TWI630676B - 晶片放置裝置和晶片定向儀 - Google Patents
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 134
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 18
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Medicinal Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
本發明提供了一種晶片放置裝置和晶片定向儀，所述晶片放置裝置包括用於放置晶片的底座、兩個定位擋板、凹槽定位裝置、前端擋板和滑動板；所述前端擋板安裝於所述底座的一端，所述前端擋板具有一縫隙；所述滑動板安裝於所述底座的另一端，並可在所述底座上滑動，以改變所述滑動板與所述前端擋板之間的距離；兩個定位擋板對稱安裝於所述滑動板上，兩個定位擋板上具有刻度；所述凹槽定位裝置安裝於兩個定位擋板之間，所述凹槽定位裝置的中心與所述前端擋板的縫隙在一條直線上，所述凹槽定位裝置可沿該直線滑動。本發明解決了傳統的晶片定向儀的晶片放置裝置在檢測不同尺寸晶片時，需要進行機台部件的調整和校準以及存在金屬污染風險的問題。
Description
本發明涉及半導體設備技術領域，具體涉及一種晶片放置裝置和晶片定向儀。
半導體積體電路是在低指數面的半導體基底上製作，目前，半導體工業最常用的晶片為(111)晶向以及(100)晶向的晶片。所述(111)晶向或者(100)晶向的區別主要是原子在這一方向的原子密度和原子間距不同，這一特性會產生表面態、遷移率、雜質擴散等區別。
為了確定晶片的晶向，目前8英寸、12英寸晶片普遍採用在晶片邊切一個V型或者U型凹槽的方式，這樣，後續的一些半導體設備可通過此V型或者U型凹槽進行晶片與設備的定位。
鑒於上述V型或者U型凹槽的重要性，在V型或者U型凹槽切割形成之後，通常會通過晶片定向儀進行進一步校驗其是否切割準確。傳統的晶片定向儀的晶片放置裝置，如圖1所示，包括底座101、定位螺絲102、定位螺絲103、凹槽定位裝置104和前端擋板107。所述底座101尺寸較小一端兩側安裝有定位螺絲102和定位螺絲103。前端擋板107安裝在所述底座101尺寸較小一端的中心位置。所述前端擋板107包括對稱的兩部分，即，前端擋板第一部分105和前端擋板第二部分106，兩部分之間有一縫隙，所
述擋板101的尺寸較大的一端安裝有一可沿所述擋板101軸線方向滑動的凹槽定位裝置104。
在進行晶片定向時，只需將晶片201放置在所述底座101上，讓所述晶片201與所述定位螺絲102、103和所述前端擋板107三點相切，而後透過從所述前端擋板107的縫隙處射入的X射線進行晶向定位，旋轉晶片201以調整晶片晶向至規定方向，最後將凹槽定位裝置向前推進，如能與凹槽完全吻合，即凹槽切割正確，晶向定位正確，否則晶向定位錯誤。
但是以上裝置存在一問題，即進行不同尺寸晶片定向時，必須調整定位螺絲102、103才能保證不同尺寸晶片都能與之相切。如圖2所示，對於同一位置的固定螺絲102、103，其不能滿足不同尺寸的晶片與之相切的要求。透過圖3能更加清晰地看出這一問題，如果要對不同尺寸的晶片進行所述定位螺絲102、103和前端擋板107的三點相切定位，就必須對所述定位螺絲102、103進行位置調整且對晶片放置裝置進行校準，這在實際操作過程中也會引入人為誤差，導致定位不准，而且效率很低。
另外，申請人發現，傳統的晶片定向儀的晶片放置裝置採用的材質易生銹，其與晶片直接接觸，會帶來鐵元素金屬污染的風險。
本發明的目的在於提供一種晶片放置裝置，以解決傳統的晶片定向儀的晶片放置裝置準確度低以及效率低的問題。
本發明的另一目的在於解決傳統的晶片定向儀的晶片放置裝置存在金屬污染風險的問題。
本發明提供了一種晶片放置裝置，包括：用於放置晶片的底
座、兩個定位擋板、凹槽定位裝置、前端擋板和滑動板；所述前端擋板安裝於所述底座的一端，所述前端擋板具有一縫隙；所述滑動板安裝於所述底座的另一端，並可在所述底座上滑動，以改變所述滑動板與所述前端擋板之間的距離；兩個定位擋板對稱安裝於所述滑動板上，兩個定位擋板上具有刻度；所述凹槽定位裝置安裝於兩個定位擋板之間，所述凹槽定位裝置的中心與所述前端擋板的縫隙在一條直線上，所述凹槽定位裝置可沿該直線滑動。
可選的，所述底座的面積至少大於放置在其上的晶片的面積。
可選的，所述底座為軸對稱結構。
可選的，所述前端擋板中心位於所述底座的對稱軸上。
可選的，所述前端擋板包括兩部分。
可選的，所述前端擋板的縫隙的寬度為20mm至50mm。
可選的，所述凹槽定位裝置與晶片接觸端為與晶片V型凹槽吻合的凸起。
可選的，所述凹槽定位裝置與晶片接觸端為與晶片U型凹槽吻合的凸起。
可選的，所述定位擋板的長度為50mm至200mm。
可選的，所述兩定位擋板之間的夾角為60°至150°。
可選的，所述定位擋板上的刻度位置為不同尺寸晶片與所述定位擋板相切的位置。
可選的，所述底座與晶片接觸的一面上覆蓋有特氟龍材料
層。
可選的，所述定位擋板與晶片接觸的一面上覆蓋有特氟龍材料層。
可選的，所述前端擋板與晶片接觸的一面上覆蓋有特氟龍材料層。
可選的，所述特氟龍材料層的厚度為2mm至5mm。
本法發明提供了一種晶片定向儀，其包括上述任一項所述的晶片放置裝置。
綜上所述，採用本發明提供的晶片放置裝置，由於所述定位板可與不同尺寸的晶片均能相切，僅需在定位板上對應不同尺寸晶片標上刻度，即可對不同尺寸晶片進行定位檢測，無需像傳統晶片放置裝置一樣進行調整和校準，從而提高了檢測效率和準確度。
另外，由於本發明提供的晶片定位裝置與晶片接觸的區域均覆蓋有特氟龍材料層，從而降低了金屬污染的風險。
101、301‧‧‧底座
102、103‧‧‧定位螺絲
302、303‧‧‧定位擋板
104、304‧‧‧凹槽定位裝置
105、305‧‧‧前端擋板第一部分
106、306‧‧‧前端擋板第二部分
107、307‧‧‧前端擋板
308‧‧‧滑動板
309、310、311‧‧‧特氟龍材料層
201、401‧‧‧晶片
α‧‧‧兩定位擋板之間的夾角
d1‧‧‧前端擋板第一部分和前端擋板第二部分相背離一端之間的距離
d2‧‧‧前端擋板第一部分和前端擋板第二部分之間的縫隙寬度
h‧‧‧前端擋板的高度
圖1是傳統晶片放置裝置的俯視角度示意圖；圖2是傳統晶片放置裝置定位不同尺寸晶片的俯視角度示意圖；圖3是傳統晶片放置裝置定位不同尺寸晶片的局部放大示意圖；圖4是本發明優選實施例提供的晶片放置裝置的俯視角度示意圖；圖5是本發明優選實施例提供的晶片放置裝置的前端擋板的示意圖；圖6是本發明優選實施例提供的晶片放置裝置定位不同尺寸晶片的俯視角
度示意圖；圖7是本發明優選實施例提供的晶片放置裝置的側面的示意圖；以及圖8是本發明優選實施提供的晶片放置裝置的使用方法的流程圖。
以下結合附圖和具體實施例對本發明提出的晶片放置裝置進行詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精准的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
參閱圖4，其是本發明優選實施例提供的晶片放置裝置的俯視角度示意圖。本實施例提供的晶片放置裝置，其包括：用於放置晶片的底座301、兩個定位擋板302和303、凹槽定位裝置304、前端擋板307和滑動板308；所述前端擋板307安裝於所述底座301的一端，所述前端擋板307具有一縫隙；所述滑動板308安裝於所述底座301的另一端，並可在所述底座301上滑動，以改變所述滑動板308與所述前端擋板307之間的距離；兩個定位擋板302、303對稱安裝於所述滑動板308上，兩個定位擋板302、303上具有刻度；所述凹槽定位裝置304安裝於兩個定位擋板302、303之間，所述凹槽定位裝置304的中心與所述前端擋板307的縫隙在一條直線上，所述凹槽定位裝置304可沿該直線滑動。
具體的，所述定位擋板302、303的長度優選為50mm至200mm，所述定位擋板302與所述定位擋板303之間的夾角α優選為60°至150°。當然在實際應用中，所述定位擋板302、303的長度可根據實際情況進行調整，所述定位擋板302與所述定位擋板303之間的夾角α也可做適當調
整。
具體的，所述底座301為一軸對稱結構，例如是缺角的扇形。所述底座301的面積大於放置在其上的晶片401的面積，所述前端擋板307的中心位於所述底座301的對稱軸上。當然在實際應用中，所述底座301也可為非軸對稱圖形，所述底座301面積也可小於或者等於放置在其上的晶片401，只需要所述底座301在X軸向上的長度大於放置在其上的晶片401即可，所述前端擋板307的位置也可進行調整。
具體的，所述凹槽定位裝置304與晶片401接觸端為與V型凹槽吻合的凸起。當然在示意應用中，晶片401上的凹槽可能為U型或者其它形狀，相應的，所述凹槽定位裝置304的凸起也隨之變化，所述凹槽定位裝置304的凸起能與其吻合即可。
具體的，如圖5所示，所述前端擋板307包括前端擋板第一部分305和前端擋板第二部分306，所述前端擋板第一部分305和前端擋板第二部分306相背離一端之間的距離d1優選範圍為50mm至100mm，所述前端擋板第一部分305和前端擋板第二部分306之間的縫隙寬度d2優選範圍為20mm至50mm，所述縫隙位於所述前端擋板307中心，所述前端擋板307的高度h優選範圍為3至6mm。當然在實際應用中，所述前端擋板的尺寸可根據實際情況進行調整，所述前端擋板第一部分305和前端擋板第二部分306之間的縫隙寬度d2也可在前端擋板307的中心位置進行左右移動，所述前端擋板307也可不分為兩部分，比如，為一整體結構且其中間具有一凹槽。
具體的，如圖6所示，當尺寸不同的晶片401定位於所述晶片放置裝置時，與所述定位擋板302、303會有不同位置的切點。用標準的不
同尺寸的晶片進行定位並將相切位置標上刻度，即可在之後的定位檢查過程中針對不同尺寸晶片進行檢測，而無需進行機台調整或校準，較傳統晶片放置裝置效率和準確度大大提高。
優選方案中，所述晶片放置裝置的底板301與晶片401接觸面、所述前端擋板307與晶片接觸面、以及兩定位擋板302、303與晶片401接觸面均覆蓋有特氟龍材料層。具體的，如圖7所示，所述晶片放置裝置的底板301與晶片401接觸面覆蓋有特氟龍材料層311，所述前端擋板307與晶片接觸面覆蓋有特氟龍材料層310，兩定位擋板302、303(結合圖4所示)與晶片401接觸面覆蓋有特氟龍材料層309，所述特氟龍材料層309、310、311的厚度優選為2mm-5mm。當然在實際應用中，所述底板301也可不整面覆蓋所述特氟龍材料層309、310、311，僅與所述晶片401接觸部分覆蓋即可，所述特氟龍材料層309、310、311的厚度也可根據工藝和實際狀況進行調整。
結合圖4至圖8所示，所述晶片放置裝置的使用方法如下：S1：滑動所述晶片放置裝置的滑動板308，使所述晶片放置裝置的底座301露出最大面積；S2：將待測晶片401放置於所述晶片放置裝置的底座301上；S3：滑動所述晶片放置裝置的滑動板308，使待測晶片401與所述晶片放置裝置的兩定位板302、303和前端擋板307相切，並觀察所述晶片401是與所述兩定位板302、303的切點是否與其對應刻度位置一致，若一致，則晶片401尺寸符合要求，進入下一步；若不一致，則晶片401尺寸不符合要求；S4：轉動所述待測晶片401，調整其晶向至規定方向；
S5：滑動所述晶片放置裝置的凹槽定位裝置304，使其與所述待測晶片401邊緣緊貼，若其與所述待測晶片401的邊緣凹槽正好吻合，即可說明晶向定位正確。
綜上所述，採用本發明提供的晶片放置裝置，由於所述定位板與不同尺寸的晶片均能相切，僅需在定位板上對應不同尺寸晶片表上刻度，即可對不同尺寸晶片進行定位檢測，而無需像傳統晶片放置裝置一樣進行調整和校準，從而提高了檢測效率和準確度；由於本發明提供的晶片定位裝置與晶片接觸的區域均覆蓋有特氟龍材料層，從而大大降低了金屬污染的風險。
上述描述僅是對本發明較佳實施例的描述，並非對本發明範圍的任何限定，本發明領域技術人員根據上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬於專利保護範圍。
Claims (14)
- 一種晶片放置裝置，包括：用於放置晶片的底座、兩個定位擋板、凹槽定位裝置、前端擋板和滑動板；所述前端擋板安裝於所述底座的一端，所述前端擋板具有一縫隙；所述滑動板安裝於所述底座的另一端，並可在所述底座上滑動，以改變所述滑動板與所述前端擋板之間的距離；所述兩個定位擋板對稱安裝於所述滑動板上，所述兩個定位擋板上具有刻度；所述凹槽定位裝置安裝於所述兩個定位擋板之間，所述凹槽定位裝置的中心與所述前端擋板的縫隙在一條直線上，所述凹槽定位裝置可沿該直線滑動，其中所述凹槽定位裝置與晶片接觸的一端為與晶片的V型凹槽或是U型凹槽相對應的凸起。
- 如請求項1所述晶片放置裝置，其中所述底座的面積至少大於放置在所述底座上的晶片的面積。
- 如請求項1所述晶片放置裝置，其中所述底座為軸對稱結構。
- 如請求項3所述晶片放置裝置，其中所述前端擋板的中心位於所述底座的對稱軸上。
- 如請求項1所述晶片放置裝置，其中所述前端擋板包括兩部分。
- 如請求項1所述晶片放置裝置，其中所述前端擋板的縫隙的寬度為20mm至50mm。
- 如請求項1至6中任一項所述晶片放置裝置，其中所述定位擋板的長度為50mm至200mm。
- 如請求項1至6中任一項所述晶片放置裝置，其中所述兩個定位擋板之間的夾角為60°至150°。
- 如請求項1所述晶片放置裝置，其中所述定位擋板上的刻度的位置為不同尺寸的晶片與所述定位擋板相切的位置。
- 如請求項1所述晶片放置裝置，其中所述底座與晶片接觸的一面上覆蓋有特氟龍材料層。
- 如請求項1所述晶片放置裝置，其中所述定位擋板與晶片接觸的一面上覆蓋有特氟龍材料層。
- 如請求項1所述晶片放置裝置，其中所述前端擋板與晶片接觸的一面上覆蓋有特氟龍材料層。
- 如請求項10至12中任一項所述晶片放置裝置，其中所述特氟龍材料層的厚度為2mm-5mm。
- 一種晶片定向儀，包括如請求項1至6以及9至12中任一項所述的晶片放置裝置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710051656.XA CN108333298B (zh) | 2017-01-19 | 2017-01-19 | 晶片放置装置和晶片定向仪 |
| ??201710051656.X | 2017-01-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI630676B true TWI630676B (zh) | 2018-07-21 |
| TW201828385A TW201828385A (zh) | 2018-08-01 |
Family
ID=62922397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW106123085A TWI630676B (zh) | 2017-01-19 | 2017-07-10 | 晶片放置裝置和晶片定向儀 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108333298B (zh) |
| TW (1) | TWI630676B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN114178931A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-03-15 | 江西兆驰半导体有限公司 | 蓝宝石晶片v型notch槽的倒角加工定位装置及方法 |
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Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3578194B2 (ja) * | 1997-03-18 | 2004-10-20 | 株式会社東京精密 | ウェーハ位置決め方法及び装置 |
| US7453160B2 (en) * | 2004-04-23 | 2008-11-18 | Axcelis Technologies, Inc. | Simplified wafer alignment |
| CN102189542B (zh) * | 2010-03-19 | 2014-01-22 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体晶圆输送用机械手 |
| KR101845646B1 (ko) * | 2010-12-09 | 2018-04-04 | 교리쯔 가가꾸 산교 가부시키가이샤 | 광 중합 개시제에 적합한 화합물, 광 중합 개시제 및 광경화성 수지 조성물 |
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-
2017
- 2017-01-19 CN CN201710051656.XA patent/CN108333298B/zh active Active
- 2017-07-10 TW TW106123085A patent/TWI630676B/zh active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108333298B (zh) | 2021-03-09 |
| CN108333298A (zh) | 2018-07-27 |
| TW201828385A (zh) | 2018-08-01 |
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