JP2016095275A - 評価方法及び測定方法 - Google Patents
評価方法及び測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016095275A JP2016095275A JP2014232858A JP2014232858A JP2016095275A JP 2016095275 A JP2016095275 A JP 2016095275A JP 2014232858 A JP2014232858 A JP 2014232858A JP 2014232858 A JP2014232858 A JP 2014232858A JP 2016095275 A JP2016095275 A JP 2016095275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- wafer
- film thickness
- measuring
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 271
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 52
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 21
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 claims description 14
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 abstract 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 189
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 47
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012854 evaluation process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
前記ウェーハを、前記ウェーハの表面に垂直な回転軸線周りに、前記第1の測定工程の時とは異なる角度に回転させた後、前記測定器で、前記第1の測定工程と同一の測定点における前記特性を測定する第2の測定工程と、
前記第1の測定工程で得られた測定値と前記第2の測定工程で得られた測定値との比較に基づき、前記測定器の測定位置ズレを評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする。
前記第1の測定工程及び前記第2の測定工程では、前記ウェーハの外周部における膜厚を少なくとも測定し、
前記評価工程では、前記第1の測定工程で得られた前記外周部における測定値と、前記第2の測定工程で得られた前記外周部における測定値との比較に基づき、前記測定器の測定位置ズレを評価するのが好ましい。このとき、前記膜の外周縁から3mm〜5mmの範囲における平均膜厚をd、その範囲における膜厚の変化量をΔdとしたとき、Δd/dが0.1%以上であるとするのが好ましい。
前記評価工程では、
前記第1の測定工程で得られた前記第1方向における測定値と前記第2の測定工程で得られた前記第1方向における測定値との比較に基づき、前記測定器の前記第1方向における測定位置ズレを評価し、かつ、
前記第1の測定工程で得られた前記第2方向における測定値と前記第2の測定工程で得られた前記第2方向における測定値との比較に基づき、前記測定器の前記第2方向における測定位置ズレを評価するのが好ましい。このとき、前記第1方向と前記第2方向の一方は前記ウェーハのノッチを通る直線に沿った方向とすることができる。
直径200mmのエピタキシャルウェーハを用いて、図2のS1〜S4の工程を実施、つまり1)通常仕込み、2)180°反転仕込みでX方向、Y方向の膜厚を測定し、同一測定点の差分を求めた。測定の際、外周95mmから98mmまでは1mmピッチで測定を行った。その結果を図7及び図8に示す。図7、図8の結果に基づいて、図2のS5の工程を実施して測定位置ズレを評価したところ、ノッチを下にして、X方向では約2.5mm、Y方向では約−1mm程度の測定位置ズレがあった。
ウェーハの外周部における膜厚分布が、測定位置ズレの検出にどのように影響するかを調べるため、以下の実験を行った。
2 ロードポート
3 ロボットハンド
4 アライナー
5 測定部
10 ノッチ
Claims (11)
- 表面に膜が形成されたウェーハの面内の点から測定点を選択して、その測定点における前記膜の特性を測定器で測定する第1の測定工程と、
前記ウェーハを、前記ウェーハの表面に垂直な回転軸線周りに、前記第1の測定工程の時とは異なる角度に回転させた後、前記測定器で、前記第1の測定工程と同一の測定点における前記特性を測定する第2の測定工程と、
前記第1の測定工程で得られた測定値と前記第2の測定工程で得られた測定値との比較に基づき、前記測定器の測定位置ズレを評価する評価工程と、
を含むことを特徴とする評価方法。 - 前記第2の測定工程では、前記ウェーハを、前記回転軸線周りに前記第1の測定工程の時から180°回転させた状態に仕込むことを特徴とする請求項1に記載の評価方法。
- 前記特性は膜厚であり、
前記第1の測定工程及び前記第2の測定工程では、前記ウェーハの外周部における膜厚を少なくとも測定し、
前記評価工程では、前記第1の測定工程で得られた前記外周部における測定値と、前記第2の測定工程で得られた前記外周部における測定値との比較に基づき、前記測定器の測定位置ズレを評価することを特徴とする請求項1又は2に記載の評価方法。 - 前記膜の外周縁から3mm〜5mmの範囲における平均膜厚をd、その範囲における膜厚の変化量をΔdとしたとき、Δd/dが0.1%以上であることを特徴とする請求項3に記載の評価方法。
- 前記第1の測定工程及び前記第2の測定工程では、それぞれ、前記ウェーハの面内を通る直線のうち直交する2つの直線の一方に沿った第1方向及び他方に沿った第2方向の少なくとも2方向における前記特性の面内分布を測定し、
前記評価工程では、
前記第1の測定工程で得られた前記第1方向における測定値と前記第2の測定工程で得られた前記第1方向における測定値との比較に基づき、前記測定器の前記第1方向における測定位置ズレを評価し、かつ、
前記第1の測定工程で得られた前記第2方向における測定値と前記第2の測定工程で得られた前記第2方向における測定値との比較に基づき、前記測定器の前記第2方向における測定位置ズレを評価することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の評価方法。 - 前記第1方向と前記第2方向の一方は前記ウェーハのノッチを通る直線に沿った方向であることを特徴とする請求項5に記載の評価方法。
- 前記特性は膜厚であり、
前記評価工程では、前記第1の測定工程で得られた前記ウェーハの外周部における測定値と前記第2の測定工程で得られた前記外周部における測定値の差分を求め、その差分に基づいて前記測定器の測定位置ズレの方向及び量を評価することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の評価方法。 - 前記特性は膜厚であり、
前記測定器はFTIR法に基づく膜厚測定器であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の評価方法。 - 前記膜の膜厚は0.3μm以上、かつ100μm以下であることを特徴とする請求項8に記載の評価方法。
- 前記膜の膜厚は1μm以上、かつ100μm以下であることを特徴とする請求項8に記載の評価方法。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の評価方法と、
前記評価工程の評価結果に基づき前記測定器の測定位置を補正する補正工程と、
その補正工程で測定位置が補正された前記測定器を用いてウェーハの特性を測定する補正後測定工程と、
を含むことを特徴とする測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014232858A JP6288515B2 (ja) | 2014-11-17 | 2014-11-17 | 評価方法及び測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014232858A JP6288515B2 (ja) | 2014-11-17 | 2014-11-17 | 評価方法及び測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016095275A true JP2016095275A (ja) | 2016-05-26 |
JP6288515B2 JP6288515B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=56071103
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014232858A Active JP6288515B2 (ja) | 2014-11-17 | 2014-11-17 | 評価方法及び測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6288515B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016109596A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | キヤノン株式会社 | 面形状測定方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3930150A (en) * | 1974-12-23 | 1975-12-30 | Digital Systems | Apparatus for determining the centroid of a lighted hole |
JPH0528908A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Sony Corp | 酸化物陰極の製造方法およびその方法を実施するための装 置 |
JP2002280440A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 検査装置における回転ステージ自動位置補正制御方法 |
JP2003065724A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ftir法による膜厚測定方法および半導体ウェーハの製造方法 |
JP2004080001A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-03-11 | Asm America Inc | 半導体ウェハの位置ずれ測定及び補正方法 |
-
2014
- 2014-11-17 JP JP2014232858A patent/JP6288515B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3930150A (en) * | 1974-12-23 | 1975-12-30 | Digital Systems | Apparatus for determining the centroid of a lighted hole |
JPH0528908A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Sony Corp | 酸化物陰極の製造方法およびその方法を実施するための装 置 |
JP2002280440A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 検査装置における回転ステージ自動位置補正制御方法 |
JP2003065724A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ftir法による膜厚測定方法および半導体ウェーハの製造方法 |
JP2004080001A (ja) * | 2002-06-12 | 2004-03-11 | Asm America Inc | 半導体ウェハの位置ずれ測定及び補正方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016109596A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | キヤノン株式会社 | 面形状測定方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6288515B2 (ja) | 2018-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101442018B (zh) | 晶圆翘曲程度的检测方法 | |
JP5380912B2 (ja) | 膜厚測定方法、エピタキシャルウェーハの製造方法、および、エピタキシャルウェーハ | |
US9026244B1 (en) | Presence sensing and position correction for wafer on a carrier ring | |
CN102347276A (zh) | 切削方法 | |
TWI616643B (zh) | Wafer bending evaluation method and wafer sorting method using the same | |
JP5943201B2 (ja) | 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
WO2012051222A2 (en) | Coordinate fusion and thickness calibration for semiconductor wafer edge inspection | |
JP6132163B2 (ja) | 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP6288515B2 (ja) | 評価方法及び測定方法 | |
KR101631410B1 (ko) | 웨이퍼 에지부의 저온산화막 검출 장치 및 검출 방법 | |
JP2011146506A (ja) | 気相成長装置用サセプタ及び気相成長装置 | |
CN106340482B (zh) | 基于晶圆边角和缺口定位的自动校正定标方法 | |
JP5502227B1 (ja) | 膜厚分布測定方法 | |
JP6520795B2 (ja) | 膜厚分布測定方法 | |
JP2010028011A (ja) | エピタキシャル層の膜厚測定方法、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ製造工程管理方法 | |
JP6493498B1 (ja) | 半導体ウェーハの載置位置測定方法および半導体エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
US20160025893A1 (en) | Method and apparatus for calibrating sensors that detect wafer protrusion from a wafer cassette | |
JP2011014800A (ja) | エピタキシャル層の膜厚測定方法、エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハの製造工程管理方法 | |
JP6056749B2 (ja) | エピタキシャル成長前後の半導体ウェーハのエッジ形状の評価方法 | |
TWI630676B (zh) | 晶片放置裝置和晶片定向儀 | |
WO2015129157A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法及び工程異常の検出方法 | |
CN117568924A (zh) | 调整硅片在外延基座上的位置的方法及系统以及外延设备 | |
JP7149321B2 (ja) | ウエハ位置決め方法及び半導体製造装置 | |
JP7056515B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US20240021449A1 (en) | Method for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161116 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170919 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6288515 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |