスが本発明の処理ガスに相当する。
まず、処理室2の構成を説明する。図2は、基板処理時の処理室2を示す縦断面図である。処理室2は、基板Wを載置する載置台5と、載置台5を支持する支持部7と、少なくとも載置台5を貫通して昇降可能に設けられたリフトピン9とを備えている。なお、支持部7は、既知の熱伝導性の高い物質(例えば鉄、銅又はアルミニウム)で構成されているが、既知の断熱材で構成されていてもよい。
載置台5は、基板Wよりも大きい直径の円板状で構成されている。また、載置台5の内部には、裏面側ヒータ11が設けられており、載置台5上に載置された基板Wは、載置台5により加熱される。なお、裏面側ヒータ11を内蔵する載置台5は、ホットプレートとも呼ばれる。また、載置台5は、例えば基板Wの裏面を減圧して吸着させる等、基板Wを保持するようにしてもよい。リフトピン9は、図示しないリフトピン昇降機構により昇降される。
また、処理室2は、載置台5に載置された基板Wの上方および側方を覆う蓋部(壁部)13を備えている。蓋部13は、基板Wの上方を覆う円板状の天井部材13aと、天井部材13aから下方に延長して設けられ、基板Wの側方を覆う円筒状の円筒部材13bとを備えている。図2の基板処理時では、基板Wは、載置台5,支持部7および蓋部13により囲まれた処理室2の内部空間S内に存在することとなる。
基板Wが収容される内部空間Sを内側とする場合、蓋部13の外側には、基板Wを表面側から加熱するための表面側ヒータ15が設けられている。すなわち、表面側ヒータ15は、基板Wを挟んで載置台5と対向して設けられている。表面側ヒータ15は、基板Wを表面側から加熱する。具体的には、表面側ヒータ15、蓋部13を加熱することで、基板Wとその周囲の雰囲気、すなわち、処理室2の内部空間Sを加熱する。また、表面側ヒータ15は、蓋部13を加熱することで、後述する供給口17とその周囲も加熱する。なお、表面側ヒータ15は、本発明のヒータに相当する。
また、蓋部13には、基板Wの上方に対応する位置に供給口17が設けられており、供給口17から処理室2の内部空間SにHMDSガスや窒素ガスが供給される。その一方、支持部7には、載置台5を囲むように、環状の複数の排気口19が設けられており、供給されたHMDSガスを排気する。また、排気口19には、図示しない真空ポンプが接続される。真空ポンプは、排気口19から処理室2の内部空間Sの気体を強制的に排気し、また、処理室2の内部空間Sを減圧させて真空状態にする。
図3は、基板の搬入・搬出時の処理室2を示す縦断面図である。図示しない蓋昇降機構により、蓋部13が上昇して基板Wの側方が解放される。また、リフトピン昇降機構によりリフトピン9が上昇し、リフトピン9で基板Wが持ち上げられる。この図3の状態で、基板搬送機構のハンド21により基板Wが保持されて、処理済みの基板Wが搬出されて、また、未処理の基板Wが搬入される。
図1に戻る。次に、ガス供給部3の構成を説明する。ガス供給部3は、HMDS液を気化部23に送る処理液供給部25と、気化部23でHMDSガスを生成し、生成されたHMDSガスを処理室2に送る処理ガス供給部27と、気化部23および、気化部23を介在しないで処理室2に窒素ガスを供給する不活性ガス供給部29とを備えている。これらを順番に説明する。
処理液供給部25は、HMDS液を基板処理装置1内に貯留するための内部タンク31と、内部タンク31に貯留されたHMDS液を吸い上げて気化部23に送るためのポンプ33とを備えている。内部タンク31には、処理液供給源35からHMDS液が供給されるようになっている。処理液供給源35および後述する不活性ガス供給源45は、例えば、小型のボトルや、基板処理装置1が設置される建物に並設された大型のタンクなどであってもよい。
また、処理液供給部25は、内部タンク31とポンプ33に加えて、配管37a,37b,37cと、圧力を調整するレギュレータ39と、例えばエアオペレートバルブで構成される開閉弁AV1,AV2と、流量を計測する流量計FM1と、分岐配管41とを備えている。
処理液供給源35と内部タンク31との間のHMDS液の移送は、配管37aを通じて行われる。配管37aには、圧力を調整するレギュレータ39と、開閉弁AV1とが介在して設けられている。また、内部タンク31と分岐配管41との間のHMDS液の移送は、配管37bを通じて行われる。配管37bには、ポンプ33が介在して設けられている。
また、分岐配管41と各処理ユニットUの気化部23との間のHMDS液の移送は、配管37cを通じて行われる。配管37cには、流量計FM1とフィルタ43と開閉弁AV2とが介在して設けられている。
処理ガス供給部27は、気化部23と、配管37dとを備えている。気化部23は、キャリアガスおよびHMDS液を取り入れて、処理室2に供給するためのHMDSガスを生成する。気化部23と処理室2の供給口17との間のHMDSガスの移送は、配管37dを通じて行われる。
不活性ガス供給部29は、気化部23および処理室2の各々に、窒素ガスを供給する。気化部23に供給された窒素ガスは、キャリアガスとして用いられる。処理室2に供給された窒素ガスは、例えば、処理室2の内部空間SのHMDSガスを置き換えるガスとして用いられる。不活性ガス供給部29は、配管37e,37f,37gと、流量計FM2と、フィルタ47と、開閉弁AV3とを備えている。窒素ガスは、不活性ガス供給源45より供給される。
不活性ガス供給源45と開閉弁AV3との間の窒素ガスの移送は、配管37eを通じて行われる。配管37eには、流量計FM2と、フィルタ47とが介在して設けられている。また、開閉弁AV3と気化部23との間の窒素ガスの移送は、配管37fを通じて行われる。また、開閉弁AV3と処理室2(図1では配管37d)との間の窒素ガスの移送は、配管37gを通じて行われる。なお、開閉弁AV3は、気化部23および処理室2への窒素ガスの供給を停止したり、気化部23および処理室2のいずれか一方および両方に窒素ガスを供給したりする。
なお、流量計FM2は、流量調整できるフローコントローラであってもよい。
ここで、気化部23について詳細に説明する。気化部23は、処理室2に隣接して設けられている。本実施例では、図2等のように、気化部23は、表面側ヒータ15を介在して処理室2に隣接して設けられている。図7の従来の基板処理装置101では、基板処理装置本体101aの床下のバブリングタンク123でHMDSガスを生成していたが、処理室2に隣接して気化部23が設けられているので、HMDSガスを送る配管37dを短くすることができる。また、例えば、仮に、裏面側ヒータ11の気化部23を設ける場合よりも、配管37dを短くすることができる。
気化部23には、図1、図2のように、HMDS液および窒素ガスが供給される。気化室23に供給されたHMDS液は、図2のように、貯留される。貯留されたHMDS液は、表面側ヒータ15により直接加熱されて気化が促される。気化されたHMDSガスは、キャリアガスである窒素ガスと混合して、HMDSガスとして配管37dに送られる。なお、窒素ガスは、気化部23に貯留されたHMDS液の上方を通過するが、HMDS液中を通過させてもよい。
気化部23により生成するHMDSガスの濃度は、表面側ヒータ15の温度、供給する窒素ガスの流量、および貯留するHMDS液の液量などで調整される。例えば、HMDS液量は、一滴でもよい。
また、図4は、処理室を供給口側から見た図2の平面図である。図4のように、表面側ヒータ15は、載置台5に載置された基板Wの表面に沿うように、複数(例えば2つ)で構成されている。なお、図4では、2つの表面側ヒータ15を、符号15a,15bで示すが、特に区別しない場合は、符号15で説明する。また、図1において、表面側ヒータ15aは、図示の都合上、左方向に延長して示されている。
気化部23は、2つの表面側ヒータ15a,15bの一部の少なくとも1つ、すなわち、図4の左側の表面側ヒータ15aで加熱されるようになっている。2つの表面側ヒータ15a,15bは各々調整される(例えば110℃程度)。そして、2つの表面側ヒータ15a,15bおよび裏面側ヒータ11は、処理室2の基板Wを加熱する温度が、予め設定された温度になるように調整される。なお、この温度調整は、例えば、後述する主制御部51により制御される。また、図4では、気化部23は、左側の表面側ヒータ15aで加熱されるが、右側の表面側ヒータ15bで加熱してもよい。
なお、表面側ヒータ15の数は、2つに限定されず、3つ以上であってもよい。また、例えば、3つの表面側ヒータ15を備える場合、その内の1つで気化部23を加熱してもよいし、その内の2つで気化部23を加熱してもよい。
次に、基板処理装置1のその他の構成を説明する。基板処理装置1は、中央演算処理装置(CPU)などで構成され、基板処理装置1の各構成を制御する主制御部51と、ハードディスク等の図示しない記憶部と、液晶モニタなどの表示部やジョイスティック、マウス、キーボードおよびボタンなど入力部を有する操作部53とを備えている。主制御部51は、ポンプ、開閉弁AV1〜AV3および表面側ヒータ15等を各々制御する。
次に、基板処理装置1の動作について説明する。図3のように、ハンド21により基板Wが処理室2の載置台5上に搬入される。図2の処理室2の内部空間Sは、予め設定された状態にされる。
すなわち、処理室2には、配管37e,37g、流量計FM2および開閉弁AV3を通じて、供給口17から窒素ガスが供給される。この窒素ガスにより、処理室2の内部空間Sが満たされてもよい。また、図示しない真空ポンプにより予め設定された圧力に減圧された状態であってもよい。この減圧の際、窒素ガスが供給されていてもよい。また、裏面側ヒータ11を内蔵した載置部5により、基板Wを裏面側から加熱する一方、表面側ヒータ15により、蓋部13を加熱して、基板Wを表面側から加熱する。表面側ヒータ15は、裏面側ヒータ11よりも設定温度が高くてもよいし、低くてもよいし、同じであってもよい。
図1において、内部タンク31には、HMDS液が貯留されている。内部タンク31には、配管37a、レギュレータ39、および開閉弁AV1を通じて、処理液供給源35からHMDS液が供給される。また、内部タンク31に貯留されたHMDS液は、ポンプ33により汲み上げられる。汲み上げられたHMDS液は、配管37b,37c、分岐配管41、流量計FM1、フィルタ43および開閉弁AV1を通じて、各処理ユニットUの気化部23に送られる。
気化部23に送られたHMDS液は、図2のように、気化部23に貯留される。表面側ヒータ15aは、HMDSガスの供給口17が設けられた蓋部13を加熱して基板Wを加熱すると同時に、気化部23も加熱する。気化部23に貯留されたHMDS液は、表面側ヒータ15aの加熱により、気化が促される。そこに、キャリアガスとしての窒素ガスが供給される。これにより、気化したHMDSガスと窒素ガスとが混合した混合ガスが生成され、生成された混合ガスがHMDSガスとして気化部23から送り出される。
なお、気化部23には、配管37e,37f、流量計FM2、フィルタ47および開閉弁AV3を通じて、不活性ガス供給源45から窒素ガスが供給される。
上述のように、処理室2の内部空間Sは、予め設定された状態にされている。この処理室2にHMDSガスが供給される。なお、処理室2には、配管37dを通じて気化部23からHMDSガスが供給される。また、処理室2へのHMDSガスの供給は、開閉弁AV3の開閉動作により行われる。基板Wは、予め設定された時間でHMDSガスに晒されることで、基板Wの表面の疎水化処理が行われる。表面処理の後、排気部19からHMDSガスが排気され、内部空間Sが減圧されている場合は、大気圧に戻される。そして、図3のように、基板搬送機構のハンド21により基板Wが搬送される。
本実施例によれば、処理室2は、HMDS液を気化させて生成したHMDSガスで基板Wを処理する。気化部23は、窒素ガスおよびHMDS液を取り入れて、処理室2に供給するためのHMDSガスを生成する。その気化部23は、処理室2に隣接して設けられている。これにより、気化部23から処理室2までの間の配管37dの長さを抑えることができ、その間で生じる結露が発生するリスクを抑えることができる。
また、処理室2は、内部空間Sに収容した基板Wを載置する載置台5と、基板を加熱する表面側ヒータ15とを備え、表面側ヒータ15は、基板Wを加熱すると同時に気化部23も加熱する。これにより、基板Wを加熱する表面側ヒータ15とは別に、気化部23を加熱するヒータを設けなくてもよく、構成を簡易なものとすることができる。そのため、ヒータを別に設けることによるコスト高を抑えることができる。
また、表面側ヒータ15は、基板Wを表面側から加熱して、基板Wとその周囲の雰囲気、すなわち処理室2の内部空間Sを加熱する。そして、表面側ヒータ15は、処理室2の内部空間Sを加熱すると同時に気化部23も加熱する。すなわち、同一の表面側ヒータ15aで、気化部23および処理室2を同時に加熱する。そのため、気化部23および処理室2の内部空間との温度差を抑えることができる。これにより、結露が発生するリスクを抑えることができる。
また、基板処理装置1は、基板Wを挟んで載置台5と対向して設けられ、基板Wを表面側から加熱する表面側ヒータ15を備えている。これにより、例えば、載置台5に内蔵されている裏面側ヒータ11よりも設置が容易にできる。すなわち、裏面側ヒータ11は、処理室2の載置台5に内蔵され、蓋部13の外側に設けられた表面側ヒータ15よりも設置が難しい。また、一般的に、HMDSガスを処理室2の内部空間Sに供給する供給口17は、載置台5よりも表面側ヒータ15の近くに設置されるので、配管37dをより短くすることができる。
また、表面側ヒータ15は、載置台5に載置された基板Wの表面に沿うように2つで構成されており、気化部23は、2つの表面側ヒータ15a,15bの一部の少なくとも1つ、すなわち、表面側ヒータ15aで加熱される。表面側ヒータ15aを、気化部23の温度調整に比較的優先して用いることができる。なお、この場合、2つの表面側ヒータ15a,15bや裏面側ヒータ11の総合的な加熱により、基板Wの加熱が管理される。
また、気化部23は、処理室2ごとに設けられている。これにより、処理室2(処理ユニットU)ごとに、気化部23から処理室2までの配管37dの長さを揃えることができるので、処理室2ごとの結露の管理がしやすい。また、基板処理装置1本体と個別に設置していた従来の大型のバブリングタンク123を分散させて、処理室2ごとに気化部23を設けているので、従来、床下に設置していた構成の設置スペースを抑えることができる。
また、基板処理装置1は、気化部23および、気化部23を介在しないで処理室2に窒素ガスを供給する不活性ガス供給部29を更に備えている。従来の不活性ガス供給部は、バブリングタンク123を介在しないで処理室102に窒素ガスを供給していたが、本発明の不活性ガス供給部29は、気化部23および、気化部23を介在しないで処理室2に窒素ガスを供給する。これにより、従来、床下に設けられていた、バブリングタンク123のみに不活性ガスを供給していた配管等の構成を省略することができる。すなわち、図7において、配管137h、開閉弁AV、レギュレータ139および可変絞り弁140等を省略することができる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、気化部23は、表面側ヒータ15aを介在して処理室2に隣接して設けられていたが、表面側ヒータ15aを介在させないで処理室2に隣接して設けられてもよい。例えば、気化部23は、処理室2に直接設けられてもよいし、板状やペースト状などの熱伝導性の高い中間部材61(図5、図6参照)を介在して設けられてもよい。気化部23は、主に、蓋部13および中間部材61を通じて表面側ヒータ15a,15cにより加熱される。なお、実施例のように、気化部23が、表面側ヒータ15(15a)を介在して処理室2に隣接して設けられている方が、他の表面側ヒータ15bの熱の影響を受けにくく、温度調整しやすい利点がある。
また、気化部23は、空気などの気体の隙間を介在して処理室2に隣接して設けられていてもよい。この場合、気化部23は、表面側ヒータ15による熱の影響が及ぶ範囲に存在することが望ましい。また、気化部23は、表面側ヒータ15a、中間部材61および隙間の少なくともいずれかを組み合わせたものを介在して処理室2に隣接して設けられてもよい。
また、表面側ヒータ15は、図5、図6のように、4つで構成されてもよい。また、図5、図6において、例えば、表面側ヒータ15c,15dが省略された構成でもよい。また、図5、図6において、上述のように、気化部23は、4つの表面側ヒータ15a〜15dの少なくとも1つに介在して処理室2と隣接して設けられてもよい。
(2)上述した実施例および変形例(1)では、気化部23は、表面側ヒータ15で加熱されたが、裏面側ヒータ11で加熱してもよい。なお、裏面側ヒータ11も基板Wの表面に沿って複数で構成されていてもよい。気化部23は、複数の裏面側ヒータ11の全部または一部の少なくとも1つで加熱されるように構成されてもよい。裏面側ヒータ11は、本発明のヒータに相当する。
(3)上述した実施例および各変形例では、気化部23には、処理液として、HMDSの液体が供給されていたが、これに限定されない。例えば、処理液として、N−トリメチルシリルジメチルアミン(TMSDMA)やN−トリメチルシリルジエチルアミン(TMSDEA)等のシリル化剤であってもよい。
(4)上述した実施例および各変形例では、基板処理装置1は、複数の処理ユニットUを備えていたが、単一の処理ユニットUを備えてもよい。また、基板処理装置1は、複数の表面側ヒータ15を備えていたが、単一の表面側ヒータ15を備えてもよい。
(5)上述した実施例および各変形例では、気化部23および処理室2に窒素ガスが供給されるが、不活性ガスとして、ヘリウムやアルゴンなどを供給してもよい。
(6)上述した実施例および各変形例では、レギュレータ、開閉弁、流量計およびフィルタは、図1の構成に加え、あるいは、図1の構成に代えて、必要とする位置に設けられるようにしてもよい。
1 … 基板処理装置(基板処理装置本体)
2 … 処理室
3 … ガス供給部
5 … 載置台
11 … 裏面側ヒータ
15 … 表面側ヒータ
23 … 気化部
29 … 不活性ガス供給部
37a〜37g … 配管
45 … 不活性ガス供給源
51 … 主制御部
2 … 処理室
3 … ガス供給部
5 … 載置台
11 … 裏面側ヒータ
15 … 表面側ヒータ
23 … 気化部
29 … 不活性ガス供給部
37a〜37g … 配管
45 … 不活性ガス供給源
51 … 主制御部
Claims (6)
- 処理液を気化させて生成した処理ガスで基板を処理する処理室と、
前記処理室に隣接して設けられ、不活性ガスおよび処理液を取り入れて、前記処理室に供給するための前記処理ガスを生成する気化部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
前記処理室は、内部空間に収容した基板を載置する載置台と、基板を加熱するヒータとを備え、
前記ヒータは、基板を加熱すると同時に前記気化部も加熱することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置において、
前記ヒータは、基板を挟んで前記載置台と対向して設けられ、基板を表面側から加熱する表面側ヒータであることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2または3に記載の基板処理装置において、
前記ヒータは、前記載置台に載置された基板の表面に沿うように複数で構成されており、
前記気化部は、複数の前記ヒータの一部の少なくとも1つで加熱されることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から4のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記処理室は、複数で構成され、
前記気化部は、前記処理室ごとに設けられていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から5のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記気化部および、前記気化部を介在しないで前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部を更に備えていることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014253085A JP2016115792A (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014253085A JP2016115792A (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2016115792A true JP2016115792A (ja) | 2016-06-23 |
Family
ID=56142296
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014253085A Pending JP2016115792A (ja) | 2014-12-15 | 2014-12-15 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2016115792A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019169537A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP2021007150A (ja) * | 2016-12-29 | 2021-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | フォトレジスト層におけるフィールド誘導型酸プロファイル制御のための装置 |
-
2014
- 2014-12-15 JP JP2014253085A patent/JP2016115792A/ja active Pending
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JP2021007150A (ja) * | 2016-12-29 | 2021-01-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | フォトレジスト層におけるフィールド誘導型酸プロファイル制御のための装置 |
JP2019169537A (ja) * | 2018-03-22 | 2019-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7178177B2 (ja) | 2018-03-22 | 2022-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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